JPH0454303B2 - - Google Patents
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- JPH0454303B2 JPH0454303B2 JP62291422A JP29142287A JPH0454303B2 JP H0454303 B2 JPH0454303 B2 JP H0454303B2 JP 62291422 A JP62291422 A JP 62291422A JP 29142287 A JP29142287 A JP 29142287A JP H0454303 B2 JPH0454303 B2 JP H0454303B2
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生され
る光情報記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
る光情報記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
光情報記録媒体の一つに光デイスクがあり、種
類は再生専用型光デイスクと記録可能型光デイス
クに分けることができる。再生専用型光デイスク
は、透明な基体上に金型を用い射出成形等の方法
により微細な凹凸を形成し、反射膜を被着したも
のである。この製造方法は、ガラス盤への感光剤
塗布、レーザービームによる情報記録、現像、電
気メツキ、金属原盤作製、射出成形、反射膜形
成、保護膜塗布の工程を必要とし、金属原盤を作
製するには多大な費用が必要であるため、少品種
大量生産に適した方法である。しかし、小規模な
光デイスクの生産には不適切であり、この場合一
枚の光デイスクは高価になつてしまう。
類は再生専用型光デイスクと記録可能型光デイス
クに分けることができる。再生専用型光デイスク
は、透明な基体上に金型を用い射出成形等の方法
により微細な凹凸を形成し、反射膜を被着したも
のである。この製造方法は、ガラス盤への感光剤
塗布、レーザービームによる情報記録、現像、電
気メツキ、金属原盤作製、射出成形、反射膜形
成、保護膜塗布の工程を必要とし、金属原盤を作
製するには多大な費用が必要であるため、少品種
大量生産に適した方法である。しかし、小規模な
光デイスクの生産には不適切であり、この場合一
枚の光デイスクは高価になつてしまう。
小規模生産に適した方法として記録可能光デイ
スクを用いることが考えられる。これは従来から
公知のように、透明基板上に設けられた光吸収性
の光記録膜に半導体レーザー光を照射して孔をあ
けるか、あるいは結晶相転移を生起せしめて情報
を記録し、反射光にて情報を再生するものであ
る。金属原盤を作製する必要もなく安価に光デイ
スクを製造することができる。しかしながら、光
記録膜の反射率は低い為、上述の様にして作られ
た光デイスクの反射率は50％以下であり、反射率
70％以上を要求される再生専用型光デイスクの規
格を満足することができず、市販の再生専用型光
デイスク再生装置では再生することができない。
スクを用いることが考えられる。これは従来から
公知のように、透明基板上に設けられた光吸収性
の光記録膜に半導体レーザー光を照射して孔をあ
けるか、あるいは結晶相転移を生起せしめて情報
を記録し、反射光にて情報を再生するものであ
る。金属原盤を作製する必要もなく安価に光デイ
スクを製造することができる。しかしながら、光
記録膜の反射率は低い為、上述の様にして作られ
た光デイスクの反射率は50％以下であり、反射率
70％以上を要求される再生専用型光デイスクの規
格を満足することができず、市販の再生専用型光
デイスク再生装置では再生することができない。
かかる問題を解決し、市販の再生専用型光デイ
スクを安価に小規模生産し、市販の再生専用型光
デイスク再生機にて再生可能な光デイスクを製造
する方法として特開昭62−119755号が示されてい
る。これは、透明基体上に記録光ビーム吸収性有
機色素記録膜を形成し、光ビームを照射し、該記
録膜にピツトと呼ばれる孔をあけて情報を記録
し、その後記録膜を光ビームに対して透明とする
操作を加え、更に反射膜を被覆する方法で、充分
な反射率を持つた記録媒体を得ることが出来る。
スクを安価に小規模生産し、市販の再生専用型光
デイスク再生機にて再生可能な光デイスクを製造
する方法として特開昭62−119755号が示されてい
る。これは、透明基体上に記録光ビーム吸収性有
機色素記録膜を形成し、光ビームを照射し、該記
録膜にピツトと呼ばれる孔をあけて情報を記録
し、その後記録膜を光ビームに対して透明とする
操作を加え、更に反射膜を被覆する方法で、充分
な反射率を持つた記録媒体を得ることが出来る。
（発明が解決しようとする問題点）
上記方法は、シアニン等の有機色素を用いる
為、塩化メチレン等の有機溶剤を用いて透明基体
上に塗布しなくてはならず、このため耐溶剤性に
劣る透明プラスチツク、例えばポリカーボネー
ト、PMMA（ポリメチルメタクリレート）樹脂等
の光デイスク用として最も優れた基板を使用でき
ず、ガラス基板を使用することになり光デイスク
が高価になる。一方、上述の様なプラスチツク基
板を用いるためには、その表面にスパツタリング
や蒸着によつてSiO2等の無機保護膜を形成し、
耐溶剤性を付与した上で使用しなければならず、
光デイスク作製工程が増し該光デイスクが高価に
なつてしまう欠点がある。
為、塩化メチレン等の有機溶剤を用いて透明基体
上に塗布しなくてはならず、このため耐溶剤性に
劣る透明プラスチツク、例えばポリカーボネー
ト、PMMA（ポリメチルメタクリレート）樹脂等
の光デイスク用として最も優れた基板を使用でき
ず、ガラス基板を使用することになり光デイスク
が高価になる。一方、上述の様なプラスチツク基
板を用いるためには、その表面にスパツタリング
や蒸着によつてSiO2等の無機保護膜を形成し、
耐溶剤性を付与した上で使用しなければならず、
光デイスク作製工程が増し該光デイスクが高価に
なつてしまう欠点がある。
この為本発明は情報が記録された光デイスクの
小規模な生産に際し、透明プラスチツク基板も使
用可能で、簡単な工程で安価に光デイスクを製造
する方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
小規模な生産に際し、透明プラスチツク基板も使
用可能で、簡単な工程で安価に光デイスクを製造
する方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
（問題点を解決する為の手段）
本発明では、透明基板上に非晶質−結晶質相転
移材料からなる光記録膜を被着させ、該光記録膜
に光ビームを照射して該光記録膜の光照射部を結
晶化させる。しかる後、前記光記録膜の光未照射
部である非晶質部をプラズマ中でエツチングする
等により除去し、更に前記記録膜上に反射膜を付
着させる。
移材料からなる光記録膜を被着させ、該光記録膜
に光ビームを照射して該光記録膜の光照射部を結
晶化させる。しかる後、前記光記録膜の光未照射
部である非晶質部をプラズマ中でエツチングする
等により除去し、更に前記記録膜上に反射膜を付
着させる。
（作用）
従つて光照射を受けなかつた部分の光記録膜は
除去されているために透明基体上に直接反射膜が
被着し、光学反射率は再生専用型光デイスクと同
一になり70％以上の値を簡単に得られる。一方、
記録レーザー照射部位においては、透明基板上に
結晶化した不透明の光記録膜の上に、反射膜が被
着するので、この部分の光学反射率は上記レーザ
ー非照射部の光学的反射率よりも十分に低くな
る。従つて、未記録の記録媒体に、記録情報に応
じて変調されたパルスレーザービームを照射する
と、上記光記録膜のレーザー照射部は非晶質から
結晶質に転移し、レーザー非照射部は非晶質のま
まである。こうして記録の行われた記録膜をプラ
ズマにてエツチングすると、該光記録膜の非晶質
部のエツチング速度は結晶質部のエツチング速度
よりも大であるため、エツチング条件を適切に選
ぶと非晶質部を透明基体より除去し、結晶質部の
みを透明基体上に被着したまま残すことができ
る。しかる後、Al、Au、Cu、Ag等の反射膜を
蒸着法またはスパツタリング法等にて成膜する。
すると、記録レーザー非照射部においては、光記
録膜はエツチングによつて除去されているので反
射率は高い。
除去されているために透明基体上に直接反射膜が
被着し、光学反射率は再生専用型光デイスクと同
一になり70％以上の値を簡単に得られる。一方、
記録レーザー照射部位においては、透明基板上に
結晶化した不透明の光記録膜の上に、反射膜が被
着するので、この部分の光学反射率は上記レーザ
ー非照射部の光学的反射率よりも十分に低くな
る。従つて、未記録の記録媒体に、記録情報に応
じて変調されたパルスレーザービームを照射する
と、上記光記録膜のレーザー照射部は非晶質から
結晶質に転移し、レーザー非照射部は非晶質のま
まである。こうして記録の行われた記録膜をプラ
ズマにてエツチングすると、該光記録膜の非晶質
部のエツチング速度は結晶質部のエツチング速度
よりも大であるため、エツチング条件を適切に選
ぶと非晶質部を透明基体より除去し、結晶質部の
みを透明基体上に被着したまま残すことができ
る。しかる後、Al、Au、Cu、Ag等の反射膜を
蒸着法またはスパツタリング法等にて成膜する。
すると、記録レーザー非照射部においては、光記
録膜はエツチングによつて除去されているので反
射率は高い。
（実施例）
外径120mm、内径15mm、厚さ1.2mmであつて、表
面にピツチ1.6μm、幅0.7μm、深さ0.07μmのスパ
イラル状トラツキング溝をもつたポリカーボネー
ト基板１１を、第２図に示すスパツタリング装置
の回転式基板支持テーブル２２にとりつけ、真空
槽２１内を約５×10-4Paに排気後Arガスを導入
して、ガス圧を５×10-1Paにする。この状態で
真空槽２１とGeTeのターゲツト２３との間に高
周波電圧を印加してアルゴンガスをイオン化し、
ポリカーボネート基板１１上に第１図Ａの如く厚
さ80nmのGeTe記録膜１２を成膜した。次に記
録膜１２を有する基板１１を線速1.4m／ｓで回
転させ、記録光ビーム１５として、波長830nmの
半導体レーザー光をポリカーボネート基板１１を
通して照射し、コンパクトデイスクと同一の
EFMデイジタルオーデイオ信号を記録した。
面にピツチ1.6μm、幅0.7μm、深さ0.07μmのスパ
イラル状トラツキング溝をもつたポリカーボネー
ト基板１１を、第２図に示すスパツタリング装置
の回転式基板支持テーブル２２にとりつけ、真空
槽２１内を約５×10-4Paに排気後Arガスを導入
して、ガス圧を５×10-1Paにする。この状態で
真空槽２１とGeTeのターゲツト２３との間に高
周波電圧を印加してアルゴンガスをイオン化し、
ポリカーボネート基板１１上に第１図Ａの如く厚
さ80nmのGeTe記録膜１２を成膜した。次に記
録膜１２を有する基板１１を線速1.4m／ｓで回
転させ、記録光ビーム１５として、波長830nmの
半導体レーザー光をポリカーボネート基板１１を
通して照射し、コンパクトデイスクと同一の
EFMデイジタルオーデイオ信号を記録した。
こうして記録が済んだ光デイスクを第２図のス
パツタリング装置の回転式基板支持テーブル２２
にとりつけ真空槽内２１を約５×10-4Paに排気
後、真空槽内にArガスを導入してガス圧を５×
10-1Paにし、回転式基板支持テーブル２２に高
周波電圧を印加してアルゴンガスをイオン化する
と、光記録膜１２がプラズマエツチングされる。
この場合、照射部１３の結晶質のエツチング速度
が遅いので、結晶質のみがポリカーボネート基板
１１に残り、非照射の非晶質部は完全に除去され
た。
パツタリング装置の回転式基板支持テーブル２２
にとりつけ真空槽内２１を約５×10-4Paに排気
後、真空槽内にArガスを導入してガス圧を５×
10-1Paにし、回転式基板支持テーブル２２に高
周波電圧を印加してアルゴンガスをイオン化する
と、光記録膜１２がプラズマエツチングされる。
この場合、照射部１３の結晶質のエツチング速度
が遅いので、結晶質のみがポリカーボネート基板
１１に残り、非照射の非晶質部は完全に除去され
た。
こうして第１図ｂに示す様にエツチング後に光
記録膜結晶化部１７が形成される。結晶化部１７
の厚さを制御することは、反射膜形成後の該記録
膜結晶化部のレーザービームの反射率を決定する
ので重要である。
記録膜結晶化部１７が形成される。結晶化部１７
の厚さを制御することは、反射膜形成後の該記録
膜結晶化部のレーザービームの反射率を決定する
ので重要である。
本実施例において、光記録膜１２がプラズマエ
ツチングされて完全に除去され、後述の反射膜が
成膜された部分の反射率は81％となるので、再生
専用型光デイスクの規格を満足するには、エツチ
ング後の光記録膜残存部位である結晶化部１７の
反射率は32％以下とすることが必要である。この
条件を満たすためには、第３図に示されるように
エツチング後の光記録膜の結晶化部１７の厚みを
10〜40nmとなるようエツチングする必要がある。
この為非晶質部が完全に除去されたあとも、結晶
化部１７が所望の厚さになるまでエツチングを続
ける。
ツチングされて完全に除去され、後述の反射膜が
成膜された部分の反射率は81％となるので、再生
専用型光デイスクの規格を満足するには、エツチ
ング後の光記録膜残存部位である結晶化部１７の
反射率は32％以下とすることが必要である。この
条件を満たすためには、第３図に示されるように
エツチング後の光記録膜の結晶化部１７の厚みを
10〜40nmとなるようエツチングする必要がある。
この為非晶質部が完全に除去されたあとも、結晶
化部１７が所望の厚さになるまでエツチングを続
ける。
引きつづいて同一真空槽２１内で、上記高周波
電力をAlターゲツト２４の方に印加し、エツチ
ング処理済の光記録膜上に、第１図ｃの如く厚さ
70nmのアルミニウム反射膜１６を成膜した。
電力をAlターゲツト２４の方に印加し、エツチ
ング処理済の光記録膜上に、第１図ｃの如く厚さ
70nmのアルミニウム反射膜１６を成膜した。
この方法で作つた光デイスクを市販のコンパク
トデイスクプレーヤーを用いて再生し、ブロツク
エラーレートを測定したところ23個／ｓが得ら
れ、市販コンパクトデイスクプレーヤーによる再
生が十分に可能であつた。
トデイスクプレーヤーを用いて再生し、ブロツク
エラーレートを測定したところ23個／ｓが得ら
れ、市販コンパクトデイスクプレーヤーによる再
生が十分に可能であつた。
本実施例においては光記録膜材料にGeTeを用
いた例を示したが、本発明ではGeTeに限ること
なくGeTeの一部をSnあるいはPbで置換した
GeSnTe，GePbTe，及びGeSnPbTeを主成分と
する材料を用いても実施例と同じ効果が得られ
る。また、記録膜用の他の材料としてはGa−Sb，
Sb−Se，Ge−Se，In−Sb，Te−Ge−Ｓ−Sb等
光照射によつて非晶質−結晶質相転移を示す材料
であれば使用することができる。この様に、透明
基板上に光記録膜として、非晶質−結晶質相転移
材料を蒸着法またはスパツタリング法にて成膜
し、プラスチツク基板を侵す有機溶剤類は使用し
ないため、耐溶剤性に劣るプラスチツク基板を使
用することができる。従つて、この場合プラスチ
ツク基板にSiO2等の保護膜を成膜する必要がな
く、簡単な工程で光記録媒体を安価に製造でき
る。
いた例を示したが、本発明ではGeTeに限ること
なくGeTeの一部をSnあるいはPbで置換した
GeSnTe，GePbTe，及びGeSnPbTeを主成分と
する材料を用いても実施例と同じ効果が得られ
る。また、記録膜用の他の材料としてはGa−Sb，
Sb−Se，Ge−Se，In−Sb，Te−Ge−Ｓ−Sb等
光照射によつて非晶質−結晶質相転移を示す材料
であれば使用することができる。この様に、透明
基板上に光記録膜として、非晶質−結晶質相転移
材料を蒸着法またはスパツタリング法にて成膜
し、プラスチツク基板を侵す有機溶剤類は使用し
ないため、耐溶剤性に劣るプラスチツク基板を使
用することができる。従つて、この場合プラスチ
ツク基板にSiO2等の保護膜を成膜する必要がな
く、簡単な工程で光記録媒体を安価に製造でき
る。
（効果）
以上の様に本発明の光記録媒体製造方法によれ
ば、小規模でも効率よく製造することが出来、又
光デイスクの反射率を大きくすることが出来るの
で、市販の再生専用型光デイスク再生装置にて再
生することができる。
ば、小規模でも効率よく製造することが出来、又
光デイスクの反射率を大きくすることが出来るの
で、市販の再生専用型光デイスク再生装置にて再
生することができる。
第１図ａ，ｂ，ｃは本発明による光記録媒体の
製造工程を示す断面図、第２図はスパツタリング
兼エツチング装置の概略図、第３図は第１図ｃに
示される構造の光記録媒体の光記録膜の厚さとそ
の反射率の関係を示す図である。 １１…ポリカーボネート基板、１２…記録膜、
１３…記録光ビーム照射部、１５…記録光ビー
ム、１６…反射膜、１７…結晶化部、２１…真空
槽、２２…回転式基板支持テーブル、２３…
GeTeターゲツト、２４…Alターゲツト。
製造工程を示す断面図、第２図はスパツタリング
兼エツチング装置の概略図、第３図は第１図ｃに
示される構造の光記録媒体の光記録膜の厚さとそ
の反射率の関係を示す図である。 １１…ポリカーボネート基板、１２…記録膜、
１３…記録光ビーム照射部、１５…記録光ビー
ム、１６…反射膜、１７…結晶化部、２１…真空
槽、２２…回転式基板支持テーブル、２３…
GeTeターゲツト、２４…Alターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基体上に、光ビームにより非晶質から結
晶質へ結晶相転移を生じる性質の記録膜を被着さ
せる工程と、該記録膜に光ビームを照射して情報
を記録する工程と、前記記録膜の非光照射部をプ
ラズマ中でエツチングして除去する工程と、残つ
た記録膜及び基体上に反射膜を付着させる工程か
らなる光情報記録媒体の製造方法。 ２ 光記録膜としてゲルマニウム・テルル系材料
を用いる特許請求の範囲第１項記載の光情報記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291422A JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291422A JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133235A JPH01133235A (ja) | 1989-05-25 |
| JPH0454303B2 true JPH0454303B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=17768674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291422A Granted JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133235A (ja) |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62291422A patent/JPH01133235A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01133235A (ja) | 1989-05-25 |
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