JPH08330678A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH08330678A JPH08330678A JP7065796A JP7065796A JPH08330678A JP H08330678 A JPH08330678 A JP H08330678A JP 7065796 A JP7065796 A JP 7065796A JP 7065796 A JP7065796 A JP 7065796A JP H08330678 A JPH08330678 A JP H08330678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高次モードの発生を抑制し得、活性層への電
流の注入密度が改善され、且つアップサイド−ダウンの
マウントが容易でしかも放熱性に優れたＩｎＧａＡｌＮ
系半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 導電性の基板と、その一面側に設けられ
た一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘ
テロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の
上に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は
基板側から順次１番目のクラッド層と、Ｉｎx Ｇａy Ａ
ｌ1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般
式を有する化合物半導体からなる活性層と、２番目のク
ラッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気
抵抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている。本
発明の好ましい態様においては、該固体埋め込み材とし
ては、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より
５×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有するも
のが用いられる。
流の注入密度が改善され、且つアップサイド−ダウンの
マウントが容易でしかも放熱性に優れたＩｎＧａＡｌＮ
系半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 導電性の基板と、その一面側に設けられ
た一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘ
テロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の
上に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は
基板側から順次１番目のクラッド層と、Ｉｎx Ｇａy Ａ
ｌ1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般
式を有する化合物半導体からなる活性層と、２番目のク
ラッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気
抵抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている。本
発明の好ましい態様においては、該固体埋め込み材とし
ては、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より
５×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有するも
のが用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、端面放射型の半導
体レーザに関し、詳しくは、ＩｎＧａＡｌＮ系の化合物
半導体からなる発光部を有する半導体レーザに関する。
体レーザに関し、詳しくは、ＩｎＧａＡｌＮ系の化合物
半導体からなる発光部を有する半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】通信や記録などの分野におけるデータ密
度増大の要求によって、青色光から紫外光に亘る短波長
光を放出し得る半導体レーザが求められている。このよ
うなレーザ用の半導体材料として、 III族元素と窒素と
からなる化合物半導体、そのなかでも特に、Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌ1-x-y Ｎ、（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式
を有する化合物半導体（以下、該化合物半導体をＩｎＧ
ａＡｌＮ系の化合物半導体と略称する）が着目されてい
る。上記半導体レーザを形成する際に用いられる基板用
の材料としては、従来より入手が容易なサファイア結晶
が専ら用いられている。一方、一般的に半導体レーザに
は、利得導波型、および屈折率分布にて導波路構造を内
在させる屈折率導波型とがある。ところでＩｎＧａＡｌ
Ｎ系の化合物半導体の場合、現在のところ電流注入密度
を上げ易い後者の屈折率導波型が主流となっている。図
３は、サファイア結晶を基板として用いた屈折率導波型
のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザの従来構造を示す。同
図において、サファイア結晶基板１０ａの一方の面上
に、バッファ層１０ｂを介してダブルヘテロ構造の発光
部２が積層されている。この発光部２は、下側クラッド
層２０ａ、活性層２０ｃ、及び上側クラッド層２０ｂと
からなっている。光共振器は、同図の正面側と背面側の
各面で構成されており、レーザ光Ｌが太い矢印の方向に
放出される。
度増大の要求によって、青色光から紫外光に亘る短波長
光を放出し得る半導体レーザが求められている。このよ
うなレーザ用の半導体材料として、 III族元素と窒素と
からなる化合物半導体、そのなかでも特に、Ｉｎx Ｇａ
y Ａｌ1-x-y Ｎ、（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式
を有する化合物半導体（以下、該化合物半導体をＩｎＧ
ａＡｌＮ系の化合物半導体と略称する）が着目されてい
る。上記半導体レーザを形成する際に用いられる基板用
の材料としては、従来より入手が容易なサファイア結晶
が専ら用いられている。一方、一般的に半導体レーザに
は、利得導波型、および屈折率分布にて導波路構造を内
在させる屈折率導波型とがある。ところでＩｎＧａＡｌ
Ｎ系の化合物半導体の場合、現在のところ電流注入密度
を上げ易い後者の屈折率導波型が主流となっている。図
３は、サファイア結晶を基板として用いた屈折率導波型
のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザの従来構造を示す。同
図において、サファイア結晶基板１０ａの一方の面上
に、バッファ層１０ｂを介してダブルヘテロ構造の発光
部２が積層されている。この発光部２は、下側クラッド
層２０ａ、活性層２０ｃ、及び上側クラッド層２０ｂと
からなっている。光共振器は、同図の正面側と背面側の
各面で構成されており、レーザ光Ｌが太い矢印の方向に
放出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでサファイア結
晶は電気絶縁性であって、基板１０ａの裏面に電極、例
えばｎ側電極、を設けることができない。そこで図３に
示すように、下側クラッド層２０ａの上面を露出させ、
その上面にｎ側電極４０ａ、４０ｂが設けられる。なお
ｐ側電極５０は、上側クラッド層２０ｂの上面に設けら
れる。また発光部２０の側壁は、空気と直接接触するこ
ととなる。上記のような構造を有する屈折率導波型のＩ
ｎＧａＡｌＮ系半導体レーザは、次の種々の問題を抱え
ている。 （１）ｐ、ｎ両電極間に印加された電圧に基づく電流
は、基板１０ａを垂直に貫通する方向にではなく、図３
中に破線の矢印で示すように、下側クラッド層２０ａ中
を横方向に流れる。このために、活性層２０ｃへの電流
注入の密度が十分でない。 （２）発光部２０の側壁は空気と接触しており、活性層
２０ｃの構成材料と空気との屈折率の過大な差のため
に、光の閉じ込め効果も過大となって高次モードが立ち
易い。 （３）一般に、電流注入による発光部の発熱に対処する
ために、ｐ側電極５０側をヒートシンクに溶接する所謂
アップサイド−ダウン（ upside-down）マウントが行わ
れる。この場合、活性層の熱は上側クラッド層２０ｂお
よびｐ側電極５０を介してヒートシンクに放出される。
しかし図３に示す従来構造では、基板の片面のみに両電
極並びにそのための電気配線が存在するのでｐ側電極５
０のみにヒートシンクを溶接するためには短絡事故の防
止措置などが必要となって、アップサイド−ダウン工程
が複雑となる。
晶は電気絶縁性であって、基板１０ａの裏面に電極、例
えばｎ側電極、を設けることができない。そこで図３に
示すように、下側クラッド層２０ａの上面を露出させ、
その上面にｎ側電極４０ａ、４０ｂが設けられる。なお
ｐ側電極５０は、上側クラッド層２０ｂの上面に設けら
れる。また発光部２０の側壁は、空気と直接接触するこ
ととなる。上記のような構造を有する屈折率導波型のＩ
ｎＧａＡｌＮ系半導体レーザは、次の種々の問題を抱え
ている。 （１）ｐ、ｎ両電極間に印加された電圧に基づく電流
は、基板１０ａを垂直に貫通する方向にではなく、図３
中に破線の矢印で示すように、下側クラッド層２０ａ中
を横方向に流れる。このために、活性層２０ｃへの電流
注入の密度が十分でない。 （２）発光部２０の側壁は空気と接触しており、活性層
２０ｃの構成材料と空気との屈折率の過大な差のため
に、光の閉じ込め効果も過大となって高次モードが立ち
易い。 （３）一般に、電流注入による発光部の発熱に対処する
ために、ｐ側電極５０側をヒートシンクに溶接する所謂
アップサイド−ダウン（ upside-down）マウントが行わ
れる。この場合、活性層の熱は上側クラッド層２０ｂお
よびｐ側電極５０を介してヒートシンクに放出される。
しかし図３に示す従来構造では、基板の片面のみに両電
極並びにそのための電気配線が存在するのでｐ側電極５
０のみにヒートシンクを溶接するためには短絡事故の防
止措置などが必要となって、アップサイド−ダウン工程
が複雑となる。
【０００４】本発明の主たる課題は、活性層への電流の
注入密度が改善されたＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザを
提供することにある。本発明の他の課題は、高次モード
の発生を抑制し得る屈折率導波型のＩｎＧａＡｌＮ系半
導体レーザを提供することにある。本発明の更に他の課
題は、アップサイド−ダウンのマウントが容易でしかも
放熱性に優れたＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザを提供す
ることにある。本発明の更に他の課題は、以下の詳細な
説明および実施例から、当業者であれば容易に理解され
よう。
注入密度が改善されたＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザを
提供することにある。本発明の他の課題は、高次モード
の発生を抑制し得る屈折率導波型のＩｎＧａＡｌＮ系半
導体レーザを提供することにある。本発明の更に他の課
題は、アップサイド−ダウンのマウントが容易でしかも
放熱性に優れたＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザを提供す
ることにある。本発明の更に他の課題は、以下の詳細な
説明および実施例から、当業者であれば容易に理解され
よう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】しかして、本発明の半導
体レーザは、導電性の基板と、その一面側に設けられた
一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘテ
ロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の上
に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は基
板側から順次１番目のクラッド層と、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式
を有する化合物半導体からなる活性層と、２番目のクラ
ッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気抵
抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている。本発
明の好ましい態様においては、該固体埋め込み材として
は、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５
×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有するもの
が用いられる。
体レーザは、導電性の基板と、その一面側に設けられた
一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘテ
ロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の上
に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は基
板側から順次１番目のクラッド層と、Ｉｎx Ｇａy Ａｌ
1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式
を有する化合物半導体からなる活性層と、２番目のクラ
ッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気抵
抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている。本発
明の好ましい態様においては、該固体埋め込み材として
は、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５
×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有するもの
が用いられる。
【０００６】
【作用】上記の構成によって次の顕著な作用が得られ
る。 （Ａ）導電性の基板を用いると、この基板を上下から挟
むように２つの電極を設置することが可能となり、そう
することにより該発光部の全面に対して電流を垂直貫通
する方向に流すことができる。それに加えて、発光部が
ストライプ構造として機能させ得る高電気抵抗を有する
固体埋め込み材にて埋め込まれることにより、該発光部
への電流注入効率を、しかしてレーザ出力を、大きくす
ることができる。 （Ｂ）該固体埋め込み材が、高電気抵抗の他に、レーザ
発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５×１０-1〜
５×１０-4低い実効屈折率ｎb をも有する場合、図３に
示す従来構造のように発光部が空気で囲繞されている場
合と異なって適切な光の閉じ込め効果が得られ、この結
果、高次モードの発生を抑制できる。 （Ｃ）導電性基板の上下に電極を設置できること、およ
び埋め込み構造とにより、該２番目のクラッド層上に形
成した他方の電極の上面全体を、図３の場合に問題とし
た短絡事故の懸念なく、容易にアップサイド−ダウンの
マウントが可能となり、しかも放熱性も一層良好とな
る。
る。 （Ａ）導電性の基板を用いると、この基板を上下から挟
むように２つの電極を設置することが可能となり、そう
することにより該発光部の全面に対して電流を垂直貫通
する方向に流すことができる。それに加えて、発光部が
ストライプ構造として機能させ得る高電気抵抗を有する
固体埋め込み材にて埋め込まれることにより、該発光部
への電流注入効率を、しかしてレーザ出力を、大きくす
ることができる。 （Ｂ）該固体埋め込み材が、高電気抵抗の他に、レーザ
発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５×１０-1〜
５×１０-4低い実効屈折率ｎb をも有する場合、図３に
示す従来構造のように発光部が空気で囲繞されている場
合と異なって適切な光の閉じ込め効果が得られ、この結
果、高次モードの発生を抑制できる。 （Ｃ）導電性基板の上下に電極を設置できること、およ
び埋め込み構造とにより、該２番目のクラッド層上に形
成した他方の電極の上面全体を、図３の場合に問題とし
た短絡事故の懸念なく、容易にアップサイド−ダウンの
マウントが可能となり、しかも放熱性も一層良好とな
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明の半導体レーザの実施例の斜視図であ
る。図２は、本発明の半導体レーザの他の実施例の斜視
図である。図３は、従来のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レー
ザの斜視図である。図１および図２においては、互いに
同じ部位は同じ数字にて表示する。
図１は、本発明の半導体レーザの実施例の斜視図であ
る。図２は、本発明の半導体レーザの他の実施例の斜視
図である。図３は、従来のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レー
ザの斜視図である。図１および図２においては、互いに
同じ部位は同じ数字にて表示する。
【０００８】
【実施例】図１において、導電性基板１の下面にｎ側電
極４が形成され、基板１の上面にバッファ層１ａを介し
て発光部２が形成されている。発光部２は、活性層２ｃ
をｎ型の１番目のクラッド層２ａとｐ型の２番目のクラ
ッド層２ｂとで挟んだダブルヘテロ構造を有する。この
発光部全体が、１条のストライプ構造として、図示する
通りに、基板１上の中央に形成され、そのストライプ構
造の両側壁が、高電気抵抗と前記した特定の実効屈折率
ｎb とを有する固体埋め込み材３ａ、３ｂにて埋め込ま
れている。発光部２の上面と固体埋め込み材３ａ、３ｂ
の上面とで１つの同一平面を形成し、その同一平面全面
にｐ側電極５が形成されている。光共振器は図３と同
様、図の正面側と背面側の面で構成されており、レーザ
光が太い矢印Ｌの方向に放出される。また電流の通路
は、両電極の設置場所に基づいて図１の破線で示すよう
に、発光部２の３層全てに対して垂直に貫通する方向に
形成される。
極４が形成され、基板１の上面にバッファ層１ａを介し
て発光部２が形成されている。発光部２は、活性層２ｃ
をｎ型の１番目のクラッド層２ａとｐ型の２番目のクラ
ッド層２ｂとで挟んだダブルヘテロ構造を有する。この
発光部全体が、１条のストライプ構造として、図示する
通りに、基板１上の中央に形成され、そのストライプ構
造の両側壁が、高電気抵抗と前記した特定の実効屈折率
ｎb とを有する固体埋め込み材３ａ、３ｂにて埋め込ま
れている。発光部２の上面と固体埋め込み材３ａ、３ｂ
の上面とで１つの同一平面を形成し、その同一平面全面
にｐ側電極５が形成されている。光共振器は図３と同
様、図の正面側と背面側の面で構成されており、レーザ
光が太い矢印Ｌの方向に放出される。また電流の通路
は、両電極の設置場所に基づいて図１の破線で示すよう
に、発光部２の３層全てに対して垂直に貫通する方向に
形成される。
【０００９】発光部２の各層は、いずれもＩｎx Ｇａy
Ａｌ1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一
般式を有する化合物半導体の少なくとも１種にて形成さ
れており、青色光から紫外光にわたる短波長の光を放出
し得る。ＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体のうち、青色
光から紫外光にわたる発光に特に好適なクラッド層材料
と活性層材料の組合せ例をクラッド層材料／活性層材料
の表記法にて挙げると、ＧａＡｌＮ／ＩｎＧａＮ、Ｇａ
ＡｌＮ／ＧａＮ、ＧａＡｌＮ／ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＡ
ｌＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａ
ＡｌＮ／ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ／ＩｎＧａＡｌＮ
などが例示される。これらの組合せのうち、ＧａＡｌＮ
／ＧａＡｌＮのようにクラッド層材料と活性層材料が同
じ元素によって構成されるものは、各々の組成比が異な
る。また各々の組成比は、クラッド層のバンドギャップ
が活性層のバンドギャップよりも大きくなるように決定
される。
Ａｌ1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一
般式を有する化合物半導体の少なくとも１種にて形成さ
れており、青色光から紫外光にわたる短波長の光を放出
し得る。ＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体のうち、青色
光から紫外光にわたる発光に特に好適なクラッド層材料
と活性層材料の組合せ例をクラッド層材料／活性層材料
の表記法にて挙げると、ＧａＡｌＮ／ＩｎＧａＮ、Ｇａ
ＡｌＮ／ＧａＮ、ＧａＡｌＮ／ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＡ
ｌＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａ
ＡｌＮ／ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ／ＩｎＧａＡｌＮ
などが例示される。これらの組合せのうち、ＧａＡｌＮ
／ＧａＡｌＮのようにクラッド層材料と活性層材料が同
じ元素によって構成されるものは、各々の組成比が異な
る。また各々の組成比は、クラッド層のバンドギャップ
が活性層のバンドギャップよりも大きくなるように決定
される。
【００１０】クラッド層材料のうち、Ｇａ1-x Ａｌx Ｎ
（ここに、０≦ｘ≦０．５）の一般式を有する化合物半
導体は、本発明レーザの高出力化および発振しきい値電
流の低電流化の観点から特に好ましい。一般的にＩｎＧ
ａＡｌＮ系化合物半導体、就中上記のＧａ1-x Ａｌx Ｎ
系化合物半導体をクラッド層材料として使用する場合、
ｎ型ドーパントとしてはキャリヤ濃度の制御が容易なＳ
ｉが好ましい。一方、ｐ型ドーパントとしては例えばＭ
ｇやＺｎが用いられる。これらのｐ型ドーパントは、ド
ーピングされただけではＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体
をｐ型化せしめ得ず、単に高抵抗体に変質させるのみで
ある。そこで該半導体は、ｐ型化せしめられるために、
ドーピングの後に電子ビームの照射や窒素などの不活性
雰囲気中での熱処理などを施される。
（ここに、０≦ｘ≦０．５）の一般式を有する化合物半
導体は、本発明レーザの高出力化および発振しきい値電
流の低電流化の観点から特に好ましい。一般的にＩｎＧ
ａＡｌＮ系化合物半導体、就中上記のＧａ1-x Ａｌx Ｎ
系化合物半導体をクラッド層材料として使用する場合、
ｎ型ドーパントとしてはキャリヤ濃度の制御が容易なＳ
ｉが好ましい。一方、ｐ型ドーパントとしては例えばＭ
ｇやＺｎが用いられる。これらのｐ型ドーパントは、ド
ーピングされただけではＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体
をｐ型化せしめ得ず、単に高抵抗体に変質させるのみで
ある。そこで該半導体は、ｐ型化せしめられるために、
ドーピングの後に電子ビームの照射や窒素などの不活性
雰囲気中での熱処理などを施される。
【００１１】活性層２ｃの構成材料としては、前記の一
般式を有する化合物半導体のうちＩｎ1-x Ｇａx Ｎ（こ
こに、０．７≦ｘ≦０．９６）の一般式を有する化合物
半導体をドーパントなしで使用するのが、特に好まし
い。
般式を有する化合物半導体のうちＩｎ1-x Ｇａx Ｎ（こ
こに、０．７≦ｘ≦０．９６）の一般式を有する化合物
半導体をドーパントなしで使用するのが、特に好まし
い。
【００１２】クラッド層材料と活性層材料との組合せに
おいては、活性層の屈折率がクラッド層の屈折率より大
きくなるよう設計されることが好ましく、これによっ
て、光が効率良く活性層に閉じ込められる。
おいては、活性層の屈折率がクラッド層の屈折率より大
きくなるよう設計されることが好ましく、これによっ
て、光が効率良く活性層に閉じ込められる。
【００１３】発光部２のダブルヘテロ構造は、図１に示
す３層からなる典型的な構造の他に、ＳＱＷ (Single Q
uantum Well)やＭＱＷ (Multi Quantum Well) 等であっ
てもよい。更に、上下のクラッド層にてサンドイッチさ
れた活性層が、上下の光導波層によりサンドイッチされ
た発光層を有する一般構造のＳＣＨ( Separate Confinm
ent Heterostructure)であってもよい。なおＳＣＨの場
合、固体埋め込み材との実効屈折率差Δを論じる場合
は、その活性層中の導波層の実効屈折率ｎa を考慮の対
象とする。
す３層からなる典型的な構造の他に、ＳＱＷ (Single Q
uantum Well)やＭＱＷ (Multi Quantum Well) 等であっ
てもよい。更に、上下のクラッド層にてサンドイッチさ
れた活性層が、上下の光導波層によりサンドイッチされ
た発光層を有する一般構造のＳＣＨ( Separate Confinm
ent Heterostructure)であってもよい。なおＳＣＨの場
合、固体埋め込み材との実効屈折率差Δを論じる場合
は、その活性層中の導波層の実効屈折率ｎa を考慮の対
象とする。
【００１４】発光部２全体の形状は、光共振器を構成す
る両端面間にわたって図示する通り、ｌ1 なる一定幅を
有するストライプ構造である。該ストライプ構造の位置
は、その幅方向においてｌ2 なる一定幅を有する基板１
の全幅の中央付近が好ましい。一般的に基板幅ｌ2 は、
１００〜１０００μｍ程度であり、またストライプ構造
の幅ｌ1 は０．０５μｍ〜５０μｍ程度、特に２μｍ〜
１０μｍ程度が好ましい。
る両端面間にわたって図示する通り、ｌ1 なる一定幅を
有するストライプ構造である。該ストライプ構造の位置
は、その幅方向においてｌ2 なる一定幅を有する基板１
の全幅の中央付近が好ましい。一般的に基板幅ｌ2 は、
１００〜１０００μｍ程度であり、またストライプ構造
の幅ｌ1 は０．０５μｍ〜５０μｍ程度、特に２μｍ〜
１０μｍ程度が好ましい。
【００１５】基板１としては、ＩｎＧａＡｌＮ系の半導
体層を形成するための基礎となり、かつ導電性を有し、
表面に電極を形成できるものであればよい。例えば、結
晶体、好ましくはＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ等が挙げら
れ、特にＧａＮおよびＳｉＣの単結晶が挙げられる。と
ころで光共振器の反射面は、従来のサファイア基板を用
いる場合では劈開によって反射面の形成が不可であるの
で反応性イオン・エッチング（Reactive Ion Etching)
によって形成されるが、本発明において導電基板１をＧ
ａＮ、ＳｉＣなどの劈開性の単結晶材料にて構成する
と、その劈開性を利用して発光部の両端面に理想的な鏡
面を容易に作製することができる利点がある。なおその
劈開面には、一層あるいはそれ以上の多数の適当な誘電
体薄膜をコートしてその反射率を制御することもでき
る。
体層を形成するための基礎となり、かつ導電性を有し、
表面に電極を形成できるものであればよい。例えば、結
晶体、好ましくはＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ等が挙げら
れ、特にＧａＮおよびＳｉＣの単結晶が挙げられる。と
ころで光共振器の反射面は、従来のサファイア基板を用
いる場合では劈開によって反射面の形成が不可であるの
で反応性イオン・エッチング（Reactive Ion Etching)
によって形成されるが、本発明において導電基板１をＧ
ａＮ、ＳｉＣなどの劈開性の単結晶材料にて構成する
と、その劈開性を利用して発光部の両端面に理想的な鏡
面を容易に作製することができる利点がある。なおその
劈開面には、一層あるいはそれ以上の多数の適当な誘電
体薄膜をコートしてその反射率を制御することもでき
る。
【００１６】バッファ層１ａはＧａＮからなり、結晶基
板１上にＩｎＧａＡｌＮ系の半導体層を形成するに際
し、その結晶品質を向上させるための層として必要に応
じて設けられる。図１の実施例では、基板１はｎ導電型
を有するが、ｐ型であってもよい。その際、該１番目お
よび該２番目のクラッド層の各導電型もそれに合わせて
変更される。
板１上にＩｎＧａＡｌＮ系の半導体層を形成するに際
し、その結晶品質を向上させるための層として必要に応
じて設けられる。図１の実施例では、基板１はｎ導電型
を有するが、ｐ型であってもよい。その際、該１番目お
よび該２番目のクラッド層の各導電型もそれに合わせて
変更される。
【００１７】発光部２をストライプ構造に形成する方法
としては、次の方法が例示される。先ず、導電性基板１
上に、必要に応じてバッファ層１ａを形成し、その上に
順次基板と同じ導電型の該１番目のクラッド層２ａ（例
えばＧａＡｌＮ）、活性層２ｃ（例えばアンドープのＩ
ｎＧａＮ）、基板と異なる導電型の該２番目のクラッド
層２ｂ（例えばＧａＡｌＮ）を順次成長させる。ｐ型の
導電型を得るために必要であれば結晶成長後に熱処理、
電子線照射処理等の後処理を施す。次いで、該発光部の
上面にフォトリソグラフィーによってマスクを形成し、
ＲＩＥによるエッチングを施して、発光部２の全体をス
トライプ構造とする。
としては、次の方法が例示される。先ず、導電性基板１
上に、必要に応じてバッファ層１ａを形成し、その上に
順次基板と同じ導電型の該１番目のクラッド層２ａ（例
えばＧａＡｌＮ）、活性層２ｃ（例えばアンドープのＩ
ｎＧａＮ）、基板と異なる導電型の該２番目のクラッド
層２ｂ（例えばＧａＡｌＮ）を順次成長させる。ｐ型の
導電型を得るために必要であれば結晶成長後に熱処理、
電子線照射処理等の後処理を施す。次いで、該発光部の
上面にフォトリソグラフィーによってマスクを形成し、
ＲＩＥによるエッチングを施して、発光部２の全体をス
トライプ構造とする。
【００１８】かくして形成されたストライプ構造の両側
壁の全面上に、埋め込み材３ａ、３ｂを気密にしかも該
２番目のクラッド層２ｂと同じ高さとなるように堆積す
る。その堆積方法としては、公知の成膜法を用いてよ
く、就中、ＣＶＤ、スパッタリング等が好ましい。埋め
込み材として後記するＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体を用
いる場合には、層２ａや層２ｃの形成法と同様の方法で
形成することが好ましい。
壁の全面上に、埋め込み材３ａ、３ｂを気密にしかも該
２番目のクラッド層２ｂと同じ高さとなるように堆積す
る。その堆積方法としては、公知の成膜法を用いてよ
く、就中、ＣＶＤ、スパッタリング等が好ましい。埋め
込み材として後記するＩｎＧａＡｌＮ化合物半導体を用
いる場合には、層２ａや層２ｃの形成法と同様の方法で
形成することが好ましい。
【００１９】固体埋め込み材３ａ、３ｂは、電極４およ
び５の間に印加された電圧に基づく電流を図１の点線で
示すパスにて活性層２ｃに効率よく注入させる電気抵抗
機能並びに活性層２ｃからの高次モードの発生を抑制す
る機能、との両機能をなす。その電気抵抗値は少なくと
も１０4 Ωｃｍ以上、好ましくは１０5 Ωｃｍ以上、特
に好ましくは１０6 Ωｃｍ以上である。また該材料３
ａ、３ｂは、高次モードの発生を抑制する機能上から
は、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５
×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有する。ｎ
a −ｎb 即ち実効屈折率差Δは、好ましくは１×１０-2
〜５×１０-3程度、特に好ましくは５×１０ -2〜５×１
０-3程度である。
び５の間に印加された電圧に基づく電流を図１の点線で
示すパスにて活性層２ｃに効率よく注入させる電気抵抗
機能並びに活性層２ｃからの高次モードの発生を抑制す
る機能、との両機能をなす。その電気抵抗値は少なくと
も１０4 Ωｃｍ以上、好ましくは１０5 Ωｃｍ以上、特
に好ましくは１０6 Ωｃｍ以上である。また該材料３
ａ、３ｂは、高次モードの発生を抑制する機能上から
は、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率ｎa より５
×１０-1〜５×１０-4低い実効屈折率ｎb を有する。ｎ
a −ｎb 即ち実効屈折率差Δは、好ましくは１×１０-2
〜５×１０-3程度、特に好ましくは５×１０ -2〜５×１
０-3程度である。
【００２０】固体埋め込み材としては、無機酸化物（以
下のかっこ内の数字は、各物質のおよその屈折率であ
る）例えばＳｉＯ2 （１．４〜１．５）、ＭｇＯ（１．
７）、Ａｌ2 Ｏ3 （１．７〜１．７６）、Ｐ2 Ｏ
5 （１．４７）、Ｂ2 Ｏ3 （１．４８〜１．６４）、Ｚ
ｎＯ（２．０）、ＧｅＯ2 （１．６５）、ＺｒＯ
2 （２．１）など、およびＩｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ
（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式を有する
化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ
などである。就中、上記の化合物半導体からは、その組
成の制御により実効屈折率ｎb が種々のものが得られる
利点がある。例えば、その中のＸおよびＹを制御するこ
とでバンドギャップおよび実効屈折率を設計通りに作製
することができる。またその内、不純物量を極力減らし
たそのアンドープ物、あるいはＭｇ、Ｚｎなどのアクセ
プタ不純物をドーピングしたものは、いずれも好ましい
高電気抵抗を有するのみならず、物質自体の製造も容易
である。特に後者のドーピング体は、ドーピングするだ
けで容易に高電気抵抗体となる。該化合物半導体の具体
例としては、Ｍｇを１×１０19ｃｍ-3ドーピングしたＩ
ｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ（室温下、発振波長４１０ｎｍでの実
効屈折率２．５３の高電気抵抗体）、Ｍｇドーピングの
Ｇａ0. 98Ａｌ0.04Ｎ（同実効屈折率２．５０の高電気抵
抗体）などである。
下のかっこ内の数字は、各物質のおよその屈折率であ
る）例えばＳｉＯ2 （１．４〜１．５）、ＭｇＯ（１．
７）、Ａｌ2 Ｏ3 （１．７〜１．７６）、Ｐ2 Ｏ
5 （１．４７）、Ｂ2 Ｏ3 （１．４８〜１．６４）、Ｚ
ｎＯ（２．０）、ＧｅＯ2 （１．６５）、ＺｒＯ
2 （２．１）など、およびＩｎx Ｇａy Ａｌ1-x-y Ｎ
（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般式を有する
化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ
などである。就中、上記の化合物半導体からは、その組
成の制御により実効屈折率ｎb が種々のものが得られる
利点がある。例えば、その中のＸおよびＹを制御するこ
とでバンドギャップおよび実効屈折率を設計通りに作製
することができる。またその内、不純物量を極力減らし
たそのアンドープ物、あるいはＭｇ、Ｚｎなどのアクセ
プタ不純物をドーピングしたものは、いずれも好ましい
高電気抵抗を有するのみならず、物質自体の製造も容易
である。特に後者のドーピング体は、ドーピングするだ
けで容易に高電気抵抗体となる。該化合物半導体の具体
例としては、Ｍｇを１×１０19ｃｍ-3ドーピングしたＩ
ｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ（室温下、発振波長４１０ｎｍでの実
効屈折率２．５３の高電気抵抗体）、Ｍｇドーピングの
Ｇａ0. 98Ａｌ0.04Ｎ（同実効屈折率２．５０の高電気抵
抗体）などである。
【００２１】活性層２ｃを例えばｎa が２．５４のＩｎ
ＧａＮにて、またクラッド層２ａおよびクラッド層２ｂ
をｎb が２．４５の例えばＧａＡｌＮにて、それぞれ形
成した場合、固体埋め込み材３ａおよび３ｂの実効屈折
率が２．５４未満が好ましいことは前記の通りである
が、この条件を満たす材料として例えばＳｉＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2 、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ、Ｇａ0.98Ａｌ0.04
Ｎなどがある。このうちＳｉＯ2 以外の材料は、実効屈
折率差Δが適切な範囲にあるので特に好ましい。
ＧａＮにて、またクラッド層２ａおよびクラッド層２ｂ
をｎb が２．４５の例えばＧａＡｌＮにて、それぞれ形
成した場合、固体埋め込み材３ａおよび３ｂの実効屈折
率が２．５４未満が好ましいことは前記の通りである
が、この条件を満たす材料として例えばＳｉＯ2 、Ｚｎ
Ｏ、ＺｒＯ2 、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ、Ｇａ0.98Ａｌ0.04
Ｎなどがある。このうちＳｉＯ2 以外の材料は、実効屈
折率差Δが適切な範囲にあるので特に好ましい。
【００２２】発光部２が導波層を有するＳＣＨ構造であ
る場合について説明すると、該導波層をｎa が２．５２
のＧａＮにて、クラッド層２ａおよびクラッド層２ｂを
ｎbが２．４５のＧａＡｌＮにて、それぞれ形成した例
においては、埋め込み材３ａおよび３ｂは実効屈折率が
２．５２未満であるもの、例えば前記のＭｇドーピング
のＧａ0.98Ａｌ0.04Ｎが適している。
る場合について説明すると、該導波層をｎa が２．５２
のＧａＮにて、クラッド層２ａおよびクラッド層２ｂを
ｎbが２．４５のＧａＡｌＮにて、それぞれ形成した例
においては、埋め込み材３ａおよび３ｂは実効屈折率が
２．５２未満であるもの、例えば前記のＭｇドーピング
のＧａ0.98Ａｌ0.04Ｎが適している。
【００２３】電極は上下共に公知の材料、構造のものを
利用してよく、例えばｐ側電極５にはＡｕが、ｎ側電極
４にはＡｌ、Ｉｎ等が例示される。
利用してよく、例えばｐ側電極５にはＡｕが、ｎ側電極
４にはＡｌ、Ｉｎ等が例示される。
【００２４】図２に示すもう一つの実施例は、低実効屈
折率ｎb と高電気抵抗とを共有する埋め込み材３ａ、３
ｂを発光部２のストライプ両側壁全体に埋め込んだ図１
の実施例と異なり、該２番目のクラッド層２ｂの両側壁
のみに高電気抵抗を有する固体埋め込み材３ｃ、３ｄが
埋め込まれている。その際、該１番目のクラッド層２ａ
と該活性層２ｃにおいては、いずれも一点鎖線６、６内
とそれを越える領域７、７とは同一材料からなり一体的
に繋がっている。電極４および５間に電圧が印加される
と、高電気抵抗を有する埋め込み材３ｃ、３ｄの存在に
より、図２の一点鎖線６、６内の幅ｌ1 の部分（即ち発
光部２）のみに電流が注入され、領域７、７には電流が
注入されない。しかして一点鎖線６、６の辺りが実質的
に発光部２のストライプ側壁として機能する。
折率ｎb と高電気抵抗とを共有する埋め込み材３ａ、３
ｂを発光部２のストライプ両側壁全体に埋め込んだ図１
の実施例と異なり、該２番目のクラッド層２ｂの両側壁
のみに高電気抵抗を有する固体埋め込み材３ｃ、３ｄが
埋め込まれている。その際、該１番目のクラッド層２ａ
と該活性層２ｃにおいては、いずれも一点鎖線６、６内
とそれを越える領域７、７とは同一材料からなり一体的
に繋がっている。電極４および５間に電圧が印加される
と、高電気抵抗を有する埋め込み材３ｃ、３ｄの存在に
より、図２の一点鎖線６、６内の幅ｌ1 の部分（即ち発
光部２）のみに電流が注入され、領域７、７には電流が
注入されない。しかして一点鎖線６、６の辺りが実質的
に発光部２のストライプ側壁として機能する。
【００２５】図２の実施例において、埋め込み材３ｃ、
３ｄが高電気抵抗を有するのみならず活性層２ｃの実効
屈折率ｎa より低い実効屈折率ｎb を有する場合には、
たとえ活性層２ｃおよび１番目のクラッド層２ａにおけ
る一点鎖線６、６の内外が互いに同じ材料にて形成され
ていても、一点鎖線６、６の外の部分、即ち領域７、７
の材料は、低屈折率の埋め込み材の近接せる存在により
実効屈折率ｎb が低下し、実効屈折率差Δが前記した範
囲内となる。しかして、高次モードの発生を防止する機
能を奏する。
３ｄが高電気抵抗を有するのみならず活性層２ｃの実効
屈折率ｎa より低い実効屈折率ｎb を有する場合には、
たとえ活性層２ｃおよび１番目のクラッド層２ａにおけ
る一点鎖線６、６の内外が互いに同じ材料にて形成され
ていても、一点鎖線６、６の外の部分、即ち領域７、７
の材料は、低屈折率の埋め込み材の近接せる存在により
実効屈折率ｎb が低下し、実効屈折率差Δが前記した範
囲内となる。しかして、高次モードの発生を防止する機
能を奏する。
【００２６】図２の実施例は、該２番目のクラッド層２
ｂのみについて図１の実施例の場合と同様のエッチング
処理および埋め込みの堆積の方法で製造できる。しか
し、次に述べるエッチング処理を不要とする次の方法
は、製造が簡単であるので特に好ましい。製造を簡略化
するために、該２番目のクラッド層２ｂのみにストライ
プ加工を施す。ＩｎＧａＡｌＮ系の材料は、ｐ型不純物
を添加するだけでは高抵抗物質の状態であり、適当な後
処理を施すことによってｐ型の導電型を示すという性質
を示すが、この性質を製造の簡略化に利用する。即ち、
結晶基板１と該１番目のクラッド層２ａとをｎ型とし
て、該２番目のクラッド層２ｂにｐ型不純物、例えばＭ
ｇなどを添加し、一点鎖線６、６内の領域だけに後処理
を施してｐ型とする。この方法によって、活性層２の上
側の層は全体がＧａＡｌＮからなるフラットな層である
が、中央部の一点鎖線６、６内の領域だけがｐ型クラッ
ド層として機能し、その両側は高抵抗物質となって実質
的な埋め込み材３ｃ、３ｄとして機能する。上記のｐ型
の導電型を付与するための後処理法としては、周知の方
法によってよいが、選択的な伝導制御が可能な電子線照
射処理が好ましい。
ｂのみについて図１の実施例の場合と同様のエッチング
処理および埋め込みの堆積の方法で製造できる。しか
し、次に述べるエッチング処理を不要とする次の方法
は、製造が簡単であるので特に好ましい。製造を簡略化
するために、該２番目のクラッド層２ｂのみにストライ
プ加工を施す。ＩｎＧａＡｌＮ系の材料は、ｐ型不純物
を添加するだけでは高抵抗物質の状態であり、適当な後
処理を施すことによってｐ型の導電型を示すという性質
を示すが、この性質を製造の簡略化に利用する。即ち、
結晶基板１と該１番目のクラッド層２ａとをｎ型とし
て、該２番目のクラッド層２ｂにｐ型不純物、例えばＭ
ｇなどを添加し、一点鎖線６、６内の領域だけに後処理
を施してｐ型とする。この方法によって、活性層２の上
側の層は全体がＧａＡｌＮからなるフラットな層である
が、中央部の一点鎖線６、６内の領域だけがｐ型クラッ
ド層として機能し、その両側は高抵抗物質となって実質
的な埋め込み材３ｃ、３ｄとして機能する。上記のｐ型
の導電型を付与するための後処理法としては、周知の方
法によってよいが、選択的な伝導制御が可能な電子線照
射処理が好ましい。
【００２７】上記の方法によるストライプ構造の形成で
は、図１の実施例に比べてエッチング等の加工工程が省
略され、製造にかかるコストの低減が可能である。これ
に対して、図１の実施例ではストライプ構造の側壁全体
が高電気抵抗にして低屈折率の材料にて囲繞されている
ので、レーザとしては高性能である。
は、図１の実施例に比べてエッチング等の加工工程が省
略され、製造にかかるコストの低減が可能である。これ
に対して、図１の実施例ではストライプ構造の側壁全体
が高電気抵抗にして低屈折率の材料にて囲繞されている
ので、レーザとしては高性能である。
【００２８】本発明は、図１、図２の実施例以外にも種
々の変形が可能である。固体埋め込み材は、発光部２内
の任意の位置、例えば１番目のクラッド層、活性層、あ
るいは２番目のクラッド層の各側面に設けられてよい。
図１の実施例におけるように、高電気抵抗と低屈折率と
をあわせ持つ固体埋め込み材の使用は、本発明のレーザ
の製造を一層容易にするので、特に好ましい。
々の変形が可能である。固体埋め込み材は、発光部２内
の任意の位置、例えば１番目のクラッド層、活性層、あ
るいは２番目のクラッド層の各側面に設けられてよい。
図１の実施例におけるように、高電気抵抗と低屈折率と
をあわせ持つ固体埋め込み材の使用は、本発明のレーザ
の製造を一層容易にするので、特に好ましい。
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体レーザは、高次モードの
発生を抑制し得、活性層への電流の注入密度が改善さ
れ、且つアップサイド−ダウンのマウントが容易でしか
も放熱性に優れているので、データ密度増大の要求が強
い通信や記録などの分野に好適である。
発生を抑制し得、活性層への電流の注入密度が改善さ
れ、且つアップサイド−ダウンのマウントが容易でしか
も放熱性に優れているので、データ密度増大の要求が強
い通信や記録などの分野に好適である。
【図１】本発明の半導体レーザの実施例の斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の半導体レーザの他の実施例の斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来のＩｎＧａＡｌＮ系半導体レーザの斜視図
である。
である。
１ 導電性基板 １ａ バッファ層１ａ ２ 発光部 ２ａ ｎ型の１番目のクラッド層 ２ｂ ｐ型の２番目のクラッド層 ２ｃ 活性層２ｃ ３ａ、３ｂ 固体埋め込み材 ４ ｎ側電極 ５ ｐ側電極
Claims (9)
- 【請求項１】 導電性の基板と、その一面側に設けられ
た一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘ
テロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の
上に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は
基板側から順次１番目のクラッド層と、Ｉｎx Ｇａy Ａ
ｌ1-x-y Ｎ（ここに、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の一般
式を有する化合物半導体からなる活性層と、２番目のク
ラッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気
抵抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている半導
体レーザ。 - 【請求項２】 固体埋め込み材は、レーザ発振波長での
活性層の実効屈折率ｎa より５×１０-1〜５×１０-4低
い実効屈折率ｎb を有する請求項１記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項３】 該ストライプ状の発光部は、該２番目の
クラッド層が固体埋め込み材にて埋め込まれている請求
項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 該ストライプ状の発光部は、該１番目の
クラッド層、該活性層、及び該２番目のクラッド層の全
部が、固体埋め込み材にて埋め込まれている請求項２記
載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 ダブルヘテロ構造は、ＳＣＨ構造である
請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項６】 該２番目のクラッド層の上の電極が該半
導体レーザの上面の略全面に同一平面をもって広がって
いる請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項７】 結晶基板および１番目のクラッド層の導
電型が共にｎ型であり、２番目のクラッド層がｐ型不純
物を添加されたＩｎＧａＡｌＮ系の化合物半導体からな
り、かつそれの発光部に該当する部分だけｐ型の導電型
とされ、残部は非ｐ型にして高電気抵抗のままとされた
請求項３記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】 活性層がＩｎＧａＮ、クラッド層がＧａ
ＡｌＮからなる請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】 導電性を有する結晶基板が、ＧａＮまた
はＳｉＣからなる請求項２記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7065796A JPH08330678A (ja) | 1995-03-27 | 1996-03-26 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-67892 | 1995-03-27 | ||
| JP6789295 | 1995-03-27 | ||
| JP7065796A JPH08330678A (ja) | 1995-03-27 | 1996-03-26 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330678A true JPH08330678A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=26409100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7065796A Pending JPH08330678A (ja) | 1995-03-27 | 1996-03-26 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330678A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294533A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH1154831A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH1187856A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2001057461A (ja) * | 1999-06-10 | 2001-02-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| US6242761B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting device |
| JP2001251018A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ |
| US7442254B2 (en) | 1997-04-11 | 2008-10-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having a nitride semiconductor substrate and an indium containing active layer |
| JP2012089895A (ja) * | 1999-09-29 | 2012-05-10 | Xerox Corp | インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP7065796A patent/JPH08330678A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| USRE42770E1 (en) | 1997-04-11 | 2011-10-04 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device having a nitride semiconductor substrate and an indium containing active layer |
| JPH1154831A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
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