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JP3230388B2 - 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 - Google Patents

光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法

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JP3230388B2
JP3230388B2 JP22327794A JP22327794A JP3230388B2 JP 3230388 B2 JP3230388 B2 JP 3230388B2 JP 22327794 A JP22327794 A JP 22327794A JP 22327794 A JP22327794 A JP 22327794A JP 3230388 B2 JP3230388 B2 JP 3230388B2
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幸治 松本
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度光磁気記録媒体及
び該媒体に記録された情報の再生方法に関する。
【０００２】光磁気ディスクは高密度記録媒体として知
られているが、情報量の増大に伴いさらなる高密度化が
要望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰める
ことによって実現できるが、その記録及び再生は、媒体
上の光ビームの大きさ（ビームスポット）によって制限
される。
【０００３】ビームスポット内に一つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって“１”，“０”に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
【０００４】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークのありなしを識
別できなくなる。
【０００５】このようなビームスポットの大きさ以下の
周期を持つ小さな記録マークを再生するためには、ビー
ムスポットを小さく絞ればよいが、ビームスポットの大
きさは光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約
され、十分に小さく絞ることはできない。
【０００６】
【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポットの大きさ以下の記録マークを再生する磁
気誘導超解像媒体（Magnetically Induced Superresolu
tion媒体、以下ＭＳＲ媒体という）を利用した再生方法
が提案されている。これは、ビームスポット内の一つの
マークを再生しているとき他のマークをマスクすること
で再生分解能を上げる再生方法である。
【０００７】このためＭＳＲ媒体には、マークを記録す
るための記録層以外に信号再生時に一つのマークのみが
再生されるように他のマークを隠しておくためのマスク
層又は再生層が最低必要となる。
【０００８】以下、このＭＳＲ媒体とその記録再生方法
について簡単に説明する。図１はJpn. J. Appl. Phys.
Vol.31(1992) pp.568-575 Part 1. No.2B, February 19
92に開示されているＭＳＲ媒体の構成と記録トラックに
おける記録マーク及びビームスポットの位置関係とを示
す図である。
【０００９】図示しない透明基板上には磁性再生層２、
磁性スイッチ層３及び磁性記録層４が順に積層されてい
る。記録層４には磁化の向きでデータが記録され、照射
するレーザビームのスポット径より狭いピッチで記録ト
ラック５に記録マーク６が形成されている。
【００１０】再生層２はＧｄＦｅＣｏからなり、キュリ
ー温度は３００°Ｃ以上である。スイッチ層３はＧｄＦ
ｅＣｏＡｌからなり、キュリー温度は約１４０°Ｃであ
る。また、記録層４はＧｄＦｅＣｏからなり、キュリー
温度は約２５０°Ｃである。
【００１１】光磁気記録媒体の場合、記録時のレーザビ
ームのパワーを制御することにより、キュリー温度Ｔｃ
以上になる領域をそのビームスポット径より小さくでき
るので、小さな記録マークを形成することはそれほど困
難ではない。
【００１２】次に、媒体に記録された情報の再生方法に
ついて説明する。室温においては、スイッチ層３を介し
た交換結合によって再生層２の磁化の向きは記録層４の
磁化の向きに合っている。
【００１３】ところが、再生用のレーザビーム７の照射
によって温度が上昇してスイッチ層３のキュリー温度Ｔ
ｃを超えた部分（高温領域）では、記録層４と再生層２
の間の交換結合が切れるので、その部分の再生層２の磁
化方向は外部から印加する再生磁界Ｈｒの向きに揃うこ
とになる。
【００１４】その結果、この高温領域は記録マークを覆
い隠すマスクとなり、ビームスポット８内の低温領域か
ら記録層４に記録されたデータを読み出すことができ
る。このようにして、再生用レーザビームのビームスポ
ット径よりも小さな領域から記録マークを読み出すこと
ができ、実質的に再生用レーザビームのビームスポット
径よりも小さなビームスポットで再生した場合と同等の
分解能が得られる。
【００１５】図２は、以上のようなＭＳＲ媒体を用いた
場合と、従来の通常の光磁気記録媒体を用いた場合とに
おける再生信号特性を示すグラフである。ＭＳＲ媒体を
用いた場合には、記録線密度が高くなって記録マークが
小さくなっても、良好な再生特性が得られている。
【００１６】尚、上述したようなビームスポット内の高
温領域をマスクして低温領域から記録マークを読み出す
方法は、ＦＡＤ（Front Aperture Detection）方式と呼
ばれている。
【００１７】この例とは逆に、ビームスポット内の低温
領域をマスクして高温領域から記録マークを読み出す方
法はＲＡＤ（Rear Aperture Detection ）方式と呼ば
れ、ＦＡＤ方式と同様に高分解能の再生が可能である。
【００１８】このＲＡＤ方式は、磁性再生層及び磁性記
録層の２層膜構造の光磁気ディスクで実現できる。再生
用レーザビーム照射の直前に初期化磁界を印加し、記録
マークは初期化磁界を通過した際に、再生層だけが初期
化磁界の磁化の向きに揃うようにする。
【００１９】このとき、記録層は記録マークを保持して
いる。初期化磁界の印加直後には、記録層のデータを再
生層が覆った状態で再生層がマスクの働きをする。再生
用レーザビームが照射されると、マスクである再生層の
温度が上昇する。
【００２０】記録層と再生層の間の交換結合力が再生層
の保磁力よりも大きくなると、記録層の磁化方向が再生
層に転写される。即ち、高温領域において再生層のマス
クが外れたことになり、高温領域から記録マークを読み
出すことができる。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＦＡ
Ｄ方式のＭＳＲ媒体を再生する場合には、再生磁界Ｈｒ
の印加が必要である。しかし、通常の光磁気ディスクの
再生装置では再生時に磁界を印加しない構成であるの
で、通常の再生装置そのままの構成ではＭＳＲ媒体に記
録された情報を再生できないという問題がある。
【００２２】ＭＳＲ媒体における媒体の周速と再生レー
ザビームのパワーとの関係を図３に示す。この図は、マ
ークの長さを０．４μｍとし、周速を変化させて４３ｄ
Ｂ以上のＣ／Ｎが得られる場合の最低の再生レーザパワ
ーを示したグラフである。
【００２３】通常の光磁気ディスクにおける再生レーザ
パワーは１．０〜１．５ｍＷ程度であって周速依存性が
ないのに比べて、ＭＳＲ媒体では再生レーザパワーの値
自体が大きく、しかも必要な最低パワー値が周速によっ
て変化する。
【００２４】よって、通常の光磁気ディスクでは、上記
程度のパワーを持続してレーザダイオードを連続発光さ
せても特に問題ではないが、ＭＳＲ媒体において再生時
の高いレーザパワーを常に維持しておくことは、レーザ
ダイオードの寿命の低下につながるという問題がある。
【００２５】よって本発明の目的は、再生時に磁界を印
加する必要がなく、通常の光磁気記録媒体の再生装置を
用いてそのまま記録された情報を再生できる高密度光磁
気記録媒体を提供することである。
【００２６】本発明の他の目的は、再生すべきマークに
隣接するマークを完全にマスクして再生出力の向上を図
ることのできる高密度光磁気記録媒体を提供することで
ある。
【００２７】本発明のさらに他の目的は、光磁気記録媒
体上に高密度記録された情報を正確に再生可能な情報の
再生方法を提供することである。本発明のさらに他の目
的は、記録された情報を再生する際にのみ再生レーザビ
ームのパワーを大きくすることにより、光源の寿命の短
縮を防止できる光磁気記録媒体に記録された情報の再生
方法を提供することである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、透明基板と、該透明基板上に積層された、室温で
は膜面に対して垂直の磁化容易方向を有し、所定温度以
上では面内に磁化容易方向を有する磁性再生層と、該再
生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を
有する磁性スイッチ層と、該スイッチ層上に積層された
膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性記録層
と、前記基板と前記磁性再生層の間に積層された前記ス
イッチ層と同一組成の磁性補助層とから構成され、前記
再生層、スイッチ層及び記録層のキュリー温度をそれぞ
れＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ
３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体が提供され
る。
【００２９】
【００３０】
【００３１】本発明の第２の側面によると、透明基板
と、該透明基板上に積層された、室温では膜面に対して
垂直の磁化容易方向を有し、所定温度以上では面内に磁
化容易方向を有する磁性再生層と、該再生層上に積層さ
れた膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁性スイ
ッチ層と、該スイッチ層上に積層された膜面に対して垂
直の磁化容易方向を有する磁性記録層と、前記基板と前
記磁性再生層の間に積層された前記スイッチ層と同一組
成の磁性補助層とから構成され、前記再生層、スイッチ
層及び記録層のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２
及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係
を満たす光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法で
あって、前記記録媒体にレーザビームを照射して前記記
録層のキュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、ビー
ムスポット内に前記記録層の磁化が交換結合により前記
スイッチ層、前記再生層及び前記補助層に転写される低
温転写領域と、前記スイッチ層及び前記補助層がキュリ
ー温度以上に上昇されて前記再生層の磁化が面内方向を
向く高温マスク領域とからなる温度分布を形成すること
を特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再生方
法が提供される。本発明の情報の再生方法では、再生磁
界を必要とせずにビームスポット内に低音領域及び高温
領域とからなる温度分布を形成することにより、ビーム
スポットの直径以下の大きさの記録マークを再生するこ
とができる。
【００３２】
【作用】第１の側面による記録媒体に記録された情報を
再生する場合、媒体にレーザビームを照射してビームス
ポット内に低温領域と、スイッチ層がキュリー温度以上
に昇温される高温領域とを形成する。高温領域では、ス
イッチ層がキュリー温度以上に昇温されるため、記録層
と再生層との間の交換結合が切れて、再生層が面内磁化
を示す。
【００３３】スイッチ層がキュリー温度以上に昇温され
る再生層の面内磁化領域は、再生レーザビームの反射光
の偏光角変化にはほとんど関係しないので、再生磁界を
印加しなくてもマスクを形成でき、ビームスポット内の
低温領域で交換結合により記録層から再生層に転写され
た情報を読み出すことができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【実施例】図４を参照して、本発明第１実施態様の光磁
気記録媒体の構成を説明する。１２は光磁気記録媒体で
あり、通常はディスク形状をしている。ガラス等の透明
基板１４上には例えばスパッタリングによりＳｉＮ等か
らなる誘電体層１６が積層されている。誘電体層１６は
その上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
【００３７】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能
である。
【００３８】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏ等の希土
類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１
８が積層されている。磁性再生層１８は、室温では垂直
磁化膜であり、再生レーザパワーで昇温される所定温度
以上では磁化容易方向は垂直から面内方向に変化する。
【００３９】磁性再生層１８上ではＴｂＦｅＣｏ等の希
土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性スイッ
チ層２０が積層されている。スイッチ層２０は垂直磁化
膜である。
【００４０】磁性スイッチ層２０上にはＴｂＦｅＣｏ等
の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成された磁性記
録層２２が積層されている。磁性記録層２２は垂直磁化
膜である。磁性記録層２２として、ＤｙＦｅＣｏも採用
可能である。
【００４１】再生層１８、スイッチ層２０及び記録層２
２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３と
すると、各磁性層のキュリー温度はＴｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔ
ｃ２の関係を満たしている。
【００４２】磁性記録層２２上には保護膜２４が積層さ
れて光磁気記録媒体１２が完成する。この保護膜２４
は、空気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような
物質の侵入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で
設けられる。
【００４３】保護膜２４は、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の金属窒
化物、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の金属酸化物及びＺｎＳ
等の金属硫化物から形成される。次に図５を参照して、
第１実施態様の光磁気記録媒体に記録された情報の再生
方法を説明する。図５（Ａ）に示すように、光磁気記録
媒体１２は矢印Ａ方向に移動している。トラック２６内
には複数のマーク２８が形成されている。
【００４４】室温では、再生層１８の磁化方向はスイッ
チ層２０を介した交換結合により、記録層２２の磁化方
向にそろっている。記録媒体１２にレーザビーム３０を
照射すると、図５（Ａ）に示すようにトラック２６上に
ビームスポット３２が形成され、ビームスポット３２内
に低温領域３３ａと、スイッチ層２０のキュリー温度以
上に昇温された高温領域３３ｂが形成される。
【００４５】高温領域３３ｂでは、スイッチ層２０がキ
ュリー温度以上に昇温されたため、記録層２２と再生層
１８の間の交換結合が切れて、再生層１８が面内磁化を
示す。
【００４６】高温面内磁化領域３３ｂは再生レーザビー
ムの反射光の偏光角変化にはほとんど関係しないので、
再生磁界を印加しなくても面内マスクを形成でき、低温
領域３３ａを通して記録層２２に記録されたマークの光
磁気信号を得ることができる。
【００４７】以下第１実施態様の光磁気記録媒体の具体
的な実施例について説明する。ポリカーボネート基板１
４上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦｅＣｏ再生層１８、
ＴｂＦｅＣｏスイッチ層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２
及びＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次形成
した。
【００４８】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバー内で、Ｓｉ
Ｎ層１６，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧０．２Ｐ
ａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８，２０，２
２を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入電力
１．０ｋＷで行った。
【００４９】磁性再生層１８の組成はＧｄ23（Ｆｅ77Ｃ
ｏ23）77であり、磁性スイッチ層２０の組成はＧｄ
20（Ｆｅ98Ｃｏ2 ）80であり、磁性記録層２２の組成は
Ｔｂ20（Ｆｅ90Ｃｏ10）80である。また、各磁性層１
６，２０，２２の膜厚は、それぞれ２０ｎｍ，１０ｎ
ｍ，４０ｎｍである。
【００５０】再生層１８、スイッチ層２０及び記録層２
２のキュリー温度は、それぞれ３３０°Ｃ，１４５°
Ｃ，２２０°Ｃである。尚、再生層１８の膜厚を２０ｎ
ｍとしたが、１０ｎｍ程度であってもよい。
【００５１】ＧｄＦｅＣｏ再生層１８におけるＧｄの割
合を、ＴＭ（遷移金属）リッチ組成である１８ａｔ％〜
２４ａｔ％に設定すると、再生層１８単体では少なくと
もスイッチ層２０のキュリー温度以上自己のキュリー温
度程度まで面内磁化性を示し、且つスイッチ層２０との
交換結合では垂直磁化性を呈するので、Ｇｄの含有量は
１８ａｔ％〜２４ａｔ％が適当である。
【００５２】スイッチ層２０のキュリー温度が高くて記
録層２２のキュリー温度に近すぎると、大きい再生用レ
ーザパワーでないとマスクを形成できず、記録層２２の
データが消去される可能性がある。
【００５３】一方、スイッチ層２０のキュリー温度が低
すぎると、形成されるマスク領域が大きくなりすぎて再
生信号のレベルが小さくなって再生能力が低下する。よ
ってスイッチ層２０のキュリー温度は、１２０°Ｃ〜１
４０°Ｃが適当である。
【００５４】上述した実施例の組成を有する光磁気記録
媒体に、マーク長０．４μｍの記録を行った。このとき
の記録・再生条件は、周速９ｍ／ｓｅｃ、記録レーザパ
ワー２０ｍＷ、発光デューティ比３３％、再生レーザパ
ワー２．５ｍＷとした。
【００５５】再生磁界を印加せずに、再生レーザパワー
２．５ｍＷを記録媒体に照射して、光磁気信号を読み出
しそのＣ／Ｎを測定すると約４４．５ｄＢであり、良好
な再生出力が得られることを確認できた。
【００５６】図６は本発明第２実施態様の光磁気記録媒
体１２ａの構成を示している。本実施態様は、第１実施
態様の構成に加えて、誘電体層１６と磁性再生層１８の
間にスイッチ層２０と同一組成の磁性補助層３４を介装
したものである。
【００５７】この磁性補助層３４は再生層１８と交換結
合して垂直磁化性を呈するので、スイッチ層２０のキュ
リー温度以下での再生層１８の磁化の垂直性を向上させ
る効果を期待できる。この第２実施態様の光磁気記録媒
体は請求項１〜請求項３に対応する。
【００５８】尚、補助層３４の膜厚は、透明基板１４か
ら再生層１８へのレーザビームの透過を妨げない程度に
は薄くする必要があり、具体的には５ｎｍ程度とするの
が望ましい。
【００５９】本実施態様の情報の再生方法は、上述した
第１実施態様の情報の再生方法と同一なので、その説明
を省略する。本実施態様の情報の再生方法は請求項４に
対応する。次に図７を参照して、本発明第３実施態様の
光磁気記録媒体１２ｂの構成について説明する。本実施
態様の説明において、上述した第１実施態様と実質的に
同一構成部分については同一符号を付して説明する。
【００６０】誘電体層１６上には第１所定温度以上で面
内から垂直磁化へ転移するＲＥ（Rare Earth）リッチ組
成のＧｄＦｅＣｏ等からなる希土類−遷移金属非晶質合
金膜から形成された磁性再生層３６が積層されている。
【００６１】再生補助層１８は第１実施態様の再生層に
相当する磁性膜であり、第２所定温度以上で垂直から面
内磁化へ転移するＴＭ（遷移金属）リッチ組成のＧｄＦ
ｅＣｏ等の希土類−遷移金属非晶質合金膜から形成され
る。
【００６２】磁性スイッチ層２０は、再生層３６、再生
補助層１８、記録層２２のいずれよりもキュリー温度が
低く、特に再生補助層１８が面内磁化となる温度領域で
はキュリー温度となるＴｂＦｅＣｏからなる膜である。
【００６３】再生層３６、再生補助層１８、スイッチ層
２０及び記録層２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，
Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４とすると、Ｔｃ１＞Ｔｃ２＞Ｔ
ｃ４＞Ｔｃ３の関係がある。記録層２２は、再生層３
６、再生補助層１８、スイッチ層２０のいずれよりも保
磁力の大きいＴｂＦｅＣｏ又はＤｙＦｅＣｏからなる膜
である。
【００６４】図８を参照すると、ＧｄＦｅＣｏ単層膜の
Ｇｄ量に対する保磁力の温度依存性が示されている。本
実施態様の光磁気記録媒体１２ｂでは、再生層３６のＧ
ｄの含有量は２９ａｔ％〜３２ａｔ％の範囲内が望まし
い。
【００６５】これは、図８でＧｄ量が３２ａｔ％より多
いときには高温まで面内磁化となり、垂直磁化である転
写領域が形成できなくなることと、２９ａｔ％より少な
いときには温度が低くても垂直磁化となり、特に２層膜
では低温面内磁化マスクが形成できなくなるからであ
る。
【００６６】再生補助層１８のＧｄ含有量は１８ａｔ％
〜２４ａｔ％が望ましい。Ｇｄ量を減らすと面内磁化と
なる温度が低下し、１８ａｔ％より少なくなると転写温
度領域を垂直磁化とすることができなくなる。また、Ｇ
ｄ量を増やすと面内磁化となる温度が高温側にシフト
し、Ｇｄ量が２４ａｔ％より多い場合には高温の面内磁
化マスクを形成できなくなる。
【００６７】本実施態様の再生原理を図９及び図１０を
用いて説明する。図９は、ＧｄＦｅＣｏ膜が垂直磁化と
なる温度領域をＧｄ量に対して示したものである。実線
３８はＧｄＦｅＣｏのキュリー温度を示している。
【００６８】実線４０，４２はＧｄＦｅＣｏ単層膜の場
合を、破線４４，４６はＧｄＦｅＣｏ膜に垂直磁化の記
録層をつけた２層膜の場合をそれぞれ示している。即
ち、実線４０はＧｄＦｅＣｏ単層膜の垂直から面内磁化
転移温度を示しており、実線４２はＧｄＦｅＣｏ単層膜
の面内から垂直磁化転移温度を示している。
【００６９】また、破線４４はＧｄＦｅＣｏ膜及び垂直
磁化膜からなる２層膜の垂直から面内磁化転移温度を示
しており、破線４６は該２層膜の面内から垂直磁化転移
温度を示している。
【００７０】図９から明らかなように、ＧｄＦｅＣｏ膜
に垂直磁化膜をつけると面内から垂直磁化に転移する温
度が下がることがわかる。ここで、あるＧｄ量Ｘ1 に着
目する。
【００７１】図９でＡの温度領域は面内磁化領域であ
る。Ｂの温度領域は垂直磁化膜との２層膜であれば垂直
磁化であるが、単層膜であれば面内磁化領域である。Ｃ
の温度領域は垂直磁化領域である。
【００７２】次に図１０を参照して本発明実施態様の光
磁気記録媒体１２ｂに記録された情報の再生方法につい
て説明する。図１０（Ａ）に示すように、記録媒体１２
ｂは矢印Ａ方向に移動している。トラック２６内には複
数のマーク２８が形成されている。
【００７３】再生レーザビーム３０を記録媒体１２ｂに
照射すると、図１０（Ａ）に示すようにトラック２６上
に形成されたビームスポット３２内に低温領域３３ａ、
中間温度領域３３ｂ及び高温領域３３ｃからなる温度分
布が形成される。高温領域３３ｃでは、スイッチ層２０
のキュリー温度以上に昇温される。
【００７４】再生補助層１８は、低温領域３３ａ及び中
間温度領域３３ｂでは垂直磁化であるが、高温領域３３
ｃになると面内磁化となる。再生層３６の磁化は、低温
領域３３ａでは図９のＡの温度領域に対応し、面内磁化
を示す。
【００７５】中間温度領域３３ｂでは、再生補助層１８
の磁化が垂直磁化であるため再生層３６も垂直磁化とな
る。これは、図９のＢの温度領域で垂直磁化膜との２層
膜の場合に対応する。高温領域３３ｃでは、再生補助層
１８が面内磁化であるので面内磁化を示す。これは、図
９のＢの温度領域で単層膜の場合に相当する。
【００７６】高温領域３３ｃでスイッチ層２０がキュリ
ー温度以上になるように設定しておけば、再生補助層１
８の磁化は記録層２２の垂直磁化から遮断されるため安
定した面内磁化となる。低温領域３３ａと高温領域３３
ｃで再生層３６の磁化が再生レーザビームのカー回転に
寄与しない面内磁化となるため、マスクを形成すること
ができる。
【００７７】記録層２２に記録された磁化は、中間温度
領域３３ｂで再生層３６の磁化からの反射光を見ること
で読み取れる。即ち、中間温度領域３３ｂでは、スイッ
チ層２０がキュリー温度以下であるため記録層２２の磁
化が交換結合によりスイッチ層２０，再生補助層１８及
び再生層３６へと転写され、光磁気信号を得ることがで
きる。
【００７８】本実施態様によると、再生レーザビームス
ポット内に２つの面内磁化マスクを形成することができ
るため、再生磁場を必要とせずに高分解能な光磁気信号
を再生することができる。
【００７９】以下、本実施態様の具体的実施例について
説明する。ガラス基板上にＳｉＮ誘電体層１６、ＧｄＦ
ｅＣｏ再生層３６、ＧｄＦｅＣｏ再生補助層１８、Ｔｂ
ＦｅＣｏスイッチ層２０、ＴｂＦｅＣｏ記録層２２及
び、ＳｉＮ保護層２４をスパッタリングにより順次形成
した。
【００８０】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバー内でＳｉＮ
層１６，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧０．２Ｐ
ａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層３６，１８，２
０，２２を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投
入電力１．０ｋＷで行った。
【００８１】再生層３６、再生補助層１８、スイッチ層
２０及び記録層２２の組成はＧｄ30Ｆｅ35Ｃｏ15，Ｇｄ
24Ｆｅ53Ｃｏ23，Ｔｂ20Ｆｅ78Ｃｏ2 ，Ｔｂ19Ｆｅ67Ｃ
ｏ14であり、膜厚はそれぞれ４０ｎｍ，２５ｎｍ，１０
ｎｍ，４０ｎｍである。
【００８２】再生層３６、再生補助層１８、スイッチ層
２０及び記録層２２の単層でのキュリー温度は、それぞ
れ３３０°Ｃ，２８０°Ｃ，１４５°Ｃ，２６０°Ｃで
あった。この光磁気記録媒体１２ｂにマーク長０．４μ
ｍのビットを記録し動作特性を調べた。
【００８３】記録再生条件は、線速８ｍ／ｓｅｃ、記録
パワー９．５ｍＷ、発光デューティ比３３％、再生パワ
ー２．５ｍＷである。測定の結果、再生磁場を印加しな
くてもＣ／Ｎが約４５．５ｄＢの良好な再生出力を得ら
れることを確認できた。
【００８４】図１１は本発明第４実施態様の光磁気記録
媒体１２ｃの構成を示している。本実施態様の説明にお
いて、図４に示した第１実施態様と実質的に同一構成部
分については同一符号を付し、その説明の一部を省略す
る。
【００８５】誘電体層１６上にはそれぞれ希土類−遷移
金属非晶質合金膜から形成された磁性再生層１８′、磁
性スイッチ層２０及び磁性記録層２２がこの順に積層さ
れている。
【００８６】磁性再生層１８′は単体では図１２に示す
ような飽和磁化Ｍｓ及び図１３に示すような垂直磁気異
方性Ｋｕの温度依存性を持つＲＥリッチ組成のＧｄＦｅ
Ｃｏからなる膜である。図１２及び図１３でＲＴは室温
を、Ｔｃｏｍｐは補償温度を、Ｔｃはキュリー温度をそ
れぞれ表している。
【００８７】このＧｄＦｅＣｏは室温（ＲＴ）では面内
磁化膜（Ｋｕ＜０）であるが（図１３中領域（Ａ））、
温度の上昇とともに垂直磁気異方性Ｋｕは増大し、温度
Ｔ１で垂直磁化（Ｋｕ＞０）になる。さらに温度を上げ
ると垂直磁気異方性Ｋｕは減少し始め、Ｔ２で再び面内
磁化（領域（Ｃ））になることを特徴とする。
【００８８】温度Ｔ１とＴ２の間の垂直磁化温度領域Ｂ
は組成により決まる。また、少なくともこのＧｄＦｅＣ
ｏ膜に垂直磁化膜を積層して二層以上の構成にすること
により、交換結合力の影響のためＧｄＦｅＣｏ再生層１
８′の垂直磁化温度領域は広くなる。
【００８９】表１はＧｄＦｅＣｏ単層膜の組成と面内磁
化膜から垂直磁化膜となる温度Ｔ１及び垂直磁化膜から
面内磁化膜となる温度Ｔ２の測定例を示している。ま
た、図１４はＧｄＦｅＣｏ単層膜の温度に対する磁気カ
ーヒステリシスループの変化を模式的に示している。
【００９０】
【表１】
【００９１】図１４に示すように、室温では面内磁化膜
（ＲＥセンス）で角形性は悪いが、温度Ｔ１を越えると
垂直磁化膜となり角形性がよくなる。更に、温度Ｔ２を
越えると再び面内磁化膜（ＴＭセンス）となる。
【００９２】表１の測定例が示すように、Ｇｄ量及びＣ
ｏ量の増加とともに温度Ｔ１は上昇し同時に垂直磁化と
なる温度領域は狭くなる。実験の結果、再生層１８′と
してＧｄ含有量が２４ａｔ％〜３５ａｔ％で、Ｃｏ含有
量が２３ａｔ％〜３５ａｔ％のＲＥリッチ組成のＧｄＦ
ｅＣｏ膜が望ましいことが判明した。
【００９３】本実施態様の特徴は、このようにＧｄ量と
Ｃｏ量により定まる再生層１８′が垂直磁化である温度
領域Ｂを光磁気信号の読み出し用の開口部として用い、
低温側と高温側の面内磁化温度領域をダブルマスクとし
ていることである。
【００９４】尚、表１で示した以外の組成領域の膜、例
えば、Ｇｄ26Ｆｅ52Ｃｏ22は温度Ｔ１が室温以下にあり
低温領域では面内磁化膜でないこと、Ｇｄ23Ｆｅ44Ｃｏ
33はＴＭセンスであり、測定温度領域では面内磁化膜で
あることを確認した。
【００９５】図１１を再び参照すると、スイッチ層２０
として、再生層１８′及び記録層２２のいずれよりもキ
ュリー温度の低いＴｂＦｅＣｏ膜又はＴｂＦｅ膜を用い
る。スイッチ層２０のキュリー温度は、記録層２２のキ
ュリー温度に近すぎると大きい再生用レーザパワーでな
いとマスクが形成できず、記録層２２のデータが破壊
（消去）される危険がある。
【００９６】一方、スイッチ層２０のキュリー温度が低
すぎると、マスク領域が大きくなりすぎて再生信号が小
さくなってしまう。これらのことを考慮すると、スイッ
チ層２０のキュリー温度は１００°Ｃ〜１７０°Ｃの範
囲内が適当である。
【００９７】再生層１８′、スイッチ層２０及び記録層
２２のキュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３
とすると、Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たしてい
る。スイッチ層２０のキュリー温度が再生層１８′の垂
直磁化温度領域以外にあると、記録層２２の磁化の向き
で記録されたデータを再生層１８′に転写しにくくなる
ので、スイッチ層２０のキュリー温度Ｔｃ２は再生層１
８′の垂直磁化温度領域内（図１３のＴ１〜Ｔ２の間）
に設定する必要がある。
【００９８】記録層２２は再生層１８′及びスイッチ層
２０のいずれよりも保磁力が大きく、垂直磁化膜である
ＴｂＦｅＣｏ又はＤｙＦｅＣｏからなる膜であるのが望
ましい。
【００９９】次に図１５を参照して、第４実施態様の光
磁気記録媒体１２ｃに記録された情報の再生方法につい
て説明する。図１５（Ａ）に示すように、光磁気記録媒
体１２ｃは矢印Ａ方向に移動している。トラック２６に
は複数の記録マーク２８が形成されている。
【０１００】光磁気記録媒体１２ｃに再生レーザビーム
３０を照射すると、図１５（Ａ）に示すようにトラック
２６上にビームスポット３２が形成され、ビームスポッ
ト３２内に低温領域３３ａと、中間温度領域３３ｂと、
高温領域３３ｃとからなる温度分布が形成される。
【０１０１】中間温度領域３３ｂでは、図１５（Ｃ）に
示すように温度Ｔ１〜Ｔ２の間にあるため、再生層１
８′は垂直磁化を示す。低温領域３３ａ及び高温領域３
３ｃは面内磁化を示す。
【０１０２】再生層１８′の磁化は低温領域３３ａ及び
高温領域３３ｃは図１３中の（Ａ）及び（Ｃ）の温度領
域に対応し面内磁化を示す。中間温度領域３３ｂは図１
３中の垂直磁化領域（Ｂ）と対応する。
【０１０３】高温領域３３ｃでスイッチ層２０がキュリ
ー温度以上となるようにスイッチ層の組成を選択すれ
ば、再生層１８′の磁化は記録層２２の垂直磁化から遮
断されるため安定した面内磁化となる。
【０１０４】低温領域３３ａと高温領域３３ｃで再生層
１８′の磁化が再生レーザビームのカー回転に寄与しな
い面内磁化となるため、ビームスポット３２内にダブル
マスクを形成できる。
【０１０５】記録層２２に記録された磁化は、中間温度
領域３３ｂで交換結合によりスイッチ層２０及び再生層
１８′に転写され、記録層データは中間温度領域３３ｂ
での再生層１８′の磁化からの反射光を見ることで読み
取れる。
【０１０６】このように本実施態様によれば、再生磁場
を必要とせずにビームスポット内に２つの面内磁化マス
クを形成することができるため、簡単な構成で高分解能
な信号再生が可能である。
【０１０７】以下、本実施態様の具体的実施例について
説明する。ガラス基板１４上にＳｉＮ誘電体層１６、Ｇ
ｄＦｅＣｏ再生層１８′、ＴｂＦｅスイッチ層２０、Ｔ
ｂＦｅＣｏ記録層２２及び、ＳｉＮ保護層２４をスパッ
タリングにより順次形成した。
【０１０８】スパッタリングによる各層の形成は、到達
真空度５×１０-5Ｐａ以下の真空チャンバー内でＳｉＮ
層１６，２４を作成する場合は、Ａｒガス圧０．３Ｐ
ａ、投入電力０．８ｋＷで行い、磁性層１８′，２０及
び２２を作成する場合は、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、投入
電力１．０ｋＷで行った。
【０１０９】再生層１８′、スイッチ層２０及び記録層
２２の組成はそれぞれＧｄ29Ｆｅ46Ｃｏ25，Ｔｂ21Ｆｅ
79，Ｔｂ22Ｆｅ63Ｃｏ15であり、膜厚はそれぞれ３０ｎ
ｍ，１０ｎｍ，４０ｎｍである。再生層１８′、スイッ
チ層２０及び記録層２２の単層でのキュリー温度は、そ
れぞれ３００°Ｃ以上、１３０°Ｃ，２５０°Ｃであっ
た。
【０１１０】この光磁気記録媒体１２ｃにマーク長０．
４μｍのビットを記録し動作特性を調べた。記録再生条
件は、線速９ｍ／ｓｅｃ、記録パワー１０．３ｍＷ、発
光デューティ比２５％、再生パワー２．６ｍＷである。
【０１１１】測定の結果、再生磁場を印加しなくてもＣ
／Ｎが約４６ｄＢの良好な再生出力が得られることが確
認できた。図１６は本発明第５実施態様の光磁気記録媒
体１２ｄの構成を示している。本実施態様の説明におい
て、図１１に示した第４実施態様と実質的に同一構成部
分については同一符号を付し、重複を避けるためその説
明を省略する。
【０１１２】本実施態様は図１１に示した第４実施態様
の磁性スイッチ層２０に代えて、磁性再生層１８′と磁
性記録層２２の間に非磁性中間層４８を介装したもので
ある。非磁性中間層４８は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，等の金
属、或いはこれらの酸化物、窒化物等から形成される。
【０１１３】非磁性中間層４８は、所定温度以上で記録
層２２と再生層１８′との間の静磁結合を許容するのに
十分な薄さである必要がある。非磁性中間層４８の厚さ
が１０ｎｍより厚くなった場合、再生層１８′と記録層
２２とが十分に静磁結合できないため、厚さが１０ｎｍ
より厚い非磁性中間層４８は望ましくない。
【０１１４】また、非磁性中間層４８の厚さが１ｎｍよ
り薄い場合には、再生層１８′と記録層２２との間の交
換結合力を遮断できないため、望ましくない。よって、
非磁性中間層４８の望ましい厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍで
ある。
【０１１５】次に図１７を参照して第５実施態様の光磁
気記録媒体１２ｄに記録された情報の再生方法について
説明する。本実施態様の再生方法は、ビームスポット３
２内の中間温度領域３３ｂで静磁結合により記録層２２
の磁化が再生層１８′に転写される。
【０１１６】低温領域３３ａ及び高温領域３３ｃでは、
再生層１８′が面内磁化となるためダブルマスクを形成
できる。記録データは中間温度領域３３ｂの再生層１
８′の磁化からの反射光を見ることで読み取れる。
【０１１７】次に、ＭＳＲ媒体に記録された情報を再生
する際に、再生レーザビームパワーの切り換えを行う点
に特徴がある本発明の再生方法について説明する。図１
８（Ａ）は、ＭＳＲ媒体の記録セクタのフォーマットを
示しており、図１８（Ｂ）は本発明の再生方法のタイミ
ングを図１８（Ａ）に示した記録フォーマットに合わせ
て示している。
【０１１８】光磁気ディスクでは、その各セクタの先頭
部分に、図１８（Ａ）に示すようにセクタマークがプリ
フォーマット信号で記録されたセクタ領域、トラック番
号及びセクタ番号が同じくプリフォーマット信号で記録
されたＩＤ領域が、この順に設けられている。これらの
プリフォーマット領域に続けて、ユーザデータが記録さ
れるデータ領域が設けられている。
【０１１９】再生する場合には、まずセクタマークが検
出され、これに基づいてＩＤリードゲートが開いてＩＤ
領域のデータが読み出される。そして、再生したＩＤ番
号（トラック番号、セクタ番号）が再生対象のセクタの
ものと合致すると、ＩＤ検出信号が出力される。
【０１２０】このＩＤ検出信号に基づいて、光磁気記録
されたデータ領域のデータを再生するためのデータリー
ドゲートが開く。１セクタ当たりのデータ領域のバイト
数は予め決まっているので、所定長さのデータの再生が
終了すると、データリードゲートが閉じて再生動作は終
了する。
【０１２１】本発明の再生方法では、光磁気記録された
データを再生する際に、プリフォーマットされたデータ
を再生するとき又は待機状態である時より、再生レーザ
パワーを大きくする。
【０１２２】再生レーザパワーの切り換えタイミングと
して、データリードゲートを開放する為のデータリード
ゲート信号を用いる。データリードゲートが開いている
間、即ちデータリードゲート信号がハイである場合に、
ＭＳＲ媒体に光磁気記録されたデータの再生に最適な強
度まで再生レーザパワーを上昇させる。
【０１２３】このように制御することにより、光磁気記
録されたデータを再生する間にのみ確実に再生レーザパ
ワーを高くでき、他の場合には再生レーザパワーを低レ
ベルに抑えることができる。
【０１２４】ところで、ＭＳＲ媒体では所定温度以上に
ならないと超解像効果が得られないので、図３に示した
ように、周速が変化すると超解像効果が得られる最低の
再生レーザパワーも異なってくる。
【０１２５】よって、光磁気記録されたデータを再生す
る間において、一定の高レベルの再生レーザパワーを維
持しておく必要はなく、周速に応じて再生レーザパワー
を変動させればより効果的である。
【０１２６】ＭＳＲ媒体の周速は規格化されたＭＳＲ媒
体の半径位置から容易に算出できる。また、その半径位
置はＩＤ領域内のトラック番号を読み出すことによって
容易にわかる。
【０１２７】よって、半径位置に対応するトラック番号
を示す信号に基づいて、再生可能な必要最低限の再生レ
ーザパワーになるためにレーザダイオードに与えるべき
電流値を設定するようにすればよい。
【０１２８】図１９は、このような点を考慮して構成し
た、本発明の再生方法に使用する再生レーザパワーの切
り換え回路の構成を示す概略図である。図１９におい
て、符号５０は光源としてのレーザダイオード、５２は
レーザダイオード５０からのレーザビームをモニタする
フォトダイオードである。
【０１２９】オートパワーコントロール回路（ＡＰＣ回
路）５４は、フォトダイオード５２のモニタ結果に基づ
いてレーザダイオード５０から所定パワーのレーザビー
ムが出射されるように、レーザダイオード５０へ流す電
流を制御する。
【０１３０】レーザダイオード５０には、前述したデー
タリードゲート信号に基づいて開閉が制御されるスイッ
チ５６を介して定電流回路５８が接続されている。同様
に、フォトダイオード５２には、データリードゲート信
号に基づいて開閉が制御されるスイッチ６０を介して、
定電流回路６２が接続されている。
【０１３１】各定電流回路５８，６２には、半径位置
（トラック番号）を示す信号により適正な電流値を設定
する電流値設定回路６４が接続されており、電流値設定
回路６４は設定した電流値を各定電流回路５８，６２へ
出力する。
【０１３２】動作においては、待機中またはプリフォー
マット記録部のデータを再生する場合、データリードゲ
ート信号が入力されずに各スイッチ５６，６０は開かれ
ている。
【０１３３】ＡＰＣ回路５４の制御により、所定の低い
レーザパワーにてレーザダイオード５０を発光させる。
ＩＤ領域のトラック番号を示す信号が読み出されると、
そのトラック番号に基づいて、電流値設定回路６４にお
いてそのトラック番号における周速に合った再生可能な
最低のレーザパワーを出力するための電流値が設定さ
れ、各定電流回路５８，６２に出力される。
【０１３４】ＩＤ領域の読み出しが終了すると、データ
リードゲート信号が出力され各スイッチ５６，６０に入
力されるとともに、光磁気記録部のデータの再生を開始
する。この際、光磁気記録部のデータ再生のパワーレベ
ルでレーザダイオード５０が発光する。
【０１３５】データリードゲート信号の入力によってス
イッチ５６が閉じられるため、レーザダイオード５０か
ら定電流回路５８へパワー増加分の電流が流れる。この
とき、同時にスイッチ６０も閉じられ、フォトダイオー
ド５２から定電流回路６２へも同量の電流が流れる。
【０１３６】よって、データリードゲート信号が入力さ
れている間、高い再生レーザパワーを維持して光磁気記
録されたデータの再生が行われる。即ち、レーザダイオ
ード５０の出力ビームのパワーの増加分に対応したフォ
トダイオード５２の出力電流を定電流回路６２で吸収す
ることにより、ＡＰＣ回路５４は、レーザパワーが変化
していないかのように制御動作を続ける。
【０１３７】そして、データリードゲート信号が入力さ
れなくなると、即ち光磁気記録されたデータの再生が終
了すると、低いパワーのレーザビームがレーザダイオー
ド５０から出力される。
【０１３８】図１９に示した回路構成は、記録のために
記録レーザパワーを発生させる回路の構成と同等である
ので、これらの回路を兼用することも可能である。
【０１３９】
【発明の効果】本発明によれば、再生磁場を必要とせず
に高分解能で媒体に記録された情報の再生を行うことが
できる。再生磁場を必要としないため、通常の光ディス
ク装置の構成を変えることなく、ＭＳＲ媒体に記録され
た情報を再生することができる。
【０１４０】また、本発明の情報の再生方法では、光磁
気記録された情報を再生する場合に限ってのみ、再生レ
ーザパワーを高くするので、ＭＳＲ媒体であっても光源
の寿命を損なうことがなく、適正な再生レーザパワーで
データ再生を行える。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＭＳＲ媒体の再生原理を示す図であり、
（Ａ）が媒体の平面図を、（Ｂ）が媒体の断面図をそれ
ぞれ示している。
【図２】ＭＳＲ媒体と通常の光磁気記録媒体の再生信号
特性を示すグラフである。
【図３】ＭＳＲ媒体の周速と再生に必要な再生レーザパ
ワーとの関係を示すグラフである。
【図４】本発明第１実施態様の光磁気記録媒体の構成図
である。
【図５】本発明第１実施態様の再生方法説明図であり、
（Ａ）が媒体の平面図を、（Ｂ）がその断面図をそれぞ
れ示している。
【図６】本発明第２実施態様の光磁気記録媒体構成図で
ある。
【図７】本発明第３実施態様の光磁気記録媒体構成図で
ある。
【図８】ＧｄＦｅＣｏ単層膜のＧｄ量に対する保磁力の
温度依存性を示す図である。
【図９】ＧｄＦｅＣｏ膜の磁化状態を示す図である。
【図１０】本発明第３実施態様の再生方法説明図であ
り、（Ａ）が媒体の平面図を、（Ｂ）がその断面図をそ
れぞれ示している。
【図１１】本発明第４実施態様の光磁気記録媒体構成図
である。
【図１２】第４実施態様の再生層の飽和磁化Ｍｓを示す
図である。
【図１３】第４実施態様の再生層の垂直磁気異方性Ｋｕ
を示す図である。
【図１４】ＧｄＦｅＣｏ膜の温度に対する角形性の変化
を示す図である。
【図１５】本発明第４実施態様の再生方法説明図であ
り、（Ａ）が媒体の平面図を、（Ｂ）がその断面図を、
（Ｃ）が媒体の温度をそれぞれ示している。
【図１６】本発明第５実施態様の光磁気記録媒体構成図
である。
【図１７】第５実施態様の再生方法説明図であり、
（Ａ）が媒体の平面図を、（Ｂ）がその断面図を、
（Ｃ）が媒体の温度をそれぞれ示している。
【図１８】記録セクタのフォーマット図及び本発明の再
生方法のタイミングチャート。
【図１９】本発明の再生方法を実施するための回路の構
成図である。
【符号の説明】
１８，１８′ 再生層 ２０ スイッチ層 ２２ 記録層 ３０ レーザビーム ３２ ビームスポット ３６ 再生層 ４８ 非磁性中間層 ５０ レーザダイオード ５２ フォトダイオード ５４ ＡＰＣ回路 ５８，６２ 定電流回路
フロントページの続き (72)発明者 杉本 利夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 松本 幸治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 三原 基伸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 森次 政春 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 前田 己代三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−251445（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−254175（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−119669（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−192333（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−180874（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−309729（ＪＰ，Ａ)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板と、該透明基板 上に積層された、室温では膜面に対して垂直
    の磁化容易方向を有し、所定温度以上では面内に磁化容
    易方向を有する磁性再生層と、 該再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容易方
    向を有する磁性スイッチ層と、 該スイッチ層上に積層された膜面に対して垂直の磁化容
    易方向を有する磁性記録層と、前記基板と前記磁性再生層の間に積層された前記スイッ
    チ層と同一組成の磁性補助層と から構成され、 前記再生層、スイッチ層及び記録層のキュリー温度をそ
    れぞれＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、 Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項２】 前記再生層はＧｄの含有量が１８ａｔ％
    〜２４ａｔ％のＧｄＦｅＣｏから構成される請求項１記
    載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 前記スイッチ層のキュリー温度Ｔｃ２は
    前記所定温度以下である請求項１記載の光磁気記録媒
    体。
  4. 【請求項４】 透明基板と、該透明基板上に積層され
    た、室温では膜面に対して垂直の磁化容易方向を有し、
    所定温度以上では面内に磁化容易方向を有する磁性再生
    層と、該再生層上に積層された膜面に対して垂直の磁化
    容易方向を有する磁性スイッチ層と、該スイッチ層上に
    積層された膜面に対して垂直の磁化容易方向を有する磁
    性記録層と、前記基板と前記磁性再生層の間に積層され
    た前記スイッチ層と同一組成の磁性補助層とから構成さ
    れ、前記再生層、スイッチ層及び記録層のキュリー温度
    をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ
    １＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２の関係を満たす光磁気記録媒体に記
    録された情報の再生方法であって、 前記記録媒体にレーザビームを照射して前記記録層のキ
    ュリー温度以下に前記記録媒体を加熱し、 ビームスポット内に前記記録層の磁化が交換結合により
    前記スイッチ層、前記再生層及び前記補助層に転写され
    る低温転写領域と、前記スイッチ層及び前記補助層がキ
    ュリー温度以上に上昇されて前記再生層の磁化が面内方
    向を向く高温マスク領域とからなる温度分布を形成する
    ことを特徴とする光磁気記録媒体に記録された情報の再
    生方法。
  5. 【請求項５】 前記光磁気記録媒体はセクタ領域及びＩ
    Ｄ領域を含むプリフォーマット部を有しており、 記録された情報を再生する際の再生レーザビームパワー
    を、前記プリフォーマット部のデータを再生する際の再
    生レーザビームパワー又は待機中のレーザビームパワー
    よりも大きなレーザビームパワーに切り換える請求項４
    記載の光磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  6. 【請求項６】 再生レーザビームパワーの切り換えを、
    前記プリフォーマット部のＩＤ検出信号に基づく光磁気
    データリードゲート信号に応じて行う請求項５記載の光
    磁気記録媒体に記録された情報の再生方法。
  7. 【請求項７】 再生レーザビームパワーを、光磁気記録
    媒体の再生位置に応じて設定する請求項５記載の光磁気
    記録媒体に記録された情報の再生方法。
  8. 【請求項８】 再生レーザビームパワーを切り換えるた
    めの回路を、記録のためのレーザビームパワーを発生す
    る回路と兼用した請求項６記載の光磁気記録媒体に記録
    された情報の再生方法。
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