JPH0380551A - Ｔａｂテープ基板の導電パターン形成方法 - Google Patents
Ｔａｂテープ基板の導電パターン形成方法Info
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- JPH0380551A JPH0380551A JP21648789A JP21648789A JPH0380551A JP H0380551 A JPH0380551 A JP H0380551A JP 21648789 A JP21648789 A JP 21648789A JP 21648789 A JP21648789 A JP 21648789A JP H0380551 A JPH0380551 A JP H0380551A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＴＡＢテープ基板の導体パターン形成方法に関
する。
する。
［従来の技術］
ＴＡＢテープ基板のリード上にハーフエツチングにより
バンプを形成する従来の技術では、第３図（α）図に示
す様に、まず、絶縁樹脂４上に接着剤５を介して粘りつ
げられた金属箔２０表面に７オトレジスト１を塗布し、
その後、（ｈ）図に示すように金属箔２０両面から露光
、現像を行い、更に、（Ｃ）図に示すようにデバイス穴
７の側よりハーフエツチングを行い、エツチングレジス
ト８をデバイス穴７中のハーフエッチ部に塗布しくｄ）
図の様に、デバイス穴７の反対方向よりエツチングを行
い、導電パターンを形成、レジストを剥離し、バンプ５
をリード先端部のアバ１イス穴７の側に形成する。
バンプを形成する従来の技術では、第３図（α）図に示
す様に、まず、絶縁樹脂４上に接着剤５を介して粘りつ
げられた金属箔２０表面に７オトレジスト１を塗布し、
その後、（ｈ）図に示すように金属箔２０両面から露光
、現像を行い、更に、（Ｃ）図に示すようにデバイス穴
７の側よりハーフエツチングを行い、エツチングレジス
ト８をデバイス穴７中のハーフエッチ部に塗布しくｄ）
図の様に、デバイス穴７の反対方向よりエツチングを行
い、導電パターンを形成、レジストを剥離し、バンプ５
をリード先端部のアバ１イス穴７の側に形成する。
第４図（α）図は第３図（ｄ）図Ｂ−Ｂ’の断面図であ
り、リードのハーフエツチング部６のリード断面を示し
、第４図（ＩＩ）図は第３図（ｄ）図Ａ−Ａ’Ｑ断面図
であり、バンプ５の断面を示す。バンプ５の半導体素子
のパッドとの接合面は第４図Ｃｈ）図の下面となる。
り、リードのハーフエツチング部６のリード断面を示し
、第４図（ＩＩ）図は第３図（ｄ）図Ａ−Ａ’Ｑ断面図
であり、バンプ５の断面を示す。バンプ５の半導体素子
のパッドとの接合面は第４図Ｃｈ）図の下面となる。
［発明が解決しようとする課題コ
しかし、従来のハーフエツチングによるバンプの形成方
法だと、ハーフエツチング部のリードの断面積はハーフ
エツチング部以外のリードの断面積とくらべ約半分とな
り、したがってハーフエッチ部のリードの強度もそれ以
外の部分の約半分となる。このことにより半導体装時の
取扱い不良によるリードの切れや半導体装後のリード切
れによる不良発生が起き易くなるという課題を有する。
法だと、ハーフエツチング部のリードの断面積はハーフ
エツチング部以外のリードの断面積とくらべ約半分とな
り、したがってハーフエッチ部のリードの強度もそれ以
外の部分の約半分となる。このことにより半導体装時の
取扱い不良によるリードの切れや半導体装後のリード切
れによる不良発生が起き易くなるという課題を有する。
そこで本発明は従来のこのような課題を解決するもので
、その目的とするところは従来の方法によるバンプ幅と
同じバンプ幅のバンプを形成しながらリードのハーフエ
ッチ部のリード強度を高め、半導体装工程におけるリー
ド切れや半導体装後のリード切れ不良を減らすことにあ
る。
、その目的とするところは従来の方法によるバンプ幅と
同じバンプ幅のバンプを形成しながらリードのハーフエ
ッチ部のリード強度を高め、半導体装工程におけるリー
ド切れや半導体装後のリード切れ不良を減らすことにあ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明のＴＡＢテープ基板は、半導体素子のパッド部に
直接接合するバンプをリードのハーフエツチングにより
、リード上に形成するＴＡＢテープ基板において、ハー
フエッチによりバンプ部を形成する際、金属箔の絶縁樹
脂を貼り合わせた側とは反対側より金属箔をハーフエツ
チングして、リード上にバンプを形成することを特徴と
する。
直接接合するバンプをリードのハーフエツチングにより
、リード上に形成するＴＡＢテープ基板において、ハー
フエッチによりバンプ部を形成する際、金属箔の絶縁樹
脂を貼り合わせた側とは反対側より金属箔をハーフエツ
チングして、リード上にバンプを形成することを特徴と
する。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すテープ基板の製造方法
を示す模式図である。この方法は（α）図に示すように
ポリイミド系樹脂フィルムの如き絶縁樹脂４上に接着剤
３を介して粘りつげられた金属箔２０表面に７オトレジ
スト１を塗布し、その後（ｈ）図に示す様に、導電パタ
ーンを露光、現像し、デバイス穴７とは反対側の金属箔
面よりエレチングし、次に（Ｃ）図のようにリード先端
部にバンプが形成されるよう、露光、現像し、デバイス
穴７とは反対側より、導電パターンをハーフエツチング
することによりバンプ５をデバイス穴７とは反対間に形
成する。
を示す模式図である。この方法は（α）図に示すように
ポリイミド系樹脂フィルムの如き絶縁樹脂４上に接着剤
３を介して粘りつげられた金属箔２０表面に７オトレジ
スト１を塗布し、その後（ｈ）図に示す様に、導電パタ
ーンを露光、現像し、デバイス穴７とは反対側の金属箔
面よりエレチングし、次に（Ｃ）図のようにリード先端
部にバンプが形成されるよう、露光、現像し、デバイス
穴７とは反対側より、導電パターンをハーフエツチング
することによりバンプ５をデバイス穴７とは反対間に形
成する。
第２図（α）図は第１図（ｄ）図中、Ｄ Ｄ／の断面
図でありリードのハーフエッチ部６のリード断面な示し
、第２図（，６）図は第１図、（ｄ）図中、ａ−ｏ’の
断面図でバンプ５の断面を示す。
図でありリードのハーフエッチ部６のリード断面な示し
、第２図（，６）図は第１図、（ｄ）図中、ａ−ｏ’の
断面図でバンプ５の断面を示す。
ここで第２図（α）、Ｃｂ）図と従来例である第４図（
α） 、、（ｂ ）と比較すると、第２図においては、
バンプ５の半導体素子上のパッドとの接合面は図中のバ
ンプ上面となり、その幅はＸである一方、ハーフエッチ
部６の断面積について考察すると、Ｚ）ｙ）ｚであるの
で第４図＜ｂ＞図におけるバンプ５の半導体素子上のパ
ッドとの接合面のＩＩＩＲをｘ＝Ｒと仮定すると、ｙ＞
ｐ ｌ Ｚ＞Ｑとなり、第２図（α）図の断面積は第４
図（α）図の断面積より大きくなる。例えば、金属箔厚
を５５ ｐ ｍ 、 ハーフエッチ量を１７μｙｎ、Ｘ
＝Ｒ＝７０ｆｉｒｎｍＹ＝８０１１ｍ、Ｚ＝９０ｐｍ、
Ｑ＝６０μｍ、Ｐ＝５０μ扉とすれば、従来例のハーフ
エッチ部６０断面積は９９０μｙ１１２であり、本発明
の実施例のハーフエッチ部６の断面積は１５３０μ扉２
となり、本発明により、リード中段も細く切れ易いハー
フエッチ部乙の強度をバンプ５の大きさを変更せずに大
きくできる。
α） 、、（ｂ ）と比較すると、第２図においては、
バンプ５の半導体素子上のパッドとの接合面は図中のバ
ンプ上面となり、その幅はＸである一方、ハーフエッチ
部６の断面積について考察すると、Ｚ）ｙ）ｚであるの
で第４図＜ｂ＞図におけるバンプ５の半導体素子上のパ
ッドとの接合面のＩＩＩＲをｘ＝Ｒと仮定すると、ｙ＞
ｐ ｌ Ｚ＞Ｑとなり、第２図（α）図の断面積は第４
図（α）図の断面積より大きくなる。例えば、金属箔厚
を５５ ｐ ｍ 、 ハーフエッチ量を１７μｙｎ、Ｘ
＝Ｒ＝７０ｆｉｒｎｍＹ＝８０１１ｍ、Ｚ＝９０ｐｍ、
Ｑ＝６０μｍ、Ｐ＝５０μ扉とすれば、従来例のハーフ
エッチ部６０断面積は９９０μｙ１１２であり、本発明
の実施例のハーフエッチ部６の断面積は１５３０μ扉２
となり、本発明により、リード中段も細く切れ易いハー
フエッチ部乙の強度をバンプ５の大きさを変更せずに大
きくできる。
また、第１図は接着剤５層を持つ３レイヤーＴＡ Ｂ基
板に関して述べたが、上述の実施例は、接着剤３層の無
い２レイヤーＴＡＢ基板においても同様な効果が本発明
によって得られる。
板に関して述べたが、上述の実施例は、接着剤３層の無
い２レイヤーＴＡＢ基板においても同様な効果が本発明
によって得られる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、半導体素子のバンク
部に直接接合するバンプをリードのハーフエツチングに
より、リード上に形成するＴＡＢテープ基板において、
ハーフエッチにより、バンプを形成する際、金属箔の絶
縁樹脂を粘り合わせた側とは反対側より金属箔をハーフ
エツチングして、リード上にバンプを形成したので従来
の方法によるパンダ幅と同じバンプ幅のバンプを形成し
ながら、リードのノゴーフエッチング部のリード強度を
高め、半導体装工程におけるリード切れや、半導体装後
のリードのれ不良を減らすという効果がある。
部に直接接合するバンプをリードのハーフエツチングに
より、リード上に形成するＴＡＢテープ基板において、
ハーフエッチにより、バンプを形成する際、金属箔の絶
縁樹脂を粘り合わせた側とは反対側より金属箔をハーフ
エツチングして、リード上にバンプを形成したので従来
の方法によるパンダ幅と同じバンプ幅のバンプを形成し
ながら、リードのノゴーフエッチング部のリード強度を
高め、半導体装工程におけるリード切れや、半導体装後
のリードのれ不良を減らすという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すテープ基板の製造工程
を示す図。第２図は実施例におけるハーフエッチ部とバ
ンプ部の断面図。第３図は従来例を示すテープ基板の製
造工程を示す図。第４図は従来例におけるハーフエッチ
部とバンプ部の断面図。 ・・・・・・・・・フォトレジスト ・・・・・・・・・金属箔 ・・・・・・・・・接着剤 ・・・・・・・・・絶縁樹脂 ・・・・・・・・・バンプ ・・・・・・・・・ハーフエツチング部・・・・・・・
・・ダハイス穴 以 上
を示す図。第２図は実施例におけるハーフエッチ部とバ
ンプ部の断面図。第３図は従来例を示すテープ基板の製
造工程を示す図。第４図は従来例におけるハーフエッチ
部とバンプ部の断面図。 ・・・・・・・・・フォトレジスト ・・・・・・・・・金属箔 ・・・・・・・・・接着剤 ・・・・・・・・・絶縁樹脂 ・・・・・・・・・バンプ ・・・・・・・・・ハーフエツチング部・・・・・・・
・・ダハイス穴 以 上
Claims (1)
- 半導体素子のパッド部に直接接合するバンプをリードの
ハーフエッチングにより、リード上に形成するＴＡＢテ
ープ基板において、ハーフエッチによりバンプ部を形成
する際、金属箔の絶縁樹脂を貼り合わせた側とは反対側
より金属箔をハーフエッチングして、リード上にバンプ
を形成することを特徴とするＴＡＢテープ基板の導電パ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21648789A JPH0380551A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Ｔａｂテープ基板の導電パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21648789A JPH0380551A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Ｔａｂテープ基板の導電パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380551A true JPH0380551A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16689203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21648789A Pending JPH0380551A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | Ｔａｂテープ基板の導電パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0380551A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04330663A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Teac Corp | ディスク装置 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP21648789A patent/JPH0380551A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04330663A (ja) * | 1991-05-01 | 1992-11-18 | Teac Corp | ディスク装置 |
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