JPH04123339A

JPH04123339A - 高レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH04123339A
Application number: JP2243339A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Matsumoto; 広行松本
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1990-09-13
Filing date: 1990-09-13
Publication date: 1992-04-23
Anticipated expiration: 2015-05-08
Also published as: US5309427A; JP3038853B2; EP0475446A2; EP0475446A3; EP0475446B1; DE69119850T2; DE69119850D1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、記録磁界Ｈｂの向き及び強度を変調せずに、
光ビームの強度を記録すべき２値化情報に従い変調する
だけでオーバーライト（ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ）が可能な
光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去することができ、再び新
たな情報を記録することが繰り返し何度も可能であると
いうユニークな利点のために、最も大きな魅力に満ちて
いる。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄＣｏ、　ＧｄＦｅＣｏ５ＴｂＦｅ
、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層は
一般に同心円状又はらせん状のトラックを成しており、
このトラックの上に情報が記録される。ここで、本明細
書では、膜面に対し「上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又は
「下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ　）Ｊの何れか一方を、「
Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべき
情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」
の磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁化
を有するビット（Ｂｏ）の２つの信号で記録される。こ
れらのビットＢ＋、Ｂ・は、デジタル信号の１．　　Ｏ
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するビット
（Ｂ１）を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）の有
無及び／又はビット長によって表現される。尚、ビット
は最近マークと呼ばれることがある。

ビット形成の原理：ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録層に直径が１μｍ以下のビットを形成することによ
り情報が記録される。光学的記録においては、理論的に
約１０＃　ビット／ａＩｆまでの記録密度を達成するこ
とができる。何故ならば、レーザビームはその波長とほ
とんど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮
（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ）することが出来るからであ
る。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成
される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｅの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｅを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
Ｔ＠ａｓｅ　　を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼ
ロになる。逆にこの温度付近でＨａが非常に大きくなり
、その温度から外れるとＨｅが急激に低下する。この低
下したＨｃは、比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打
ち負かされる。つまり、記録が可能になる。

この記録プロセスはＴ６゜、、書込み（補償点書込み）
と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｅを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再生の原理：第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を一θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ、）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｌ＞から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２θｋ）！を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は「逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｏ）よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターからの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのである
。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（ｉ）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（ｉｉ）予め、前段処理として記録装置又は消去装置
を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライトは、不可能とされていた。

もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら、
記録磁界Ｈｂの向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久磁石である場合、磁
石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし、磁
石の向きを高速で反転させることは、無理である。記録
磁界Ｈｂが電磁石である場合にも、大容量の電流の向き
をそのように高速で変調することは不可能である。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界Ｈｂの強
度（ＯＮ、　ＯＦＦを含む）又は記録磁界ＨｂＯ向きを
変調せずに、照射する光ビームの強度を記録すべき２値
化情報に従い変調するだけで、オーバーライトが可能な
光磁気記録方法と、それに使用されるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバ
ーライト可能な記録装置が発明され、特許出願された（
特開昭６２−１７５９４８号）。以下、この発明を「基
本発明」と引用する。

〔基本発明の説明〕

基本発明では、「基本的に垂直磁化可能な磁性薄膜から
なる記録再生層（本明細書では、以下、メモリー層又は
Ｍ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録
補助層（本明細書では、以下、　ｒ記録層１又はＷ層と
言う）とを含み、両層は交換結合しており、かつ、室温
でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ層の磁化のみを所定
の向きに向けておくことができるオーバーライト可能な
多層光磁気記録媒体」を使用する。

そして、情報をＭ層（場合によりＷ層にも）における「
Ａ向き」磁化を有するビットと「逆Ａ向き」磁化を有す
るビットで表現し、記録するのである。

この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界旧ｎ
ｉ、　）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃え
ることができ、しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、−旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、ｒＡ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。

そして、Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈｅと高いキ
ュリー点Ｔ、を持つ。

基本発明の記録方法によれば、記録媒体は、記録前まで
に、外部手段によりＷ層の磁化の向きが「Ａ向き」に揃
えられる。この行為を本明細書では特別に［初期化（ｉ
ｎｉｔｉａｌｉｚｅ）」と呼ぶ。この初期化はオーバー
ライト可能な媒体に特有なことである。

その上で、２値化情報に従いパルス変調されたレーザー
ビームが媒体に照射される。レーザービームの強度は、
高レベルＰ、と低レベルＰＬがあり、これはパルスの高
レベルと低レベルに相当スる。尚、この低レベルは、再
生時に媒体を照射する非常な低レベル°Ｐ、よりも高い
。

ビームが照射された部分の媒体に、向きも強度も変調さ
れない記録磁界Ｈｂが作用する。Ｈｂは、ビームの照射
された部分（スポット領域）と同じ位の寸法に絞ること
はできず、Ｈｂが作用する領域は、スポット領域に比べ
れば、ずっと大きい。

低レベルのビームが照射されると、前のビットの磁化の
向きに無関係に、Ｍ層に「Ａ向き」のビット（Ｂ１）又
は「逆Ａ向き」のビット（Ｂ、）の−方が形成される。

そして、高レベルのビームが照射されると、前のビット
の磁化の向きに無関係に、Ｍ層に他方のビットが形成さ
れる。

これでオーバーライトが完了する。

基本発明では、レーザービームは、記録すべき情報に従
いパルス状に変調される。しかし、このこと自身は、従
来の光磁気記録でも行われており、記録すべき２値化情
報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段は既知の
手段である。例えば、ＴＨＥ　　ＢＥＬＬ　　ＳＹＳＴ
ＥＭ　　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　　ＪＯＵＲＮＡＬ。

Ｖｏｌ、　６２（１９８３）、　１９２３−１９３６に
詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要な高
レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一
部修正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、
そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが
与えられれば、容易であろう。

基本発明に於いて特徴的なことの１つは、ビーム強度の
高レベルと低レベルである。即ち、ビーム強度が高レベ
ルの時に、記録磁界Ｈｂその他の外部手段によりＷ層の
「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（ｒｅｖｅｒｓｅ
）させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層に「
逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するビット
を形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の磁化
の向きは初期化状態と変わらず、そして、Ｗ層の作用（
この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わる）によって
Ｍ層に「Ａ向きＪ磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有す
るビットを形成する。

なお、本明細書で、ＯＯＯ〔又は△△△〕という表現は、先に〔〕の外のＯ
ＯＯを読んだときには、以下のｑΩＱ〔又は△△△〕の
ときにも、　〔〕の外のＯＯＯを読むことにする。それ
に対して先にＯＯＯを読まずに〔〕内の△△△の方を選
択して読んだと○○○を読まずに〔〕内の△△△を読む
ものとする。

基本発明で使用される媒体は、第１実施態様と第２実施
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、記
録媒体は、Ｍ層とＷ層を含む多層構造を有する。

Ｍ層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い磁性層
である。Ｗ層はＭ層に比べ相対的に室温で保磁力が低く
磁化反転温度が高い磁性層である。

なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜から構成され
ていてもよい。場合によりＭ層とＷ層との間に第３の層
（例えば、交換結合力σＷの調整層）が存在していても
よい。更にＭ層とＷ層との間に明確な境界がなく、一方
から徐々に他方に変わってもよい。

第１実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨｃ＋、Ｗ層のそれ
をＨｃ！、Ｍ層のキュリー点をＴｃ＋、Ｗ層のそれをＴ
ｃｘ、室温をＴ罠、低レベルＰＬのレーザービームを照
射した時の記録媒体の温度をＴＬ、高レベルＰ８のレー
ザービームを照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける結
合磁界をＨＤＩＳＷ層が受ける結合磁界をＨａｓとした
場合、記録媒体は、下記の式１を満足し、そして室温で
式２〜５を満足するものである。

Ｔｃ　＜Ｔｃ＋４Ｔｔ　くＴｃｔ郊１　・−−−−−・
・−式ＩＨｃ＋　＞　Ｈｃａ＋　ｌ　８＋１１　＋　Ｈ
ｏ５ｌ−−−−−−−式２Ｈｃ　＋　＞　ＨＤｌ−−一
−・・・・−・・・−・−・・・・−−−−−−−−−
一−・・・−式３Ｈｃ　＊　＞　Ｈｏ　５−−−一・・
・−・−−−−一−・−−−一−−−・−・−・・−・
・・・−・−・−一−−−−−−−式４Ｈｅｔ＋Ｈｏ＊
＜　１Ｈｉｎｉ、　ｌ　　＜Ｈｃ＋±ＨＥＩ　＋−−・
式５上記式中、符号ｒ４Ｊは、等しいか又はほぼ等シイ
（±２０°Ｃ位）ことを表す。また上記式中、複合上１
竿については、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合
であり、下段は後述するＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイ
プの媒体の場合である。なお、フェロ磁性体媒体はＰタ
イプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、第６
図の如くなる。細線はＭ層のそれを、太線はＷ層のそれ
を表す。

従って、この記録媒体に室温で外部手段例えば初期補助
磁界（Ｈｉｎｉ、）を印加すると、式５によれば、Ｍ層
の磁化の向きは反転せずにＷ層の磁化のみが反転する。

そこで、記録前に媒体に外部手段から作用（例えば、初
期補助磁界旧ｎｉ、）を及ぼすと、Ｗ層のみを「Ａ向き
」　　　　　ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙
面において上向きの矢９で示し、「逆Ａ向き」を下向き
の矢ａで示す　　　　　に磁化させることができる。そ
して、Ｈｉｎｉ、がゼロになっても、式４により、ＷＪ
Ｉの磁化？は再反転せずにそのまま保持される。

外部手段によりＷ層のみが、記録前までに「Ａ向き」？
に磁化されている状態を概念的に表すと、第７図になる
。

第７図でＭ層における磁化の向き８は、それまでに記録
されていた情報を表わす。以下の説明においては、向き
に関係がないので、これをＸで示し簡略化すると、第７
図は、第８図の状態１で示せる。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴＩＩに上昇させる。すると、Ｔ、はキュリー
点Ｔ　ｃ　＋より高温度なのでＭ層の磁化は消失してし
まう。更にＴ、はキュリー点Ｔ、。

付近なのでＷ層の磁化も全く又はほぼ消失する。

ここで、媒体の種類に応じて「Ａ向き」又は「逆Ａ向き
Ｊの記録磁界Ｈｂを印加する。Ｈｂは、媒体自身からの
浮遊磁界でもよい。説明を簡単にす、るために「逆Ａ向
き」の記録磁界Ｈｂを印加したとする。媒体は移動して
いるので、照射された部分は、レーザービームから直ぐ
に遠ざかり、冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度
が低下すると、Ｗ層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて
「逆Ａ向き」８の磁化となる（第８図状態２）。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴ　ｃ　＋より
少し下がると、再びＭ層の磁化が現れる。その場合、磁
気的結合（交換結合）力のために、Ｍ層の磁化の向きは
、Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体
の種類に応じて「逆Ａ向き」８のビット（Ｐタイプの媒
体の場合）又は「Ａ向き」合のビット（Ａタイプの媒体
の場合）がＭ層に形成される。この状態が第８図状態２
３　（Ｐタイプ）又は状態４　（Ａタイプ）である。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルＰＬのレーザービームを照射して媒体温
度をＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点ＴｃＩ付近な
のでＭ層の磁化は全く又はほぼ消失してしまうが、キュ
リー点Ｔｃ２よりは低温であるのでＷ層の磁化は消失し
ない。この状態は第８図状態５で示される。ここでは、
記録磁界Ｈｂは、不要であるが、高速度（短時間）でＨ
ｂをＯＮ。

ＯＦＦすることは不可能である。従って、止むを得ず高
温サイクルのときのままになっている。

しかし、Ｈｅｗはまだ大きいままなので、Ｈｂによって
Ｗ層の磁化膜が反転することはない。媒体は移動してい
るので、照射された部分は、レーザービームから直ぐに
遠ざかり、冷却される。冷却が進むと、再びＭ層に磁化
が現れる。現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために
Ｗ層の影響を受は所定の向きとなる。その結果、媒体の
種類に応じて「Ａ向き」合のビット（Ｐタイプの媒体の
場合）又は「逆Ａ向き」８のビット（Ａタイプの媒体の
場合）がＭ層に形成される。この磁化は室温でも変わら
ない。この状態が第８図状態６　（Ｐタイプ）又は状ｆ
ｉ？（Ａタイプ）である。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、記録前のＭ層の磁化の向きがど
うであれ、高温サイクルと低温サイクルを選択すること
によって、「逆Ａ向き」８のビットと「Ａ向き」合のビ
ットを自由に形成できる。

つまり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サ
イクル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状
に変調することによりオーバーライトが可能となる。第
９図を参照されたい。第９図の磁化の状態は、いずれも
室温又は室温に戻ったときの結果として描いである。

これまでの説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点
との間に補償温度Ｔ０゜、、がない磁性体組成について
説明した。しかし、補償温度Ｔ、。、。

が存在する場合には、それを越えると■磁化の向きが反
転すること□実際にはＲＥ、ＴＭの各副格子磁化の向き
は変わらないが、その大小関係が逆転するので、全体（
合金）としての磁化の向きが反転する　　　　　と、■
Ａ、Ｐタイプが逆になるので、説明はそれだけ複雑にな
る。この場合、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考えた場
合、前頁の説明の向き↓と逆になる。つまり、初期化さ
れたＷ層の磁化の向き↑と同じ向きのＨｂを印加する。

記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒体は回
転される。そのため、記録された部分（ビット）は、記
録後に再び外部手段例えば旧ｄｉ。

の作用を受け、その結果、Ｗ層の磁化は元の「Ａ向き」
合に揃えられる。しかし、室温では、Ｗ層の磁化の影響
がＭ層に及ぶことはなく、そのため記録された情報は保
持される。

そこで、Ｍ層に直線偏光を照射すれば、その反射光には
情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と同様
に情報が再生される。

このようなＭ層及びＷ層を構成する垂直磁化膜は、■補
償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及びフ
ェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方を有
するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群から
選択される。

以上の説明は、磁化反転温度としてキュリー点を利用し
た第１実施態様の説明である。それに対して第２実施態
様はキュリー点より低い温度に於いて低下したＨｃを利
用するものである。第２実施態様は、第１実施態様に於
けるＴ　ｃ　＋の代わりにＭ層がＷ層に磁気結合される
温度ＴＩＩを使用し、Ｔｃ鵞の代わりにＷ層がＨｂで反
転する温度ＴＩを使用すれば、第１実施態様と同様に説
明される。

第２実施態様では、Ｍ層の保磁力をＨｃ　＋、Ｗ層のそ
れをＨｃ！、Ｍ層がＷ層に磁気的に結合される温度をＴ
、、とじ、Ｗ層の磁化がＨｂで反転する温度をＴａｘ、
室温をＴ真、低レベルＰＬのレーザービームを照射した
時の媒体の温度をＴＬ、高レベルＰｓのレーザービーム
を照射した時のそれをＴ、、Ｍ層が受ける結合磁界をＨ
，、ＳＷ層が受ける結合磁界をＨｏｗとした場合、記録
媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７〜１０を満
足するものである。

Ｔ買くＴ、１郊ＴＬ＜ＴＪ！夕Ｔ、−・・・・・・・・
・−・−−−−一式６Ｈｃ＋　＞　Ｈｅ！＋　　ＨＤＩ
　”ｉ：Ｈｏｗｌ　−−−−−−−−ｍ−式７Ｈｃ　＋
　＞　Ｈｏ　＋　　−−−−−−−−−−一−−””’
−’−”’−”−”式８Ｈｃｔ＞　Ｈｔ＋１”−−・・
・−一−−−−−・・−−−−−・−・・・−・・−−
−−−−−−・−・−・・・−−−−−・−式９ＨＣ２
＋ＨＤ！＜　　１Ｈｉｎｉ、　　ｌ　　＜Ｈｃｔ±ＭＤ
Ｉ−−・−式ｌＯ上記式中、複合上、；については、上
段がＡ（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場
合であり、下段はＰ　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒
体の場合である。

第２実施態様では、高温ＴＨのとき、Ｗ層の磁化は消失
していないが、十分に弱く、Ｍ層の磁化は消失している
か、又は十分に弱い。Ｍ層、Ｗ層ともに十分に弱い磁化
を残留していても、記録磁界Ｈｂ↓が十分に大きいので
、Ｈｂ↓がＷ層及び場合によりＭ層の磁化の向きをＨｂ
↓に従わせることができる。この状態が第１Ｏ図状態２
である。

この後、■直ちに又は■レーザービームの照射が無くな
って放冷が進み、媒体温度がＴＨより下がった時又は■
Ｈｂから遠ざかった時、Ｗ層がσ。

を介してＭ層に影響を及ぼしてＭ層の磁化の向きを安定
な向きに従わせる。その結果、第１Ｏ図状態３　（Ｐタ
イプ）又は状態４　（Ａタイプ）となる。

他方、低温Ｔ、のとき、Ｗ層はもちろんＭ層も磁化を消
失していない。しかし、Ｍ層のそれは比較的小さい。こ
の場合、ビットの状態には、Ｐタイプの場合、第１Ｏ図
状態５と状態６の２種類あり、Ａタイプの場合、第１θ
図状態７と状態８の２種類アル。状態６及び状１’！８
では、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（−で示す）が生じ
ており、やや不安定（準安定）な状態である。この状態
の媒体部分が、レーザービームの照射位置に来る直前に
、Ｈｂ↓の印加を受ける。それでも、この状態６又は状
態８は保持される。何故ならば、Ｗ層は、室温で、十分
な磁化を有するので、磁化がＨｂ↓によって反転するこ
とはない。また、Ｈｂ↓と向きが反対の状態８のメモリ
ー層は、Ｈｂ↓の影響より大きなＷ層からの交換結合力
σＷの影響を受け、Ｐタイプ故にＷ層と同じ向きに、磁
化の向きが保持される。

その後、まもなく状！！１６又は状態８は低レベルのレ
ーザービームの照射を受ける。そのため、媒体温度は上
昇する。それに伴い両層の保磁力は低下する。しかし、
Ｗ層は高いキュリー点を有するので、保磁力Ｈｃｔの低
下は僅かであり、Ｈｂ↓に負けることがなく、初期化さ
れたときの磁化の向き「Ａ向き」合が維持される。他方
、Ｍ層は低いキュリー点を有するものの、媒体温度は未
だＭ層のキュリー点Ｔ、１より低いので、保磁力Ｈｃ　
＋は残存する。しかし、それは小さいので、Ｗ層は、■
Ｈｂ↓の影響と■Ｗ層からの交換結合力σ１を介した影
響（Ｐタイプの場合、同じ向きを向かせようとする力）
を受ける。この場合、後者の方が強く、Ｐタイプの場合
、式：％式％が同時に満足される。Ａタイプの場合には、式：％式％が同時に満足される。これらの式が同時に満足される最
も低い温度をＴＬ、と呼ぶ。換言すれば、状態６又は状
態８の磁壁が消滅する最低温度がＴ　Ｌｌである。

その結果、状ｔ！ｉ６は状ｔ！１９に移行し、状！！ｉ
８は状ｔＩｉ１０に移行する。他方、磁壁がもともとな
い状態５は状態９と同じであり、状ｆｉ７は状態１０と
同じであるから、結局、前の状態（Ｐタイプの場合、状
態５か６か、Ａタイプの場合、状態７か８か）に関係な
く、低レベルのビームの照射により状態９　（Ｐタイプ
）又は状態１０（Ａタイプ）のビットが形成される。

この状態は、その後ビットがレーザービームの照射が止
んだり又は照射位置から外れたりすることにより、媒体
温度が低下し、室温に戻った時（Ｓも、変わらない。こ
のＩＪＩＯ図状ｔ’ｔ９　（Ｐタイプ）又は状！！１０
（Ａタイプ）は、第８図状！’！６（Ｐタイプ）又は状
ｔ’１７（Ａタイプ）と同一である。

これにより、Ｍ層のキュリー点ＴＣＩまで媒体温度を高
めることなく、低温サイクルが実施されることが理解さ
れよう。

実は低温サイクルをＴ　ｃ　＋以上で実施する場合にも
、媒体温度が室温からＴｃｌに上昇する途中でＴＬＩを
通るので、そのとき、Ｐタイプの場合、状態６から状態
９への移行が、Ａタイプの場合、状ｔ！Ｉ８から状態１
０への移行がそれぞれ起こるのである。その後、Ｔ　ｃ
　ｒに至り、第８図状！’！５となるのである。

以上の説明は、Ｍ層、Ｗ層ともに室温とキュリー点との
間に補償温度Ｔ。。、、かない磁性体組成について説明
した。しかし、補償温度Ｔ　ｅ６１１１　が存在する場
合には、それを越えると■磁化の向きが反転することと
■Ａ、Ｐタイプが逆になるので説明はそれだけ複雑にな
る。また、記録磁界Ｈｂの向きも、室温で考えた場合の
向きと逆になる。

第１、第２実施態様ともに、Ｍ層及びＷ層が遷移金属（
例えばＦｅ、　Ｃｏ）−重希土類金属（例えばＧｄ、　
Ｔｂ、　ＤＹその他）合金組成から選択された非晶質フ
ェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

Ｍ層、Ｗ層の双方とも、遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔｉｏ
ｎｏ＋ｅｔａｌ）−重希土類金属（ｈｅａｖｙ　ｒａｒ
ｅ　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａｌ）合金組成から選択され
た場合には、各合金としての外部に現れる磁化の向き及
び大きさは、合金内部の遷移金属原子（ＴＭ）の副格子
磁化の向き及び大きさと重希土類金属原子（ＲＥ）の副
格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例えばＴ
Ｍの副格子磁化の向き及び大きさを点線の矢印′；゛で
示すベクトルで表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線
の矢↑で示すベクトルで表し、合金全体の磁化の向き及
び大きさを白抜きの矢？で示すベクトルで表す。このと
き、白抜きの矢倉（ベクトル）は点線の矢（ベクトル）
と実線の矢（ベクトル）との和として表わされる。ただ
し、合金の中ではＴＭの副格子磁化とＲＥ［格子磁化と
の相互作用のために点線の矢（ベクトル）と実線の矢（
ベクトル）とは、向きが必ず逆になっている。従って、
点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）との和は
、両者の強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つ
まり、外部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。この
ゼロになるときの合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓ
ａｔｉｏｎ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　）と呼ばれる。

それ以外の組成のときには、合金は両方の副格子磁化の
強度差に等しい強度を有し、いずれか大きい方のベクト
ルの向きに等しい向きを有する白抜きの矢（ベクトル？
又は８）を持つ。そこで、合金の磁化ベクトルを点線の
ベクトルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば第１
１図に示すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の
状態は大別すると４通りあり、これらを第１２図（ＩＡ
）〜（４Ａ）に示す。そして、各状態における合金の磁
化ベクトル（白抜きの矢脅又はいを第１２図（ＩＢ）〜
（４Ｂ）に対応して示す。例えば、副格子磁化の状態が
（ＩＡ）で示される合金の磁化ベクトルは、（ＩＢ）に
示される。

ある合金組成の７ＭベクトルとＲＥベクトルの強度が、
どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、強度の大
きい方の名をとってＯｏリッチ例えばＲＥリッチである
と呼ばれる。

Ｍ層とＷ層の両方について、７Ｍリッチな組成とＲＥリ
ッチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標にＭ層の
組成を横軸座標にＷ層の組成をとると、基本発明の媒体
全体としては、種類を下記に示す４象限に分類すること
ができる。

ＲＥリッチ（Ｍ層） ↑ ７Ｍリッチ（Ｍ層）〔座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕先に述べた
Ｐタイプは工象限と■象限に属するものであり、Ａタイ
プは■象限と■象限に属するものである。

一方、温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリ
ー点（保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無
限大に増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成
がある。この無限大のときに相当する温度は補償温度（
Ｔｃ、、、、　）と呼ばれる。

補償温度より低い温度ではＲＥベクトル（実線矢）の方
が７Ｍベクトル（点線矢）より大きく、そのため７Ｍリ
ッチと言うことができ、補償温度より高い温度ではその
逆になる。従って、補償組成の合金の補償温度は、室温
にあると言うことができる。

逆に補償温度は７Ｍリッチの合金組成においては、室温
からキュリー点の間には存在しない。室温より下にある
補償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、
この明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存
在するものを言うことにする。

Ｍ層とＷ層の補償温度の有無について分類すると、媒体
は４つのタイプに分類される。第Ｉ象限の媒体は、４つ
全部のタイプが含まれる。そこで、Ｍ層とＷ層の両方に
ついてＲＥリッチか７Ｍリッチかで分け、かつ補償温度
を持つか持たないかで分けると、記録媒体は次の９クラ
スに分類される。

第表第表（続き）以上の説明は、Ｍ層、Ｗ層の２層膜で説明したが、この
ような２層膜を持っておれば、３層膜以上の多層膜を含
む媒体でもオーバーライトは可能となる。特に以上の説
明では、外部手段として初期補助磁界Ｈｉｎｉ、を用い
て説明したが、基本発明は、このような外部手段の具体
例は何でもよい。

つまり、記録の前までにＷ層の磁化が所定の向きを向い
ていればよいのである。

そのため、外部手段としてＨｉｎｉ、に代えて初期化層
からの交換結合力を用いたものが発明された（和文雑誌
“ＯＰＴＲＯＭＩＣ３”　１９９０年Ｎα４第２２７頁
〜２３１頁参照）。以下、この発明を選択発明という。

次にこの選択発明について説明する。

〔選択発明の説明〕

第１３図にこの選択発明の媒体の構成を示す。この媒体
は基板とその上に成膜された磁性膜からなり、この磁性
膜は、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＭ層（第１層）
と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるＷ層（第２層）と
、場合により設けられる「垂直磁化可能な磁性薄膜から
なるスイッチング層−一一先に示した雑誌“０ＰＴＲＯ
ＮＩＣＳ”では制御層と呼ばれている　　　　（第３層
）」と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる初期化層（第
４層）とを順に積層してなる３層又は４層膜構造を有し
、第１層と第２層とは交換結合しており、室温で第１層
の磁化の向きは変えないで第２層の磁化のみを所定の向
きに向けておくことができ、しかも第２層と第４層とは
第３層のキュリー点以下の温度で第３層を介して交換結
合している。

第４層は最も高いキュリー点を有し、高レベルのレーザ
ービームの照射を受けても磁化を失わない。第４層は常
に所定の向きの磁化を保持しており、これが記録の都度
、次の記録に備えて第２層（Ｗ層）の初期化を繰り返し
行なう手段となる。

そのため、第４層は初期化層と呼ばれる。

しかしながら、高温サイクルの過程（例えば、Ｔ、付近
）では、第２層の磁化反転が必ず起こらねばならず、そ
の場合には、第４層からの影響が無視できるように小さ
くなければならない。温度が高くなると、第２層と第４
層との間の交換結合力σｗ１４は小さくなるので、好都
合である。

しかし、Ｔ、においても、十分なσ、１４が残っている
場合には、第２層と第４層との間に第３層が必要になる
。第３層が非磁性体であれば、σｗ１４はゼロ又は非常
に小さくなる。しかし、Ｔ、より低く室温までのどこか
の温度では、第２層の初期化のためにσ、２４は大きく
なければならない。そのとき、第３層は第２層と第４層
との間に見掛は上十分に大きな交換結合力を与えなけれ
ばならない。それには第３層は磁性体である必要がある
。

従って、第３層は、相対的に低い温度では、磁性体とな
って第２層と第４層との間に見掛は上十分に大きな交換
結合力σ山を与え、相対的に高い温度では、非磁性体と
なって第２層と第４層との間に見掛は上ゼロ又は非常に
小さな交換結合力σ、！４を与えるものである。それ故
、第３層はスイッチング層（Ｓ層）と呼ばれる。

次に第１３図を用いて、４層膜オーバーライトの原理を
説明する。この説明は典型的な例であり、これ以外にも
例はある。白抜きの矢印は、各層の磁化の向きを示す。

記録前の状態は、状ｆｉｌ又は状！’！２のいずれがで
ある。Ｍ層１に着目すると、状態１は「Ａ向き」のビッ
ト（Ｂ　Ｉ）であり、状態２は「逆Ａ向き」のビット（
Ｂｏ）であり、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁（太線で示
す）があり、やや不安定な状態（準安定）にある。

〔低温サイクル〕

状ｔ！ｉｔ及び状態２のビットにレーザービームを照射
して温度を上昇させると、最初にＳ層の磁化が消失する
。そのため、状態１は状態３に移行し、状態２は状態４
に移行する。

更に温度が上昇してＴ　Ｌｌに達すると、Ｍ層の磁化は
弱くなり、Ｗ層からの交換結合力を介した作用が強くな
る。その結果、状態４のＭ層の磁化は反転すると同時に
層間の磁壁は消失する。これが状ｔ’１５である。状態
３のビットはもともと層間の磁壁はないので、そのまま
状態５に移行する。

ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態５のビットは温度が低下を始め、や
がて状態３を経て状態ｌになる。

これが低温サイクルである。

なお、状態５から更に温度が上昇しＭ層のキュリー点を
越えると、磁化が消失し状態６になる。

ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、状態６のビットは温度が低下を始め、や
がてＭ層のキュリー点を少し低い温度に至る。そうする
と、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、Ｗ層から
の交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化の向きに
対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き）となる
。ここではＰタイプであるので、状態５が再現する。温
度は更に低下し、それに従い、状ｔ’ｔ３が生じ、次い
で状！！１１のビットが形成される。このプロセスは低
温サイクルの別の例である。

〔高温サイクル〕

状態ｌ及び状態２のビットにレーザービームを照射して
温度を上昇させると、既述のように状態５を経て状態６
に至る。

更に温度が上昇すると、Ｗ層の保磁力は非常に低下する
。そのため、記録磁界Ｈｂ↓によって磁化が反転する。

これが状態８である。

ここで、レーザービームの照射が止むか又は照射位置か
ら遠ざかると、媒体温度は低下を始める。

やがて媒体温度はＭ層のキュリー点より少し下になる。

そうすると、Ｍ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、
Ｗ層からの交換結合力を介した作用を受け、Ｗ層の磁化
の向きに対して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き
）となる。ここではＰタイプであるので、状態９が出現
する。

温度が更に低下すると、８層に磁化が現れ、その結果、
Ｗ層と１層とは磁気的に（交換結合力で）結合される。

その結果、Ｗ層の磁化の向きは、１層の磁化の向きに対
して安定な向き（層間に磁壁が生じない向き）となる。

ここではＰタイプであるので、Ｗ層の磁化は「Ａ向き」
に反転し、その結果、Ｍ層とＷ層との間には界面磁壁が
生じる。

この状態が室温でも維持され、状態２のビットが生成す
る。

これが高温サイクルである。

なお、記録磁界Ｈｂ↓によって状態８が出現した後、更
に温度が上昇すると、やがて温度はＷ層のキュリー点を
越える。そうすると、状態７が８現する。

やがて媒体温度はＷ層のキュリー点より少し下になる。

そうすると、Ｗ層に磁化が現れる。この磁化の向きは、
記録磁界Ｈｂ↓の向きに従う。その結果、状態８が出現
する。

更に温度が低下すると、状態９を経て状態２のビットが
形成される。このプロセスは高温サイクルの別の例であ
る。

以上の通り、前の記録状態に無関係に、低温サイクルで
状ｔ！ＩＩのビットが形成され、高温サイクルで状ｔ！
１２のビットが形成される。従って、オーバーライトが
可能となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明者は、この選択発明にかかる「初期化層を有する
３又は４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒
体」を試作し、特性特に高レベルＰ、ｌの許容範囲（マ
ージン）を調査した。

Ｐ、のマージンを徐々に変えてオーバーライトを行い、
その都度再生してＣ／Ｎ比を測定すると、第１図（２）
に示すように、所定のＰ、以外ではＣ／Ｎ比が低下する
。Ｃ／Ｎ比はできるだけ高いことが望ましく、従って、
低下しないＣ／Ｎ比を示す範囲が、Ｐ、ｌのマージンと
なる。

ところが、追試した媒体は、Ｐ、マージンが狭く、実用
上は不満足であることが判明した。本発明が解決しよう
とする課題は、この狭いＰ、マージンにある。

狭いＰ、マージンは、次のような２次的問題を引き起こ
す。■現在のところ、光源に使用する半導体レーザーの
設定精度は±１０％程度であり、また、製造時にレーザ
ー個体間に±１０％程度のバラツキがあり、また、時間
の経過と共に±ｌＯ％程度変動する。■経時変化や周囲
の環境の変化で設定精度が±ｌＯ％程度変動する。■ゴ
ミやほこりの影響で光学系を通って媒体に到達するレー
ザービームの強度が、時間の経過と共に±１０％程度変
動する。■光学系の製造時に個体間に±１０％程度のバ
ラツキがあり、媒体に到達するレーザービームの強度が
、±ｌＯ％程度バラついている。■これらのバラツキ又
は変動により、Ｐ、マージンが狭いと、記録装置の良品
率が低下したり、Ｐ、マージンを越えた強度で記録され
る結果、Ｃ／Ｎ比が低下する。

本発明の目的は、Ｐｓママ−ンを拡大することにある。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、本発明者は鋭意研究した結果、偶然にも第４層
（１層）に隣接して直接に又は保護層を介して熱拡散層
例えばＣｕ層を設けることにより、Ｐ、マージンを拡大
することができることを見出し、本発明をなすに至った
。

よって、本発明は、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるメモリー層（第１層）
と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなるｒ記録層１　（第
２層）と、場合により設けられる垂直磁化可能な磁性薄
膜からなるスイッチング層（第３層）と、垂直磁化可能
な磁性薄膜からなる初期化層（第４層）とを順に積層し
てなり、第１層と第２層とは交換結合しており、室温で
第１層の磁化の向きは変えないで第２層の磁化のみを所
定の向きに向けておくことができ、しかも第２層と第４
層とは第３層のキュリー点以下の温度で第３層を介して
交換結合力しているオーバーライト可能な多層光磁気記
録媒体において、第４層に隣接して直接に又は保護層を
介して熱拡散層を設けたことを特徴とする、オーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体を提供する。

〔作用〕

熱拡散層としては、熱伝導率の高い材料例えばＣｕ、Ａ
ｆ、ＡｕＳＡｇ等の非磁性金属が使用される。

熱拡散層の厚さは１０００Å以下が好ましい。

第４層の腐食防止のため、熱拡散層と第４層との間に厚
さ１０００Å以下の誘電体からなる保護層を設けてもよ
い。このような誘電体としては、できるだけ熱伝導率の
高い材料例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チ
タン、窒化クロムなどを使用することが好ましい。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

〔実施例〕

ＲＦマグネトロン・スパッタリング装置を用いて、直径
２００ｍｍのガラス基板上に、順に第１層（Ｍ層）　：
　ＴｂｇｔＦｅフ５ＣＯｉ　’膜厚４００人第２層（Ｗ
層）　：　Ｄｙ＊５ＦｅａｏＣＯｓｔ　・膜厚８００人
第３層（８層）　：　Ｔｂｕ　Ｆｅ７ｓ　Ｃｏｔ　　Ｈ
膜厚２００人第４層（１層）：ＴｂｌＣｏ７．・膜厚４
００人を積層した後、続いて真空を破らずに熱拡散層５
として膜厚５００人のアルミニウム層を積層し、本実施
例のオーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造した。

〔比較例〕熱拡散層を形成しない外は実施例と全く同様にしてオー
バーライト可能な光磁気記録媒体を製造した。

〔評価試験〕

実施例と比較例の媒体について、まず１０ｋＯｅの外部
磁界を印加することにより、第４層（１層）の磁化の向
きを「Ａ向き」に揃えた。

次いで、各媒体を１０ｍ　／秒の線速度で回転させ、こ
れに「Ａ向き」の記録磁界Ｈｂ　＝　３０００ｅを印加
しながら、その個所にレーザービームを照射して基準情
報をオーバーライト記録した。このとき、レーザービー
ムの強度は、高レベル時・Ｐ、＝第１図（２）の横軸に
記載の値（単位ｍＷ＝ｏｎ　ｄｉｓｋ）とし、低レベル
時・ＰＬ　＝５．０　ｍＷとし、両者の間でＬＭＨｚの
周波数（基準情報）でパルス変調した。念のため、この
オーバーライト記録は３回繰り返した。

その後、再生強度Ｐｍ　＝１．ＯｍＷ　　（ｏｎ　　ｄ
ｉｓｋ）のレーザービームで再生を行ない、Ｃ／Ｎ比を
測定した。

以上の実験を、Ｐ工を８〜２００１Ｗの間で１ｍＷ間隔
で変えて繰り返すことにより、Ｃ／Ｎ比の変化を求めた
。この結果を第１図（２）に示す。実線のグラフは実施
例の媒体で、点線のグラフは比較例の媒体である。

これにより、比較例の媒体では、Ｐ、が１５ｍＷを越え
ると、オーバーライトが良好に行われずにノイズが上昇
することが判る。この原因は、何回かオーバーライトを
するうちに第４層の磁化の向きが乱れてしまったことに
あるものと推定される。

それに対して、実施例では少なくとも２０ｍＷまで高め
てもＣ／Ｎ比が低下しなかった。

この結果、実施例では、Ｐ、マージンが少なくとも８〜
２０ｍＷ−１２ｍＷと広いのに対して、比較例のそれは
、８〜１５ｍＷ＝　７　ｍＷと狭いことが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明は、初期化層を設けたオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体に対し、初めて熱拡散層を設け
たもので、それにより高温サイクルを実施する高レベル
Ｐ□のレーザービームの強度のマージンを拡大すること
ができる。

そのため、〔発明が解決しようとする課題〕の項に説明
した２次的問題も発生しなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図（１）は、本発明にかかるオーバーライト可能な
光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。第１図（２）は、実施例の媒体と熱拡散層を有しない比
較例の媒体について、Ｐ、を変えてオーバーライドした
情報を再生したときのＣ／Ｎ比のグラフである。実線（
ま実施例の媒体のグラフで、点線は比較例のそれである
。これにより、Ｐ、マージンが知れる。第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。第４図は、基本発明に従いオーバーライトする場合のレ
ーザービームの波形図である。第５図は、基本発明に従い２本のビームでオーバーライ
トする場合のレーザービームの波形図である。第６図は、オーバーライト可能な光磁気記録媒体の第１
層、第２層について保磁力と温度との関係を示すグラフ
である。第７図は、第１層と第２層の磁化の向きを示す概念図で
ある。第８図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す説
明図である。第９図は、Ｐタイプ媒体、Ａタイプ媒体について、低温
サイクル、高温サイクルの結果、第１層と第２層の磁化
の向きがどう変化するかを示す説明図である。いずれも
室温での状態を示す。第１Ｏ図は、第１層と第２層の磁化の向きの変化を示す
説明図である。第１１図は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示すベ
クトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子磁
化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説明
図である。第１２図は、副格子磁化のベクトルと合金の磁化の向き
を示す矢？との関係を示す説明図である。第１３図は、本発明の典型的な媒体について、各層の磁
化の向きの温度変化を説明する説明図である。〔主要部分の符号の説明〕Ｌ　−−−−−−−・・−レーザービームｔｐ−・・・
・・−・直線偏光Ｂ１−・−・・・・「Ａ向き」磁化を有するビットＢ０
・−・・−・・「逆Ａ向きＪ磁化を有するビットＳ・・
・−・・・・・・基板１−・・・・・・・・−メモリー層（Ｍ層・第１層）２
−・・・・・−「記録層Ｊ　　（Ｗ層・第２層）３・−
−−−−−−一・・スイッチング層（８層・第３層）４
・・−・−・−−−−−一初期化層（１層・第４層）５
−・・・・・・−熱拡散層第１図第図ビーム強度値化情報の例 ■ 第４図先行ビーム後行ビームビーム強度値化情轄の例 ■ 第５図Ｔ。第７図ＰタイプＡタイプ第８図Ｐタイプ媒体の場合（室温での状態）（室温での状態）（２ンＡタイプ媒体の場合第９図ＰタイプＡタイプＰタイプＰタイプＡタイプＡタイプ第１０図（ＩＡ）（ＩＢ）（２Ａ）（２Ｂ）（３Ａ）（３Ｂ）（４Ａ）（４Ｂ）第１２図

Claims

【特許請求の範囲】１　垂直磁化可能な磁性薄膜からなるメモリー層（第１
層）と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる『記録層』（
第２層）と、場合により設けられる「垂直磁化可能な磁
性薄膜からなるスイッチング層（第３層）と、垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる初期化層（第４層）とを順に積
層してなり、第１層と第２層とは交換結合しており、室温で第１層の
磁化の向きは変えないで第２層の磁化のみを所定の向き
に向けておくことができ、しかも第２層と第４層とは第
３層のキュリー点以下の温度で第３層を介して交換結合
力しているオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体に
おいて、第４層に隣接して直接に又は保護層を介して熱拡散層を
設けたことを特徴とする、オーバーライト可能な光磁気
記録媒体。２　前記熱拡散層が厚さ１０００Å以下の非磁性金属か
らなることを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体。３　前記非磁性金属が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ又はＡｌから
なることを特徴とする請求項第２項記載の記録媒体。４　前記保護層が厚さ１０００Å以下の誘電体からなる
ことを特徴とする請求項第１項記載の記録媒体。