DE69028092T2

DE69028092T2 - Magnetooptisches aufzeichnungsmedium

Info

Publication number: DE69028092T2
Application number: DE69028092T
Authority: DE
Inventors: Toshifumi Mitsubishi Ka Kawano; Kenichi Uchino
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1989-11-10
Filing date: 1990-11-08
Publication date: 1997-04-03
Anticipated expiration: 2010-11-09
Also published as: WO1991007748A1; EP0454858A1; EP0454858A4; EP0454858B1; DE69028092D1

Description

Technisches Gebiet

Die Erfindung betrifft ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, mit dem optische Aufzeichnungsvorgänge ausgeführt werden können.

Hintergrundbildende Technik

Magnetooptische Aufzeichnungsmedien wurden als billige, wiederbeschreibbare Informationsaufzeichnungsmedien hoher Dichte der praktischen Verwendung zugeführt.
Genauer gesagt, zeigen derartige magnetische Aufzeichnungsmedien mit einer Aufzeichnungsschicht aus einer amorphen Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetau hervorragende Eigenschaften.
Ein Hauptnachteil magnetooptischer Aufzeichnungsmedien, der noch zu überwinden ist, ist derjenige, daß die Medien nicht überschrieben (überschreibendes Aufzeichnen) werden können. D. h., daß herkömmliche magnetooptische Aufzeichnungsmedien vor dem Aufzeichnungsvorgang einen Löschprozeß benötigen, und demgemäß erfordert ein Aufzeichnungsvorgang zwei Umdrehungen, wodurch sich die Datenübertragungsrate verringert.
In den letzten Jahren wurde eine Anzahl von Überschreibverfahren für magnetooptische Aufzeichnungsmedien vorgeschlagen.
Ein vielversprechendes der vorgeschlagenen Verfahren ist ein optisches Modulations-Überschreibverfahren, bei dem ein mehrschichtiger Film verwendet wird. Dieses System, wie es in der Zusammenfassung zu Beiträgen für 34th Oyo-Butsurigaku Kankei Rengo Koenkai, 28P ZL-3, P721 (1987) beschrieben ist, umfaßt eine Schicht für rechtwinklige Magnetisierung (Aufzeichnungsschicht) mit niedriger Curietemperatur und hoher Koerzitivfeldstärke sowie eine Schicht mit rechtwinkliger Magnetisierung (Hilfsschicht) mit einer relativ höheren Curietemperatur und niedriger Koerzitivfeldstärke. Überschreiben wird dadurch ausgeführt, daß als erstes ein Magnetfeld (Initialisierungsmagnetfeld) mit ausreichender Intensität zum Ausrichten der Magnetisierungsrichtungen in der Hilfsschicht angelegt wird, das jedoch keinen Einfluß auf die Aufzeichnungsschicht hat, und dann Einstrahlung mit einem Lichtstrahl erfolgt, der so moduliert ist, daß er zwei Leistungswerte, nämlich hohe Leistung (PH) und niedrige Leistung (PL) aufweist, während ein Vormagnetisierungsfeld angelegt wird.
Bei der Einstrahlung von PL tritt in der Hilfsschicht keine Umkehrung der Magnetisierungsrichtung auf, und die Magnetisierungsrichtungen in der Aufzeichnungsschicht sind über eine Ummagnetisierungsverbindung zur Hilfsschicht in einer stabilisierten Richtung ausgerichtet. Beim Einstrahlen von PH erfährt die Hilfsschicht durch das Vormagnetisierungsfeld eine Umkehrung der Magnetisierungsrichtungen, und im Ergebnis wird die Aufzeichnungsschicht entsprechend entgegengesetzt zum Fall bei der Einstrahlung zum Fall bei der Einstrahlung von PL ausgerichtet, wodurch Überschreiben erzielt werden kann.
Eines der bei diesem System vorhandenen Probleme ist es, daß das Aufzeichnungsmedium unter Berücksichtigung einer ausreichenden Leistungsdifferenz zwischen PL und PH konzipiert werden muß. Wenn der Unterschied unzureichend ist, muß Aufzeichnen mit hoher Leistung in einem Hochtemperaturabschnitt im Zentrum eines Strahlflecks erfolgen, wenn Aufzeichnen mit PL ausgeführt wird. Dies rührt von der Temperaturverteilung im Strahlfleck her, und es wird auffälliger, wenn ein stärkeres Vormagnetisierungsfeld angelegt wird.
Außerdem bewirkt Wärmediffusion von einem Bereich mit PH ein wärmegradient in einen Bereich mit PL, was zu einer verringerten Leistungstoleranz für PL führt. Unter "Leistungstoleranz" ist hier ein Leistungsbereich gemeint, in dem ausreichende Werte des T/R-Verhältnisses und des Löschverhältnisses über den gesamten Frequenzbereich der Aufzeichnungssignale erzielt werden können.
Das Erfordernis einer ausreichenden Differenz zwischen PL und PH bedeutet, daß PH nicht verringert werden sollte, d. h., daß ein Laser hoher Leistung erforderlich ist.
Um eine hohe Drehzahl einer Platte zu erzielen, sollte andererseits der Wert PH angesichts Beschränkungen der Laserleistung verringert werden, und es ist erwünscht, eine Hilfsschicht mit niedrigem Wert TC2 zu verwenden, was aufgrund der obenangegebenen Schwierigkeiten unmöglich war.
Der Artikel "Effect of thermal interference in thermomagnetically recorded domains" von Y. Yoneyama et al, IEEE Transactions on Magnetics V.25, No. 5, S. 4042 - 4044 offenbart ein nicht überschreibbares Aufzeichnungsmedium mit einer Wärmesenkeschicht.
Die Erfinder haben Untersuchungen hinsichtlich der obenangegebenen Probleme ausgeführt, und als Ergebnis der Untersuchungen haben sie herausgefunden, daß Aufzeichnung mit niedrigem Wert PH unter Verwendung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums ausgeführt werden kann, das mit einer Wärmesenkeschicht versehen ist.
Die Erfindung schafft ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, das überschrieben werden kann und das folgendes aufweist: ein Substrat, eine auf dem Substrat vorhandene magnetooptische Aufzeichnungsschicht und eine auf dieser magnetooptischen Aufzeichnungsschicht vorhandene Aufzeichnungs- Hilfsschicht; wobei die magnetooptische Aufzeichnungsschicht eine Curietemperatur TC1 und eine Koerzitivfeldstärke HC1 bei Raumtemperatur aufweist, die Aufzeichnungs-Hilfsschicht eine Curietemperatur TC2 und eine Koerzitivfeldstärke HC2 bei Raumtemperatur aufweist und wobei die Werte TC1, TC2, HC1 und HC2 den folgenden Beziehungen genügen:
TC1 < TC2,
HC1 > HC2, gekennzeichnet durch
- eine Wärmesenkeschicht, die auf derjenigen Seite der Aufzeichnungs-Hilfsschicht vorhanden ist, die der dem Substrat zugewandten Seite abgewandt ist , und die eine Wärmeleitfähigkeit über derjenigen der Aufzeichnungs-Hilfsschicht aufweist; und daß TC1 im Bereich von 120 bis 200ºC liegt.
Nun wird die Erfindung im einzelnen nachfolgend beschrieben.
Das Substrat zur Verwendung bei der Erfindung kann ein transparentes Substrat aus Glas oder aus einem Kunststoff, wie Acrylharz, Polycarbonatharz usw., sein.
Die Dicke des Substrats beträgt allgemein ungefähr 1,2 mm.
Bei der Erfindung sind auf dem Substrat eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht und eine Aufzeichnungs-Hilfsschicht vorhanden.
Für die Aufzeichnungsschicht wird vorzugsweise ein Material mit niedriger Curietemperatur TC1 und hoher Koerzitivfeldstärke (wie durch VSM gemessen) HC1 verwendet, insbesondere eine amorphe Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetall. Zu Beispielen für das Material gehören TbFe, TbFeCo., DyFe, DyfeCo, TbDyFeCo. usw. TC1 liegt vorzugsweise zwischen 120 und 200ºC, während HC1 vorzugsweise nicht kleiner als 10 kOe ist. Die Dicke der Aufzeichnungsschicht beträgt vorzugsweise ungefähr 300 bis 1000 Å. Die Wärmeleitfähigkeit der Aufzeichnungsschicht beträgt allgemein zwischen 10 und 20 Wm&supmin;¹K&supmin;¹.
Die Hilfsschicht umfaßt eine magnetische Schicht aus einer amorphen Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetall wie die Aufzeichnungsschicht, jedoch ist für die Hilfsschicht ein Material mit hoher Curietemperatur TC2 und und niedriger Koerzitivfeldstärke HC2 verwendet. Beispiele für ein derartiges Material sind TbFeCo, DyFeCo, DyCo, TbDyFeCo, TbCo, GdDyFe, GdDyFeCo, GdTbFe, GdTbFeCo usw. TC2 liegt vorzugsweise zwischen 180 und 250ºC und sollte selbstverständlich höher als TC1 sein. Was HC2 betrifft, ist ein niedrigerer Wert bevorzugt, um das Initialisierungsmagnetfeld (Hini) verringern zu können. Darüber hinaus erfährt die Hilfsschicht aufgrund der Ummagnetisierungsverbindung zur Hilfsschicht ein effektives Vormagnetisierungsfeld (Hw), und daher muß die Bedingung
HC2 > Hw
erfüllt sein, um einen Initialisierungszustand der Hilfsschicht zu stabilisieren. Im allgemeinen beträgt HC2 vorzugsweise ungefähr 1 bis 3 kOe.
Normalerweise ist die Wärmeleitfähigkeit der Hilfsschicht nahezu dieselbe wie diejenige der Aufzeichnungsschicht.
Die Dicke der Hilfsschicht beträgt von 500 bis 2500 Å, vorzugsweise von 600 bis 1500 Å. Es ist bevorzugt, daß die Dicke der Hilfsschicht das 1,0- bis 3,0-fache der Dicke der Aufzeichnungsschicht ist, vorzugsweise das 1,2- bis 2,5- fache der Dicke der Aufzeichnungsschicht. Wenn eine Zwischenschicht vorhanden ist, die später beschrieben wird, ist es bevorzugt, daß die Dicke der Hilfsschicht ungefähr das 1,0- bis 2-fache der Dicke der Aufzeichnungsschicht beträgt.
Zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Hilfsschicht kann eine Zwischenschicht zum Einstellen der Magnetwandenergie vorhanden sein. Für die Zwischenschicht wird ein magnetisches Material wie GdFeCo, FeCo usw. oder ein dielektrisches Material wie ein Nitrid eines Metalls usw., ein Oxid eines Metalls usw. verwendet. Es ist bevorzugt, daß die Zwischenschicht eine rechtwinklige magnetische Anisotropie aufweist, die kleiner als die der Aufzeichnungsschicht und der Hilfsschicht ist, und die Dicke der Zwischenschicht beträgt vorzugsweise ungefähr 30 bis 100 Å. Die Zwischenschicht kann; nach der Herstellung der Aufzeichnungsschicht, dadurch hergestellt werden, daß die Oberfläche der Aufzeichnungsschicht mit N&sub2; oder O&sub2; behandelt wird.
Bei der Erfindung ist auf der Hilfsschicht eine Wärmesenkeschicht vorhanden. Die Aufgabe der Wärmesenkeschicht besteht darin, die durch einen Aufzeichnungsstrahl erzeugte Wärme zu verteilen, um dadurch die Wärmeverteilung im Strahlfleck zu verringern. Das Vorliegen der Wärmesenkeschicht kann den Effekt vermeiden, daß das Zentrum eines Strahlflecks beim Aufzeichnen mit PL in den Zustand mit PH gebracht wird. Daher ermöglicht es die Wärmesenkeschicht, ein Medium mit kleiner Differenz zwischen TC1 und TC2 zu verwenden, und demgemäß kann PH verringert werden. Wenn die Wärmesenkeschicht vorhanden ist, kann ferner die beim Aufzeichnen mit PH erzeugte Wärme diffundieren, so daß der Einfluß der Wärme beim Aufzeichnen mit PL verringert ist, und es kann eine größere Leistungstoleranz für PL realisiert werden.
Für die Wärmesenkeschicht wird z. B. ein Metall mit einer Wärmeleitfähigkeit über der der Hilfsschicht, wie Au, Ag, Cu und Al, verwendet, oder es kann vorzugsweise eine Legierung aus diesem Metall und einem Zusatzmetall wie Ta, Ti, Mg, Si, Pt usw. verwendet werden. Unter diesen ist Al oder eine Legierung auf Al-Basis bevorzugt. Die Wärmeleitfähigkeit der Wärmesenkeschicht ist vorzugsweise mindestens das Zweifache der Wärmeleitfähigkeit der Aufzeichnungs-Hilfsschicht, und bevorzugter liegt sie zwischen 40 und 300 Wm&supmin;¹K&supmin;¹.
Die Dicke der Wärmesenkeschicht beträgt von 100 bis 2000 Å, vorzugsweise von 200 bis 1000 Å. Wenn die Wärmesenkeschicht Al enthält, beträgt die Dicke vorzugsweise zwischen 100 und 500 Å, bevorzugter zwischen 200 und 500 Å.
Je höher die Wärmeleitfähigkeit der Wärmesenkeschicht ist und je größer die Dicke ist, um so wirkungsvoller ist die Wärmesenkeschicht hinsichtlich einer Vergrößerung der Leistungstoleranz, jedoch wird gleichzeitig die Empfindlichkeit schlechter. Daher ist es bevorzugt, daß die Wärmeleitfähigkeit und die Dicke der Wärmesenkeschicht der folgenden Beziehung genügen:
1,5 x 10&supmin;&sup6; < k x d < 1,2 x 10&supmin;&sup5;.
bevorzugter:
2,4 x 10&supmin;&sup6; < k x d < 7,2 x 10&supmin;&sup6;,
wobei k die Wärmeleitfähigkeit (Wm&supmin;¹K&supmin;¹) der Wärmesenkeschicht ist, d die Dicke (m) der Wärmesenkeschicht ist und der Term k x d die Wärmemenge repräsentiert, die in der Zeiteinheit durch die Wärmesenkeschicht übertragen wird.
Zwischen dem Substrat und der Aufzeichnungsschicht kann eine Wechselwirkungsschicht vorhanden sein. Die Wechselwirkungsschicht ist eine Schicht zum Verringern der Reflexion einfallenden Lichts, um dadurch die Empfindlichkeit und das T/R-Verhältnis zu erhöhen. Die Wechselwirkungsschicht wird unter Verwendung eines transparenten, dielektrischen Materials mit hohem Brechungsindex, z. B. Si&sub3;N&sub4;, AlN, Ta&sub2;O&sub2;, TiO&sub2; oder ZnS hergestellt.
Auf der Wärmesenkeschicht kann eine Schutzschicht vorhanden sein. Als Schutzschicht wird vorzugsweise ein stabiles dielektrisches Material wie Si&sub3;N&sub4;, AlN, Ta&sub2;O&sub5;, Al&sub2;O&sub3;, TiO&sub2; usw. verwendet.
Jede der obenangegebenen Schichten wird durch einen physikalischen Dampfniederschlagungs(PVD)-Prozeß wie Sputtern oder durch einen chemischen Dampfniederschlagungs(CVD)-Prozeß wie Plasma-CVD auf dem Substrat hergestellt.
Die Herstellung der magnetooptischen Aufzeichnungsschicht, der Hilfsschicht, der Wärmesenkeschicht und der Schutzschicht durch einen PVD-Prozeß wird im allgemeinen unter Verwendung eines Targets mit vorgegebener Zusammensetzung ausgeführt, um jede der Schichten durch Elektronenstrahl- Dampfniederschlagung oder durch Sputtern auf dem Substrat abzuscheiden. Auch kann an die Verwendung von Ionenplatierung gedacht werden.
Wenn die Abscheidungsrate eines Films zu hoch ist, nehmen die Spannungen im Film zu, wohingegen eine zu niedrige Abscheidungsrate einen nachteiligen Effekt auf die Produktivität hat. Demgemäß beträgt die Abscheidungsrate im allgemeinen ungefähr 0,1 bis 1000 Å/Sek.

Beste Art zum Ausführen der Erfindung

Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele detaillierter erläutert. Es ist jedoch zu beachten, daß die Erfindung nur insoweit durch die Beispiele beschränkt ist, als andernfalls der Schutzumfang der Erfindung überschritten würde.

BEISPIEL 1

Ein Polycarbonatsubstrat mit einem Durchmesser von 130 mm wurde in eine Sputtervorrichtung mit zwei Filmherstellkammern eingesetzt. Die Kammer mit dem darin eingesetzten Substrat wurde als erstes auf einen Unterdruck von unter 3 x 10&supmin;&sup7; Torr evakuiert. Dann wurde reaktives Sputtern unter Verwendung eines Mischgases aus Ar und O&sub2; mit einem Ta-Target ausgeführt, um eine 800 Å dicke Wechselwirkungsschicht aus Ta&sub2;O&sub5; herzustellen.
Nachdem das Substrat in die andere Kammer verstellt war, die auf ein Vakuum unter 2 x 10&supmin;&sup7; Torr evakuiert wurde, wurde Ar mit einer Rate von 100 sccm bei einem Druck von 4 mTorr eingeleitet. Unter gleichzeitigem Verwenden von Tb und Fe&sub9;&sub5;Co&sub5; (Atom-%, dasselbe gilt nachfolgend) als Targets wurde ein Sputtervorgang ausgeführt, um eine 500 Å dicke Aufzeichnungsschicht mit der Zusammensetzung Tb&sub1;&sub9;(Fe&sub9;&sub5;Co&sub5;)&sub8;&sub1; (Curietemperatur von 175ºC, Koerzitivfeldstärke bei Raumtemperatur von ungefähr 15 kOe und Wärmeleitfähigkeit von 18 Wm&supmin;¹K&supmin;¹) herzustellen. Anschließend wurde Sputtern unter gleichzeitigem Verwenden von Dy und Fe&sub7;&sub0;Co&sub3;&sub0; als Targets ausgeführt, um eine 1500 Å dicke Hilfsschicht mit der Zusammensetzung Dy&sub3;&sub0;(Fe&sub7;&sub0;Co&sub3;&sub0;)&sub7;&sub0; (Curietemperatur von 230ºC, Koerzitivfeldstärke bei Raumtemperatur von 2,2 kOe und Wärmeleitfähigkeit von 16 Wm&supmin;¹K&supmin;¹ herzustellen.
Das Substrat wurde in die erste Kammer versetzt, und unter Verwendung eines Al-Targets wurde eine 500 Å dicke Wärmesenkeschicht (Wärmeleitfähigkeit: 240 Wm&supmin;¹K&supmin;¹) hergestellt. Es wurden die Eigenschaften der so erhaltenen Platte untersucht. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 dargestellt. Die Messungen wurden unter den folgenden Bedingungen ausgeführt: Initialisierungsmagnetfeld (Hini) von 6 kOe, Aufzeichnungsmagnetfeld (Hb) von 300 Oe, Aufzeichnungsfrequenz von 7,4 MHz, Drehzahl von 3600 U/Min., Aufzeichnungsimpulsbreite (Tw) von 60 ns und Meßposition (R: Abstand vom Zentrum der Platte) von 30 mm, um jeden Leistungswert (PL, PH) zu bestimmen, bei dem das maximale T/R-Verhältnis erzielt wurde.

BEISPIEL 2

Der Ablauf bis zur Herstellung der Hilfsschicht wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 wiederholt, und dann wurde eine 300 Å dicke Ta&sub2;O&sub5;-Schicht auf eine Weise ähnlich der der Herstellung der Wechselwirkungsschicht als dielektrische Schicht hergestellt. Dann wurde eine 500 Å dicke Al-Wärmesenkeschicht (Wärmeleitfähigkeit: 240 Wm&supmin;¹K&supmin;¹) hergestellt. Die Ta&sub2;O&sub5;-Schicht hatte die Funktion der Einstellung der Wärmeleitungsrate zur Wärmesenkeschicht. Die Eigenschaften der so erhaltenen Platte sind in der Tabelle 1 dargestellt.

VERGLEICHSBEISPIEL 1

Der Ablauf bis zur Herstellung der Hilfsschicht wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 wiederholt. Es wurde keine Wärmesenkeschicht hergestellt, jedoch wurde zum Verhindern von Oxidation eine 800 Å dicke Schutzschicht aus Ta&sub2;O&sub5; mit einer Wärmeleitfähigkeit unter der der Hilfsschicht hergestellt. Die Eigenschaften der so erhaltenen Platte sind in Tabelle 1 dargestellt.

VERGLEICHSBEISPIEL 2

Eine Platte wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß eine 1500 Å dicke Schicht aus Tb&sub3;&sub2; mit einer Curietemperatur von 275ºC, einer Koerzitivfeldstärke bei Raumtemperatur von 2,0 kOe und einer Wärmeleitfähigkeit von 18 Wm&supmin;¹K&supmin;¹ als Hilfsschicht verwendet wurde. Die Eigenschaften der so erhaltenen Platte sind in Tabelle 1 dargestellt. Tabelle 1
Wie es in der Tabelle 1 dargestellt ist, konnten, wo die Hilfsschicht verwendet war, alle obigen Platten mit Ausnahme der Platte des Vergleichsbeispiels 2 eine Aufzeichnung mit einer Leistung PH unter 10 mW für R = 30 mm ausführen, und zwar selbst bei einer Drehzahl von 3600 U/Min. Jedoch zeigte die Platte des Vergleichsbeispiels 1 im zentralen Abschnitt des Strahlflecks beim Aufzeichnen mit PL eine übermäßig hohe Temperatur, und im Ergebnis war das T/R-Verhältnis niedrig. Ferner erforderte die Platte des Vergleichsbeispiels 2 eine Leistung PH von mehr als 11 mW.
Im Gegensatz zum Obigen führten die Platten der Beispiele 1 und 2 bei niedrigen Werten PH zu für den praktischen Gebrauch zufriedenstellenden T/R-Verhältnissen.

VERGLEICHSBEISPIEL 3 und BEISPIELE 3(a) - 3(d)

Der Ablauf bis zur Herstellung der Hilfsschicht wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 wiederholt, und dann wurde als Schutzschicht eine Ta&sub2;O&sub5;-Schicht (300 Å dick) hergestellt, um eine magnetooptische Platte zu erhalten (Vergleichsbeispiel 3).
Nachdem die so erhaltene Platte Messungen hinsichtlich der Eigenschaften unterzogen worden war, wurde sie erneut in die Sputtervorrichtung eingesetzt, um auf der Schutzschicht eine 100 Å dicke Al-Schicht herzustellen, gefolgt von Messungen der Eigenschaften (Beispiel 3(a)).
Es wurden magnetooptische Platten erhalten und Messungen wurden auf dieselbe Weise wie oben ausgeführt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der Al-Schicht auf 300 Å (Beispiel 3(b)), 500 Å (Beispiel 3(c)) bzw. 1000 Å (Beispiel 3(d)) geändert wurde.
Die Ergebnisse sind in der Tabelle 2 dargestellt. Tabelle 2

Meßbedingungen:

R = 30 mm, 1800 U/Min., f (Aufzeichnungsfrequenz) = 1,4 MHz und 3,7 MHz, Tw (Aufzeichnungsimpulsbreite) = 90 ns, Hini = 6 kOe, Hb = 100 Oe.

PH und PL:

Leistungswerte, bei denen die beiden Erfordernisse T/R-Verhältnis von 45 dB oder höher und ΔT/R von 20 dB oder niedriger bei beiden Aufzeichnungsfrequenzen von 1,4 MHz und 3,7 MHz erfüllt sind.
ΔT/R repräsentiert die Restgröße des ursprünglichen Signals, wenn ein Aufzeichnungsvorgang bei 1,4 MHz und ein Überschreiben bei 3,7 MHz erfolgte, und wenn ein Aufzeichnungsvorgang bei 3,7 MHz und Überschreiben bei 1,4 MHz erfolgte.
Beim Vergleichsbeispiel 3 wurde zwar ein T/R-Verhältnis von mehr als 45 dB erhalten, jedoch wich der Wert PL zum Erzielen eines hohen T/R-Verhältnisses bei 1,4 MHz von dem bei 3,7 MHz ab, und es existierte kein Wert PL, bei dem beide Erfordernisse, also ein T/R-Verhältnis von 45 dB oder höher und ein Wert ΔT/R von 20 dB oder weniger, bei beiden Frequenzen erfüllt waren. Andererseits existierte bei jedem der Beispiele 3(a) bis 3(d) ein Bereich für PL, in dem beide Erfordernisse, also ein T/R-Verhältnis von 45 dB oder höher und ein Wert ΔT/R von 20 dB oder niedriger, erfüllt waren. Insbesondere dann, wenn die Dicke der Wärmesenkeschicht (Al- Schicht) groß ist, kann eine große Toleranz erzielt werden. Z. B. führte das Beispiel 3(d) zu einer Toleranz von 3,8 bis 6,6 mW.

BEISPIEL 4

Der Ablauf bis zur Herstellung der Ta&sub2;O&sub5;-Schutzschicht wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 3 wiederholt, und dann wurde auf der Schutzschicht eine 1000 Å dicke Wärmesenkeschicht aus Al&sub9;&sub7;T&sub3; hergestellt, um eine magnetooptische Platte zu erhalten. Die Wärmeleitfähigkeit der Wärmesenkeschicht betrug 55 Wm&supmin;¹K&supmin;¹. Wenn die Platte Messungen bei denselben Bedingungen wie beim Beispiel 3 unterzogen wurde, waren die Werte PH und PL, die die beiden Erfordernisse, also ein T/R-Verhältnis von 45 dB oder höher und einen Wert ΔT/R von 20 dB oder niedriger, erfüllten, 9 mW bzw. 3,4 - 4,2 mW.

Industrielle Anwendbarkeit

Gemäß der Erfindung kann ein überschreibbares magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit hoher Empfindlichkeit und hohem T/R-Verhältnis erhalten werden.

Claims

1. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, das überschrieben werden kann und das folgendes aufweist: ein Substrat, eine auf dem Substrat vorhandene magnetooptische Aufzeichnungsschicht und eine auf dieser magnetooptischen Aufzeichnungsschicht vorhandene Aufzeichnungs-Hilfsschicht; wobei die magnetooptische Aufzeichnungsschicht eine Curietemperatur TC1 und eine Koerzitivfeldstärke HC1 bei Raumtemperatur aufweist, die Aufzeichnungs-Hilfsschicht eine Curietemperatur TC2 und eine Koerzitivfeldstärke HC2 bei Raumtemperatur aufweist und wobei die Werte TC1, TC2, HC1 und HC2 den folgenden Beziehungen genügen:

TC1 < TC2,

HC1 > HC2, gekennzeichnet durch

- eine Wärmesenkeschicht, die auf derjenigen Seite der Aufzeichnungs-Hilfsschicht vorhanden ist, die der dem Substrat zugewandten Seite abgewandt ist, und die eine Wärmeleitfähigkeit über derjenigen der Aufzeichnungs-Hilfsschicht aufweist; und daß TC1 im Bereich von 120 bis 200ºC liegt.

2. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, bei dem die Wärmesenkeschicht aus Al oder einer Legierung auf Al-Basis besteht.

3. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem die Wärmeleitfähigkeit der Wärmesenkeschicht nicht kleiner als das Doppelte der Wärmeleitfähigkeit sowohl der Aufzeichnungsschicht als auch der Aufzeichnungs-Hilfsschicht beträgt.

4. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, bei dem die Wärmeleitfähigkeit der Wärmesenkeschicht im Bereich von 40 bis 300 Wm&supmin;¹K&supmin;¹ liegt.

5. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1, 2, 3 oder 4, bei dem die Aufzeichnungsschicht aus einer amorphen Legierung aus einem Seltenerdmetall und einem Übergangsmetall besteht, wobei die Legierung leicht rechtwinklig magnetisiert werden kann.

6. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Wärmesenkeschicht dem folgenden Ausdruck genügt:

1,6 x 10&supmin;&sup6; < k x d < 1,2 x 10&supmin;&sup5;,

wobei k die Wärmeleitfähigkeit (Wm&supmin;¹K&supmin;¹) der Wärmesenkeschicht ist und d die Dicke (m) derselben ist.

7. Verfahren für überschreibendes Aufzeichnen unter Verwendung des magnetooptischen Aufzeichnungsmediums nach einem der vorstehenden Ansprüche, mit den folgenden Schritten: Anlegen eines Initialisierungsmagnetfelds (Hini) über HC&sub2; an das Aufzeichnungsmedium, um die rechtwinklige Magnetisierung der Aufzeichnungs-Hilfsschicht in dieselbe Richtung auszurichten, und Bestrahlen des Aufzeichnungsmediums mit einem Lichtstrahl, der so moduliert ist, daß er zwei Leistungswerte, nämlich eine hohe Leistung (PH) und eine niedrige Leistung (PL) aufweist, wshrend ein Vormagnetisierungsfeld an das Aufzeichnungsmedium angelegt wird.