JP2699949B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にTAB方式の半導体装置に関する。
特にTAB方式の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のTABテープと半導体チップとの
ボンディング構造は、図4および図5に示すように、T
ABテープに形成されているインナリード4を半導体チ
ップ3のパッド部にボンディングし、インナリード4の
みでデバイスホール2に半導体チップ3を支える構造と
なっている。この従来のTABテープと半導体チップ3
とのボンディング構造では、インナリード4のみで半導
体チップ3を支持しているため、半導体チップ3自身の
重量および工程上の振動などでインナリード4にストレ
スが加わって、強度の低下を引き起こし、インナリード
4の切れに至る場合もあった。また、半導体チップ4の
パッドは狭ピッチ化の傾向にあり、これに伴ってTAB
テープのインナリード4の幅も細くなる傾向にある。こ
のため、インナリード4のみで半導体チップ3を支持す
ることも困難となっていくことが予想される。
ボンディング構造は、図4および図5に示すように、T
ABテープに形成されているインナリード4を半導体チ
ップ3のパッド部にボンディングし、インナリード4の
みでデバイスホール2に半導体チップ3を支える構造と
なっている。この従来のTABテープと半導体チップ3
とのボンディング構造では、インナリード4のみで半導
体チップ3を支持しているため、半導体チップ3自身の
重量および工程上の振動などでインナリード4にストレ
スが加わって、強度の低下を引き起こし、インナリード
4の切れに至る場合もあった。また、半導体チップ4の
パッドは狭ピッチ化の傾向にあり、これに伴ってTAB
テープのインナリード4の幅も細くなる傾向にある。こ
のため、インナリード4のみで半導体チップ3を支持す
ることも困難となっていくことが予想される。
【0003】一方、電気的に接続不要な空きパッドを利
用し、サポートリードをボンディングして半導体チップ
3の保持強度を改善する半導体装置が提案されているが
(特開平3−72643号公報参照)、この方式の場
合、空きパッド数が少ない場合にサポートリード数が減
り、保持強度を上げるまでに至らず十分な効果が得られ
ない。
用し、サポートリードをボンディングして半導体チップ
3の保持強度を改善する半導体装置が提案されているが
(特開平3−72643号公報参照)、この方式の場
合、空きパッド数が少ない場合にサポートリード数が減
り、保持強度を上げるまでに至らず十分な効果が得られ
ない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来のボンディング構造では、インナリードにストレスが
加わった時に強度の低下を引き起こし、インナリードの
切れに至るという欠点がある。
来のボンディング構造では、インナリードにストレスが
加わった時に強度の低下を引き起こし、インナリードの
切れに至るという欠点がある。
【0005】また、半導体チップのパッドは狭ピッチ化
の傾向にありインナリードの幅も細くなるので狭ピッチ
化に対応できないという欠点もある。
の傾向にありインナリードの幅も細くなるので狭ピッチ
化に対応できないという欠点もある。
【0006】一方、空きパッドを利用し保持強度を改善
する方式では、空きパッドが少い場合に十分な効果が得
られないという欠点がある。
する方式では、空きパッドが少い場合に十分な効果が得
られないという欠点がある。
【0007】本発明の目的は、インナリードの保持強度
が高く切れがなく、パッドの狭ピッチ化に対応できる接
続信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
が高く切れがなく、パッドの狭ピッチ化に対応できる接
続信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、デバイスホー
ルとこのデバイスホールに導出された複数のインナリー
ドとを有するTABテープと、前記複数のインナリード
とボンディングにより接続され前記デバイスホールに支
持されるインナリード用パッドを有する半導体チップと
を備えたTAB方式の半導体装置において、前記TAB
テープの前記複数のインナーリード形成領域以外の領域
である前記デバイスホールのコーナ部に、該コーナ部お
よびその近傍のみに島状に位置する平面形状が4辺形の
インナリード補強用パターンを設け、このインナリード
補強用パターンと対応する位置の半導体チップに前記イ
ンナリード補強用パターンとボンディングにより接続さ
れるインナリード補強パターン専用パッドを設けたこと
を特徴とする。
ルとこのデバイスホールに導出された複数のインナリー
ドとを有するTABテープと、前記複数のインナリード
とボンディングにより接続され前記デバイスホールに支
持されるインナリード用パッドを有する半導体チップと
を備えたTAB方式の半導体装置において、前記TAB
テープの前記複数のインナーリード形成領域以外の領域
である前記デバイスホールのコーナ部に、該コーナ部お
よびその近傍のみに島状に位置する平面形状が4辺形の
インナリード補強用パターンを設け、このインナリード
補強用パターンと対応する位置の半導体チップに前記イ
ンナリード補強用パターンとボンディングにより接続さ
れるインナリード補強パターン専用パッドを設けたこと
を特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0010】図1は本発明の実施の形態のTAB方式の
半導体装置の一例を説明する平面図、図2は図1の半導
体チップの支持構造を示す部分拡大平面図、図3は図1
の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面図である。本
発明の実施の形態のTAB方式の半導体装置は、図1お
よび図2に示すように、デバイスホール2の4つのコー
ナ部にインナリード補強用パターン1が形成されてい
る。一方、図3に示すように、半導体チップ3の4辺の
インナリード4と対応する位置にはインナリード用パッ
ド5が、4コーナのインナリード補強用パターンと対応
する位置にはインナリード補強パターン専用パッド6が
設けられ、インナリード4とインナリード用パッド5
が、インナリード補強用パターン1とインナリード補強
パターン専用パッド6がそれぞれボンディングされ、半
導体チップ3は4辺のインナリード4とコーナのインナ
リード補強用パター1の両方によって支持される。
半導体装置の一例を説明する平面図、図2は図1の半導
体チップの支持構造を示す部分拡大平面図、図3は図1
の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面図である。本
発明の実施の形態のTAB方式の半導体装置は、図1お
よび図2に示すように、デバイスホール2の4つのコー
ナ部にインナリード補強用パターン1が形成されてい
る。一方、図3に示すように、半導体チップ3の4辺の
インナリード4と対応する位置にはインナリード用パッ
ド5が、4コーナのインナリード補強用パターンと対応
する位置にはインナリード補強パターン専用パッド6が
設けられ、インナリード4とインナリード用パッド5
が、インナリード補強用パターン1とインナリード補強
パターン専用パッド6がそれぞれボンディングされ、半
導体チップ3は4辺のインナリード4とコーナのインナ
リード補強用パター1の両方によって支持される。
【0011】本実施の形態では長方形のインナリード補
強用パターン1を4コーナに設けた例について説明した
が、位置,形状および数量を制限する必要はなく、TA
Bテープの配線領域の広さ、半導体チップの重量などを
考慮し、適切な位置,形状,数量を選択できる。また、
インナリード補強用パターンは、インナリードと同材質
の金属箔であり、インナリードを形成する際、ホトエッ
チングにより同時に形成する。
強用パターン1を4コーナに設けた例について説明した
が、位置,形状および数量を制限する必要はなく、TA
Bテープの配線領域の広さ、半導体チップの重量などを
考慮し、適切な位置,形状,数量を選択できる。また、
インナリード補強用パターンは、インナリードと同材質
の金属箔であり、インナリードを形成する際、ホトエッ
チングにより同時に形成する。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インナリ
ード補強用パターンを半導体チップ上のインナリード補
強用パターン専用パッドにボンディングし、インナリー
ドとともに半導体チップを支持するため、インナリード
へのストレスが緩和され、インナリードの強度を保つこ
とができるのでインナリード切れが低減され、接続信頼
性の高い半導体装置が得られるという効果がある。
ード補強用パターンを半導体チップ上のインナリード補
強用パターン専用パッドにボンディングし、インナリー
ドとともに半導体チップを支持するため、インナリード
へのストレスが緩和され、インナリードの強度を保つこ
とができるのでインナリード切れが低減され、接続信頼
性の高い半導体装置が得られるという効果がある。
【0013】また、半導体チップ上にインナリード補強
用パターン専用パッドを設けてこれにボンディングする
ため、空きパッド数に関係なくインナリードの補強が可
能となる効果もある。
用パターン専用パッドを設けてこれにボンディングする
ため、空きパッド数に関係なくインナリードの補強が可
能となる効果もある。
【図1】本発明の実施の形態のTAB方式の半導体装置
の一例を説明する平面図である。
の一例を説明する平面図である。
【図2】図1の半導体チップの支持構造を示す部分拡大
平面図である。
平面図である。
【図3】図1の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面
図である。
図である。
【図4】従来のTAB方式の半導体装置の一例を説明す
る平面図である。
る平面図である。
【図5】図4の半導体チップの支持構造を示す部分拡大
平面図である。
平面図である。
1 インナリード補強用パターン 2 デバイスホール 3 半導体チップ 4 インナリード 5 インナリード用パッド 6 インナリード補強パターン専用パッド 7 スプロケットホール
Claims (1)
- 【請求項1】 デバイスホールとこのデバイスホールに
導出された複数のインナリードとを有するTABテープ
と、前記複数のインナリードとボンディングにより接続
され前記デバイスホールに支持されるインナリード用パ
ッドを有する半導体チップとを備えたTAB方式の半導
体装置において、前記TABテープの前記複数のインナ
ーリード形成領域以外の領域である前記デバイスホール
のコーナ部に、該コーナ部およびその近傍のみに島状に
位置する平面形状が4辺形のインナリード補強用パター
ンを設け、このインナリード補強用パターンと対応する
位置の半導体チップに前記インナリード補強用パターン
とボンディングにより接続されるインナリード補強パタ
ーン専用パッドを設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7251535A JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7251535A JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0997817A JPH0997817A (ja) | 1997-04-08 |
JP2699949B2 true JP2699949B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=17224265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7251535A Expired - Fee Related JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2699949B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3564970B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2004-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | テープキャリアおよびこれを用いたテープキャリアデバイス |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113459A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルムキヤリア |
JPS6464332A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Manufacture of tape carrier type semiconductor device |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7251535A patent/JP2699949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0997817A (ja) | 1997-04-08 |
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