JPH0595027A - フレキシブル回路基板の形成方法 - Google Patents
フレキシブル回路基板の形成方法Info
- Publication number
- JPH0595027A JPH0595027A JP25544891A JP25544891A JPH0595027A JP H0595027 A JPH0595027 A JP H0595027A JP 25544891 A JP25544891 A JP 25544891A JP 25544891 A JP25544891 A JP 25544891A JP H0595027 A JPH0595027 A JP H0595027A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- metal foil
- lead
- bumps
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＡＢテープ基板のリード強度を高め、信頼性
を向上させ、工数の削減による低コスト化を図る。 【構成】金属箔からなるフレキシブルテープ基板のリー
ドを部分的に押し潰しバンプ８を形成する。 【効果】 半導体素子のパッド部に直接接合するバンプ
をリードのハーフエッチングによりリード上に形成する
フレキシブルテープ基板において金属箔の粗面から９の
様に押しつぶすことからリード上にバンプ８を形成する
為、従来の様な化学研磨によりバンプ８を形成する必要
が無く、導電パターン全体のリードの強度を一定の規格
内におさえる事が出来、半導体実装工程に於けるリード
切れや、半導体実装後のリード切れ不良を減らし、従来
のハーフエッチングを形成する為の工数が削減でき、低
コスト化につながる。
を向上させ、工数の削減による低コスト化を図る。 【構成】金属箔からなるフレキシブルテープ基板のリー
ドを部分的に押し潰しバンプ８を形成する。 【効果】 半導体素子のパッド部に直接接合するバンプ
をリードのハーフエッチングによりリード上に形成する
フレキシブルテープ基板において金属箔の粗面から９の
様に押しつぶすことからリード上にバンプ８を形成する
為、従来の様な化学研磨によりバンプ８を形成する必要
が無く、導電パターン全体のリードの強度を一定の規格
内におさえる事が出来、半導体実装工程に於けるリード
切れや、半導体実装後のリード切れ不良を減らし、従来
のハーフエッチングを形成する為の工数が削減でき、低
コスト化につながる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁フィルムに金属箔
を接着してなるフレキシブルテープ又は金箔からなるフ
レキシブル回路基板形成方法に関するものである。
を接着してなるフレキシブルテープ又は金箔からなるフ
レキシブル回路基板形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢテープ基板のリード上にハーフエ
ッチングによりバンプを形成する従来の技術では、図３
（ａ）に示す様に絶縁樹脂１上に接着剤２を介して粘り
つけられた金属箔３の表面にフォトレジスト５を塗布
し、その後図３の図３（ｂ）に示す様に金属箔３の両面
からフォトレジスト５に露光、現像を行い、更に 図３
（ｃ）に示す様にデバイス穴７の側より１０の様にハー
フエッチングを行い、エッチン グレジスト６をデバイ
ス穴７のハーフエッチング部に塗布し、図３（ｄ）の様
に、 デバイス穴７の反対方向よりエッチングを行い、
導電パターンを形成、レジストを剥離し、バンプ８をリ
ード先端部のデバイス穴７の側に形成する。図４は 図
１（ｆ）の導電パターンの拡大図であり、バンプ８で示
す部分は半導体素子のパッドとの接合面である。
ッチングによりバンプを形成する従来の技術では、図３
（ａ）に示す様に絶縁樹脂１上に接着剤２を介して粘り
つけられた金属箔３の表面にフォトレジスト５を塗布
し、その後図３の図３（ｂ）に示す様に金属箔３の両面
からフォトレジスト５に露光、現像を行い、更に 図３
（ｃ）に示す様にデバイス穴７の側より１０の様にハー
フエッチングを行い、エッチン グレジスト６をデバイ
ス穴７のハーフエッチング部に塗布し、図３（ｄ）の様
に、 デバイス穴７の反対方向よりエッチングを行い、
導電パターンを形成、レジストを剥離し、バンプ８をリ
ード先端部のデバイス穴７の側に形成する。図４は 図
１（ｆ）の導電パターンの拡大図であり、バンプ８で示
す部分は半導体素子のパッドとの接合面である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のハーフ
エッチングによるバンプの形成方法だと、ハーフエッチ
ング部のリードの断面積はハーフエッチング部以外のリ
ードの断面積と比べ約半分となり、従ってハーフエッチ
ング部のリード強度もハーフエッチング部以外の部分の
強度の約半分となる。このことにより半導体実装時の取
扱い不良によるリードの切れや半導体実装後のリード切
れによる不良発生が起きやすくなるという課題を有す
る。又、ハーフエッチング部を形成するために上記の従
来の技術で記したような工程が必要とするため生産能
力、及びコストの問題にも影響を与える。そこで本発明
は、従来のこのような課題を解決するもので、その目的
とするところは従来の方法によるバンプ幅と同じバンプ
を形成しながらリードのハーフエッチング部のリード強
度を高め、半導体実装工程における、ハーフエッチング
部形成のための工数を削減することにある。
エッチングによるバンプの形成方法だと、ハーフエッチ
ング部のリードの断面積はハーフエッチング部以外のリ
ードの断面積と比べ約半分となり、従ってハーフエッチ
ング部のリード強度もハーフエッチング部以外の部分の
強度の約半分となる。このことにより半導体実装時の取
扱い不良によるリードの切れや半導体実装後のリード切
れによる不良発生が起きやすくなるという課題を有す
る。又、ハーフエッチング部を形成するために上記の従
来の技術で記したような工程が必要とするため生産能
力、及びコストの問題にも影響を与える。そこで本発明
は、従来のこのような課題を解決するもので、その目的
とするところは従来の方法によるバンプ幅と同じバンプ
を形成しながらリードのハーフエッチング部のリード強
度を高め、半導体実装工程における、ハーフエッチング
部形成のための工数を削減することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のフレキシブルテ
ープ基板は、半導体素子のパッド部に直接接合するバン
プをリードのハーフエッチングにより、リードを形成す
るフレキシブルテープ基板において、前記フレキシブル
テープの金属箔上にフォトレジストを塗布する前に、金
属箔の粗面からリードを部分的に押しつぶすことにより
リード上にバンプを形成することを特徴とする。
ープ基板は、半導体素子のパッド部に直接接合するバン
プをリードのハーフエッチングにより、リードを形成す
るフレキシブルテープ基板において、前記フレキシブル
テープの金属箔上にフォトレジストを塗布する前に、金
属箔の粗面からリードを部分的に押しつぶすことにより
リード上にバンプを形成することを特徴とする。
【０００５】
【実施例】図１は本発明の実施例を示すテープ基板の製
造方法を示す模式図である。
造方法を示す模式図である。
【０００６】この方法は、図１（ａ）に示すようにポリ
イミド系樹脂フィルムの如き絶縁樹脂１上に接着剤２を
介して貼りつけられた金属箔３の粗面に図１（ｂ）の４
のように機械的に部分的に押しつぶし、その後、金属箔
３の表面にフォトレジスト５を塗布し、金属箔３の粗面
にエッチングレジスト６を塗布する。その後フォトレジ
スト塗布し粗面を露光、現像し、フォトレジストを抜い
た部分をエッチング し、レジストを剥離し図１（ｆ）
のような導電パターンを形成する。
イミド系樹脂フィルムの如き絶縁樹脂１上に接着剤２を
介して貼りつけられた金属箔３の粗面に図１（ｂ）の４
のように機械的に部分的に押しつぶし、その後、金属箔
３の表面にフォトレジスト５を塗布し、金属箔３の粗面
にエッチングレジスト６を塗布する。その後フォトレジ
スト塗布し粗面を露光、現像し、フォトレジストを抜い
た部分をエッチング し、レジストを剥離し図１（ｆ）
のような導電パターンを形成する。
【０００７】上記のようにして従来のような図１で示す
金属箔の粗面を部分的に押しつぶす事により図１で示す
バンプ形成方法と比べ、金属箔の粗面にフォトレジスト
塗布、金属箔の粗面に塗布されたフォトレジストの露
光、現像が必要無くなる。図２に実施例に於ける部分的
に押しつぶされたリードの図を示す。図５は、図１中図
１（ｆ）の拡大図である。
金属箔の粗面を部分的に押しつぶす事により図１で示す
バンプ形成方法と比べ、金属箔の粗面にフォトレジスト
塗布、金属箔の粗面に塗布されたフォトレジストの露
光、現像が必要無くなる。図２に実施例に於ける部分的
に押しつぶされたリードの図を示す。図５は、図１中図
１（ｆ）の拡大図である。
【０００８】ここで従来の図３で示すバンプの形成方法
では、凹部をハーフエッチングし化学的に研磨し、金属
箔で形成された導電パターンは従来の図４で示すハーフ
エッチング部分のＶ1 はＶの幅に対し、化学研磨により
Ｖ1 ＞Ｖとなってしまう、更に、金属箔の厚みＷを３５
μｍ とするとＸは１３μｍ 以上、Ｚを２１μｍ 以上
で規格した場合、化学研磨によって導電パターンのエッ
チング部分に平均して処理し規格内の範囲に押え、リー
ド強度を確保することは困難である。図３ではリードを
押しつぶして形成する為、ＰとＰ1 の幅の関係はＰ＝Ｐ
1 となる、更に、ＯとＱの幅も図５のＹの様に化学的処
理により金属箔が侵食される事も無い、実験結果からリ
ード中最も細く切れ易いハーフエッチ部の強度を１０％
は大きく出来る。
では、凹部をハーフエッチングし化学的に研磨し、金属
箔で形成された導電パターンは従来の図４で示すハーフ
エッチング部分のＶ1 はＶの幅に対し、化学研磨により
Ｖ1 ＞Ｖとなってしまう、更に、金属箔の厚みＷを３５
μｍ とするとＸは１３μｍ 以上、Ｚを２１μｍ 以上
で規格した場合、化学研磨によって導電パターンのエッ
チング部分に平均して処理し規格内の範囲に押え、リー
ド強度を確保することは困難である。図３ではリードを
押しつぶして形成する為、ＰとＰ1 の幅の関係はＰ＝Ｐ
1 となる、更に、ＯとＱの幅も図５のＹの様に化学的処
理により金属箔が侵食される事も無い、実験結果からリ
ード中最も細く切れ易いハーフエッチ部の強度を１０％
は大きく出来る。
【０００９】また図１では接着剤２の層を持つ３レイヤ
ーＴＡＢ基板に関して述べたが上述の実施例は、接着剤
２の層の無い２レイヤーＴＡＢ基板及び１レイヤーＴＡ
Ｂ基板に於いても同様な効果が得られる。
ーＴＡＢ基板に関して述べたが上述の実施例は、接着剤
２の層の無い２レイヤーＴＡＢ基板及び１レイヤーＴＡ
Ｂ基板に於いても同様な効果が得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上のべたように本発明によれば、半導
体素子のパッド部に直接接合するバンプをリードのハー
フエッチングによりリード上に形成するフレキシブルテ
ー基板において、金属箔の粗面からリードを押しつぶす
ことからリード上にバンプを形成するため従来の方法に
よるバンプ幅と同じバンプ幅のバンプを形成しながら、
リード強度を高め、半導体実装工程におけるリード切れ
や、半導体実装後のリード切れ不良をへらし、従来のハ
ーフエッチング部形成のための工数を削減でき、低コス
ト化につながるという効果を得ることが出来る。
体素子のパッド部に直接接合するバンプをリードのハー
フエッチングによりリード上に形成するフレキシブルテ
ー基板において、金属箔の粗面からリードを押しつぶす
ことからリード上にバンプを形成するため従来の方法に
よるバンプ幅と同じバンプ幅のバンプを形成しながら、
リード強度を高め、半導体実装工程におけるリード切れ
や、半導体実装後のリード切れ不良をへらし、従来のハ
ーフエッチング部形成のための工数を削減でき、低コス
ト化につながるという効果を得ることが出来る。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を示すテー
プ基板の製造工程を示す図。
プ基板の製造工程を示す図。
【図２】実施例に於ける部分的に押しつぶされたリード
の図。
の図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は従来例を示すテープ基板の製
造方法を表した図。
造方法を表した図。
【図４】従来例に於けるハーフエッチングされたリード
の側面図。
の側面図。
【図５】実施例に於ける部分的に押しつぶされたリード
の側面図。
の側面図。
１・・・ポリイミド系樹脂フィルムの如き絶縁樹脂 ２・・・接着剤 ３・・・金属箔 ４・・・金属箔の粗面を部分的に潰した面 ５・・・フォトレジスト ６・・・エッチングレジスト ７・・・デバイス穴 ８・・・バンプ ９・・・おしつぶされたリード １０・・・ハーフエッチングされたリード
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁フィルムに金属箔を接着してなるフレ
キシブルテープ又は金属箔からなるフレキシブルテープ
の金属箔上にフォトレジストを塗布して導電パターンを
形成する方法において、 前記フレキシブルテープの金属箔上にフォトレジストを
塗布する前に金属箔の粗面を部分的に押しつぶしバンプ
を形成することを特徴とするフレキシブル回路基板の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25544891A JPH0595027A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | フレキシブル回路基板の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25544891A JPH0595027A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | フレキシブル回路基板の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595027A true JPH0595027A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17278913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25544891A Pending JPH0595027A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | フレキシブル回路基板の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998043289A1 (en) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, film carrier tape, and method for manufacturing them |
| US7190073B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit film with bump, film package using the same, and related fabrication methods |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25544891A patent/JPH0595027A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998043289A1 (en) * | 1997-03-21 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, film carrier tape, and method for manufacturing them |
| US6316288B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-11-13 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape |
| US6627994B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-09-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and film carrier tape |
| KR100426883B1 (ko) * | 1997-03-21 | 2004-06-30 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체장치,필름캐리어테이프및이들의제조방법 |
| US7190073B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit film with bump, film package using the same, and related fabrication methods |
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