JPH07262614A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 繰り返し記録消去での信頼性が向上し、繰り
返し回数が更に向上した相変化型情報記録媒体を提供す
ることを目的とする。 【構成】 基板と、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と
接して該記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは
固溶しない金属、あるいは合金、乃至は金属間化合物か
らなる金属膜を有することを特徴とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生に用い
られる相変化型の情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報の記録再生に用いられる相変化型の
光ディスクとして、カルコゲナイド系材料を記録膜に用
いた光ディスクが検討されている。この相変化型光ディ
スクの従来技術については、「書換え可能光ディスク材
料」奥田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年
５月２０日初版発行、に詳細に記載されている。かかる
相変化型光ディスクは、カルコゲナイド系記録膜の結晶
相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録再生を行な
うものであり、その動作は次のように行なわれている。

【０００３】（１）スパッタ、蒸着などで成膜された記
録膜は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビ
ーム照射などで、記録膜を結晶相とする。これを初期
（結晶）化という。

【０００４】（２）短パルス、高パワーの記録パルスで
結晶相の記録膜を溶融した後急冷し、非晶質化して記録
マークとする。 （３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記
録マークを結晶化し、記録マークを消去する。

【０００５】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行なうことも検討されている。相
変化型光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上
に、誘電体保護膜、相変化記録膜、誘電体保護膜、金属
または合金反射膜を順次積層した構造のものが一般に用
いられている。

【０００６】光ディスク基板と相変化記録膜との間に金
属膜を設けた層構成について、特開昭６２−２２６４４
６号、特開平４−２６５５４１号公報に記載されている
ものがある。すなわち、特開昭６２−２２６４４６号公
報には、光ディスク基板と相変化記録膜との間に半透明
の金属膜を設けた層構成で、記録膜の記録感度を向上さ
せるために光吸収層として半透明の金属膜を設けること
が記載されている。また、特開平４−２６５５４１号公
報には、光ディスク基板と相変化記録膜との間に金属膜
を設けた層構成とし、ディスクの光反射率を高めること
が記載されている。しかし、これら公報に記載されてい
る光ディスクは、金属膜にＡｕを用いたものであり、高
融点の金属膜を用いることについては言及していない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の相
変化型光ディスクでは、オーバーライトでの繰り返し
は、繰り返し回数が千回から１０万回程度が限界であっ
た。しかし、計算機の補助記憶装置としての使用を考え
ると、更に繰り返し回数の向上した相変化型光ディスク
が望まれている。

【０００８】そこで、本発明の目的は、繰り返し記録消
去での信頼性が向上し、繰り返し回数が更に向上した相
変化型情報記録媒体を提供することを目的とする。本発
明の他の目的は、上記相変化型情報記録媒体を製造する
方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）は、
基板と、この基板上に形成され、光ビームの照射により
状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型の記録
膜と、この記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間
に形成された誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体で
あって、前記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料
よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合
金又は金属間化合物からなる境界層を有することを特徴
とする情報記録媒体を提供する。

【００１０】また、本発明（請求項２）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に接して形
成された、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料と
は固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなる金属
膜とを具備することを特徴とする情報記録媒体を提供す
る。

【００１１】また、本発明（請求項３）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成され
た誘電体保護膜とを具備し、前記保護膜と前記記録膜と
の間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは
固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなる境界層
を有する情報記録媒体の製造方法であって、記録膜材
料、誘電体保護膜材料、及び境界層材料を、気相法によ
り、大気に曝すことなく真空中で連続して成膜すること
を特徴とする情報記録媒体の製造方法を提供する。

【００１２】また、本発明（請求項４）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成され
た誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体であって、前
記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料の融点（摂
氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
い金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有する
ことを特徴とする情報記録媒体を提供する。

【００１３】また、本発明（請求項５）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜に接して形成された、記録膜材料の融点（摂氏）
の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しない金
属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ムを実
質的に透過しない膜厚の金属膜とを具備することを特徴
とする情報記録媒体を提供する。

【００１４】また、本発明（請求項６）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜に接して形成された、記録膜材料の融点（摂氏）
の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しない金
属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ムを実
質的に透過しない膜厚の金属膜と、この金属膜の前記記
録膜とは反対側の面に形成された誘電体保護膜とを具備
することを特徴とする情報記録媒体を提供する。

【００１５】

【作用】一般に、相変化型光ディスクの層構成は、基板
上に誘電体保護膜、相変化型記録膜、誘電体保護膜、金
属または合金の反射膜、及び紫外線硬化樹脂膜を順次積
層したものである。この層構成の相変化型光ディスクに
対し、繰り返しオーバーライトを行なうと、誘電体保護
膜と記録膜との境界で剥離を生じ、そのため繰り返し特
性が劣化している。これは誘電体保護膜と記録膜との付
着性がよくないためである。

【００１６】そこで本発明では、誘電体保護膜と記録膜
の付着力の改善をめざし、誘電体保護膜と記録膜との間
に、記録膜材料よりも融点が高い金属、合金又は金属間
化合物からなる境界層を設けるものである。

【００１７】このように金属膜からなる境界層を誘電体
保護膜と記録膜との間に設けることにより、これらの間
の付着性が向上し、繰り返し特性の優れた相変化光ディ
スクを得ることが可能である。

【００１８】また、相変化型の記録膜と接して記録膜材
料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなり、かつ光ビ−ムを実質的
に透過しない膜厚の金属膜を設けることによって、この
金属膜は反射膜を兼ねるとともに、記録膜上の誘電体保
護膜を省略することも可能となる。

【００１９】更に、本発明の方法では、記録膜材料、誘
電体保護膜材料、及び境界層材料を、気相法により、大
気に曝すことなく真空中で連続して成膜している。その
ため、これら各材料からなる金属膜は酸化されることが
なく、良好な膜質の相変化型光ディスクを製造すること
が可能である。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の種々の実施例を示し、本発明
をより具体的に説明する。 （実施例１）図１に本発明の一実施例に係る相変化光デ
ィスクの層構成の一例を模式的に示す。図１において、
相変化光ディスクは、光ディスク基板６、保護層３、記
録層１、境界層７、保護層２、反射層４及び保護層５か
ら構成されている。

【００２１】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１のある面を内側にしてこの単板型光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３，５はそれぞれ
省略することも可能である。

【００２２】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。この光ディスク基板６には、記録フォーマットに応
じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマット
マーク等が形成される。

【００２３】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上０．５ｎｍ〜１０μ
ｍの範囲であることが好ましい。

【００２４】保護層２、３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また、記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡
散を制御する役割もある。この保護層２、３は、ＳｉＯ
₂ 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ
₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの
混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成
することができる。保護層２、３の膜厚は実用上０．１
ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。

【００２５】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と、記録層
の冷却効果とを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等
の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成す
ることができる。反射層の膜厚は、実用上１０ｎｍ以上
であることが好ましい。

【００２６】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常、紫外線硬化樹脂などにより構成される。こ
の保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用
上、０．１μｍ〜５００μｍの範囲であることが好まし
い。

【００２７】境界層７は、記録膜材料よりも融点が高い
金属あるいは合金または金属間化合物から構成される。
このような境界層７は、保護層２と記録層１に固溶する
ことなく、かつ記録層１との濡れ性が良好であるので、
保護膜２と記録膜１との間の付着性を向上させることが
できる。

【００２８】記録層１への拡散を防止するために、境界
層７を構成する材料の融点は、記録層１の融点（摂氏）
の３倍以上の融点であることが望ましい。境界層７とし
てこのような材質を選択することにより、境界層７の融
点の半分以下の温度において、境界層７は冷間加工状態
となり、拡散が抑制されるためである。

【００２９】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが境界層７を構成する材料として適している。
また、境界層７を構成する材料として特に適切なもの
は、Ｗ，Ｔａ，Ｍｏである。

【００３０】境界層７は、それを構成する材料のスパッ
タまたは蒸着などの気相法で形成することができる。例
えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料である
金属または合金のターゲットを用いて行う。

【００３１】境界層７の膜厚は、実用上境界層としての
機能から、光記録の記録再生で使用される光ビームを完
全には遮断しない膜厚で、光学的及び熱的要件から１〜
１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。１００
ｎｍを越えると、記録感度が低下するおそれがある。

【００３２】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、境界層７、保護膜
２を連続して成膜することが望ましい。 （実施例２）図２は、本発明の第２の実施例に係る相変
化型光ディスクの層構成の例を模式的に示す。この図で
は相変化型光ディスクは、光ディスク基板６、保護層
３、境界層７、記録層１、保護層２、反射層４、及び保
護層５から構成されている。

【００３３】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にして、単板光ディスク２枚を
貼り合せ、両面使用の光ディスクとすることも可能であ
る。また、用途に応じて、保護層３、保護層５、はそれ
ぞれ省略することも可能である。

【００３４】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。

【００３５】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料や、Ｉｎ
Ｓｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体
材料などを用いることができる。この記録層１は、真空
蒸着法やスパッタリング法等で形成することができる。
この記録層１の膜厚としては、実用上、０．５ｎｍ〜１
０μｍの範囲であることが好ましい。

【００３６】保護層２，３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２、３は、ＳｉＯ
₂ 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂ 、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｔａ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれら
の混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，３の膜厚は、実用上、
０．１ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。

【００３７】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果とを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の
金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成する
ことができる。反射層の膜厚は、実用上、１０ｎｍ以上
であることが好ましい。

【００３８】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常、紫外線硬化樹脂などにより構成される。こ
の保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させることにより形成される。この保護層５の膜厚は、
実用上、０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好
ましい。

【００３９】境界層７は、保護膜３と記録膜１との間に
形成され、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合
金または金属間化合物により構成される。このような境
界層７は、保護層３と記録層１に固溶することなく、記
録層１との濡れ性がいいので、保護層３と記録層１との
間の付着性を向上させることができる。

【００４０】記録層１への拡散を防止するために、境界
層７の融点は記録層１の融点（摂氏）の３倍以上の融点
であることが望ましい。境界層７としてこのような材質
を選択することにより、境界層７の融点の半分以下の温
度において、境界層７は冷間加工状態となり、拡散が抑
制されるためである。

【００４１】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉなどが境
界層７を構成する材料として適している。

【００４２】境界層７は、境界層７を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料
の金属または合金のターゲットを用いて行う。

【００４３】境界層７の膜厚は、実用上、境界層として
の機能から、光記録の記録再生で使用される光ビームを
完全には遮断しない膜厚であり、光学的及び熱的要件か
ら１〜１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。

【００４４】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、保護膜３、境界層７、記録層
１を連続して成膜することが望ましい。 （実施例３）図３は、本発明の第３の実施例に係る相変
化光ディスクの層構成の例を模式的に示す断面図であ
る。この図では、相変化光ディスクは、光ディスク基板
６、保護層３、境界層７、記録層１、境界層８、保護層
２、反射層４、及び保護層５から構成されている。

【００４５】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にしてこの単板光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５はそ
れぞれ省略することも可能である。

【００４６】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。

【００４７】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料や、Ｉｎ
Ｓｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体
材料などを用いることができる。この記録層１は、真空
蒸着法やスパッタリング法等で形成することができる。
この記録層１の膜厚としては、実用上、０．１ｎｍ〜１
０μｍの範囲であることが好ましい。

【００４８】保護層２，３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２，３は、ＳｉＯ
₂ 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂ 、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｔａ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれら
の混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，３の膜厚は、実用上、
０．１ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。

【００４９】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と、記録層
の冷却効果をとを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合
金等の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。反射層の膜厚は、実用上、１０ｎ
ｍであることが好ましい。

【００５０】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより構成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上、
０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましい。

【００５１】境界層７は、保護膜２と記録膜１との間に
形成され、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合
金または金属間化合物により構成される。このような境
界層７は、保護層３と記録層１に固溶することなく、記
録層１との濡れ性が良好なので、保護膜２と記録膜１と
の間の付着性を向上させることができる。

【００５２】記録層１との相互拡散を防止するために、
境界層７の融点は、記録層１の融点（摂氏）の３倍以上
の融点であることが望ましい。境界層７の融点の半分以
下の温度において、境界層７は冷間加工状態となり、拡
散が抑制されるためである。

【００５３】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えばＴａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−Ａ
ｌなどが境界層７を構成する材料として適している。

【００５４】境界層７は、境界層７を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料
の金属または合金のターゲットを用いて行う。

【００５５】境界層７の膜厚は、実用上境界層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
には遮断しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１〜
１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。

【００５６】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、保護膜３，境界層７，記録層
１を連続して成膜することが望ましい。境界膜８は、保
護膜２と記録膜１との間に形成され、記録膜材料よりも
融点が高い金属あるいは合金または金属間化合物により
構成される。このような境界層８は、保護層２と記録層
１に固溶することなく、記録層１との濡れ性が良好なの
で、保護層２と記録層１との付着性を向上させることが
できる。

【００５７】記録層１との相互拡散を防止するために、
境界層８の融点は記録層１の融点（摂氏）の３倍以上の
融点であることが望ましい。境界層８の融点の半分以下
の温度において、境界層８は冷間加工状態であり、拡散
が抑制されるためである。

【００５８】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが、境界層を構成する材料として適している。

【００５９】境界層８は、境界層８を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では境界層８を構成する材料の
金属または合金のターゲットを用いて行う。

【００６０】境界層８の膜厚は、実用上境界層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
に遮断しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１〜１
００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。

【００６１】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、境界層８、保護膜
２を連続して成膜することが望ましい。また、境界層７
と境界層８を構成する材料は、本発明の要件を満たして
いれば同じ材料でもよいし、また異なる材料でもよい。
本発明はいずれに限定されるものではない。 （実施例４）図４は、本発明の第４の実施例に係る相変
化光ディスクの層構成の例を模式的に示す断面図であ
る。この図では、相変化光ディスクは、光ディスク基板
６、保護層３、記録層１、反射層４、及び保護層５から
構成されている。

【００６２】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にしてこの単板光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５はそ
れぞれ省略することも可能である。

【００６３】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマ
ーク、プリフォーマットマーク等が形成される。

【００６４】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上０．１ｎｍ〜１０μ
ｍの範囲であることが好ましい。

【００６５】保護層３は、基板６と記録層１の間に配設
されており、記録ビームの照射により記録層１が飛散し
たり、穴があいてしまうことを防止する役割を有してい
る。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散を制
御する役割もある。この保護層３は、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ
Ｏ、ＡｌＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 、Ｔａ₂
Ｏ₃ 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの混合材料等
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することが
できる。保護層３の膜厚は実用上０．５ｎｍ〜１０μｍ
であることが好ましい。

【００６６】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上
０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましい。

【００６７】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果とを有する。本発明では特に、この反射層４
に、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合金また
は金属間化合物を用いるものである。

【００６８】このような反射層４は、記録層１に固溶す
ることなく、かつ記録層１との濡れ性が良好なので、記
録層１との付着性を向上させることができる。記録層１
との拡散を防止するために、反射層４の融点は記録層１
の融点（摂氏）の３倍以上の融点であることが望まし
い。反射層４の融点の半分以下の温度において、反射層
４は冷間加工状態となり、拡散が抑制されるためであ
る。

【００６９】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが、反射層４を構成する材料として適してい
る。

【００７０】この反射層４は反射層４を構成する材料の
スパッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタでは、反射層４を構成する材料の
金属または合金のターゲットを用いる。

【００７１】反射層４の膜厚は、実用上反射層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
には透過しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１０
ｎｍ以上の範囲で設定されることが望ましい。

【００７２】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、反射層４を連続し
て成膜することが望ましい。また、金属膜の酸化防止用
に反射層４の上に誘電体の保護膜を設けることも有効で
ある。 （実施例５）図５を参照しながら、上記実施例１〜３に
係る情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。

【００７３】図５は、実施例１〜３に係る情報記録媒体
を製造するために用いられるスパッタリング装置の概略
構成を示す縦断面図、図６はその横断面図である。図
中、参照符号１０は真空容器を示し、この真空容器１０
は、その底面にガス導入ポート１１及びガス排気ポート
１２を有している。ガス排出ポート１２は排気装置１３
に接続されており、この排気装置１３により排出ポート
１２を介して真空容器１０内が排気される。またガス導
入ポート１１はアルゴンガスボンベ１４に接続されてお
り、このボンベ１４から真空容器１０内にガス導入ポー
ト１１を介してスパッタリングガスとしてのアルゴンガ
スが導入される。

【００７４】真空容器１０内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。

【００７５】また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、記録層１用のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料からなるスパッタリング源２１、保護層２及び
３用のＺｎＳ系材料からなるスパッタリング源２２、反
射層４用のＡｌ系合金からなるスパッタリング源２３、
及び境界層７及び／または境界層８用の材料、例えばＷ
からなるスパッタリング源２４が配設されており、各ス
パッタリング源には図示しない高周波電源が接続されて
いる。

【００７６】これらのスパッタリング源２１、２２、２
３、２４の上部には、それぞれモニタ装置２５，２６
（図示せず），２７，２８（図示せず）が設けられてお
り、これらモニタ装置により各スパッタリング源からの
スパッタリング量をモニタし、各層が所定の膜厚になる
ように各スパッタリング源のスパッタリング時間を調節
出来るようになっている。

【００７７】このようなスパッタリング装置を用いたス
パッタリングに際しては、まず排気装置により真空容器
１０内を例えば百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気する。次
いでガス導入ポート１１を介して容器１０内にアルゴリ
ズムを導入しつつ、排気装置１３の排気量を調節して真
空容器１０内を所定のアルゴンガス雰囲気に保持する。
この状態で、基板６を回転させつつ、各スパッタリング
源に層構成の順番に所定時間所定の電力を印加する。こ
れにより、基板６に所定の層構成を形成することができ
る。

【００７８】本発明の方法では特に、境界層７及び／ま
たは境界層８の成膜の前後では、真空容器１０を開けて
大気に曝すことなく、境界層７及び／または境界層８を
真空中で連続して成膜するものである。それによって、
境界層７及び／または境界層８及び記録層１の酸化やゴ
ミの混入を防止することが出来、記録層１との密着性に
優れた境界層７及び／または境界層８を形成することが
可能である。 （実施例６）図７を参照して、上記実施例４に係る情報
記録媒体の製造方法の一例について説明する。

【００７９】図７は、実施例４の情報記録媒体を製造す
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図８はその横断面図である。図中、参照符
号１０は真空容器を示し、この真空容器１０は、その底
面にガス導入ポート１１及びガス排気ポート１２を有し
ている。ガス排出ポート１２は排気装置１３に接続され
ており、この排気装置１３により排出ポート１２を介し
て真空容器１０内が排気される。またガス導入ポート１
１はアルゴンガスボンベ１４に接続されており、このボ
ンベ１４から真空容器１０内にガス導入ポート１１を介
してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入さ
れる。

【００８０】真空容器１０内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。

【００８１】また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、記録層１用のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料からなるスパッタリング源２１、保護層３用の
ＺｎＳ系材料からなるスパッタリング源２２、及び本発
明に係わる反射層４用の高融点金属または合金、例えば
Ｗからなるスパッタリング源２３が配設されており、各
スパッタリング源には図示しない高周波電源が接続され
ている。

【００８２】これらのスパッタリング源２１，２２，２
３の上部には、それぞれモニタ装置２５，２６（図示せ
ず），２７が設けられており、これらモニタ装置により
各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニタ
し、各層が所定の膜厚になるように各スパッタリング源
のスパッタリング時間を調節するようになっている。

【００８３】このようなスパッタリング装置を用いたス
パッタリングに際しては、まず排気装置により真空容器
１０内を例えば百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気する。次
いで、ガス導入ポート１１を介して容器１０内にアルゴ
ンガスを導入しつつ、排気装置１３の排気量を調節して
真空容器１０内を所定のアルゴンガス雰囲気に保持す
る。この状態で、基板６を回転させつつ、各スパッタリ
ング源に層構成の順番に所定時間所定の電力を印加す
る。これにより、基板６に所定の層構成を形成すること
ができる。

【００８４】本発明では特に、反射層４の成膜の前に真
空容器１０を開けて大気に曝すことなく、記録層１と反
射層４とを連続して成膜するものである。それによっ
て、反射層４及び記録層１の酸化やゴミの混入を防止す
ることが出来、記録層１との密着性に優れた反射層４を
形成することが可能である。 （従来例１）図９は、従来例に係る相変化型光ディスク
の層構成の一例を模式的に示す断面図である。この図で
は相変化光ディスクは、光ディスク基板６、保護層３、
記録層１、保護層２、反射層４、及び保護層５から構成
されている。

【００８５】図９に示す相変化光ディスクは、境界層又
は境界層を兼ねる反射層を用いていないことを除いて、
基板及び各層の機能、材質、膜厚、成膜法等は、上記実
施例と同様である。

【００８６】このような従来の層構成の相変化光ディス
クでは、保護層２及び保護層３と記録膜１との濡れ性が
良好ではなく、オーバーライトの記録消去の繰り返しに
おいて、記録膜１の物質流動を生じ易い。また保護層２
と反射層４の付着性が良好ではなく、オーバーライトの
記録消去の繰り返しにおいて、保護層２と反射層４の間
で剥離を生じ易い。 （実験例１）上記実施例５の製造方法により、下記の層
構成の相変化型光ディスク１、２、３を作製した。

【００８７】ディスク１は、前述の実施例１に係るもの
で、記録層１と保護層２の間にＷからなる境界層７を設
けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系
保護層３が２７０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎ
ｍ、Ｗ境界層７が４ｎｍ、ＺｎＳ系保護層２が２０ｎ
ｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。

【００８８】ディスク２は、前述の実施例２に係るもの
で、基板１側の保護層３と記録層１との間にＷからなる
境界層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側
からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍ、Ｗ境界層７が４ｎ
ｍ、ＧｅＳｄＴｅ記録層１が２０ｎｍ、ＺｎＳ系保護層
２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。

【００８９】ディスク３は、前述の実施例３に係るもの
で、基板１側の保護層３と記録層１との間及び記録層１
と保護層２の間に、Ｗからなる境界層７及び８を設けた
ものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護
層３が２７０ｎｍ、Ｗ境界層７が４ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ
記録層１が２０ｎｍ、Ｗ境界層８が４ｎｍ、ＺｎＳ系保
護層２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとし
た。

【００９０】各ディスクとも直径８６ｍｍの基板を用い
た。各ディスクの記録特性の評価は、波長６８０ｎｍの
光ビームを使用して行った。この光波長において、境界
層材料のＷは、膜厚が３０ｎｍ以下ではある程度光が透
過する。従って光学的な境界層としての要件からは、境
界層としてのＷの膜厚は３０ｎｍ以下が望ましい。

【００９１】またＷは、融点が約３３８０℃であり、記
録層１のＧｅＳｂＴｅの融点約６００℃の３倍以上と高
く、熱的安定性にも優れている。記録層１を構成するＧ
ｅＳｂＴｅとの濡れ性も、金属−金属の境界となるので
優れている。以上のように、Ｗは境界層に適した材料で
ある。

【００９２】また、記録特性の比較のために、上記従来
例１に係わるディスク４を作製した。ディスク４の各層
の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎ
ｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、ＺｎＳ系保護層
２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。

【００９３】以上、４種類のディスクの記録特性の評価
結果を図１０に示す。記録特性の評価は、波長６８０ｎ
ｍの光ビームを用い、Ｎ．Ａ．０．６の対物レンズに
て、基板６側から記録層１に集光させて行った。ディス
クを３６００ｒｐｍで回転させ、半径２５ｍｍの位置
に、通常この技術分野で用いられている２−７ＲＬＬコ
ードの１．５Ｔと４Ｔのキャリア信号を記録パルス幅４
０ｎｓで記録した。記録波形はオーバーライト波形を用
い、記録ピークパワー及び記録バイアスパワーは各ディ
スクの最適パワーとした。そのときの各ディスクの１．
５Ｔと４Ｔを交互にオーバーライトしたときの１．５Ｔ
のＣ／Ｎを示した。

【００９４】その結果、従来層構成のディスク４は、３
０万回でＣ／Ｎの低下が見られた。これに対し、本発明
の実施例であるディスク２では６０万回、ディスク１で
は１００万回、さらにディスク３では２００万回までＣ
／Ｎの低下は見られなかった。

【００９５】以上のように境界層を設けることによっ
て、サイクル特性の向上が明らかに認められた。 （実験例２）上記実施例６の製造方法により、下記の層
構成のディスク５を作製した。

【００９６】ディスク５は、前述の実施例４に係るもの
で、記録層１の上にＷからなる反射層７を設けたもので
ある。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が
２７０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ｗ反射
層４が２００ｎｍとした。

【００９７】ディスクは直径８６ｍｍの基板を用いた。
ディスクの記録特性の評価は波長６８０ｎｍの光ビーム
を使用した。この光波長で境界層材料のＷは、膜厚が３
０ｎｍ以下ではある程度光が透過する。従って光学的な
反射層としての要件からは境界層としてのＷの膜厚は３
０ｎｍより厚いことが望ましい。しかし、本発明はそれ
に限定されず、用途によってはＷの膜厚を透過する厚さ
とすることも可能である。

【００９８】またＷは、融点が約３３８０℃で記録層１
のＧｅＳｂＴｅの融点約６００℃の２倍以上と高温く、
熱的安定性にも優れている。記録層１のＧｅＳｂＴｅと
の濡れ性も金属−金属の境界となるので優れており、間
に保護膜２がないので冷却能の向上も期待できる。

【００９９】また、記録特性の比較のために、上記従来
例に係わるディスク６を作製した。ディスク６の各層の
膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍ、
ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ａｌ反射層４が２０
０ｎｍとした。

【０１００】さらにディスク７は、図１１に示すよう
に、前述のディスク５のＷからなる反射層７の上にＺｎ
Ｓ系保護層９を設け、さらにその上にＵＶ硬化樹脂のオ
ーバーコート材からなる保護層５を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０
ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ｗ反射層４が
２００ｎｍ、ＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍとした。

【０１０１】このように反射層４の上に保護膜９を設け
ることで、反射層材料の酸化を防止し、またオーバーラ
イトサイクルでの表面疲労を低減する効果が期待でき
る。以上、３種類のディスクの記録特性の評価結果を図
１２に示す。記録特性の評価は、上記実験例１と同様の
手順で行った。

【０１０２】その結果、従来層構成のディスク６は、２
千回でＣ／Ｎの低下が見られた。これに対し、本発明の
実施例であるディスク５では１０万回までＣ／Ｎの低下
は見られなかった。さらに本発明の別の実施例である反
射層の上に保護層を設けたディスク７では２０万回まで
Ｃ／Ｎの低下は見られなかった。

【０１０３】これは、従来例のディスク６のＡｌ反射層
ではオーバーライトサイクルで記録層との相互拡散を生
じたため、Ｃ／Ｎが低下したと考えられる。これに対し
て本発明のＷからなる反射層では、記録層との相互拡散
が生じ難いため、１０万回までＣ／Ｎの低下は見られな
かったものと考えられる。

【０１０４】また、さらに反射層の上に保護層を設ける
ことによってサイクル回数を伸ばすことが可能であっ
た。以上のように本発明の反射層を設けることによっ
て、従来より簡略化した層構成でもサイクル特性の向上
が認められた。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体保護膜と記録膜の付着力の改善に着目し、誘電体
保護膜と記録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高い
金属あるいは合金からなる境界層を設けているため、保
護膜と記録膜との間の付着性が向上し、優れた繰り返し
特性を有する、信頼性に優れた相変化型光ディスクを得
ることが可能である。

【０１０６】また、相変化型の記録膜と接して記録膜材
料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属あ
るいは合金又は金属間化合物からなる反射膜を設けるこ
とによって、誘電体保護膜を省略することも可能とな
り、ディスクの低コスト化を図ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。

【図２】 実施例２に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。

【図３】 実施例３に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。

【図４】 実施例４に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。

【図５】 実施例１〜３に係る情報記録媒体を製造する
ために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す
縦断面図。

【図６】 図５に示すスパッタリング装置の横断面図。

【図７】 実施例４に係る情報記録媒体を製造するため
に用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断
面図。

【図８】 図７に示すスパッタリング装置の横断面図。

【図９】 従来の相変化光ディスクの層構成を模式的に
示す図である。

【図１０】 実施例１〜３に係る相変化光ディスク記録
媒体の記録特性の評価を従来例と比較して示す特性図。

【図１１】 本発明の他の実施例に係る相変化型光ディ
スク記録媒体の断面図。

【図１２】 実施例４及び他の実施例に係る相変化光デ
ィスク記録媒体の記録特性の評価を従来例と比較して示
す特性図。

【符号の説明】

１…記録層、２…保護層、３…保護層、４…反射層、５
…保護層、６…光ディスク基板、７…境界層、８…境界
層、９…保護層、２０…真空容器、１１…ガス導入ポー
ト、１２…ガス排気ポート、１３…排気装置、１４…ア
ルゴンガスボンベ、１５…回転基台、２１…スパッタリ
ング源、２２…スパッタリング源、２３…パッタリング
源、２４…スパッタリング源、２５…モニタ装置、２６
…モニタ装置、２７…モニタ装置、２８…モニタ装置。

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
   と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備する
   情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との間
   に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
   しない金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有
   することを特徴とする情報記録媒体。
2. 【請求項２】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
   と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備する
   情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との間
   に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
   せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎ
   ｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の
   合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａ
   ｌからなる群から選択された金属、合金又は金属間化合
   物からなる境界層を有することを特徴とする情報記録媒
   体。
3. 【請求項３】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／又
   は前記基板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜と
   を具備する情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記
   録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材
   料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、
   Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２
   種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及び
   Ｎｂ−Ａｌからなる群から選択された金属、合金又は金
   属間化合物からなる境界層を有することを特徴とする情
   報記録媒体。
4. 【請求項４】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／又
   は前記基板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜と
   を具備する情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記
   録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材
   料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、
   Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２
   種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及び
   Ｎｂ−Ａｌからなる群から選択された金属、合金又は金
   属間化合物からなり、膜厚が１００ｎｍ以下である境界
   層を有することを特徴とする情報記録媒体。
5. 【請求項５】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
   と記録膜との間に形成された、記録膜材料よりも融点が
   高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間
   化合物からなる金属膜とを具備することを特徴とする情
   報記録媒体。
6. 【請求項６】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
   と記録膜との間に形成された、記録膜材料よりも融点が
   高く、記録膜材料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉ
   ｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚ
   ｒ、これら金属の２種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓ
   ｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌからなる群から選択さ
   れた金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有す
   ることを特徴とする情報記録媒体。
7. 【請求項７】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   ＧｅＳｂＴｅからなる相変化型の記録膜と、この記録膜
   上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成された、記
   録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶せず、
   Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒ
   ｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
   Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌから
   なる群から選択された金属、合金又は金属間化合物から
   なる境界層を有することを特徴とする情報記録媒体。
8. 【請求項８】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   ＧｅＳｂＴｅからなる相変化型の記録膜と、この記録膜
   上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成された、記
   録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶せず、
   Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒ
   ｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
   Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌから
   なる群から選択された金属、合金又は金属間化合物から
   なり、膜厚が１００ｎｍ以下である境界層を有すること
   を特徴とする情報記録媒体。
9. 【請求項９】 基板と、この基板上に形成され、光ビー
   ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
   相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
   と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備し、
   前記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料よりも融
   点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金
   属間化合物からなる境界層を有する情報記録媒体の製造
   方法であって、記録膜材料、誘電体保護膜材料、及び境
   界層材料を、気相法により、大気に曝すことなく真空中
   で連続して成膜することを特徴とする情報記録媒体の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
    板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備す
    る情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との
    間に、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有
    し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化
    合物からなる境界層を有することを特徴とする情報記録
    媒体。
11. 【請求項１１】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され、
    記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有し、記
    録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化合物か
    らなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない膜厚の金属
    膜とを具備することを特徴とする情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
    板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の融点（摂
    氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
    い金属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ム
    を実質的に遮断しない膜厚の金属膜とを具備することを
    特徴とする情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    るＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜に接して
    形成され、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点
    を有し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属
    間化合物からなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない
    膜厚の金属膜とを具備することを特徴とする情報記録媒
    体。
14. 【請求項１４】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され
    た、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有
    し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化
    合物からなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない膜厚
    の金属膜と、この金属膜の前記記録膜とは反対側の面に
    形成された誘電体保護膜とを具備することを特徴とする
    情報記録媒体。
15. 【請求項１５】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
    板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の融点（摂
    氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
    い金属、合金又は金属間化合物からなり、膜厚が１００
    ｎｍ以下である金属膜とを具備することを特徴とする情
    報記録媒体。
16. 【請求項１６】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    るＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／
    又は前記基板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の
    融点（摂氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは
    固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなり、膜厚
    が１００ｎｍ以下である金属膜とを具備することを特徴
    とする情報記録媒体。
17. 【請求項１７】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成された
    誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体であって、前記
    保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料よりも融点が
    高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間
    化合物からなる境界層を有することを特徴とする情報記
    録媒体。
18. 【請求項１８】 基板と、この基板上に形成され、光ビ
    ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
    る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され
    た、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
    しない金属、合金又は金属間化合物からなる金属膜とを
    具備することを特徴とする情報記録媒体。