JP2630976B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 すでに情報記録されている媒体面上に重ね書きが可能
な光磁気記録媒体に関し、 磁石類を全く必要とせず、光変調のみで簡単かつ高速
に重ね書きできる光磁気記録媒体を実現することを目的
とし、 光磁気記録用媒体で、互いに交換相互作用により結合
する多層膜を用いる構成において、 光磁気記録用媒体で、互いに交換相互作用により結合
する多層膜を用いる構成において、 第一層は記録／再生のためのメモリ層、第二層は書込
みを補助するための補助層、第三層は補助層を初期化す
るための初期化層である媒体とし、外部補助磁界を用い
ず、書込み光の強弱のみで重ね書きできるように構成す
る。
な光磁気記録媒体に関し、 磁石類を全く必要とせず、光変調のみで簡単かつ高速
に重ね書きできる光磁気記録媒体を実現することを目的
とし、 光磁気記録用媒体で、互いに交換相互作用により結合
する多層膜を用いる構成において、 光磁気記録用媒体で、互いに交換相互作用により結合
する多層膜を用いる構成において、 第一層は記録／再生のためのメモリ層、第二層は書込
みを補助するための補助層、第三層は補助層を初期化す
るための初期化層である媒体とし、外部補助磁界を用い
ず、書込み光の強弱のみで重ね書きできるように構成す
る。
本発明は、すでに情報記録されている媒体面上に重ね
書きが可能な光磁気記録媒体に関する。
書きが可能な光磁気記録媒体に関する。
特開昭62−217402号公報や特開昭62−219203号公報な
どに記載されているように、光磁気記録装置（光磁気デ
ィスク装置）において、重ね書き（オーバーライト）
を、主に光変調あるいは光変調＋永久磁石によって達成
する方式が知られている。この方式は、光の強弱によっ
て“0"“1"の情報を重ね書きできるため、磁界変調によ
る方式に比べて、書き込みの高速化が容易である。
どに記載されているように、光磁気記録装置（光磁気デ
ィスク装置）において、重ね書き（オーバーライト）
を、主に光変調あるいは光変調＋永久磁石によって達成
する方式が知られている。この方式は、光の強弱によっ
て“0"“1"の情報を重ね書きできるため、磁界変調によ
る方式に比べて、書き込みの高速化が容易である。
第７図は従来の二層膜式の光変調＋永久磁石式の光磁
気記録媒体であり、（ｂ）に示すように、ガラス基板１
の裏面に、メモリ層Ｉが成膜され、その表面に補助層II
が成膜されている。
気記録媒体であり、（ｂ）に示すように、ガラス基板１
の裏面に、メモリ層Ｉが成膜され、その表面に補助層II
が成膜されている。
（ａ）に示すように、メモリ層Ｉは、保持力はHc1と
大きいが、キュリー温度がTc1と低い。補助層IIは、逆
に保持力はHc2と小さいが、キュリー温度がTc2と高い。
大きいが、キュリー温度がTc1と低い。補助層IIは、逆
に保持力はHc2と小さいが、キュリー温度がTc2と高い。
いま光磁気記録媒体が矢印で示すように、左向きに回
転しているものとすると、初期化用の永久磁石Miより前
に、書込み用の永久磁石Mwが配置されている。そのた
め、書込み用の永久磁石Mwによって書込みが行なわれる
前に、初期化用永久磁石Miによって、補助層IIが上向き
（“0"）に磁化される。
転しているものとすると、初期化用の永久磁石Miより前
に、書込み用の永久磁石Mwが配置されている。そのた
め、書込み用の永久磁石Mwによって書込みが行なわれる
前に、初期化用永久磁石Miによって、補助層IIが上向き
（“0"）に磁化される。
このとき、補助層IIは保持力がHc2と小さく、メモリ
層Ｉは保持力がHc1と大きいために、補助層IIの上向き
磁化によって、メモリ層Ｉの磁化の方向が反転したりす
ることはない。
層Ｉは保持力がHc1と大きいために、補助層IIの上向き
磁化によって、メモリ層Ｉの磁化の方向が反転したりす
ることはない。
次に情報の“1"を書込むには、光ビーム２を照射し
て、メモリ層Ｉのキュリー温度Tc1より高い温度まで加
熱する。その結果、メモリ層Ｉは磁化が消滅する。この
温度は、補助層IIのキュリー温度Tc2よりは低いため、
補助層IIは、書込み用の永久磁石Mwによって、情報の
“1"（下向き）方向の磁界を印加することで、下向き即
ち“1"方向に磁化される。次いで光ビーム２の照射が終
了し、温度が低下するため、メモリ層Ｉはキュリー温度
Tc1以下に温度低下し、補助層IIによって下向きに磁化
（転写）され、メモリ層Ｉに情報の“1"が書込まれるこ
とになる。
て、メモリ層Ｉのキュリー温度Tc1より高い温度まで加
熱する。その結果、メモリ層Ｉは磁化が消滅する。この
温度は、補助層IIのキュリー温度Tc2よりは低いため、
補助層IIは、書込み用の永久磁石Mwによって、情報の
“1"（下向き）方向の磁界を印加することで、下向き即
ち“1"方向に磁化される。次いで光ビーム２の照射が終
了し、温度が低下するため、メモリ層Ｉはキュリー温度
Tc1以下に温度低下し、補助層IIによって下向きに磁化
（転写）され、メモリ層Ｉに情報の“1"が書込まれるこ
とになる。
“0"を書込むには、光ビーム２の強度を弱くし、メモ
リ層Ｉのキュリー温度Tc1と常温TAとの中間の温度で加
熱する。すると、補助層IIの保持力Hc2が、書込み用の
永久磁石Mwによるバイアス磁界HBより大きいために、補
助層IIの上向き磁界が消滅することはなく、光ビーム２
の照射が終了して温度低下し、かつ書込み用の永久磁石
Mwが通ざかると、補助層IIの上向き磁界によって、メモ
リ層Ｉも上向きに磁化され、情報の“0"が書込まれるこ
とになる。
リ層Ｉのキュリー温度Tc1と常温TAとの中間の温度で加
熱する。すると、補助層IIの保持力Hc2が、書込み用の
永久磁石Mwによるバイアス磁界HBより大きいために、補
助層IIの上向き磁界が消滅することはなく、光ビーム２
の照射が終了して温度低下し、かつ書込み用の永久磁石
Mwが通ざかると、補助層IIの上向き磁界によって、メモ
リ層Ｉも上向きに磁化され、情報の“0"が書込まれるこ
とになる。
しかしながら、このような構成では、初期化用の永久
磁石Miと書込み用の永久磁石Mwが必要となり、特に両面
記録媒体においては、実装が困難である。また小型化の
妨げとなる。
磁石Miと書込み用の永久磁石Mwが必要となり、特に両面
記録媒体においては、実装が困難である。また小型化の
妨げとなる。
そこで、光磁気記録媒体の磁化の反転を光のみで達成
し、かつ重ね書きを可能とする方式が試みられている。
し、かつ重ね書きを可能とする方式が試みられている。
例えば、第８図に示すように、補償点記録型の媒体を
用いた単層膜によるオーバーライト方式が提案されてい
る（A.P.L49（８）,25,P473,1986）が、書き込みに先立
って、書かれている情報を読出す必要があり、書込み動
作が複雑となる。
用いた単層膜によるオーバーライト方式が提案されてい
る（A.P.L49（８）,25,P473,1986）が、書き込みに先立
って、書かれている情報を読出す必要があり、書込み動
作が複雑となる。
補償点記録型の媒体は、メモリ層を、補償点記録型ア
モルファス膜で構成し、反磁場による磁化反転を利用す
るものである。第８図において、（イ）は情報を書込み
の動作を順次示し、（ロ）はそのときの磁化の変化を示
す。補償点記録型の媒体は、希土類金属と遷移金属から
成り、中抜きの矢印は遷移金属による磁化の向きを、そ
の左側の実線の矢印は希土類金属による磁化の向きを示
す。
モルファス膜で構成し、反磁場による磁化反転を利用す
るものである。第８図において、（イ）は情報を書込み
の動作を順次示し、（ロ）はそのときの磁化の変化を示
す。補償点記録型の媒体は、希土類金属と遷移金属から
成り、中抜きの矢印は遷移金属による磁化の向きを、そ
の左側の実線の矢印は希土類金属による磁化の向きを示
す。
第９図はこのメモリ層の磁気特性で、（ａ）は温度と
保持力との関係、（ｂ）は温度と飽和磁化との関係であ
る。補償点温度Tcompにおいては、中抜きの矢印と実線
矢印とが逆向きにかつ同じ強さで結合しているため、見
かけ上、外部に対しては磁界はゼロとなる。補償点温度
Tcompより低い温度においては、例えば上向きに磁化し
ているとすると、補償点温度Tcompより高い温度におい
ては、逆に下向きに磁化する、という特性を有する。
保持力との関係、（ｂ）は温度と飽和磁化との関係であ
る。補償点温度Tcompにおいては、中抜きの矢印と実線
矢印とが逆向きにかつ同じ強さで結合しているため、見
かけ上、外部に対しては磁界はゼロとなる。補償点温度
Tcompより低い温度においては、例えば上向きに磁化し
ているとすると、補償点温度Tcompより高い温度におい
ては、逆に下向きに磁化する、という特性を有する。
この媒体において、下向きに磁化して“1"を書込む動
作を説明する。いま第８図（ａ）に示すように、補償点
温度Tcompより低い室温Ｔにおいては、総て上向きに磁
化している。
作を説明する。いま第８図（ａ）に示すように、補償点
温度Tcompより低い室温Ｔにおいては、総て上向きに磁
化している。
この状態において、光ビーム２を照射し、温度を上昇
させると、補償点温度Tcompにおいては、磁化がゼロと
なり、さらに温度上昇すると、（ｂ）のように、上向き
の磁化が弱まり、下向きの磁化が強くなる。
させると、補償点温度Tcompにおいては、磁化がゼロと
なり、さらに温度上昇すると、（ｂ）のように、上向き
の磁化が弱まり、下向きの磁化が強くなる。
そして更に温度上昇し、第９図（ａ）におけるキュリ
ー温度Tc2に達すると、保持力がゼロとなり、このとき
自身の反磁界によって磁界の向きが反転し、（ｃ）のよ
うに上向き状態となる。
ー温度Tc2に達すると、保持力がゼロとなり、このとき
自身の反磁界によって磁界の向きが反転し、（ｃ）のよ
うに上向き状態となる。
光ビーム２の照射が終了し、温度低下すると、補償点
温度Tcompを通過する際に、再び反転し、（ｄ）の状態
で安定する。
温度Tcompを通過する際に、再び反転し、（ｄ）の状態
で安定する。
光ビーム２による加熱を、補償点温度Tcompより低い
温度とすれば、磁化反転しないため、“0"を書込むこと
ができる。
温度とすれば、磁化反転しないため、“0"を書込むこと
ができる。
このように、この方式は、磁石を使用しないで情報の
書込みを行なうことができる。
書込みを行なうことができる。
これに対し、第10図に示す交換結合型二層膜による重
ね書き方式が、現在最も進んだものと考えられてい
る（'87年応物28P−ZL−３）。すなわち、メモリ層Ｉと
補助層IIから成る二層構成であるが、補助層IIとして前
記の補償点記録型の材料を使用している。メモリ層Ｉの
磁気特性を示すと、第９図のようになる。この方式で
は、この補償層IIも、前記のように反磁場により磁化反
転するため、書込み用の永久磁石Mwが不必要となる。し
かしながら、この方式は、補助層の初期化（一方向に磁
化する）に磁石Miが必要である。
ね書き方式が、現在最も進んだものと考えられてい
る（'87年応物28P−ZL−３）。すなわち、メモリ層Ｉと
補助層IIから成る二層構成であるが、補助層IIとして前
記の補償点記録型の材料を使用している。メモリ層Ｉの
磁気特性を示すと、第９図のようになる。この方式で
は、この補償層IIも、前記のように反磁場により磁化反
転するため、書込み用の永久磁石Mwが不必要となる。し
かしながら、この方式は、補助層の初期化（一方向に磁
化する）に磁石Miが必要である。
このように磁石が存在すると、光磁気記録媒体の両面
から光ビームを照射して、両面媒体記録として使用する
ことが困難になり、両面記録媒体から成る高密度記録の
光磁気ディスク装置を実現することができない。
から光ビームを照射して、両面媒体記録として使用する
ことが困難になり、両面記録媒体から成る高密度記録の
光磁気ディスク装置を実現することができない。
本発明の技術的課題は、従来の光磁気記録媒体におけ
るこのような問題を解消し、磁石類を全く必要とせず、
光変調のみで簡単かつ高速に重ね書きできる光磁気記録
媒体を実現することにある。
るこのような問題を解消し、磁石類を全く必要とせず、
光変調のみで簡単かつ高速に重ね書きできる光磁気記録
媒体を実現することにある。
本発明に係る光磁気記録媒体は、光磁気記録用媒体
で、互いに交換相互作用により結合する多層膜を用いる
構成において、第一層Ｉは記録／再生のためのメモリ層
Ｉ、第二層IIは補償温度がメモリ層Ｉのキュリー温度よ
り高く、室温で保磁力がメモリ層Ｉの保磁力より小さく
した書込みを補助するための補助層II、第三層IIIはキ
ュリー温度がメモリ層Ｉ及び補助層IIのキュリー温度よ
り高く、使用温度範囲内で保磁力がメモリ層Ｉ及び補助
層IIの保磁力より十分大きくした補助層IIを初期化する
ための初期化層IIIである媒体とし、かつ補助層IIと初
期化層IIIとの間に、キュリー温度が補助層IIのキュリ
ー温度より低い結合膜（結合膜）を介在させ、外部補助
磁界を用いず、書込み光の強弱のみで重ね書き可能とし
たものである。
で、互いに交換相互作用により結合する多層膜を用いる
構成において、第一層Ｉは記録／再生のためのメモリ層
Ｉ、第二層IIは補償温度がメモリ層Ｉのキュリー温度よ
り高く、室温で保磁力がメモリ層Ｉの保磁力より小さく
した書込みを補助するための補助層II、第三層IIIはキ
ュリー温度がメモリ層Ｉ及び補助層IIのキュリー温度よ
り高く、使用温度範囲内で保磁力がメモリ層Ｉ及び補助
層IIの保磁力より十分大きくした補助層IIを初期化する
ための初期化層IIIである媒体とし、かつ補助層IIと初
期化層IIIとの間に、キュリー温度が補助層IIのキュリ
ー温度より低い結合膜（結合膜）を介在させ、外部補助
磁界を用いず、書込み光の強弱のみで重ね書き可能とし
たものである。
また、メモリ層Ｉはキュリー点記録媒体、補助層IIは
補償点記録媒体であるものである。
補償点記録媒体であるものである。
また、メモリ層Ｉとして、TbFe、DyTbFe、DyFe、TbFe
Co、DyTbFeCo、TbCo、DyTbCoの何れかを用い、補助層II
として、GdFe、GdFeCo、GdCo、GdTbFeCo、GdTbFeの何れ
かを用いるものである。
Co、DyTbFeCo、TbCo、DyTbCoの何れかを用い、補助層II
として、GdFe、GdFeCo、GdCo、GdTbFeCo、GdTbFeの何れ
かを用いるものである。
また、ディスク上に媒体材料を成膜後、初期化層III
を膜面と垂直に一方向に着磁してなることものである。
を膜面と垂直に一方向に着磁してなることものである。
本発明によれば、第一層Ｉのメモリ層Ｉにより、記録
／再生し、補償温度がメモリ層Ｉのキュリー温度より高
く、室温で保磁力がメモリ層Ｉの保磁力より小さくした
第二層IIの補助層IIにより、書込みを補助し、キュリー
温度がメモリ層Ｉ及び補助層IIのキュリー温度より高
く、使用温度範囲内で保磁力がメモリ層Ｉ及び補助層II
の保磁力より十分大きくした第三層IIIの初期化層IIIに
より、補助層IIを初期化し、かつ補助層IIと初期化層II
Iとの間に、キュリー温度が補助層IIのキュリー温度よ
り低い結合膜（結合層）を介在させ、外部補助磁界を用
いず、書込み光の強弱のみで重ね書き可能とした。
／再生し、補償温度がメモリ層Ｉのキュリー温度より高
く、室温で保磁力がメモリ層Ｉの保磁力より小さくした
第二層IIの補助層IIにより、書込みを補助し、キュリー
温度がメモリ層Ｉ及び補助層IIのキュリー温度より高
く、使用温度範囲内で保磁力がメモリ層Ｉ及び補助層II
の保磁力より十分大きくした第三層IIIの初期化層IIIに
より、補助層IIを初期化し、かつ補助層IIと初期化層II
Iとの間に、キュリー温度が補助層IIのキュリー温度よ
り低い結合膜（結合層）を介在させ、外部補助磁界を用
いず、書込み光の強弱のみで重ね書き可能とした。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の基本原理を説
明する図である。本発明の光磁気記録媒体は、３層構造
になっており、第一層めは記録／再生用のメモリ層Ｉ、
第二層めは、書込みを補助するための補助層II、第三層
めは、補助層IIを初期化するための初期化層IIIであ
る。そして各層間は、互いに交換相互作用により結合
し、多層膜を形成している。また初期化層IIIは、予め
着磁された高保持力層となっている。
明する図である。本発明の光磁気記録媒体は、３層構造
になっており、第一層めは記録／再生用のメモリ層Ｉ、
第二層めは、書込みを補助するための補助層II、第三層
めは、補助層IIを初期化するための初期化層IIIであ
る。そして各層間は、互いに交換相互作用により結合
し、多層膜を形成している。また初期化層IIIは、予め
着磁された高保持力層となっている。
従来の二層膜は、第７図に示すようにキュリー点型記
録の二層膜である。またこれを改良してなる第８図の光
磁気記録媒体は、メモリ層（情報の保持、読み出し層）
をキュリー点記録媒体、補助層（情報の書き込み層）を
補償点記録型媒体としたもので、補償点記録媒体では、
磁界をかけずに磁化反転できるという特徴を有してい
る。また第10図の光磁気記録媒体は、補償点記録型の媒
体の思想を応用することで、書込み用の永久磁石を不必
要としている。
録の二層膜である。またこれを改良してなる第８図の光
磁気記録媒体は、メモリ層（情報の保持、読み出し層）
をキュリー点記録媒体、補助層（情報の書き込み層）を
補償点記録型媒体としたもので、補償点記録媒体では、
磁界をかけずに磁化反転できるという特徴を有してい
る。また第10図の光磁気記録媒体は、補償点記録型の媒
体の思想を応用することで、書込み用の永久磁石を不必
要としている。
これに対し、本発明は、さらに第三層めとして、補助
層IIと交換結合した高保磁力膜IIIを付加することによ
り、補助層IIの初期化を行なうものである。
層IIと交換結合した高保磁力膜IIIを付加することによ
り、補助層IIの初期化を行なうものである。
第２図は、本発明の光磁気記録媒体の各層の磁気特
性、特に第一層および第二層目の保磁力Hcの温度特性を
示す。第一層めＩは情報記録層で、室温TAで保持力Hcが
大きく、キュリー温度がTc1のように小さい膜である。
性、特に第一層および第二層目の保磁力Hcの温度特性を
示す。第一層めＩは情報記録層で、室温TAで保持力Hcが
大きく、キュリー温度がTc1のように小さい膜である。
第二層めIIは、補償温度Tcomp2が一層目のキュリー温
度Tc1より高く、又室温TAで保持力Hcの小さい膜であ
る。
度Tc1より高く、又室温TAで保持力Hcの小さい膜であ
る。
第三層めIIIは、第二層めIIを室温TAで初期化する層
で、キュリー温度Tcが高く、しかも使用温度範囲内で保
持力Hcが十分大きい垂直磁化膜である。なお第三層めII
Iは、媒体作製後、一方向に磁化するように着磁するこ
とで形成される。
で、キュリー温度Tcが高く、しかも使用温度範囲内で保
持力Hcが十分大きい垂直磁化膜である。なお第三層めII
Iは、媒体作製後、一方向に磁化するように着磁するこ
とで形成される。
第２図において、H23は、第二〜第三層間の交換結合
の強さを表わす有効磁界であり、本発明はこの有効磁界
を効果的に利用するものである。
の強さを表わす有効磁界であり、本発明はこの有効磁界
を効果的に利用するものである。
次にこの光磁気記録媒体における重ね書きの作用を、
第３図において順次説明する。レーザ加熱による温度上
昇、下降の順に重ね書き作用を説明するもので、図上手
前側ほど温度が高い。各層Ｉ、II、III中の矢印は、遷
移金属原子の磁化方向を表わす。
第３図において順次説明する。レーザ加熱による温度上
昇、下降の順に重ね書き作用を説明するもので、図上手
前側ほど温度が高い。各層Ｉ、II、III中の矢印は、遷
移金属原子の磁化方向を表わす。
（ａ）に示すように、室温TAでは、第一層めＩは記録
情報に対応し、磁化されている。第二層めIIは、室温で
Hc2＜H23であるから、第三層めIIIと結合し、上向きに
磁化されている（補助層初期化）。
情報に対応し、磁化されている。第二層めIIは、室温で
Hc2＜H23であるから、第三層めIIIと結合し、上向きに
磁化されている（補助層初期化）。
“0"（上向き）を書き込む場合は、レーザ加熱によ
り、（ｂ）の温度を越え、温度ＴをTc1＜Ｔ＜Tcompまで
仕上げる（ｃ）。
り、（ｂ）の温度を越え、温度ＴをTc1＜Ｔ＜Tcompまで
仕上げる（ｃ）。
すると一層目Ｉは、キュリー点を越えるので、磁化が
消滅するが、レーザ加熱を終了して温度がTc1以下にな
ると、第一層IIと第二層II間の交換結合により、（ｇ）
のように第一層Ｉは上向きに磁化され、“0"が書き込ま
れる（ｆ）。
消滅するが、レーザ加熱を終了して温度がTc1以下にな
ると、第一層IIと第二層II間の交換結合により、（ｇ）
のように第一層Ｉは上向きに磁化され、“0"が書き込ま
れる（ｆ）。
“1"を書き込む場合は、レーザパワーを強くして、
（ｄ）（ｅ）のように、温度をTH以上に上げる。THは、
第二層目の反磁界Hd2により、２層目IIが磁化反転を起
こす温度である。このとき、第二層、三層目に磁壁が生
じるため、磁化反転させるには、大きな反磁界が必要で
ある。（ｅ）で二層目は、下向きに磁化し、レーザ加熱
を終了すると、（ｋ）（ｊ）を通過し、温度ＴがTc1以
下になると（ｉ）、第一層めは、交換結合により、下向
きに磁化され、“1"が書かれる。温度がTL以下になると
（ｈ）、第２層IIのHcが、H23より小さくなり、第２層
目IIが初期化層IIIによって初期化される。このとき第
一層Ｉは、Hcが充分大きいため、上向きのままである。
（ｄ）（ｅ）のように、温度をTH以上に上げる。THは、
第二層目の反磁界Hd2により、２層目IIが磁化反転を起
こす温度である。このとき、第二層、三層目に磁壁が生
じるため、磁化反転させるには、大きな反磁界が必要で
ある。（ｅ）で二層目は、下向きに磁化し、レーザ加熱
を終了すると、（ｋ）（ｊ）を通過し、温度ＴがTc1以
下になると（ｉ）、第一層めは、交換結合により、下向
きに磁化され、“1"が書かれる。温度がTL以下になると
（ｈ）、第２層IIのHcが、H23より小さくなり、第２層
目IIが初期化層IIIによって初期化される。このとき第
一層Ｉは、Hcが充分大きいため、上向きのままである。
このようにして、レーザーパワーの強弱のみで“1"
“0"の情報を直接重ね書きできる。
“0"の情報を直接重ね書きできる。
次に本発明による光磁気記録媒体が実際上どのように
具体化されるかを実施例で説明する。第４図は本発明の
実施例を示す断面図で、４層構造になっている。第１
図、第３図の層構成では“1"を書き込みむ際、補助層II
と初期書層IIIの間に磁壁が生じ、補助層の磁化反転に
大きな反磁界を必要とした。これは第II、III層間の交
換結合H23が、高温まで残っていることが原因である。
この欠点を無くすために、補助層IIと初期化層IVの間に
結合層IIIを挟んで、この層IIIのキュリー温度Tcが小さ
な材料を選択しておき、高温では補助層IIと初期化層IV
間の交換結合が切れるようにしたものである。
具体化されるかを実施例で説明する。第４図は本発明の
実施例を示す断面図で、４層構造になっている。第１
図、第３図の層構成では“1"を書き込みむ際、補助層II
と初期書層IIIの間に磁壁が生じ、補助層の磁化反転に
大きな反磁界を必要とした。これは第II、III層間の交
換結合H23が、高温まで残っていることが原因である。
この欠点を無くすために、補助層IIと初期化層IVの間に
結合層IIIを挟んで、この層IIIのキュリー温度Tcが小さ
な材料を選択しておき、高温では補助層IIと初期化層IV
間の交換結合が切れるようにしたものである。
第５図はこの４層構成における各層の磁気特性を示す
図で、第Ｉ、II層の保持力Hcおよび補助層II、初期化層
III間の結合磁界H24の温度特性の例を示す。第２図の保
持力H23と比較すると、結合層IIIのキュリー温度Tc3以
上では、H24が存在せず、したがって第６図の（ｃ）
（ｄ）（ｅ）に示すように、補助層IIと初期化層IVは磁
気的に結合状態にない。
図で、第Ｉ、II層の保持力Hcおよび補助層II、初期化層
III間の結合磁界H24の温度特性の例を示す。第２図の保
持力H23と比較すると、結合層IIIのキュリー温度Tc3以
上では、H24が存在せず、したがって第６図の（ｃ）
（ｄ）（ｅ）に示すように、補助層IIと初期化層IVは磁
気的に結合状態にない。
次にこの４層構成における重ね書き作用を第６図に示
す。“0"を重ね書きする際は、第３図の場合と基本的に
同じである。“1"を重ね書きする際は、温度Tc3以上で
は結合層IIIの磁化が無くなるので、“1"を書き込む際
の反磁界による磁化反転時に、初期化層IV間に磁壁が生
じない。したがって小さな反磁界でも反転が起き、補助
層IIの磁化反転に大きな反磁界を必要としない。
す。“0"を重ね書きする際は、第３図の場合と基本的に
同じである。“1"を重ね書きする際は、温度Tc3以上で
は結合層IIIの磁化が無くなるので、“1"を書き込む際
の反磁界による磁化反転時に、初期化層IV間に磁壁が生
じない。したがって小さな反磁界でも反転が起き、補助
層IIの磁化反転に大きな反磁界を必要としない。
なお各層の材料は、メモリ層Ｉとしては、TbFe、DyTb
Fe、DyFe、TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、DyTbCoの何れかが
有効であり、補助層IIとしては、GdFe、GdFeCo、GdCo、
GdTbFeCo、、GdTbFeの何れかが有効である。
Fe、DyFe、TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、DyTbCoの何れかが
有効であり、補助層IIとしては、GdFe、GdFeCo、GdCo、
GdTbFeCo、、GdTbFeの何れかが有効である。
以上のように本発明によれば、レーザ光の強弱のみで
情報の“1"“0"を重ね書きでき、書き込みのとき、外部
磁場が必要ないので、光磁気記録媒体の両面を光磁気記
録に使用できる。また光変調のみで重ね書きできるの
で、高速化が容易である。
情報の“1"“0"を重ね書きでき、書き込みのとき、外部
磁場が必要ないので、光磁気記録媒体の両面を光磁気記
録に使用できる。また光変調のみで重ね書きできるの
で、高速化が容易である。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の基本原理を説明
する図、第２図は各層の磁気特性を示す図、第３図は情
報の重ね書き作用を説明する図、第４図は本発明の実施
例を示す図、第５図は同実施例構造における各層の磁気
特性を示す図、第６図は同実施例構造における情報の重
ね書き作用を説明する図である。 第７図は従来の二層膜重ね書き式の光磁気記録媒体を示
す図、第８図、第10図は従来の補償点記録型の媒体を示
す図、第９図は同補償点記録型媒体における各層の磁気
特性を示す図である。 図において、Ｉはメモリ層、IIは補助層、第１図、３図
におけるIIIは初期化層、第４図、第６図におけるIIIは
結合層、IVは初期化層をそれぞれ示す。
する図、第２図は各層の磁気特性を示す図、第３図は情
報の重ね書き作用を説明する図、第４図は本発明の実施
例を示す図、第５図は同実施例構造における各層の磁気
特性を示す図、第６図は同実施例構造における情報の重
ね書き作用を説明する図である。 第７図は従来の二層膜重ね書き式の光磁気記録媒体を示
す図、第８図、第10図は従来の補償点記録型の媒体を示
す図、第９図は同補償点記録型媒体における各層の磁気
特性を示す図である。 図において、Ｉはメモリ層、IIは補助層、第１図、３図
におけるIIIは初期化層、第４図、第６図におけるIIIは
結合層、IVは初期化層をそれぞれ示す。
Claims (4)
- 【請求項１】光磁気記録用媒体で、互いに交換相互作用
により結合する多層膜を用いる構成において、 第一層Ｉは記録／再生のためのメモリ層Ｉ、第二層IIは
補償温度が前記メモリ層Ｉのキュリー温度より高く、室
温で保磁力が前記メモリ層Ｉの保磁力より小さくした書
込みを補助するための補助層II、第三層IIIはキュリー
温度が前記メモリ層Ｉ及び補助層IIのキュリー温度より
高く、使用温度範囲内で保磁力が前記メモリ層Ｉ及び補
助層IIの保磁力より十分大きくした補助層IIを初期化す
るための初期化層IIIである媒体とし、かつ前記補助層I
Iと初期化層IIIとの間に、キュリー温度が前記補助層II
のキュリー温度より低い結合膜（結合層）を介在させ、
書込み光の強弱のみで重ね書き可能としたことを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記メモリ層Ｉはキュリー点記録媒体、前
記補助層IIは補償点記録媒体であることを特徴とする請
求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記メモリ層Ｉとして、TbFe、DyTbFe、Dy
Fe、TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、DyTbCoの何れかを用い、
補助層IIとして、GdFe、GdFeCo、GdCo、GdTbFeCo、GdTb
Feの何れかを用いることを特徴とする請求項１記載の光
磁気記録媒体。 - 【請求項４】ディスク上に媒体材料を成膜後、前記初期
化層IIIを膜面と垂直に一方向に着磁してなることを特
徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066768A JP2630976B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066768A JP2630976B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241051A JPH01241051A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2630976B2 true JP2630976B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=13325388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066768A Expired - Lifetime JP2630976B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630976B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2503708B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1996-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及び装置 |
| KR930009225B1 (ko) * | 1989-09-05 | 1993-09-24 | 미쯔비시덴기 가부시끼가이샤 | 광자기 기록 매체, 광자기 기록 장치 및 광자기 기록 매체의 제조방법 |
| JP2602106B2 (ja) * | 1989-11-21 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体 |
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| DE4114234A1 (de) * | 1990-05-16 | 1991-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | Optisches aufnahme- und speichermedium und optische aufnahmevorrichtung |
| JP3038853B2 (ja) * | 1990-09-13 | 2000-05-08 | 株式会社ニコン | 高レベルのマージンが拡大したオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JPH04134741A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| EP0487847A1 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium |
| JP3006124B2 (ja) * | 1991-04-10 | 2000-02-07 | 株式会社ニコン | オーバーライト可能な光磁気記録媒体及びその記録再生装置 |
| US5282095A (en) * | 1991-04-24 | 1994-01-25 | U.S. Philips Corporation | Direct over-write magneto-optical recording medium having multiple recording layers, and method of recording new information by directly overwriting pre-existing recorded information on such medium |
| JPH09167388A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-06-24 | Canon Inc | 光磁気記録媒体、該媒体を用いた情報記録再生装置及び情報記録再生方法 |
| JP2001076394A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録方法及び装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS63195845A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JPS63239636A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JPS63249951A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録情報担体 |
| JPS63316344A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録方式 |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-03-19 JP JP63066768A patent/JP2630976B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01241051A (ja) | 1989-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |