JPH01133235A - 光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体の製造方法Info
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- JPH01133235A JPH01133235A JP62291422A JP29142287A JPH01133235A JP H01133235 A JPH01133235 A JP H01133235A JP 62291422 A JP62291422 A JP 62291422A JP 29142287 A JP29142287 A JP 29142287A JP H01133235 A JPH01133235 A JP H01133235A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- VDDXNVZUVZULMR-UHFFFAOYSA-N germanium tellurium Chemical compound [Ge].[Te] VDDXNVZUVZULMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生される光情報
記録媒体の製造方法に関するものである。
記録媒体の製造方法に関するものである。
(従来の技術)
光情報記録媒体の一つに光ディスクがあシ、種類は再生
専用型光ディスクと記録可能型光ディスクに分けること
ができる。再生専用型光ディスクは、透明な基板上に金
型を用い射出成形等の方法により微細な凹凸を形成し、
反射膜を被着したものである。この製造方法は、ガラス
盤への感光剤塗布、レーザービームによる情報記録、現
像、電気メツキ、金属原盤作製、射出成形、反射膜形成
、保護膜塗布の工程を必要とし、金属原盤を作製するに
は多大な費用が必要であるため、少品種大量生産に適し
た方法である。しかし、小規模な光ディスクの生産には
不適切であシ、この場合−枚の光ディスクは高価になっ
てしまう。
専用型光ディスクと記録可能型光ディスクに分けること
ができる。再生専用型光ディスクは、透明な基板上に金
型を用い射出成形等の方法により微細な凹凸を形成し、
反射膜を被着したものである。この製造方法は、ガラス
盤への感光剤塗布、レーザービームによる情報記録、現
像、電気メツキ、金属原盤作製、射出成形、反射膜形成
、保護膜塗布の工程を必要とし、金属原盤を作製するに
は多大な費用が必要であるため、少品種大量生産に適し
た方法である。しかし、小規模な光ディスクの生産には
不適切であシ、この場合−枚の光ディスクは高価になっ
てしまう。
小規模生産に適した方法として記録可能光ディスクを用
いることが考えられる。これは従来から公知のように、
透明基板上に設けられた光吸収性の光記録膜に半導体レ
ーザゴ光を照射して孔をあけるかあるいは結晶相転移を
生起せしめて情報を記録し、反射光にて情報を再生する
ものである。金属原盤を作製する必要もなく安価に光デ
ィスクを製造することができる。しかしながら、光記録
膜の反射率は低い為、上述の様にして作られた光ディス
クの反射率は50チ以下であり、反射率70チ以上を要
求される再生専用型光ディスクの規格を満足することが
できず、市販の再生専用型光デイスク再生装置では再生
するととができない。
いることが考えられる。これは従来から公知のように、
透明基板上に設けられた光吸収性の光記録膜に半導体レ
ーザゴ光を照射して孔をあけるかあるいは結晶相転移を
生起せしめて情報を記録し、反射光にて情報を再生する
ものである。金属原盤を作製する必要もなく安価に光デ
ィスクを製造することができる。しかしながら、光記録
膜の反射率は低い為、上述の様にして作られた光ディス
クの反射率は50チ以下であり、反射率70チ以上を要
求される再生専用型光ディスクの規格を満足することが
できず、市販の再生専用型光デイスク再生装置では再生
するととができない。
かかる問題を解決し、市販の再生専用型光ディスクを安
価に小規模生産し、市販の再生専用型光デイスク再生機
にて再生可能な光ディスクを製造する方法として特開昭
62−119755号が示されている。これは、透明基
体上に記録光ビーム吸収性有機色素記録膜を形成し、光
ビームを照射し該記録膜にビットと呼ばれる孔をあけて
情報を記録し、その後記録膜を光ビームに対して透明と
する操作を加え、更に反射膜を被覆する方法で、充分な
反射率を持った記録媒体を得ることが出来る。
価に小規模生産し、市販の再生専用型光デイスク再生機
にて再生可能な光ディスクを製造する方法として特開昭
62−119755号が示されている。これは、透明基
体上に記録光ビーム吸収性有機色素記録膜を形成し、光
ビームを照射し該記録膜にビットと呼ばれる孔をあけて
情報を記録し、その後記録膜を光ビームに対して透明と
する操作を加え、更に反射膜を被覆する方法で、充分な
反射率を持った記録媒体を得ることが出来る。
(発明が解決しようとする問題点〕
上記方法は、シアニン等の有機色素を用いる為、塩化メ
チレン等の有機溶剤を用いて透明基板上に塗布しなくて
はならず、このため耐溶剤性に劣る透明プラスチック、
例えばポリカーボネート、PMMA(ポリメチルメタク
リレート)樹脂等の光デイスク用として最も優れた基板
を使用できず、ガラス基板を使用することになり光ディ
スクが高価になる。一方、上述の様なプラスチック基板
を用いるためには、その表面にスパッタリングや蒸着に
よってSi 02等の無機保獲膜を形成し、耐溶剤性を
付与した上で使用しなければならず、光デイスク作製工
程が増し該光ディスクが高価になってしまう欠点がある
。
チレン等の有機溶剤を用いて透明基板上に塗布しなくて
はならず、このため耐溶剤性に劣る透明プラスチック、
例えばポリカーボネート、PMMA(ポリメチルメタク
リレート)樹脂等の光デイスク用として最も優れた基板
を使用できず、ガラス基板を使用することになり光ディ
スクが高価になる。一方、上述の様なプラスチック基板
を用いるためには、その表面にスパッタリングや蒸着に
よってSi 02等の無機保獲膜を形成し、耐溶剤性を
付与した上で使用しなければならず、光デイスク作製工
程が増し該光ディスクが高価になってしまう欠点がある
。
この為本発明は情報が記録された光ディスクの小規模な
生産に際し、透明プラスチック基板も使用可能で、簡単
な工程で安価に光ディスクを製造する方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
生産に際し、透明プラスチック基板も使用可能で、簡単
な工程で安価に光ディスクを製造する方法を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
(問題点を解決する為の手段)
本発明では、透明基板上に非晶質−結晶質相転移材料か
らなる光記録膜を被着させ、該光記録膜に光ビームを照
射して該光記録膜の光照射部を結晶化させる。しかる後
、前記光記録膜の光来照射部である非晶質部をプラズマ
中でエツチングする簿(二よシ除去し、更に両射記録膜
上に反射膜を付着させる。
らなる光記録膜を被着させ、該光記録膜に光ビームを照
射して該光記録膜の光照射部を結晶化させる。しかる後
、前記光記録膜の光来照射部である非晶質部をプラズマ
中でエツチングする簿(二よシ除去し、更に両射記録膜
上に反射膜を付着させる。
(作用)
従って光照射を受けなかった部分の光記録膜は除去され
ているために透明基体上に直接反射膜が被着し、光学反
射率は再生専用型光ディスクと同一になシフ0チ以上の
値を簡単に得られる。一方、記録レーザー照射部位にお
いては、透明基板上に結晶化した不透明の光記録膜の上
に、反射膜が被着するので、この部分の光学反射率は上
記レーザー非照射部の光学的反射率よシも十分に低くな
る。従って、未記録の記録媒体に、記録情報に応じて変
調されたパルスレーザ−ビームを照射すると、上記光記
録膜のレーザー照射部は非晶質から結晶質に転移し、レ
ーザー非照射部は非晶質のままである。こうして記録の
行われた記録膜をプラズマにてエツチングすると、該光
記録膜の非晶質部のエツチング速度は結晶質部のエツチ
ング速度よりも大であるため、エツチング条件を適切に
選ぶと非晶質部を透明基体よシ除去し、結晶質部のみを
透明基体上に被着したまま残すことができる。しかる後
、A1 、Au 、Ou 、Ag等の反射膜を蒸着法ま
たはスパッタリング法等にて成膜する。すると、記録レ
ーザー非照射部においては、光記録膜はエツチングによ
って除去されている6)で反Ne+z%町(実施例) 外径120 mrtt r内径15朋、厚さ1.2朋で
あって、表面にピッチ1.6 μm 、 l咄0,7
μm 、深さ0゜07μmのスパイラル状トラッキング
溝をもったポリカーボネート基板11を、第2図に示す
スパッタリング装置の回転式基板支持テーブル22にと
シつけ、真空槽21内を約5 X 10−’ Paに排
気後Arガスを導入して、ガス圧を5 X 10−1P
aにする。この状態で真空槽21とGeTeのターゲッ
ト23との間に高周波電圧を印加してアルゴンガスをイ
オン化し、ポリカーボネート基板11上に第1図Aの如
く厚さ80 nmのGeTe記録膜12を成膜した。次
に記録膜12を有する基板11半導体レーザー光をポリ
カーボネート基板11を通して照射し、コンパクトディ
スクと同一のEFMディジタルオーディオ信号を記録し
た。
ているために透明基体上に直接反射膜が被着し、光学反
射率は再生専用型光ディスクと同一になシフ0チ以上の
値を簡単に得られる。一方、記録レーザー照射部位にお
いては、透明基板上に結晶化した不透明の光記録膜の上
に、反射膜が被着するので、この部分の光学反射率は上
記レーザー非照射部の光学的反射率よシも十分に低くな
る。従って、未記録の記録媒体に、記録情報に応じて変
調されたパルスレーザ−ビームを照射すると、上記光記
録膜のレーザー照射部は非晶質から結晶質に転移し、レ
ーザー非照射部は非晶質のままである。こうして記録の
行われた記録膜をプラズマにてエツチングすると、該光
記録膜の非晶質部のエツチング速度は結晶質部のエツチ
ング速度よりも大であるため、エツチング条件を適切に
選ぶと非晶質部を透明基体よシ除去し、結晶質部のみを
透明基体上に被着したまま残すことができる。しかる後
、A1 、Au 、Ou 、Ag等の反射膜を蒸着法ま
たはスパッタリング法等にて成膜する。すると、記録レ
ーザー非照射部においては、光記録膜はエツチングによ
って除去されている6)で反Ne+z%町(実施例) 外径120 mrtt r内径15朋、厚さ1.2朋で
あって、表面にピッチ1.6 μm 、 l咄0,7
μm 、深さ0゜07μmのスパイラル状トラッキング
溝をもったポリカーボネート基板11を、第2図に示す
スパッタリング装置の回転式基板支持テーブル22にと
シつけ、真空槽21内を約5 X 10−’ Paに排
気後Arガスを導入して、ガス圧を5 X 10−1P
aにする。この状態で真空槽21とGeTeのターゲッ
ト23との間に高周波電圧を印加してアルゴンガスをイ
オン化し、ポリカーボネート基板11上に第1図Aの如
く厚さ80 nmのGeTe記録膜12を成膜した。次
に記録膜12を有する基板11半導体レーザー光をポリ
カーボネート基板11を通して照射し、コンパクトディ
スクと同一のEFMディジタルオーディオ信号を記録し
た。
こうして記録が済んだ光ディスクを第2図のスパッタリ
ング装置の回転式基板支持テーブル22にとりつけ真空
槽内21を約5×10″″’Paに排気後、真空槽内に
Arガスを導入してガス圧を5X 10−’ Paにし
、回転式基板支持テーブル22に高周波電圧を印加して
アルゴンガスをイオン化すると、光記録膜12がプラズ
マエツチングされる。この場合、照射部13の結晶質の
エツチング速度が遅いので、結晶質のみがポリカーボネ
ート基板11に残シ、非照射の非晶質部は完全に除去さ
れた。
ング装置の回転式基板支持テーブル22にとりつけ真空
槽内21を約5×10″″’Paに排気後、真空槽内に
Arガスを導入してガス圧を5X 10−’ Paにし
、回転式基板支持テーブル22に高周波電圧を印加して
アルゴンガスをイオン化すると、光記録膜12がプラズ
マエツチングされる。この場合、照射部13の結晶質の
エツチング速度が遅いので、結晶質のみがポリカーボネ
ート基板11に残シ、非照射の非晶質部は完全に除去さ
れた。
こうして第1図すに示す様にエツチング後に光記録膜結
晶化部17が形成される。結晶化部17の厚さを制御す
ることは、反射膜形成後の該記録膜結晶化部のレーザー
ビームの反射率を決定するので重要である。
晶化部17が形成される。結晶化部17の厚さを制御す
ることは、反射膜形成後の該記録膜結晶化部のレーザー
ビームの反射率を決定するので重要である。
81チ\となるので、再生専用型光ディスクの規格を満
足するには、エツチング後の光記録膜残存部位である結
晶化部17の反射率は32チ以下とすることが必要であ
る。この条件を満たすためには、第3図に示されるよう
にエツチング後の光記録膜の結晶化部17の厚みを10
〜40 nmとなるようエツチングする必要がある。こ
の為非晶質部が完全に除去されたあとも、結晶化部17
が所望の厚さになるまでエツチングを続ける。
足するには、エツチング後の光記録膜残存部位である結
晶化部17の反射率は32チ以下とすることが必要であ
る。この条件を満たすためには、第3図に示されるよう
にエツチング後の光記録膜の結晶化部17の厚みを10
〜40 nmとなるようエツチングする必要がある。こ
の為非晶質部が完全に除去されたあとも、結晶化部17
が所望の厚さになるまでエツチングを続ける。
引きつづいて同一真空槽21内で、上記高周波電力をA
Iメタ−ット24の方に印加し、エツチング処理済の光
記録膜上に、第1図Cの如く厚さ70 nmのアルミニ
ウム反射膜16を成膜した。
Iメタ−ット24の方に印加し、エツチング処理済の光
記録膜上に、第1図Cの如く厚さ70 nmのアルミニ
ウム反射膜16を成膜した。
この方法で作った光ディスクを市販のコンパクトディス
クプレーヤーを用いて再生し、ブロックエラーレートを
測定したところ23個/S が得られ、市販コンパクト
ディスクプレーヤーによる再生が十分に可能であった。
クプレーヤーを用いて再生し、ブロックエラーレートを
測定したところ23個/S が得られ、市販コンパクト
ディスクプレーヤーによる再生が十分に可能であった。
本実施例においては光記録膜材料KGeTeを用いた例
を示したが、本発明ではGe Teに限ることな(Ge
Teの一部を8nあるいはPbで置換したGe 8n
Te 、 Ga Pb Te 、及びGe5nPbTe
を主成分とする材料を用いても実施例と同じ効果が得ら
れる。また、記録膜用の他の材料としてはGa−8b
、 5b−8e 、 Ge−8e 、 In−8b
、 Te −Ge−8−8b等光照射によって非晶質−
結晶質相転移を示す材料であれば使用することができる
。
を示したが、本発明ではGe Teに限ることな(Ge
Teの一部を8nあるいはPbで置換したGe 8n
Te 、 Ga Pb Te 、及びGe5nPbTe
を主成分とする材料を用いても実施例と同じ効果が得ら
れる。また、記録膜用の他の材料としてはGa−8b
、 5b−8e 、 Ge−8e 、 In−8b
、 Te −Ge−8−8b等光照射によって非晶質−
結晶質相転移を示す材料であれば使用することができる
。
この様に、透明基板上に光記録膜として、非晶質−結晶
質相転移材料を蒸着法またはスパッタリング法にて成膜
し、プラスチック基板を侵す有機溶剤類は使用しないた
め、耐溶剤性に劣るプラスチック基板を使用することが
できる。従って、この場合プラスチック基板に8i02
等の保護膜を成膜する必要がなく、簡単な工程で光記録
媒体を安価に製造できる。
質相転移材料を蒸着法またはスパッタリング法にて成膜
し、プラスチック基板を侵す有機溶剤類は使用しないた
め、耐溶剤性に劣るプラスチック基板を使用することが
できる。従って、この場合プラスチック基板に8i02
等の保護膜を成膜する必要がなく、簡単な工程で光記録
媒体を安価に製造できる。
(効果)
以上の様に本発明の光記録媒体製造方法によれば、小規
模でも効率よく製造することが出来、又光ディスクの反
射率を大きくすることが出来るので、市販の再生専用型
光デイスク再生装置にて再生することができる。
模でも効率よく製造することが出来、又光ディスクの反
射率を大きくすることが出来るので、市販の再生専用型
光デイスク再生装置にて再生することができる。
第1図、a、b、Cは本発明による光記録媒体の製造工
程を示す断面図、第2図はスパッタリング兼エツチング
装置の概略図、第3図は第1図Cに示される構造の光記
録媒体の光記録膜の厚さとそ13・・・記録光ビーム照
射部 15・・・記録光ビーム 16・・・反射膜17・
・・結晶化部 21・・・真空槽22・・・回
転式基板支持テーブル 23 ・・・GeTe ターゲラ ト 24・・・A
J、ターケ1ット基2.回
程を示す断面図、第2図はスパッタリング兼エツチング
装置の概略図、第3図は第1図Cに示される構造の光記
録媒体の光記録膜の厚さとそ13・・・記録光ビーム照
射部 15・・・記録光ビーム 16・・・反射膜17・
・・結晶化部 21・・・真空槽22・・・回
転式基板支持テーブル 23 ・・・GeTe ターゲラ ト 24・・・A
J、ターケ1ット基2.回
Claims (2)
- (1)透明基体上に、光ビームにより非晶質から結晶質
へ結晶相転移を生じる性質の記録膜を被着させる工程と
、該記録膜に光ビームを照射して情報を記録する工程と
、前記記録膜の非光照射部をプラズマ中でエッチングし
て除去する工程と、残つた記録膜及び基体上に反射膜を
付着させる工程からなる光情報記録媒体の製造方法。 - (2)光記録膜としてゲルマニウム・テルル系材料を用
いる特許請求の範囲第1項記載の光情報記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62291422A JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62291422A JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01133235A true JPH01133235A (ja) | 1989-05-25 |
JPH0454303B2 JPH0454303B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=17768674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62291422A Granted JPH01133235A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01133235A (ja) |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62291422A patent/JPH01133235A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0454303B2 (ja) | 1992-08-31 |
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