JPH07254175A - 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法Info
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- JPH07254175A JPH07254175A JP6045592A JP4559294A JPH07254175A JP H07254175 A JPH07254175 A JP H07254175A JP 6045592 A JP6045592 A JP 6045592A JP 4559294 A JP4559294 A JP 4559294A JP H07254175 A JPH07254175 A JP H07254175A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】
【構成】 少なくとも光の入射側から第１磁性層、第３
磁性層および第２磁性層の順序で積層し、第１磁性層を
室温で面内磁化膜であり室温と第３磁性層のキュリー温
度の間の温度で垂直磁化膜に転移する磁性層とし、第２
磁性層を第１磁性層よりキュリー温度が低い垂直磁化膜
とし、第３磁性層を第１および第２磁性層のいずれより
もキュリー温度が低い磁性層として光磁気記録媒体を形
成する。 【効果】 オーバーライト記録時に旧情報とのクロスト
ークを大幅に低減し、信頼性の高いベリファイ信号を同
時に得ることができ、同時に線密度およびトラック密度
を向上可能である超解像を初期化磁界、再生磁界を用い
ずに実現することができる。
磁性層および第２磁性層の順序で積層し、第１磁性層を
室温で面内磁化膜であり室温と第３磁性層のキュリー温
度の間の温度で垂直磁化膜に転移する磁性層とし、第２
磁性層を第１磁性層よりキュリー温度が低い垂直磁化膜
とし、第３磁性層を第１および第２磁性層のいずれより
もキュリー温度が低い磁性層として光磁気記録媒体を形
成する。 【効果】 オーバーライト記録時に旧情報とのクロスト
ークを大幅に低減し、信頼性の高いベリファイ信号を同
時に得ることができ、同時に線密度およびトラック密度
を向上可能である超解像を初期化磁界、再生磁界を用い
ずに実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光と外部磁界
を用いて、反転磁区のビットを形成することにより情報
の記録を行い、偏光されたレーザー光を照射することに
よって磁気光学効果を利用して情報の読み出しを行う光
磁気記録媒体および光磁気記録方式に関する。詳しく
は、情報記録と同時にその確認を行うことで、データ転
送速度の向上を実現する光磁気記録媒体および記録方法
に関するものである。また、同時に光の回折限界以下の
周期の信号を再生することで、媒体の高密度化を実現す
る光磁気記録媒体および光磁気再生方法に関するもので
ある。
を用いて、反転磁区のビットを形成することにより情報
の記録を行い、偏光されたレーザー光を照射することに
よって磁気光学効果を利用して情報の読み出しを行う光
磁気記録媒体および光磁気記録方式に関する。詳しく
は、情報記録と同時にその確認を行うことで、データ転
送速度の向上を実現する光磁気記録媒体および記録方法
に関するものである。また、同時に光の回折限界以下の
周期の信号を再生することで、媒体の高密度化を実現す
る光磁気記録媒体および光磁気再生方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
その情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
その情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
【０００３】近年、この光磁気記録媒体の記録速度を高
める要求が高まっている。
める要求が高まっている。
【０００４】光磁気記録方法において、情報を書き換え
る最も基本的な手法は、回転しているディスク上の記録
媒体に以下の３段階のプロセスを行うことからなる。 （１）消去方向に直流外部磁界を印加し、記録したい場
所に連続光のレーザー光を照射して、以前の情報を消去
する。 （２）次に、記録方向に直流外部磁界を印加し、記録し
たい場所に記録情報に応じて変調されたレーザービーム
を照射して情報を記録する。 （３）最後に、記録したい場所に弱い連続光のレーザー
光を照射して記録情報を読み出し、正しく記録できたか
を確認する（ベリファイ動作）。
る最も基本的な手法は、回転しているディスク上の記録
媒体に以下の３段階のプロセスを行うことからなる。 （１）消去方向に直流外部磁界を印加し、記録したい場
所に連続光のレーザー光を照射して、以前の情報を消去
する。 （２）次に、記録方向に直流外部磁界を印加し、記録し
たい場所に記録情報に応じて変調されたレーザービーム
を照射して情報を記録する。 （３）最後に、記録したい場所に弱い連続光のレーザー
光を照射して記録情報を読み出し、正しく記録できたか
を確認する（ベリファイ動作）。
【０００５】光磁気記録媒体においては、記録媒体の欠
陥、劣化、腐食、あるいはゴミ、光磁気記録装置の故障
等により正しく記録が行えない場合が考えられるので、
（３）の記録の確認は必ず行う必要がある。
陥、劣化、腐食、あるいはゴミ、光磁気記録装置の故障
等により正しく記録が行えない場合が考えられるので、
（３）の記録の確認は必ず行う必要がある。
【０００６】以上の説明から明らかなように、情報を書
き換えるためには、ディスク３回転分の時間が必要であ
り、これをディスク２回転、さらにはディスク１回転で
行うことができれば情報の書き換えのための処理速度が
非常に速くなる。
き換えるためには、ディスク３回転分の時間が必要であ
り、これをディスク２回転、さらにはディスク１回転で
行うことができれば情報の書き換えのための処理速度が
非常に速くなる。
【０００７】そのために種々の方法が提案されている。
例えば、（１）と（２）とを同時に行う（すなわちディ
スク１回転で行う）ために、記録情報に応じて変調され
た外部磁界のもとで、連続光のレーザー光を照射する方
法（磁界変調オーバーライト）、あるいは特殊な媒体を
用いて、直流外部磁界のもとで記録情報に応じて強弱に
変調されたレーザー光を照射する方法（光変調オーバー
ライト）などが提案されている。
例えば、（１）と（２）とを同時に行う（すなわちディ
スク１回転で行う）ために、記録情報に応じて変調され
た外部磁界のもとで、連続光のレーザー光を照射する方
法（磁界変調オーバーライト）、あるいは特殊な媒体を
用いて、直流外部磁界のもとで記録情報に応じて強弱に
変調されたレーザー光を照射する方法（光変調オーバー
ライト）などが提案されている。
【０００８】また、（３）を同時に行うためには、１つ
の光学系の中に２つのレーザー光を組み込み、先行ビー
ムによって記録を行い、後方ビームによって記録の確認
を行う方法が提案されている。以上の方法を全て用いる
ことにより、（１）、（２）、（３）のプロセスをディ
スク１回転で行うことができる。
の光学系の中に２つのレーザー光を組み込み、先行ビー
ムによって記録を行い、後方ビームによって記録の確認
を行う方法が提案されている。以上の方法を全て用いる
ことにより、（１）、（２）、（３）のプロセスをディ
スク１回転で行うことができる。
【０００９】しかしながら上記（３）の１つの光学系の
中に２つのレーザー光を組み込むことによる記録の確認
では、光学系が複雑となり、また光学系の機械精度も高
いものが要求されることから、光学系が大きくしかも複
雑になり、さらにコストも高いものとなる欠点があっ
た。
中に２つのレーザー光を組み込むことによる記録の確認
では、光学系が複雑となり、また光学系の機械精度も高
いものが要求されることから、光学系が大きくしかも複
雑になり、さらにコストも高いものとなる欠点があっ
た。
【００１０】そこで、（３）のベリファイ動作を１つの
レーザー光で磁界変調オーバーライトと同時に行って、
（１）、（２）、（３）のプロセスをディスク１回転で
行う方法が開示されている。例えば、特開平３−２０７
０４０号公報または特開平５−２０７２０号公報におい
ては、２層の磁性膜からなる光磁気記録媒体を用いて、
キュリー温度の高い光入射角の磁性層からの反射光を用
いて、記録の確認を記録と同時に行う方法が提案されて
いる。また、特開平５−１８２２６９号公報において
は、再生層と記録層との間にキュリー温度の低い中間層
を設けて、同様にベリファイ動作を記録と同時に行う方
法が提案されている。
レーザー光で磁界変調オーバーライトと同時に行って、
（１）、（２）、（３）のプロセスをディスク１回転で
行う方法が開示されている。例えば、特開平３−２０７
０４０号公報または特開平５−２０７２０号公報におい
ては、２層の磁性膜からなる光磁気記録媒体を用いて、
キュリー温度の高い光入射角の磁性層からの反射光を用
いて、記録の確認を記録と同時に行う方法が提案されて
いる。また、特開平５−１８２２６９号公報において
は、再生層と記録層との間にキュリー温度の低い中間層
を設けて、同様にベリファイ動作を記録と同時に行う方
法が提案されている。
【００１１】また近年、光磁気記録媒体の記録速度の向
上と同時に、記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体
とする要求も高まっている。このため、記録媒体の構成
や読み取り方法を工夫して磁気超解像により記録密度を
改善する技術が開発されている。例えば、特開平３−９
３０５８号公報においては、再生層と記録層からなる媒
体を用いて、初期化磁界を用いて信号の再生前に再生層
の磁化の向きを一方向に揃えた後、再生磁界を印加しな
がら記録層に保持された信号を再生層に転写して再生時
の符号間干渉を減少させて、光の回折限界以下の周期の
信号を再生可能とし、線記録密度およびトラック密度の
向上を試みている。
上と同時に、記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体
とする要求も高まっている。このため、記録媒体の構成
や読み取り方法を工夫して磁気超解像により記録密度を
改善する技術が開発されている。例えば、特開平３−９
３０５８号公報においては、再生層と記録層からなる媒
体を用いて、初期化磁界を用いて信号の再生前に再生層
の磁化の向きを一方向に揃えた後、再生磁界を印加しな
がら記録層に保持された信号を再生層に転写して再生時
の符号間干渉を減少させて、光の回折限界以下の周期の
信号を再生可能とし、線記録密度およびトラック密度の
向上を試みている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ベリファイ方法では信頼性のあるベリファイ動作を行う
のは難しく、また高密度記録の再生が困難である。この
理由を以下に説明する。
ベリファイ方法では信頼性のあるベリファイ動作を行う
のは難しく、また高密度記録の再生が困難である。この
理由を以下に説明する。
【００１３】図３は特開平３−２０７０４０号公報、特
開平５−２０７２０号公報で記載されたベリファイ動作
を行った時の光スポット、磁化状態、温度分布を示した
ものである。図４は特開平５−１８２２６９号公報記載
のベリファイ方法について同様の状態を示したものであ
る。
開平５−２０７２０号公報で記載されたベリファイ動作
を行った時の光スポット、磁化状態、温度分布を示した
ものである。図４は特開平５−１８２２６９号公報記載
のベリファイ方法について同様の状態を示したものであ
る。
【００１４】まず、図３（ｃ）もしくは図４（ｃ）に示
すように、一般に光磁気記録媒体にレーザービームが照
射して生じた温度分布は、媒体の進行方向に延びた形と
なる。すなわち、光スポット内の媒体進行方向と逆側の
領域においては媒体の温度はあまり上昇しない。またこ
の低温領域を記録層のキュリー温度付近まで高めること
は、媒体中の熱拡散速度およびレーザーパワーの上限が
あって困難である。従って、光スポット内には図３
（ｂ）や図４（ｂ）に示すように、記録層がキュリー温
度に達していない領域が少なからず存在し、記録層には
旧情報の磁化が残存している。
すように、一般に光磁気記録媒体にレーザービームが照
射して生じた温度分布は、媒体の進行方向に延びた形と
なる。すなわち、光スポット内の媒体進行方向と逆側の
領域においては媒体の温度はあまり上昇しない。またこ
の低温領域を記録層のキュリー温度付近まで高めること
は、媒体中の熱拡散速度およびレーザーパワーの上限が
あって困難である。従って、光スポット内には図３
（ｂ）や図４（ｂ）に示すように、記録層がキュリー温
度に達していない領域が少なからず存在し、記録層には
旧情報の磁化が残存している。
【００１５】また、再生層と記録層が磁気転写可能な交
換力が働く程度の界面磁壁エネルギーを持ちつつ、室温
付近の低温領域において再生層の磁化が記録層との界面
に磁壁を形成する形で外部磁界の方向に揃う状態を実現
するためには、外部磁界に通常３ｋＯｅ以上の大きい磁
界を必要とする。このため、光磁気記録装置に大型の磁
石が必要で、磁界変調オーバーライトで通常用いられる
浮上型磁気ヘッドでは、このような大きい磁界を印加す
ることは不可能である。
換力が働く程度の界面磁壁エネルギーを持ちつつ、室温
付近の低温領域において再生層の磁化が記録層との界面
に磁壁を形成する形で外部磁界の方向に揃う状態を実現
するためには、外部磁界に通常３ｋＯｅ以上の大きい磁
界を必要とする。このため、光磁気記録装置に大型の磁
石が必要で、磁界変調オーバーライトで通常用いられる
浮上型磁気ヘッドでは、このような大きい磁界を印加す
ることは不可能である。
【００１６】このため、特開平３−２０７０４０号公報
および特開平５−２０７２０号公報記載の光磁気記録媒
体およびベリファイ方法では、図３（ｂ）に示したよう
に光スポット内の低温領域において再生層と記録層の間
に交換結合力が働いて、再生層に旧情報が転写される領
域が生じる。従って、図３（ａ）に示したように、ベリ
ファイ時にその旧情報がトラック幅を狭めた場合には、
隣接トラックの情報を含めて、新情報と同時に検出され
てしまう。このため信頼性のあるベリファイ信号を得る
ことが難しい。さらにこの方法では、超解像効果を同時
に実現することはほぼ不可能である。
および特開平５−２０７２０号公報記載の光磁気記録媒
体およびベリファイ方法では、図３（ｂ）に示したよう
に光スポット内の低温領域において再生層と記録層の間
に交換結合力が働いて、再生層に旧情報が転写される領
域が生じる。従って、図３（ａ）に示したように、ベリ
ファイ時にその旧情報がトラック幅を狭めた場合には、
隣接トラックの情報を含めて、新情報と同時に検出され
てしまう。このため信頼性のあるベリファイ信号を得る
ことが難しい。さらにこの方法では、超解像効果を同時
に実現することはほぼ不可能である。
【００１７】また、特開平５−１８２２６９号公報記載
の光磁気記録媒体およびベリファイ方法においても、図
４（ａ）に光スポット内の旧情報検出領域および新情報
の検出領域、さらに（ｂ）に磁化状態を示したように、
中間層がキュリー温度に到達するまでの低温領域におい
ては旧情報が検出されてしまうため、信頼性の高いベリ
ファイ信号を得ることは困難である。また、この方法で
は線記録密度を高める超解像効果を実現することはでき
るが、トラック方向の記録密度を高めることは不可能で
あり、光磁気記録装置が複雑化する等の問題を有してい
る。
の光磁気記録媒体およびベリファイ方法においても、図
４（ａ）に光スポット内の旧情報検出領域および新情報
の検出領域、さらに（ｂ）に磁化状態を示したように、
中間層がキュリー温度に到達するまでの低温領域におい
ては旧情報が検出されてしまうため、信頼性の高いベリ
ファイ信号を得ることは困難である。また、この方法で
は線記録密度を高める超解像効果を実現することはでき
るが、トラック方向の記録密度を高めることは不可能で
あり、光磁気記録装置が複雑化する等の問題を有してい
る。
【００１８】さらに、超解像の実現方法として提案され
ている特開平３−９３０５８号公報の方法では、再生前
に３ｋＯｅ程度の大きい初期化磁界および再生磁界を必
要とし、光磁気記録装置が大型化、コスト高になる等の
問題を有している。
ている特開平３−９３０５８号公報の方法では、再生前
に３ｋＯｅ程度の大きい初期化磁界および再生磁界を必
要とし、光磁気記録装置が大型化、コスト高になる等の
問題を有している。
【００１９】本発明は、このような課題の解決を図るも
のとして、オーバーライト記録時に旧情報とのクロスト
ークを大幅に低減し信頼性の高いベリファイ信号を記録
と同時に得ることができる光磁気記録媒体およびその媒
体を用いるベリファイ方法、情報記録方法の提供を目的
とするものである。また、上述のベリファイ方法、記録
方法を実現しながら、同時に線密度およびトラック密度
を向上することの可能な、超解像を初期化磁界や再生磁
界を用いずに実現する光磁気記録媒体およびその媒体を
用いた情報再生方法の提供を目的とするものである。
のとして、オーバーライト記録時に旧情報とのクロスト
ークを大幅に低減し信頼性の高いベリファイ信号を記録
と同時に得ることができる光磁気記録媒体およびその媒
体を用いるベリファイ方法、情報記録方法の提供を目的
とするものである。また、上述のベリファイ方法、記録
方法を実現しながら、同時に線密度およびトラック密度
を向上することの可能な、超解像を初期化磁界や再生磁
界を用いずに実現する光磁気記録媒体およびその媒体を
用いた情報再生方法の提供を目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）少なく
とも光の入射側から第１磁性層、第３磁性層および第２
磁性層の順序で積層されて成り、第１磁性層が室温で面
内磁化膜であり室温と第３磁性層のキュリー温度の間の
温度で垂直磁化膜に転移する磁性層であり、第２磁性層
が第１磁性層よりキュリー温度が低い垂直磁化膜であ
り、第３磁性層は第１および第２磁性層のいずれよりも
キュリー温度が低い磁性層であることを特徴とする光磁
気記録媒体、（ｂ）その光磁気記録媒体に対して、所定
強度の記録用ビームを照射し、記録すべき情報信号に応
じて変調された外部磁界を印加して第２磁性層に情報を
記録し、同時に該記録用光ビームのスポット内における
低温領域の温度は再生層の垂直磁化膜への転移温度以下
として該領域の再生層を面内磁化膜に保持し、該スポッ
ト内の高温領域では第３磁性層のキュリー温度以上に達
っせしめて第１磁性層と第２磁性層の間の交換結合力を
遮断するとともに、第１磁性層の磁化を外部磁界の方向
に配向させて、該記録用光ビームの第１磁性層からの反
射光を用いて記録情報のベリファイを行う情報記録方
法、ならびに（ｃ）その光磁気記録媒体を用いて、第１
磁性層をレーザー光照射で昇温することにより垂直磁化
膜とし、第２磁性層に上記（ｂ）の情報記録方法によっ
て記録された磁気信号を第１磁性層に転写しながら、磁
気光学効果により光学信号に変換して読み取る情報再生
方法を提供する。
とも光の入射側から第１磁性層、第３磁性層および第２
磁性層の順序で積層されて成り、第１磁性層が室温で面
内磁化膜であり室温と第３磁性層のキュリー温度の間の
温度で垂直磁化膜に転移する磁性層であり、第２磁性層
が第１磁性層よりキュリー温度が低い垂直磁化膜であ
り、第３磁性層は第１および第２磁性層のいずれよりも
キュリー温度が低い磁性層であることを特徴とする光磁
気記録媒体、（ｂ）その光磁気記録媒体に対して、所定
強度の記録用ビームを照射し、記録すべき情報信号に応
じて変調された外部磁界を印加して第２磁性層に情報を
記録し、同時に該記録用光ビームのスポット内における
低温領域の温度は再生層の垂直磁化膜への転移温度以下
として該領域の再生層を面内磁化膜に保持し、該スポッ
ト内の高温領域では第３磁性層のキュリー温度以上に達
っせしめて第１磁性層と第２磁性層の間の交換結合力を
遮断するとともに、第１磁性層の磁化を外部磁界の方向
に配向させて、該記録用光ビームの第１磁性層からの反
射光を用いて記録情報のベリファイを行う情報記録方
法、ならびに（ｃ）その光磁気記録媒体を用いて、第１
磁性層をレーザー光照射で昇温することにより垂直磁化
膜とし、第２磁性層に上記（ｂ）の情報記録方法によっ
て記録された磁気信号を第１磁性層に転写しながら、磁
気光学効果により光学信号に変換して読み取る情報再生
方法を提供する。
【００２１】以下、図面を用いて本発明の光磁気記録媒
体およびその媒体を用いた情報記録再生方法について詳
細に説明する。
体およびその媒体を用いた情報記録再生方法について詳
細に説明する。
【００２２】本発明の光磁気記録媒体は、室温で面内磁
化膜であり、昇温すると垂直磁化膜に変化する第１磁性
層と、垂直磁化膜であって第１磁性層よりキュリー温度
の低い第２磁性層と、第１および第２磁性層よりキュリ
ー温度の低い第３磁性層の３層の磁性層を少なくとも有
する（図１）。以後、第１磁性層を再生層、第２磁性層
を記録層、第３磁性層を中間層と称して扱う。
化膜であり、昇温すると垂直磁化膜に変化する第１磁性
層と、垂直磁化膜であって第１磁性層よりキュリー温度
の低い第２磁性層と、第１および第２磁性層よりキュリ
ー温度の低い第３磁性層の３層の磁性層を少なくとも有
する（図１）。以後、第１磁性層を再生層、第２磁性層
を記録層、第３磁性層を中間層と称して扱う。
【００２３】再生層は、室温では面内磁化膜で、高温で
は垂直磁化膜となるような組成に設定する。そのために
は例えば、室温とキュリー温度の間に補償温度を持つ組
成で、Ｍｓが室温では大きく再生温度では小さくなるよ
うにすればよい。その場合、室温では反磁界エネルギー
２πＭｓ2が大きく面内磁化膜であるが、再生温度では
Ｍｓが小さくなり、垂直磁気異方性エネルギーが反磁界
エネルギーよりも優勢となって垂直磁化膜となる。
は垂直磁化膜となるような組成に設定する。そのために
は例えば、室温とキュリー温度の間に補償温度を持つ組
成で、Ｍｓが室温では大きく再生温度では小さくなるよ
うにすればよい。その場合、室温では反磁界エネルギー
２πＭｓ2が大きく面内磁化膜であるが、再生温度では
Ｍｓが小さくなり、垂直磁気異方性エネルギーが反磁界
エネルギーよりも優勢となって垂直磁化膜となる。
【００２４】再生層の材料としては、例えば、GdCo, Gd
FeCo, GdTbFeCo, GdDyFeCo, NdGdFeCoなどの希土類−鉄
族非晶質合金が望ましい。また、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ等の
軽希土類元素などを添加して短波長でのカー回転角を増
加させてもよい。
FeCo, GdTbFeCo, GdDyFeCo, NdGdFeCoなどの希土類−鉄
族非晶質合金が望ましい。また、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ等の
軽希土類元素などを添加して短波長でのカー回転角を増
加させてもよい。
【００２５】再生層のキュリー温度は、記録層、中間層
のキュリー温度より高く、記録時においてもベリファイ
に十分なカー回転角を有することが必要であることか
ら、少なくとも２５０℃以上、望ましくは３００℃以上
とする。
のキュリー温度より高く、記録時においてもベリファイ
に十分なカー回転角を有することが必要であることか
ら、少なくとも２５０℃以上、望ましくは３００℃以上
とする。
【００２６】記録層としては、例えば、垂直磁気異方性
が大きく、安定に磁化状態を保持できるもの、例えばTb
FeCo, DyFeCo, TbDyFeCoなどの希土類−鉄非晶質合金；
ガーネット；Pt/Co, Pd/Coなどの白金族−鉄族周期構造
膜；PtCo, PdCoなどの白金族−鉄族合金などが望まし
い。
が大きく、安定に磁化状態を保持できるもの、例えばTb
FeCo, DyFeCo, TbDyFeCoなどの希土類−鉄非晶質合金；
ガーネット；Pt/Co, Pd/Coなどの白金族−鉄族周期構造
膜；PtCo, PdCoなどの白金族−鉄族合金などが望まし
い。
【００２７】中間層としては、キュリー温度は第１およ
び第２磁性層のキュリー温度より低く、再生時に再生層
と記録層の交換結合を仲介可能な程度に高いキュリー温
度を持つように設定する。具体的には、中間層のキュリ
ー温度は少なくとも１００℃以上、望ましくは２２０℃
以下、より望ましくは２００℃以下とする。また、室温
付近の低温領域において再生層の面内異方性を強めるた
めに室温で面内異方性が大きいものを用いると、ベリフ
ァイ特性および再生特性が向上することから望ましい。
び第２磁性層のキュリー温度より低く、再生時に再生層
と記録層の交換結合を仲介可能な程度に高いキュリー温
度を持つように設定する。具体的には、中間層のキュリ
ー温度は少なくとも１００℃以上、望ましくは２２０℃
以下、より望ましくは２００℃以下とする。また、室温
付近の低温領域において再生層の面内異方性を強めるた
めに室温で面内異方性が大きいものを用いると、ベリフ
ァイ特性および再生特性が向上することから望ましい。
【００２８】中間層の材料としては、例えば、GdCo, Gd
FeCo, GdTbFeCo, GdDyFeCoなどの希土類−鉄族非晶質合
金が望ましい。
FeCo, GdTbFeCo, GdDyFeCoなどの希土類−鉄族非晶質合
金が望ましい。
【００２９】再生層、中間層および記録層には、Cr, A
l, Ti, Pt, Nbなどの耐食性改善のための元素を添加し
ても良い。
l, Ti, Pt, Nbなどの耐食性改善のための元素を添加し
ても良い。
【００３０】さらに、上記３層に加えて、干渉効果を高
めるために、SiN, AlOx, TaOx, SiO xなどの誘電体から
成る層を設けても良い。また、熱伝導性改良のためにA
l, AlTa, AlTi, AlCr, Cuなどの層を設けて、記録時の
温度勾配を急峻にして、ベリファイ信号の精度を高めた
り、磁界変調記録による矢羽状の磁区形状を改善したり
することもできる。
めるために、SiN, AlOx, TaOx, SiO xなどの誘電体から
成る層を設けても良い。また、熱伝導性改良のためにA
l, AlTa, AlTi, AlCr, Cuなどの層を設けて、記録時の
温度勾配を急峻にして、ベリファイ信号の精度を高めた
り、磁界変調記録による矢羽状の磁区形状を改善したり
することもできる。
【００３１】さらに、交換結合力または静磁結合力の調
節のための記録補助層、再生補助層を設けても良い。さ
らに、保護膜として前記誘電体層や高分子樹脂からなる
保護コートを付与しても良い。
節のための記録補助層、再生補助層を設けても良い。さ
らに、保護膜として前記誘電体層や高分子樹脂からなる
保護コートを付与しても良い。
【００３２】次に、本発明の記録再生プロセスを説明す
る。
る。
【００３３】初めに記録と同時にベリファイを行う方法
について図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は光
スポット内のベリファイ信号検出領域およびマスク領域
を、（ｂ）は磁性層の磁化状態を、（ｃ）はトラック方
向の温度分布をそれぞれ記録時について表わしたもの
で、（ａ）および（ｂ）は（ｃ）の温度分布図に対応し
ている。
について図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は光
スポット内のベリファイ信号検出領域およびマスク領域
を、（ｂ）は磁性層の磁化状態を、（ｃ）はトラック方
向の温度分布をそれぞれ記録時について表わしたもの
で、（ａ）および（ｂ）は（ｃ）の温度分布図に対応し
ている。
【００３４】前述の従来例と同様、本発明の光磁気記録
媒体においても図２（ｃ）に示した通り、レーザービー
ムが媒体に照射されて生じた温度分布は、媒体の進行方
向に延びた温度分布となる。図中のＴｍ1は再生層が面
内磁化膜から垂直磁化膜へと転移する温度で、Ｔｍ2は
中間層のキュリー温度である。よって再生層は、図２
（ｂ）に示すように室温からＴｍ1に達するまでは面内
磁化膜であるため、その温度領域では記録層の旧情報を
光学的にマスクする。すなわち、従来例と異なり、旧情
報は検出されない。
媒体においても図２（ｃ）に示した通り、レーザービー
ムが媒体に照射されて生じた温度分布は、媒体の進行方
向に延びた温度分布となる。図中のＴｍ1は再生層が面
内磁化膜から垂直磁化膜へと転移する温度で、Ｔｍ2は
中間層のキュリー温度である。よって再生層は、図２
（ｂ）に示すように室温からＴｍ1に達するまでは面内
磁化膜であるため、その温度領域では記録層の旧情報を
光学的にマスクする。すなわち、従来例と異なり、旧情
報は検出されない。
【００３５】また、温度がＴｍ2に達した領域では、中
間層の磁化が消失し再生層と記録層の間の交換結合力は
遮断されるため、再生層の磁化は容易に外部磁界になら
う。このため、その領域は新情報を検知するベリファイ
信号検出領域として機能する。
間層の磁化が消失し再生層と記録層の間の交換結合力は
遮断されるため、再生層の磁化は容易に外部磁界になら
う。このため、その領域は新情報を検知するベリファイ
信号検出領域として機能する。
【００３６】また、Ｔｍ1以上Ｔｍ2以下の温度領域で
は、再生層は垂直磁化膜となって記録層と交換結合し、
記録層の旧情報を転写するが、このＴｍ1ないしＴｍ2の
温度領域は、後述する通り再生時において光スポットよ
りも狭い領域として超解像効果が生じるように設定され
あるいは設定することができることから、再生時より光
パワーが高く温度勾配が急峻である記録時には非常に狭
い幅の領域となる。
は、再生層は垂直磁化膜となって記録層と交換結合し、
記録層の旧情報を転写するが、このＴｍ1ないしＴｍ2の
温度領域は、後述する通り再生時において光スポットよ
りも狭い領域として超解像効果が生じるように設定され
あるいは設定することができることから、再生時より光
パワーが高く温度勾配が急峻である記録時には非常に狭
い幅の領域となる。
【００３７】従って、本発明のベリファイ方法では図２
（ａ）に示すように光スポット内で、旧情報がほとんど
再生層によってマスクされて新情報が優先的に検出され
ることから、信頼性の高いベリファイ信号を得ることが
できる。
（ａ）に示すように光スポット内で、旧情報がほとんど
再生層によってマスクされて新情報が優先的に検出され
ることから、信頼性の高いベリファイ信号を得ることが
できる。
【００３８】レーザースポット照射の後には、温度が室
温に戻るまでに先ず記録層の磁化が発生し、次にＴｍ2
まで低下すると中間層の磁化が発生する。すると、再生
層と記録層の間に交換結合力が作用し、記録層の磁化は
再生層と磁気的に安定な向きに配向する。
温に戻るまでに先ず記録層の磁化が発生し、次にＴｍ2
まで低下すると中間層の磁化が発生する。すると、再生
層と記録層の間に交換結合力が作用し、記録層の磁化は
再生層と磁気的に安定な向きに配向する。
【００３９】こうして、記録時に記録ビームの反射光を
用いて再生層の磁化方向を検出すれば、記録層に磁界変
調に応じた情報が書き込まれることが確認される。
用いて再生層の磁化方向を検出すれば、記録層に磁界変
調に応じた情報が書き込まれることが確認される。
【００４０】なお、図２では説明の簡便さのために、再
生層および記録層の各層において（正味の）磁化と交換
結合に積極的に寄与する元素のスピン（例えば鉄族元素
のスピン）の方向が同じであると仮定してベリファイ方
法を示しているが、必ずしもその必要はない。
生層および記録層の各層において（正味の）磁化と交換
結合に積極的に寄与する元素のスピン（例えば鉄族元素
のスピン）の方向が同じであると仮定してベリファイ方
法を示しているが、必ずしもその必要はない。
【００４１】例えば再生層と記録層が希土類鉄族元素フ
ェリ磁性体からなる場合、優勢である元素の種類によっ
て２つのタイプに分類される。このうち第１磁性層、第
２磁性層がともにＴＭ（鉄族元素）副格子磁化優勢であ
るか逆にＲＥ（希土類元素）副格子磁化優勢である場合
をＰタイプ、第１磁性層がＴＭ副格子磁化優勢で第２磁
性層がＲＥ元素副格子磁化優勢またはその逆の場合をＡ
タイプと称する。図２は再生層および記録層がＰタイプ
の場合である。
ェリ磁性体からなる場合、優勢である元素の種類によっ
て２つのタイプに分類される。このうち第１磁性層、第
２磁性層がともにＴＭ（鉄族元素）副格子磁化優勢であ
るか逆にＲＥ（希土類元素）副格子磁化優勢である場合
をＰタイプ、第１磁性層がＴＭ副格子磁化優勢で第２磁
性層がＲＥ元素副格子磁化優勢またはその逆の場合をＡ
タイプと称する。図２は再生層および記録層がＰタイプ
の場合である。
【００４２】これに対してＡタイプの場合は、再生層と
記録層が中間層を介して交換結合した時には、記録層の
磁化の向きは外部磁界とは反対方向となる。このため、
記録時に媒体がレーザー光を通りすぎて降温し、記録層
が再生層と中間層を介して交換結合した時においても、
外部磁界が印加されている場合には、交換結合力を外部
磁界よりも優勢とする必要がある。このための条件は、
この時の再生層と記録層の間の交換結合エネルギーをσ
w、記録層の飽和磁化をＭｓ2、膜厚をｈ2、保磁力をＨ
ｃ2、外部磁界をＨｂとすると、下記式Ｉで表わされ
る。
記録層が中間層を介して交換結合した時には、記録層の
磁化の向きは外部磁界とは反対方向となる。このため、
記録時に媒体がレーザー光を通りすぎて降温し、記録層
が再生層と中間層を介して交換結合した時においても、
外部磁界が印加されている場合には、交換結合力を外部
磁界よりも優勢とする必要がある。このための条件は、
この時の再生層と記録層の間の交換結合エネルギーをσ
w、記録層の飽和磁化をＭｓ2、膜厚をｈ2、保磁力をＨ
ｃ2、外部磁界をＨｂとすると、下記式Ｉで表わされ
る。
【００４３】
【数１】 σw／（２Ｍｓ2・ｈ2）−Ｈｃ2＞Ｈｂ （Ｉ） またＰタイプの場合には、交換結合による実効的磁界と
外部磁界の向きは一致するため、式Ｉの条件を設けなく
ともよい。
外部磁界の向きは一致するため、式Ｉの条件を設けなく
ともよい。
【００４４】次に記録信号の再生方法について説明す
る。
る。
【００４５】図５は本発明の光磁気記録媒体の再生時に
おける光スポット、スピン状態、温度分布を示したもの
である。
おける光スポット、スピン状態、温度分布を示したもの
である。
【００４６】再生時には、媒体に光ビームを照射する
が、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体は一定の
速度で移動するため、媒体上の温度分布は図５（ｃ）に
示すように媒体の移動方向に延びた形状となり、光スポ
ット内の一部が高温となった温度分布となる。
が、このとき照射部分の温度が上昇する。媒体は一定の
速度で移動するため、媒体上の温度分布は図５（ｃ）に
示すように媒体の移動方向に延びた形状となり、光スポ
ット内の一部が高温となった温度分布となる。
【００４７】図５（ｃ）のように再生層はＴｍ1以上で
面内磁化膜から垂直磁化膜に転移することから、再生層
は光スポットの一部である高温部のみが垂直磁化膜とな
り、他の大部分は面内磁化膜のままという状態が実現す
る。垂直磁化膜となった再生層は記録層と交換結合によ
って磁気的に結合されるので記録層の磁化が再生層に転
写される。転写された磁気信号は、再生層の磁気光学効
果によって光学信号に変換されて検出される。従って、
図５（ａ）に示したように光スポットの一部分が記録層
の磁化（記録マーク）を転写するアパーチャ領域とな
り、他の部分は記録層の磁化情報を光学的に遮断するマ
スク領域となるため、光の回折限界以下の周期の信号が
再生可能となる。
面内磁化膜から垂直磁化膜に転移することから、再生層
は光スポットの一部である高温部のみが垂直磁化膜とな
り、他の大部分は面内磁化膜のままという状態が実現す
る。垂直磁化膜となった再生層は記録層と交換結合によ
って磁気的に結合されるので記録層の磁化が再生層に転
写される。転写された磁気信号は、再生層の磁気光学効
果によって光学信号に変換されて検出される。従って、
図５（ａ）に示したように光スポットの一部分が記録層
の磁化（記録マーク）を転写するアパーチャ領域とな
り、他の部分は記録層の磁化情報を光学的に遮断するマ
スク領域となるため、光の回折限界以下の周期の信号が
再生可能となる。
【００４８】また再生パワーを高めるかもしくは中間層
のキュリー温度を下げるなどして、再生レーザーのスポ
ット内の最も高温の領域において中間層のキュリー温度
Ｔｍ 2に達するようにして、再生層が記録層からの交換
結合力の切断によって再び面内磁化膜へと戻るようにす
れば、光スポットの中間領域でのみ記録層の磁化が転写
されるようにすることもできる。この中間領域、換言す
ればＴｍ1以上Ｔｍ2以下の温度領域は超解像度を実現す
るために、、信号出力が低下しない程度にその幅を狭め
るのがよい。その場合の光スポットの検出領域、スピン
状態、温度分布を図６に示した。なお上述では高温部の
マスク領域は再生層が面内磁化膜であるとしたが、高温
領域において、記録マーク磁区が収縮することによって
マスクが形成されるようにしてもよい。
のキュリー温度を下げるなどして、再生レーザーのスポ
ット内の最も高温の領域において中間層のキュリー温度
Ｔｍ 2に達するようにして、再生層が記録層からの交換
結合力の切断によって再び面内磁化膜へと戻るようにす
れば、光スポットの中間領域でのみ記録層の磁化が転写
されるようにすることもできる。この中間領域、換言す
ればＴｍ1以上Ｔｍ2以下の温度領域は超解像度を実現す
るために、、信号出力が低下しない程度にその幅を狭め
るのがよい。その場合の光スポットの検出領域、スピン
状態、温度分布を図６に示した。なお上述では高温部の
マスク領域は再生層が面内磁化膜であるとしたが、高温
領域において、記録マーク磁区が収縮することによって
マスクが形成されるようにしてもよい。
【００４９】なお、上述では再生層と記録層が交換相互
作用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に
記録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合される
ようにしてもよい。
作用により磁気的に結合する場合を述べたが、再生時に
記録層と再生層が静磁結合によって磁気的に結合される
ようにしてもよい。
【００５０】以上のように本発明の光磁気記録媒体およ
びその媒体を用いた情報記録方法、ベリファイ方法、再
生方法を用いることにより、十分な信頼性を確保しなが
ら高速記録が実現し、さらに高密度記録が達成される。
びその媒体を用いた情報記録方法、ベリファイ方法、再
生方法を用いることにより、十分な信頼性を確保しなが
ら高速記録が実現し、さらに高密度記録が達成される。
【００５１】
【実施例】以下に実施例によって本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はそれら実施例により限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はそれら実施例により限定される
ものではない。
【００５２】（実施例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌの各
ターゲットを取り付け、直径１３０ｍｍのガラス基板お
よび１．６μｍピッチのランド、グルーブ付きのポリカ
ーボネート基板をターゲットからの距離が１５０ｍｍと
なる位置に設置された基板ホルダーに固定した後、１×
１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクラ
イオポンプで真空排気した。
ング装置に、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌの各
ターゲットを取り付け、直径１３０ｍｍのガラス基板お
よび１．６μｍピッチのランド、グルーブ付きのポリカ
ーボネート基板をターゲットからの距離が１５０ｍｍと
なる位置に設置された基板ホルダーに固定した後、１×
１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクラ
イオポンプで真空排気した。
【００５３】真空排気をしながらＡｒガスを０．４Ｐａ
となるまでチャンバー内に導入した後、ＳｉＮ誘電体層
を８００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ
ＣｏＡｌ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を４０
０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、この順に成膜して図７
の構成のサンプルを得た。各ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガ
スに加えてＮ2ガスを導入し、直流反応性スパッタによ
って成膜し、屈折率が２．１５となるようにＡｒガスと
Ｎ2ガスの混合比を調節した。
となるまでチャンバー内に導入した後、ＳｉＮ誘電体層
を８００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ
ＣｏＡｌ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を４０
０Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、この順に成膜して図７
の構成のサンプルを得た。各ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガ
スに加えてＮ2ガスを導入し、直流反応性スパッタによ
って成膜し、屈折率が２．１５となるようにＡｒガスと
Ｎ2ガスの混合比を調節した。
【００５４】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチでＭｓは２２０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２４０
℃、キュリー温度は３００℃以上となるように設定し
た。
リッチでＭｓは２２０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２４０
℃、キュリー温度は３００℃以上となるように設定し
た。
【００５５】ＧｄＦｅＣｏＡｌ中間層の組成は、室温で
ＲＥリッチで、Ｍｓは４００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は１７０℃となるように設定した。
ＲＥリッチで、Ｍｓは４００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は１７０℃となるように設定した。
【００５６】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチでキュリー温度は２２０℃となるように設定し
た。
リッチでキュリー温度は２２０℃となるように設定し
た。
【００５７】この光磁気記録媒体に膜厚方向に磁界を印
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
はゼロで再生層は面内磁化膜となっていることがわかっ
た。
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
はゼロで再生層は面内磁化膜となっていることがわかっ
た。
【００５８】次に、この光磁気記録媒体を用いて磁界変
調オーバーライトを行いながら同時にベリファイ信号を
測定した。評価装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５、レーザー波長は７８０ｎｍ、線速度は９ｍ／ｓとし
た。
調オーバーライトを行いながら同時にベリファイ信号を
測定した。評価装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５、レーザー波長は７８０ｎｍ、線速度は９ｍ／ｓとし
た。
【００５９】測定の前に消去方向に５０００ｅの磁界を
印加した後、記録方向に４０００ｅの磁界を印加して、
４ＭＨｚの矩形波信号を記録パワー１２ｍＷで記録し
た。記録後に２ｍＷのレーザー光を照射して再生した再
生波形を図８（ａ）に示した。この後、±２０００ｅの
外部磁界を印加して、１０ＭＨｚの矩形波信号（図８
（ｂ））を磁界変調オーバーライトによって重ね書き記
録した。磁界変調による重ね書きの際に、記録ビームの
反射光より得られた信号を図８（ｃ）に示した。この図
８（ｃ）より、変調外部磁界と良く対応したベリファイ
信号が得られていることが分かる。
印加した後、記録方向に４０００ｅの磁界を印加して、
４ＭＨｚの矩形波信号を記録パワー１２ｍＷで記録し
た。記録後に２ｍＷのレーザー光を照射して再生した再
生波形を図８（ａ）に示した。この後、±２０００ｅの
外部磁界を印加して、１０ＭＨｚの矩形波信号（図８
（ｂ））を磁界変調オーバーライトによって重ね書き記
録した。磁界変調による重ね書きの際に、記録ビームの
反射光より得られた信号を図８（ｃ）に示した。この図
８（ｃ）より、変調外部磁界と良く対応したベリファイ
信号が得られていることが分かる。
【００６０】また、１０ＭＨｚの信号をオーバーライト
後に２．８ｍＷのレーザーパワーにより磁界を印加せず
に再生したところ、４８ｄＢのＣ／Ｎを得た。この時の
マーク長は０．４５μｍであり、超解像再生が良好に行
われていることがわかった。また、１．６μｍのマーク
をランド部に記録し、前もってデータ消去済みの隣接グ
ルーブ部とのキャリアレベルの差を測定したところ、３
０ｄＢ以上の値が得られ、クロストークが解消している
ことがわかった。
後に２．８ｍＷのレーザーパワーにより磁界を印加せず
に再生したところ、４８ｄＢのＣ／Ｎを得た。この時の
マーク長は０．４５μｍであり、超解像再生が良好に行
われていることがわかった。また、１．６μｍのマーク
をランド部に記録し、前もってデータ消去済みの隣接グ
ルーブ部とのキャリアレベルの差を測定したところ、３
０ｄＢ以上の値が得られ、クロストークが解消している
ことがわかった。
【００６１】（実施例２）実施例１と同様の装置、方法
でポリカーボネート基板上にＳｉＮ誘電体層を８００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
８０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Å、この順に成膜して図８の構成のサンプルを
得た。
でポリカーボネート基板上にＳｉＮ誘電体層を８００
Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、ＧｄＦｅ中間層を
８０Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を３００Å、ＳｉＮ保護層
を７００Å、この順に成膜して図８の構成のサンプルを
得た。
【００６２】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＲＥ
リッチで飽和磁化２４０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２３
５℃、キュリー温度は３００℃以上となるように設定し
た。
リッチで飽和磁化２４０ｅｍｕ／ｃｃ、補償温度は２３
５℃、キュリー温度は３００℃以上となるように設定し
た。
【００６３】ＧｄＦｅ中間層の組成は、室温でＲＥリッ
チで、飽和磁化は４５０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は
２００℃となるように設定した。
チで、飽和磁化は４５０ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温度は
２００℃となるように設定した。
【００６４】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで、キュリー温度は２００℃となるように設定し
た。
リッチで、キュリー温度は２００℃となるように設定し
た。
【００６５】この光磁気記録媒体に膜厚方向に磁界を印
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
はゼロで再生層は面内磁化膜となっていることがわかっ
た。
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
はゼロで再生層は面内磁化膜となっていることがわかっ
た。
【００６６】次に、実施例１と同じ測定装置で次に示し
た条件で磁界変調記録およびベリファイを行った。
た条件で磁界変調記録およびベリファイを行った。
【００６７】測定の前に消去方向に５０００ｅの磁界を
印加した後、記録方向に５０００ｅの磁界を印加して、
９ＭＨｚの矩形波信号を記録パワー１３ｍＷで記録し
た。記録後に２ｍＷのレーザー光を照射して再生した再
生波形を図９（ａ）に示した。この後、±２０００ｅの
外部磁界を変調しながら印加して、図９（ｂ）に示した
ような６ＭＨｚの矩形波信号を磁界変調オーバーライト
によって重ね書き記録した。
印加した後、記録方向に５０００ｅの磁界を印加して、
９ＭＨｚの矩形波信号を記録パワー１３ｍＷで記録し
た。記録後に２ｍＷのレーザー光を照射して再生した再
生波形を図９（ａ）に示した。この後、±２０００ｅの
外部磁界を変調しながら印加して、図９（ｂ）に示した
ような６ＭＨｚの矩形波信号を磁界変調オーバーライト
によって重ね書き記録した。
【００６８】この磁界変調による重ね書きの際に、反射
光を検出し、測定された信号を図９（ｃ）に示した。こ
の図９（ｃ）より、変調外部磁界と良く対応したベリフ
ァイ信号が得られていることが分かる。
光を検出し、測定された信号を図９（ｃ）に示した。こ
の図９（ｃ）より、変調外部磁界と良く対応したベリフ
ァイ信号が得られていることが分かる。
【００６９】（比較例１）実施例１と同様の成膜装置、
成膜方法によって、同様にガラス基板上に、ＳｉＮ誘電
体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏ記録層を４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、
この順に成膜して、光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層
の屈折率は２．１とした。
成膜方法によって、同様にガラス基板上に、ＳｉＮ誘電
体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏ記録層を４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、
この順に成膜して、光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層
の屈折率は２．１とした。
【００７０】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＴＭ
リッチでキュリー温度は３００℃以上とした。
リッチでキュリー温度は３００℃以上とした。
【００７１】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチでキュリー温度は２２０℃となるように設定し
た。
リッチでキュリー温度は２２０℃となるように設定し
た。
【００７２】この光磁気記録媒体に膜厚方向に磁界を印
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
は１°以上あり、再生層は垂直磁化膜となっていること
がわかった。
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
は１°以上あり、再生層は垂直磁化膜となっていること
がわかった。
【００７３】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同じ装置、線速度、周波数（４ＭＨｚ）で旧情報を
書き込み、同じ周波数（１０ＭＨｚ）で新情報を磁界変
調オーバーライトで記録しながらベリファイ動作を観測
した。このとき得られたベリファイ信号を図１０（ａ）
に示した。
１と同じ装置、線速度、周波数（４ＭＨｚ）で旧情報を
書き込み、同じ周波数（１０ＭＨｚ）で新情報を磁界変
調オーバーライトで記録しながらベリファイ動作を観測
した。このとき得られたベリファイ信号を図１０（ａ）
に示した。
【００７４】また、同様に実施例２と同じ線速度、周波
数（９ＭＨｚ）で旧情報を書き込み、同じ周波数（６Ｍ
Ｈｚ）で新情報を磁界変調オーバーライトで記録しなが
らベリファイ動作を観測した。この時得られたベリファ
イ信号を図１０（ｂ）に示した。
数（９ＭＨｚ）で旧情報を書き込み、同じ周波数（６Ｍ
Ｈｚ）で新情報を磁界変調オーバーライトで記録しなが
らベリファイ動作を観測した。この時得られたベリファ
イ信号を図１０（ｂ）に示した。
【００７５】図１０（ａ）および（ｂ）より、この媒体
ではベリファイ信号に旧情報が重ね合っており、新情報
のベリファイが不明瞭であることがわかる。
ではベリファイ信号に旧情報が重ね合っており、新情報
のベリファイが不明瞭であることがわかる。
【００７６】また、上述の実施例１ど同じ操作で１０Ｍ
Ｈｚの信号をオーバーライトした後に、レーザーパワー
２．８ｍＷ〜３．５ｍＷで再生したところ、Ｃ／Ｎは最
高で２１ｄＢであった。従って、この媒体では、超解像
再生が行えないことが判明した。
Ｈｚの信号をオーバーライトした後に、レーザーパワー
２．８ｍＷ〜３．５ｍＷで再生したところ、Ｃ／Ｎは最
高で２１ｄＢであった。従って、この媒体では、超解像
再生が行えないことが判明した。
【００７７】（比較例２）実施例１と同様の成膜装置、
成膜方法によって、同様にガラス基板上に、ＳｉＮ誘電
体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を
４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、この順に成膜し
て、光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層の屈折率は２．
１とした。
成膜方法によって、同様にガラス基板上に、ＳｉＮ誘電
体層を９００Å、ＧｄＦｅＣｏ再生層を４００Å、Ｔｂ
ＦｅＣｏＡｌ中間層を１００Å、ＴｂＦｅＣｏ記録層を
４００Å、ＳｉＮ保護層を７００Å、この順に成膜し
て、光磁気記録媒体を得た。各ＳｉＮ層の屈折率は２．
１とした。
【００７８】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、室温でＴＭ
リッチで、飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は３００℃以上となるように設定した。
リッチで、飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は３００℃以上となるように設定した。
【００７９】ＴｂＦｅＣｏＡｌ中間層の組成は、室温で
ＴＭリッチでキュリー温度は１４０℃となるように設定
した。
ＴＭリッチでキュリー温度は１４０℃となるように設定
した。
【００８０】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで、飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は２２０℃となるように設定した。
リッチで、飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ、キュリー温
度は２２０℃となるように設定した。
【００８１】この光磁気記録媒体に膜厚方向に磁界を印
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
は１°以上あり、再生層は垂直磁化膜となっていること
がわかった。
加しながら、再生層側から８３０ｎｍのレーザー光を照
射してカー回転角を測定したところ、室温から少なくと
も１１０℃付近までは磁場がゼロの状態ではカー回転角
は１°以上あり、再生層は垂直磁化膜となっていること
がわかった。
【００８２】次に、この光磁気記録媒体を用いて実施例
１と同じ装置、線速度、周波数（４ＭＨｚ）で旧情報を
書き込み、同じ周波数（１０ＭＨｚ）で新情報を磁界変
調オーバーライトで記録しながらベリファイ動作を観測
した。このとき得られたベリファイ信号を図１１（ａ）
に示した。
１と同じ装置、線速度、周波数（４ＭＨｚ）で旧情報を
書き込み、同じ周波数（１０ＭＨｚ）で新情報を磁界変
調オーバーライトで記録しながらベリファイ動作を観測
した。このとき得られたベリファイ信号を図１１（ａ）
に示した。
【００８３】また、同様に実施例２と同じ線速度、周波
数（９ＭＨｚ）で旧情報を書き込み、同じ周波数（６Ｍ
Ｈｚ）で新情報を磁界変調オーバーライトで記録しなが
らベリファイ動作を観測した。この時得られたベリファ
イ信号を図１１（ｂ）に示した。
数（９ＭＨｚ）で旧情報を書き込み、同じ周波数（６Ｍ
Ｈｚ）で新情報を磁界変調オーバーライトで記録しなが
らベリファイ動作を観測した。この時得られたベリファ
イ信号を図１１（ｂ）に示した。
【００８４】図１１（ａ）および（ｂ）より、この媒体
ではベリファイ信号に旧情報が重ね合っており、新情報
のベリファイが不明瞭であることがわかる。
ではベリファイ信号に旧情報が重ね合っており、新情報
のベリファイが不明瞭であることがわかる。
【００８５】また、上述の実施例１ど同じ操作で１０Ｍ
Ｈｚの信号をオーバーライトした後に、レーザーパワー
２．８ｍＷ〜３．５ｍＷで磁界を印加せずに再生したと
ころ、Ｃ／Ｎは最高で２２ｄＢであった。また、８００
０ｅの外部磁界を印加したところ、４０ｄＢのＣ／Ｎが
得られたが、実施例１と同じ操作で隣接のランド部との
クロストークを調べたところ、１０ｄＢ以下であり、こ
の媒体では再生磁界を印加しない場合には超解像再生が
行えず、印加した場合にもトラック方向の密度は向上で
きないことが判明した。
Ｈｚの信号をオーバーライトした後に、レーザーパワー
２．８ｍＷ〜３．５ｍＷで磁界を印加せずに再生したと
ころ、Ｃ／Ｎは最高で２２ｄＢであった。また、８００
０ｅの外部磁界を印加したところ、４０ｄＢのＣ／Ｎが
得られたが、実施例１と同じ操作で隣接のランド部との
クロストークを調べたところ、１０ｄＢ以下であり、こ
の媒体では再生磁界を印加しない場合には超解像再生が
行えず、印加した場合にもトラック方向の密度は向上で
きないことが判明した。
【００８６】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体および記録、ベ
リファイ方法によってオーバーライト記録時に旧情報と
のクロストークを大幅に低減し、信頼性の高いベリファ
イ信号を同時に得ることができ、同時に線密度およびト
ラック密度を向上可能である超解像を初期化磁界、再生
磁界を用いずに実現することができる。
リファイ方法によってオーバーライト記録時に旧情報と
のクロストークを大幅に低減し、信頼性の高いベリファ
イ信号を同時に得ることができ、同時に線密度およびト
ラック密度を向上可能である超解像を初期化磁界、再生
磁界を用いずに実現することができる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の磁性層の基本構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の１例の記録ベリファ
イ方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情報
マスク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）は
各層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方
向の温度分布を示すグラフである。
イ方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情報
マスク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）は
各層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方
向の温度分布を示すグラフである。
【図３】従来の光磁気記録媒体の１例の記録ベリファイ
方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情報マ
スク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）は各
層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向
の温度分布を示すグラフである。
方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情報マ
スク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）は各
層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向
の温度分布を示すグラフである。
【図４】従来の光磁気記録媒体の他の１例の記録ベリフ
ァイ方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情
報マスク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）
は各層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック
方向の温度分布を示すグラフである。
ァイ方法を示す図であり、（ａ）は光スポット内の旧情
報マスク領域と新情報検出領域を示す図であり、（ｂ）
は各層の磁化方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック
方向の温度分布を示すグラフである。
【図５】本発明の光磁気記録媒体の再生方法の１例を示
す図であり、（ａ）は光スポット内のマスク領域とアパ
ーチャ領域を示す図であり、（ｂ）は各層の磁化（スピ
ン）方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向の温
度分布を示すグラフである。
す図であり、（ａ）は光スポット内のマスク領域とアパ
ーチャ領域を示す図であり、（ｂ）は各層の磁化（スピ
ン）方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向の温
度分布を示すグラフである。
【図６】本発明の光磁気記録媒体の再生方法の別の例を
示す図であり、（ａ）は光スポット内のマスク領域とア
パーチャ領域を示す図であり、（ｂ）は各層の磁化（ス
ピン）方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向の
温度分布を示すグラフである。
示す図であり、（ａ）は光スポット内のマスク領域とア
パーチャ領域を示す図であり、（ｂ）は各層の磁化（ス
ピン）方向状態を示す図であり、（ｃ）トラック方向の
温度分布を示すグラフである。
【図７】本発明の光磁気記録媒体の層構成の１例を示し
た断面図である。
た断面図である。
【図８】本発明の光磁気記録媒体の１例のベリファイ動
作の測定結果を示す波形図であり、（ａ）は旧情報（４
ＭＨｚ）の再生信号波形を示した図であり、（ｂ）は新
情報（１０ＭＨｚ）の変調磁界波形を示した図であり、
（ｃ）ベリファイ信号を示す図である。
作の測定結果を示す波形図であり、（ａ）は旧情報（４
ＭＨｚ）の再生信号波形を示した図であり、（ｂ）は新
情報（１０ＭＨｚ）の変調磁界波形を示した図であり、
（ｃ）ベリファイ信号を示す図である。
【図９】本発明の光磁気記録媒体の別の例のベリファイ
動作の測定結果を示す波形図であり、（ａ）は旧情報
（９ＭＨｚ）の再生信号波形を示した図であり、（ｂ）
は新情報（６ＭＨｚ）の変調磁界波形を示した図であ
り、（ｃ）ベリファイ信号を示す図である。
動作の測定結果を示す波形図であり、（ａ）は旧情報
（９ＭＨｚ）の再生信号波形を示した図であり、（ｂ）
は新情報（６ＭＨｚ）の変調磁界波形を示した図であ
り、（ｃ）ベリファイ信号を示す図である。
【図１０】比較例１の光磁気記録媒体のベリファイ動作
を示した波形図である。
を示した波形図である。
【図１１】比較例２の光磁気記録媒体のベリファイ動作
を示した波形図である。
を示した波形図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも光の入射側から第１磁性層、
第３磁性層および第２磁性層の順序で積層されて成り、
該第１磁性層が室温で面内磁化膜であり室温と第３磁性
層のキュリー温度の間の温度で垂直磁化膜に転移する磁
性層であり、第２磁性層が第１磁性層よりキュリー温度
が低い垂直磁化膜であり、第３磁性層は第１および第２
磁性層のいずれよりもキュリー温度が低い磁性層である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光磁気記録媒体に対し
て、所定強度の記録用ビームを照射し、記録すべき情報
信号に応じて変調された外部磁界を印加して第２磁性層
に情報を記録し、同時に該記録用光ビームのスポット内
における低温領域の温度は再生層の垂直磁化膜への転移
温度以下として該領域の再生層を面内磁化膜に保持し、
該スポット内の高温領域では第３磁性層のキュリー温度
以上に達っせしめて第１磁性層と第２磁性層の間の交換
結合力を遮断するとともに、第１磁性層の磁化を外部磁
界の方向に配向させて、該記録用光ビームの第１磁性層
からの反射光を用いて記録情報のベリファイを行う情報
記録方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の光磁気記録媒体を用い
て、第１磁性層をレーザー光照射で昇温することにより
垂直磁化膜とし、第２磁性層に請求項２記載の情報記録
方法によって記録された磁気信号を第１磁性層に転写し
ながら、磁気光学効果により光学信号に変換して読み取
る情報再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045592A JPH07254175A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
| DE69522024T DE69522024T2 (de) | 1994-03-16 | 1995-03-15 | Informations-Aufzeichnungsverfahren |
| EP95301715A EP0673026B1 (en) | 1994-03-16 | 1995-03-15 | Information recording method |
| US08/821,409 US5862105A (en) | 1994-03-16 | 1997-03-21 | Information recording method capable of verifying recorded information simultaneously with recording, and magneto-optical recording medium used in the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045592A JPH07254175A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254175A true JPH07254175A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12723628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6045592A Pending JPH07254175A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5862105A (ja) |
| EP (1) | EP0673026B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07254175A (ja) |
| DE (1) | DE69522024T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307040A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-11-21 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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