JPH09324264A - スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ガラス基板１０上に透明な接着性薄膜２１、透
明乃至反射性の銀系薄膜２２、表面の透明な保護膜２３
による３層構造の導電薄膜２４をはじめとする複層薄膜
や多層薄膜など各種導電膜の耐湿性の向上と、スパッタ
リング時の酸素などガス雰囲気による悪影響を防止でき
るようにスパッタリングターゲットを改良することにあ
る。 【解決手段】０．１〜２．５ａｔ％の金、及び０．３〜
３ａｔ％の銅を含有せしめた銀合金若しくは銀ベース複
合金属より構成されているスパッタリングターゲット。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、銀系薄膜を金属酸
化物系薄膜で挟持する構成の３層構造の導電膜の該銀系
薄膜をスパッタリング法にて成膜する際に適用されるス
パッタリングターゲットに関し、特に耐湿性と光学特性
に優れた導電膜を成膜するためのスパッタリングターゲ
ットの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】銀薄膜の表面にＩＴＯ薄膜などの金属酸
化物系の透明な導電性の保護膜を設けて構成される多層
薄膜は、極めて高い導電性を有するため、この高導電性
を利用して多層薄膜を様々な分野に応用する試みがなさ
れている。

【０００３】例えば、特公平１−１２６６３号公報又は
特開昭６１−２５１２５号公報においては、銀被膜を薄
膜化して透明性を確保し、その表面にＩＴＯ薄膜を積層
して多層構造とした透明な導電性の多層薄膜を提案して
いる。この透明な多層薄膜は、ＩＴＯ単体の薄膜に較べ
て、その導電率が極めて高いため、例えば、ＩＴＯ薄膜
は、その膜厚が２５０ｎｍの場合に、面積抵抗値が８Ω
（又はΩ／□、□；スクエアと称する）程度を有するの
に対し、上記透明な多層薄膜は、その合計膜厚が高々９
０ｎｍの極めて薄い膜であっても５Ω程度の低い面積抵
抗値（高い導電率）を実現することができる。

【０００４】また、このような透明な多層薄膜の高導電
率と透明性とに着目して、特開昭６３−１７３３９５号
公報においては同様の層構成を有する多層薄膜を透明な
電磁波シールド膜として利用する技術を提案している。

【０００５】また、銀系薄膜を金属酸化物系薄膜で挟持
する構成の３層構造の導電膜は、該銀系薄膜の膜厚が５
〜２０ｎｍの範囲では、可視光に対して良好な透過率を
もつため、液晶ディスプレイなどの透明電極への適用が
検討されている。なお、上記構成による３層構造の導電
膜は、その銀系薄膜の膜厚を５０ｎｍ以下、例えば５〜
２５ｎｍの範囲、好ましくは８〜２２ｎｍの範囲に設定
すれば良好な光透過性の導電膜となり、５０ｎｍより厚
く設定すれば良好な光反射性の導電膜となる。

【０００６】さらに１９８２年に日本で開催された第７
回ＩＣＶＭにおいては、同様の層構成を有する多層薄膜
が、長波長側の光を遮断する性能に優れていることに着
目して、上記多層薄膜を熱線反射膜（熱光線遮断膜）に
適用する技術が提案されている。

【０００７】他方、比較的膜厚の大きい銀薄膜について
は、その光反射率が可視領域のほぼ全域に亘って高いこ
とに着目し、膜厚が５０ｎｍ以上の実用レベルでは１５
０ｎｍ前後の銀薄膜にＩＴＯ薄膜などを積層して多層構
造とした光反射性の多層薄膜を、反射型液晶ディスプレ
イの光反射板や、反射性金属電極（反射電極）として適
用する技術も提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの多
層薄膜を製造するに際して、その銀薄膜は、通常、銀の
スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法に
て成膜され、また、銀薄膜を挟持する金属酸化物も通常
はスパッタリングや蒸着などにより成膜されている。そ
して、こうした成膜法により製造された３層構造の導電
膜は、湿度の影響により、成膜後に放置しているだけで
も導電膜にシミが発生したり、ミクロ的（微視的）に
は、導電膜の３層構造が破壊されたり、あるいは銀が凝
集して導電膜の導電性や光学特性を劣化させるなどの問
題があって耐湿性の向上が望まれている。

【０００９】本発明者らは３層構造の導電膜の耐湿性向
上策として、銀に金を添加した銀合金による銀系薄膜と
することにより、大幅な耐湿性の向上に効果のあること
を見い出し、この構成を提案しており、上記銀への金の
添加量は、４ａｔ％（以下ａｔｏｍｉｃ ｗｅｉｇｈｔ
％、原子量％をａｔ％と称する）以下、例えば０．１〜
３ａｔ％の範囲で十分な耐湿性向上の効果があることを
見い出している。

【００１０】また、銀金合金の銀系薄膜を用いた３層構
造の導電膜は、下記のようにスパッタリングの成膜時の
ガス雰囲気による悪影響を受け易い欠点があった。例え
ば、透過型の液晶ディスプレイ用の電極基板など透明電
極を前提とした３層構造の導電膜の場合は、特に雰囲気
中の酸素の影響を受けて可視域の短波長側の光透過率
（反射電極においては光反射率）が低下し易い。

【００１１】図６は、膜厚１５ｎｍの銀による銀薄膜乃
至銀金合金による銀系薄膜（金を０〜０．４ａｔ％含
む）を、それぞれ金属酸化物系の薄膜で挟持した構成に
よる３層構造の透明導電膜の分光特性（分光透過率）を
示すグラフである。

【００１２】図６中のグラフは金０ａｔ％の銀薄膜に
よる場合であり、グラフ（破線）は金０．１０ａｔ％
の銀系薄膜による場合であり、グラフは金０．２０ａ
ｔ％の銀系薄膜による場合であり、グラフは金０．４
０ａｔ％の銀系薄膜による場合のそれぞれ３層構造の透
明導電膜の分光透過率であり、該導電膜の合計膜厚は約
９０ｎｍ、面積抵抗値は約３Ωである。

【００１３】上記図６によれば、グラフの銀薄膜、及
びグラフの金０．２０ａｔ％添加した銀系薄膜、及び
グラフの金０．４０ａｔ％添加した銀系薄膜によるそ
れぞれ３層構造の透明導電膜においては、光波長４７０
ｎｍ付近に透過率のダウンが生じることが示され、グラ
フ（破線）の金０．１０ａｔ％添加した銀系薄膜によ
る３層構造の透明導電膜においては、上記のような透過
率のダウンは見られない。

【００１４】同じく、図７に、金を０．８〜２．５ａｔ
％含む３層構造の透明導電膜の分光特性カーブであり、
図７中のグラフは金０．８ａｔ％の銀系薄膜、グラフ
（破線）は金１．５２ａｔ％の銀系薄膜、グラフは
金２．５ａｔ％の銀系薄膜による場合のそれぞれ３層構
造の透明導電膜の分光透過率であり、該導電膜の合計膜
厚は、約９０ｎｍ、面積抵抗値は約３Ωである。

【００１５】上記図７によれば、グラフ、グラフ
（破線）、グラフに示すそれぞれ３層構造の透明導電
膜は、光波長４７０ｎｍ付近に透過率のダウンが生じる
ことが示されている。

【００１６】この透過率のダウンは、バッチ式の成膜装
置では、銀系薄膜の成膜時に十分な排気を行って酸素の
影響を少なくすることにより減少させることができる
が、インライン型の量産タイプの成膜装置では、３層構
造の導電膜の両側（表裏）の金属酸化物系薄膜を成膜す
る際に酸素を導入するために酸素の影響を受け易い。

【００１７】図４は、膜厚１５０ｎｍの銀系薄膜による
３層構造の反射性の導電膜の分光特性（分光反射率）を
示すグラフＡ、Ｂであり、グラフＢに示すものは、銀に
金を１ａｔ％添加した銀金合金による反射性の導電膜の
分光反射率であり、短波長側の光反射率の低下及び光波
長４６０ｎｍ付近でのグラフのカーブに凹みが見られ
る。

【００１８】このようなカーブの凹み現象は、上記光透
過性の透明電極の光透過率の場合と同様に、成膜時の酸
素のガス導入を増やすことによってより顕著となるが、
銀系薄膜に金を所定量添加して成膜することによって、
成膜時の酸素による上記のようなカーブの凹み現象を防
止することができることが見出されている。

【００１９】本発明の課題は、上記したような問題点を
解消するためのスパッタリングターゲットの改良にあ
り、上述したような３層構造の導電薄膜をはじめとする
複層薄膜、多層薄膜などの各種導電膜の耐湿性の向上
と、スパッタリング時の酸素などガス雰囲気による悪影
響を防止できるようにスパッタリングターゲットを改良
することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、０．１〜２．
５ａｔ％の金、及び０．３〜３ａｔ％の銅を含有せしめ
た銀合金若しくは銀ベース複合金属より構成されている
ことを特徴とするスパッタリングターゲットである。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明のスパッタリングターゲッ
トを実施の形態に従って以下に詳細に説明する。

【００２２】本発明者らは、銀系薄膜のスパッタリング
による成膜時に、ガス雰囲気の影響を少なくする手段と
して、銀（Ａｇ）と金（Ａｕ）の合金に、少量の銅（Ｃ
ｕ）を添加した銀金銅合金を用いて、銀系薄膜を成膜す
ることが良好な結果を得ることを見い出した。

【００２３】この場合、上記金、銅いずれの添加量も３
ａｔ％以下（ａｔ％；原子量％）の少量でよく、そし
て、少量の前記銅の添加によって、金を含有する銀系薄
膜を用いた複層薄膜、多層薄膜の各種導電膜の短波長側
での光透過率Ｔ（あるいは光反射率Ｒ）のダウンを無く
すことができる。

【００２４】また、上記金の銀系薄膜に対する添加量
は、前記導電膜の耐湿性向上に関しては、０．１ａｔ％
の少量添加から効果が生じ、添加量を多くするに従って
耐湿性が向上する。但し、金の添加量が多くなると、前
記導電膜の抵抗値が上昇し、且つ金の添加量が２．５ａ
ｔ％以上になると、導電膜のエッチング加工時に残滓が
残り易くなる傾向がある。

【００２５】図５は、透明な基板上に成膜した３層構造
の透明性の導電薄膜（膜厚；約８５ｎｍ）であって、そ
の導電薄膜における銀系薄膜への銅（Ｃｕ）の添加率
（０〜３．０ａｔ％）とその時の分光透過率Ｔ（％）の
関係を示すグラフであり、上記銅の銀系薄膜への添加量
は、同図５に示すように、０．３ａｔ％程度から徐々に
短波長側の透過率の落ち込みを上昇させる効果がある。

【００２６】銅は、銀に対して共晶の形（完全固溶では
ない）を採るため、銅の添加量が多くなると、透過率
（若しくは反射率）に悪い影響を与えるようになる。ま
た、銅の添加量が多くなると導電膜の抵抗値が上昇する
傾向が見られ、例えば、銀系薄膜の膜厚を１０ｎｍと
し、且つ銅の添加量を３ａｔ％以上とした場合には、面
積抵抗値は５Ω（又は５Ω／□）を超えるようになる。

【００２７】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、上記複層薄膜、多層薄膜の光透過率又は光反射率
に、実質的な影響を及ぼさない範囲で、金、銅に加えて
その他の単純金属元素、遷移金属元素、半金属元素など
を含有するものであってもよい。

【００２８】上記スパッタリングターゲットは、主体と
する銀に対して金と銅とを少量含有する銀合金にて構成
されるものであるが、これら銀と金と銅とを加熱溶融
し、鋳型に注型して冷却固化することにより、板状など
のスパッタリングターゲットとして製造することができ
る。なお、前記加熱溶融雰囲気は、不活性ガス、大気の
いずれでも可能である。

【００２９】板状のスパッタリングターゲット（板材）
を得る方法としては、板状の鋳型にて鋳造する方法、ま
た、鋳塊を圧延により板状にする方法、鋳型を用いずに
連続鋳造法などにより直接板材を得る方法などがある
が、どの方法を用いても、本発明の効果を満足する板材
が得られる。

【００３０】得られた板材を研磨してターゲットを得る
場合の研磨方法は特に限定されず、通常行われる表面研
磨でよい。

【００３１】また、本発明のスパッタリングターゲット
における上記銀合金ターゲットとしては、上記の銀合金
ターゲット以外に、必要に応じて、銀ターゲットの一部
に、所定の比率となるように、金、銅を少量埋め込んだ
複合金属（０．１〜２．５ａｔ％の金及び０．３〜３ａ
ｔ％の銅）による銀合金ターゲットであってもよい。

【００３２】なお、従来技術において説明したような銀
系薄膜を金属酸化物系薄膜で挟持する構成の３層構造な
ど多層構造の導電膜は、ＤＣ（直流）法、ＲＦ（交流）
法、ＲＦ−ＤＣ法といったスパッタリング法で成膜する
ことが一般的であるが、例えば、銀ベースに金、銅を少
量埋め込んだ上記複合金属による銀合金ターゲットを成
膜用のスパッタリングターゲット（スパッタリング源）
として使用する場合には、埋め込んだ合金元素近傍領域
とそれ以外の領域とでは、基板上に成膜される銀系薄膜
の銀金合金の組成比及び膜厚などに不均一な差異が生じ
易いので、成膜される銀系薄膜に不均一な差異が発生し
ないように十分配慮して成膜することが必要である。

【００３３】次に、本発明に係るスパッタリングターゲ
ットはバッキングプレート上に固定し、ＤＣスパッタリ
ング法や、ＲＦ−ＤＣスパッタリング法などの直流スパ
ッタリング法、あるいは高周波（ＲＦ）スパッタリング
法などのターゲットとして用いられ、このスパッタリン
グターゲットの組成と同一の組成を有する銀系薄膜を成
膜するために用いられる。なお、上記バッキングプレー
トの材料としては、水冷時の冷却効果の高いものが望ま
しく、例えば、銅合金、無酸素銅などが利用でき、ま
た、このバッキングプレートに上記スパッタリングター
ゲットを固定する方法としては、例えば、メタルボンデ
ィング、樹脂固定などの固定方法が適用できる。

【００３４】そして、こうして成膜された銀系薄膜は導
電性を備え、また、その膜厚が５０ｎｍより薄い場合、
例えば２ｎｍ以下の場合には、良好な光透過性を有し、
透過型の液晶ディスプレイや太陽電池などの透明電極、
あるいは透明な電磁波シールド膜などとして利用するこ
とが可能となる。

【００３５】また、上記銀系薄膜を光反射性の薄膜とし
て利用する場合は、膜厚を５０ｎｍ以上に成膜すること
が望ましく、こうして成膜された銀系薄膜は導電性と光
反射性とを備え、例えば反射型の液晶ディスプレイや太
陽電池などの反射電極、あるいは電磁波シールド膜など
として利用することが可能となる。

【００３６】上記スパッタリングターゲットを用いて銀
系薄膜など導電膜を成膜する成膜方法としては、その成
膜速度の点から直流（ＤＣ）スパッタリング法が望まし
い。そしてまた、成膜の際には、高成膜速度で、しかも
成膜装置の内部の水分を極力排除して、高真空側で成膜
することが望ましく、且つ、成膜される銀系薄膜を微細
結晶状態とするため、低温の基板温度で成膜することが
望ましい。

【００３７】上記成膜される銀系薄膜には、その表面側
に保護膜、例えば、３層構造の導電膜の場合は、ガラス
などの基板上に銀系薄膜をその上下側（表裏側）より挟
持して成膜される導電薄膜のうち表面側の導電薄膜とし
ての保護膜を成膜するものである。

【００３８】上記保護膜としては、例えば、酸化亜鉛、
酸化ガリウム、酸化錫、酸化インジウム、あるいは酸化
インジウムに他の無機酸化物を混合して構成される透明
な混合酸化物系薄膜が利用できる。

【００３９】また、特に上記保護膜として、酸化インジ
ウムなどに銀との固溶域を持たない若しくは固溶域の小
さい、金属元素の酸化物を添加して構成される混合金属
酸化物系の薄膜を成膜した場合は、その薄膜は防湿性能
があり、空気中の水分を遮断するため、この水分による
上記銀系薄膜の経時的変質や劣化を防止することができ
る。

【００４０】ここで上記のように銀との固溶域を持たな
い若しくは固溶域の小さい金属元素としては、室温付近
で銀に対する固溶量が１０ａｔ％より小さい元素、例え
ば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｉなどの半金属元素などが挙
げられる。

【００４１】またこれらの元素はインジウム元素に較べ
て５ａｔ％未満の場合には、防湿性の向上は観察される
ものの、その効果が不十分なため、５ａｔ％以上含有さ
れていることが望ましく、これによって、上記元素が含
まれる混合金属酸化物系の薄膜は極めて高い防湿性を示
し、その下層にある前述の本発明のスパッタリングター
ゲットを用いて成膜された銀系薄膜の経時的変化や劣化
をより一層防止することができる。

【００４２】また、上記保護膜に用いられる銀との固溶
域を持たない若しくは小さい金属元素がチタン及びセリ
ウムから選択される１以上の元素である場合、保護膜の
屈折率が約２．１〜２．３へと大きく増大し、そのた
め、銀系薄膜が薄くて透明な場合には、保護膜を銀系薄
膜の反射防止膜（可視領域における長波長側の光の反射
を防止する膜）として作用させることが可能となり、長
波長側の光透過率を増大させることができ、その結果、
可視領域の全域に亘って高い光透過率を有するようにな
るために鮮やかで明るい白色光の透過をも可能にする。

【００４３】なお、上記保護膜が、酸化インジウムを基
材とする場合、これら酸化インジウムを主成分とする保
護膜と前述の銀系薄膜とは、いずれも硝酸系エッチャン
トをエッチング液としたエッチング処理によりパターニ
ングすることができる。即ち、ガラス、合成樹脂などの
基板上に銀系薄膜及び保護膜の二層を成膜し、且つ、表
面に露出した保護膜上にレジスト膜をフォトリソグラフ
ィ法などにてパターン状に形成した後、このレジスト膜
から露出した部位を硝酸系エッチング液にてエッチング
することにより上記二層の薄膜を一括してパターン状に
パターンエッチングすることが可能である。

【００４４】このエッチング液としては、硝酸の他に塩
酸や硫酸、又は酢酸などの他種の酸を硝酸に添加してな
る硝酸系の混液、あるいは界面活性剤を若干量添加した
硝酸などが利用できる。

【００４５】次に、本発明に係るスパッタリングターゲ
ットを用いて、銀系薄膜が成膜される基板としては、例
えば、ガラス、プラスチックボード、プラスチックフィ
ルムなどが利用できる。なお、この基板上に光散乱層
（視野角を拡げるための光拡散層）を設けたものも使用
できる。

【００４６】また、プラスチックボードやプラスチック
フィルムを基板として使用する場合には、空気中の水分
がこの基板を透過して銀系薄膜を損傷することを防ぐた
め、上記プラスチックボード又はプラスチックフィルム
表面に防湿性のコーティング層を設けた後、銀系薄膜を
成膜することが望ましい。

【００４７】また、この銀系薄膜と基板との密着性を増
大させるため、銀系薄膜と基板との間に、透明な接着性
薄膜を設けることも可能であり、例えば、この透明な接
着性薄膜として上記保護膜と同一材質の薄膜を利用する
ことができる。

【００４８】なお、保護膜と同一材質を有する上記接着
性薄膜は、これを硝酸又は硝酸系混液でエッチングする
ことができるため、基板上に、接着性薄膜、銀系薄膜及
び保護膜の３層をこの順に成膜し、且つ表面の前記保護
膜上にフォトリソグラフィ法などにてレジスト膜をパタ
ーン状に形成した後、エッチングして上記３層を一括し
て上記パターン形状にパターニングすることが可能であ
る。

【００４９】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を示す。

【００５０】＜実施例１＞この実施例１に係るスパッタ
リングターゲットは、１．０ａｔ％の金と、１．５ａｔ
％の銅と、９７．５ａｔ％の銀からなるもので、いずれ
も９９．９９％純度のメタルの所定量を溶解炉にて大気
下で溶解し、攪拌混合した後、板状に鋳造するための形
状をもった鋳型にて鋳造してスパッタリングターゲット
の板材を製造した。なお、鋳型による鋳造方式は、特に
限定されないが、本実施例１においては、溶解した銀合
金を、水冷された前記鋳型（金型）中に流し込み注型し
て３時間程度冷却することにより製造した。

【００５１】続いて、鋳造して得られたスパッタリング
ターゲットの板材表面を平面研削盤（平面研磨盤）で平
滑に研削（研磨）して、その板材の端面を加工（成形）
することにより、スパッタリングターゲットを製造し
た。

【００５２】次に、このスパッタリングターゲットを銅
製のバッキングプレートに固定し、スパッタリング法に
て、図１に示すように透明なガラス基板１０上に、厚さ
３９ｎｍの接着性薄膜１１、厚さ１０ｎｍの銀系薄膜１
２（光透過性薄膜）、厚さ３９ｎｍの保護膜１３から構
成される多層薄膜１４（３層構造の透明な導電性薄膜）
を成膜した。なお、スパッタリング装置はＤＣマグネト
ロンスパッタリング装置を使用し、ガラス基板１０を室
温に保持した状態で、このガラス基板１０を装置外部に
取り出すことなく連続して上記多層薄膜１４を成膜し、
このようにして成膜された多層薄膜１４に、２７０℃、
１時間のアニール処理を、必要に応じて施した。

【００５３】上記銀系薄膜１２は、上記スパッタリンク
ターゲットと同一の組成を有しており、他方、接着性薄
膜１１及び保護膜１３は、いずれも酸化インジウム、酸
化チタン、酸化セリウムによる混合金属酸化物から構成
されている。

【００５４】上記接着性薄膜１１及び保護膜１３の前記
混合金属酸化物の各金属元素の含有量は、それら金属元
素の全原子量（インジウム元素、チタン元素、セリウム
元素の合計原子量）を１００ａｔ％としたとき、例えば
インジウム元素８０ａｔ％、チタン元素１９ａｔ％、セ
リウム元素１ａｔ％となる含有量に設定して行った。

【００５５】このようにして成膜された上記多層薄膜１
４全体の面積抵抗値は４．６Ωであった。また、上記透
明基板１０に成膜された多層薄膜１４の分光透過率Ｔ
は、図２のようになった。

【００５６】同図２から分かるように、波長４３０ｎｍ
〜６２０ｎｍの広い範囲で、その分光透過率が９７％に
近く、可視領域の概略全域に亘って均一で高い透過率を
有することが確認できた。

【００５７】＜実施例２＞この実施例２に係るスパッタ
リングターゲットは、上記実施例１と同様にして製造し
た。

【００５８】そして、このスパッタリングターゲット
を、銅製のバッキングプレートに固定し、スパッタリン
グ法にて、図３に示すように透明乃至不透明なガラス基
板２０上に、厚さ１０ｎｍの接着性薄膜２１、厚さ１５
０ｎｍの銀系薄膜２２（光反射性薄膜）、厚さ７５ｎｍ
の保護膜２３から構成される多層薄膜２４（３層構造の
導電性薄膜）を成膜した。なお、スパッタリング装置は
ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用し、ガラス
基板２０を室温に保持した状態で、このガラス基板２０
を装置外部に取り出すことなく連続して上記多層薄膜２
４を成膜し、このようにして成膜された多層薄膜２４
に、２３０℃、１時間のアニール処理を、必要に応じて
施した。

【００５９】上記銀系薄膜２２は、上記スパッタリンク
ターゲットと同一の組成を有しており、他方、接着性薄
膜２１及び保護膜２３は、いずれも酸化インジウムと酸
化セリウムとによる混合金属酸化物から構成されてい
る。

【００６０】上記接着性薄膜２１及び保護膜２３の前記
混合金属酸化物の各金属元素の含有量は、それら金属元
素の全原子量（インジウム元素、セリウム元素の合計原
子量）を１００ａｔ％としたとき、例えばインジウム元
素６８ａｔ％、セリウム元素３２ａｔ％となる含有量に
設定して行った。

【００６１】このようにしてアニール処理を施して成膜
された上記多層薄膜２４全体の面積抵抗値は２．９Ωで
あった。また、上記基板２０上に成膜された多層薄膜２
４の分光反射率Ｒは、図４のグラフＡのようになった。

【００６２】同図４から分かるように、波長４００ｎｍ
〜６２０ｎｍの広い範囲で、その分光反射率が、従来の
グラフＢと較べて最大１５％程度改善され、可視領域の
概略全域に亘って均一で高い反射率を有することが確認
できた。

【００６３】

【発明の効果】本発明のスパッタリングターゲットは、
銀に少量の金と銅とを加熱溶解して混合した銀合金によ
るターゲット、又は銀ベースに少量の金と銅とを埋め込
んだ複合金属によるターゲットであり、これを用いるこ
とにより耐湿性が高く、且つ透明電極を前提とする場合
には高透過率で、また反射電極を前提とする場合には高
反射率で導電性の多層薄膜を製造することができる。

【００６４】本発明のスパッタリングターゲットを用い
てスパッタリング成膜を行うことにより成膜時の雰囲気
中の酸素の影響を食い止め、成膜条件などにおける許容
値を緩和して、比較的に従来よりも成膜作業マージンの
広い作業域にて製造できる効果がある。

【００６５】特に、インライン型のスパッタリング装置
では、金属酸化物による接着性薄膜や表面の保護膜と銀
系薄膜とを、同一のスパッタリングチャンバー内にて行
うことができ、酸素の影響を受け難くすることができる
などの顕著な効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のスパッタリングターゲットを用いて透
明ガラス基板上にスパッタリング成膜された透明性の導
電薄膜を説明する側断面図。

【図２】本発明のスパッタリングターゲットを用いて透
明ガラス基板上にスパッタリング成膜された透明性の導
電薄膜の分光透過率を示すグラフ。

【図３】本発明のスパッタリングターゲットを用いてガ
ラス基板上にスパッタリング成膜された反射性の導電薄
膜を説明する側断面図。

【図４】本発明のスパッタリングターゲットを用いてガ
ラス基板上にスパッタリング成膜された反射性の導電薄
膜の分光反射率（グラフＡ）と、従来の反射性の導電薄
膜の分光反射率（グラフＢ）とを示すグラフ。

【図５】透明な銀系薄膜に含有する銅の含有率と分光透
過率との関係を示すグラフ。

【図６】透明な銀系薄膜に含有する金の含有率と分光透
過率との関係を示すグラフ。

【図７】反射性の銀系薄膜に含有する金の含有率と分光
反射率との関係を示すグラフ。

【符号の説明】

１０…透明ガラス基板 １１…接着性薄膜 １２…銀系
薄膜 １３…保護膜 １４…透明性導電薄膜 ２０…透明乃至不透明ガラス基板 ２１…接着性薄膜
２２…銀系薄膜 ２３…保護膜 ２４…反射性導電薄膜

フロントページの続き (72)発明者 加藤 忠士 東京都港区新橋５−11−３ 住友金属鉱山 株式会社内 (72)発明者 名手 達夫 東京都港区新橋５−11−３ 住友金属鉱山 株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】０．１〜２．５ａｔ％の金、及び０．３〜
   ３ａｔ％の銅を含有せしめた銀合金若しくは銀ベース複
   合金属より構成されていることを特徴とするスパッタリ
   ングターゲット。