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JPH04175218A - 高純度シリカの製造法 - Google Patents

高純度シリカの製造法

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Publication number
JPH04175218A
JPH04175218A JP30286390A JP30286390A JPH04175218A JP H04175218 A JPH04175218 A JP H04175218A JP 30286390 A JP30286390 A JP 30286390A JP 30286390 A JP30286390 A JP 30286390A JP H04175218 A JPH04175218 A JP H04175218A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silica
acid
acid component
ammonia
slurry
Prior art date
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Granted
Application number
JP30286390A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3063147B2 (ja
Inventor
Makoto Tsugeno
誠 柘植野
Kenji Tanimoto
健二 谷本
Masao Kubo
正雄 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP2302863A priority Critical patent/JP3063147B2/ja
Publication of JPH04175218A publication Critical patent/JPH04175218A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は珪弗化水素酸、珪弗化アンモニウムまたはこれ
らの混合物を反応原料とし、この珪弗化物とアンモニア
とを水性媒体中で反応させて得られるシリカスラリーま
たはシリカケーキに酸成分を添加して不純物を除去する
ことを特徴とする高純度シリカの製造法に関する。高純
度シリカは石英原料、セラミックス原料、塗料、充填剤
等の各種機能材料として有用である。
〔従来の技術〕
従来、シリカ粉末の製造方法としては、珪酸ソーダを酸
やイオン交換樹脂を用いて中和する方法(珪酸ソーダを
原料とする湿式法)か−船釣であるか、この方法は低コ
ストである反面、ナトリウム、アルミニウム、鉄等の金
属性不純物か混入する為、高純度を要求される分野には
供し得ない。
また、乾式法として四塩化珪素を酸素と水素の存在下、
高温燃焼させる方法かあるが、特殊な製造装置を要する
上、高コストのため用途か限定される。また得られるシ
リカの物性も湿式法シリカとは異なる。
また更に、珪弗化水素酸のアンモニア中和により比較的
高純度の高いシリカが得られることか知られているか(
特開昭58−208125、特開昭58−208126
、特開昭59−141413、特開昭62−15311
1)、通常の方法では本発明の如き高純度のシリカは得
られない。即ち、原料の珪弗化水素酸、珪弗化アンモニ
ウムまたはこれらの混合物中にアルミニウム、カルシウ
ム、ナトリウム、鉄等の金属不純分か含有しており、こ
れらの金属成分は珪弗化物とアンモニウムとを水性媒体
中で反応させてシリカを得る際、大半か製品シリカ中に
そのまま不純物として混入する。また、反応副原料であ
るアンモニアも生成シリカ内部及び表面部に強く吸着さ
れ、通常の水洗処理では除去不能である。製品シリカ中
にこれらの不純物が残留すると、シリカの実用場面で問
題となる。
〔発明か解決しようとする課題〕
上記の技術的課題につき本発明者等は鋭意研究を進めた
結果、本発明を完成した。本発明の方法によれば、通常
の水洗処理では除去不可能なアルミニウム、カルシウム
、ナトリウム、鉄等の金属不純物やアンモニアも除去さ
れ、産業上有用な高純度シリカを工業製品として入手し
得る珪弗化物を反応原料として、簡単な製造工程で容易
に得ることかできる。
〔課題を解決するだめの手段〕
本発明は、珪弗化水素酸、珪弗化アンモニウムまたはこ
れらの混合物とアンモニアとを水性媒体中で反応させて
得られるシリカスラリーまたはシリカケーキに酸成分を
添加して不純物を除去することを特徴とする高純度シリ
カの製造法に関する。
本発明において用いる酸成分としては、塩酸、硫酸、硝
酸、燐酸、弗化水素酸、珪弗化水素酸、炭酸等の無機酸
、各種有機酸、イオン交換樹脂等が挙げられる。なかで
も無機酸が好ましく、特に弗化水素酸、珪弗化水素酸が
好ましい。
酸成分の添加方式はシリカスラリー中に攪拌下、常温も
しくは加温下行うことか望ましいか、場合によりケーキ
状態のシリカに酸成分の添加、例えば、ろ過ケーキ中へ
の希薄酸による貫通洗浄方式も可能である。
酸成分の添加量はシリカスラリーまたはケーキ中の金属
不純物の種類、含量、アンモニア含量、シリカ混合物の
pH等によるか、シリカスラリーに酸成分を添加する場
合には、通常酸成分添加後のスラリーのpHか7以下、
好ましくはpHか5以下となる添加量である。シリカケ
ーキの場合はスラリーの場合と同様のpHにするか、酸
成分の希薄溶液、好ましくは5%以下の濃度の酸成分溶
液て洗浄すれば良い。過度の酸成分添加は酸成分中のア
ニオン成分の増加や装置材質の腐食をもたらし望ましく
ない。また製品シリカ中に弗素以外のアニオン成分の混
入を避けたい場合は、酸成分として弗化水素酸、珪弗化
水素酸または炭酸を使用する。以下実施例にて本発明を
より具体的に説明する。
する珪弗化アンモニウム水溶液2900gを仕込み、2
5%アンモニア水900gを20℃で30分かけて添加
し、pHが9.9のシリカ含有スラリーを得た。このシ
リカ含有スラリーを減圧ろ過して得た1次シリカケーキ
420gをlO分割し、各々1kgの2%硝酸水溶液(
A)、2%硫酸水溶液(B)、2%塩酸水溶液(C)を
用いて貫通洗浄した。尚、比較のため同量の純水でも貫
通洗浄をした。この洗浄した2次シリカケーキは各々更
に1kgの純水で貫通洗浄後105°Cの熱風乾燥話中
で3時間乾燥し、シリカ粉を得た。得られたシリカ粉の
金属不純物含量をIcP発光分析法により測定した。測
定結果を表−1に示す。
表−1 実施例2 実施例1て用いた1次シリカケーキ42gに純水を加え
全量300gのスラリーを得た。これに10%硫酸12
gを加え(D)、スラリーのpHを1とした。同様に1
次シリカケーキ42gと純水258gからシリカスラリ
ーを調製し各々10%硫酸(E)、10%弗化水素酸(
F)、10%珪弗化水素酸(G)を添加しスラリーのp
Hを4とした。
pHを調製したシリカスラリーを減圧ろ過後、ろ過ケー
キを各々0.5 k gの純水で洗浄し得られた2次シ
リカケーキを105°Cの熱風乾燥話中で3時間乾燥し
、シリカ粉を得た。得られたシリカ粉の金属不純物含量
をICP発光分析法により測定した結果、Af、Ca、
Naはいずれもtppm以下であった。また、D−G各
々のシリカ粉及び上記比較例1のシリカ粉の熱水抽出液
をイオンクロマト分析すると、Dの硫酸イオン含量(S
i02固形分換算)は1100pp以上、Eの硫酸イオ
ン含量は10ppm以上であったか、F、 G及び比較
例1硫酸イオン含量はlppm以下であった。また、各
々のシリカ粉の熱水抽出液をイオンクワマド法によりア
ンモニア含量(Si○2固形分換算)を測定すると、比
較例1は11000pp以上、D−Fのシリカ粉は各々
1100pp以下であった。
特許出願人 日産化学工業株式会社

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)珪弗化水素酸、珪弗化アンモニウムまたはこれら
    の混合物とアンモニアとを水性媒体中で反応させて得ら
    れるシリカスラリーまたはシリカケーキに酸成分を添加
    して不純物を除去することを特徴とする高純度シリカの
    製造法。
  2. (2)酸成分が無機酸である請求項1記載の高純度シリ
    カの製造法。
  3. (3)無機酸が弗化水素酸または珪弗化水素酸である請
    求項2記載の高純度シリカの製造法。
  4. (4)酸成分添加後のシリカスラリーまたはシリカケー
    キのpHを5以下とする請求項1記載の高純度シリカの
    製造法。
JP2302863A 1990-11-08 1990-11-08 高純度シリカの製造法 Expired - Fee Related JP3063147B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005346A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Sanyu Rec Co Ltd 金属性異物の除去方法
WO2010004925A1 (ja) * 2008-07-09 2010-01-14 Kiya Shigeru けい素、チタンおよびふっ素の回収方法
CN102502669A (zh) * 2011-10-26 2012-06-20 瓮福(集团)有限责任公司 一种纳米二氧化硅的制备方法

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