JPH0326527B2 - - Google Patents
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- JPH0326527B2 JPH0326527B2 JP59253370A JP25337084A JPH0326527B2 JP H0326527 B2 JPH0326527 B2 JP H0326527B2 JP 59253370 A JP59253370 A JP 59253370A JP 25337084 A JP25337084 A JP 25337084A JP H0326527 B2 JPH0326527 B2 JP H0326527B2
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 技術分野
この発明は、厚膜型のサーマル・ヘツドにおけ
る抵抗体の抵抗値を調整するためのサーマル・ヘ
ツドにおけるパルストリミング法に関する。
る抵抗体の抵抗値を調整するためのサーマル・ヘ
ツドにおけるパルストリミング法に関する。
(b) 従来技術
厚膜抵抗体のトリミング法としては、抵抗体を
焼成後、サンドブラストやレーザビームによつて
この抵抗体の一部を削り取る方法がある。ところ
が、これらの方法は、サーマル・ヘツドの発熱抵
抗体アレイのように、配線パターンによつて分割
された各抵抗体が極めて小さいものには実施が困
難であり、また、短時間に非常に多くの発熱と放
熱の熱サイクルを繰り返すような素子に実施する
ことは処理の信頼性の点で問題があつた。従つ
て、従来の厚膜型のサーマル・ヘツドは、セラミ
ツク基板上に抵抗体を印刷し焼成する形成段階で
できるだけ精度を高めることにより抵抗値が均一
になるようにするしか方法がなく、このため、抵
抗値のバラツキによつて生じる記録品質の低下を
防止するにも限度があつた。
焼成後、サンドブラストやレーザビームによつて
この抵抗体の一部を削り取る方法がある。ところ
が、これらの方法は、サーマル・ヘツドの発熱抵
抗体アレイのように、配線パターンによつて分割
された各抵抗体が極めて小さいものには実施が困
難であり、また、短時間に非常に多くの発熱と放
熱の熱サイクルを繰り返すような素子に実施する
ことは処理の信頼性の点で問題があつた。従つ
て、従来の厚膜型のサーマル・ヘツドは、セラミ
ツク基板上に抵抗体を印刷し焼成する形成段階で
できるだけ精度を高めることにより抵抗値が均一
になるようにするしか方法がなく、このため、抵
抗値のバラツキによつて生じる記録品質の低下を
防止するにも限度があつた。
(c) 発明の目的
この発明は、このような事情に鑑みなされたも
のであつて、発熱抵抗体アレイの各抵抗体にパル
ス状の高電圧を印加することにより、厚膜型のサ
ーマル・ヘツドにおける各抵抗体の抵抗値のバラ
ツキを修正することができるサーマル・ヘツドに
おけるパルストリミング法を提供することを目的
とする。
のであつて、発熱抵抗体アレイの各抵抗体にパル
ス状の高電圧を印加することにより、厚膜型のサ
ーマル・ヘツドにおける各抵抗体の抵抗値のバラ
ツキを修正することができるサーマル・ヘツドに
おけるパルストリミング法を提供することを目的
とする。
(d) 発明の構成および効果
この発明のサーマル・ヘツドにおけるパルスト
リミング法は、厚膜型のサーマル・ヘツドにおい
て、配線パターンによつて分割された発熱抵抗体
アレイの被調整抵抗体に、パルス状高電圧を印加
するパルス電圧印加処理と、このパルス電圧印加
処理に続いて直流低電圧を数秒間前記被調整抵抗
体に印加するエージング処理と、前記各抵抗体の
抵抗値を測定する抵抗値測定処理を含み、前記抵
抗値が処理値付近の一定範囲内となるまでパルス
電圧印加処理毎に前記パルス状高電圧の電圧値を
増大するとともに、前記パルス電圧印加処理と、
前記抵抗値測定処理を繰り返すことを特徴とす
る。
リミング法は、厚膜型のサーマル・ヘツドにおい
て、配線パターンによつて分割された発熱抵抗体
アレイの被調整抵抗体に、パルス状高電圧を印加
するパルス電圧印加処理と、このパルス電圧印加
処理に続いて直流低電圧を数秒間前記被調整抵抗
体に印加するエージング処理と、前記各抵抗体の
抵抗値を測定する抵抗値測定処理を含み、前記抵
抗値が処理値付近の一定範囲内となるまでパルス
電圧印加処理毎に前記パルス状高電圧の電圧値を
増大するとともに、前記パルス電圧印加処理と、
前記抵抗値測定処理を繰り返すことを特徴とす
る。
具体的には、まず、各抵抗体の抵抗値の測定を
行い、所定の抵抗値に合致しない場合には、この
抵抗体の両端の配線と接続する電極にパルス状の
高電圧を印加することにより抵抗値を修正する。
続いて抵抗体の両端に直流低電圧を数秒間印加す
ることによつてエージングを行う。そして、この
作業を全ての抵抗体について行うことにより、各
抵抗体の抵抗値をできるだけ所定の抵抗値に近づ
けバラツキを小さくする。各抵抗体に印加するパ
ルス状の高電圧の電圧値、パルス幅および繰り返
し回数は、実験データ等に基づいて抵抗体の抵抗
値が所定値とどの程度異なるかによつて定める。
行い、所定の抵抗値に合致しない場合には、この
抵抗体の両端の配線と接続する電極にパルス状の
高電圧を印加することにより抵抗値を修正する。
続いて抵抗体の両端に直流低電圧を数秒間印加す
ることによつてエージングを行う。そして、この
作業を全ての抵抗体について行うことにより、各
抵抗体の抵抗値をできるだけ所定の抵抗値に近づ
けバラツキを小さくする。各抵抗体に印加するパ
ルス状の高電圧の電圧値、パルス幅および繰り返
し回数は、実験データ等に基づいて抵抗体の抵抗
値が所定値とどの程度異なるかによつて定める。
この発明のサーマル・ヘツドにおけるパルスト
リミング法を上記のように構成すると、各抵抗体
の抵抗値を焼成後に個別に修正することができる
ので、発熱抵抗体アレイにおける各抵抗体の抵抗
値がほぼ一定となる。このため、同一信号入力に
対する各抵抗体の発熱量も均一となるので、記録
濃度のムラがなくなり記録品質を向上させること
ができる。また、従来抵抗体の抵抗値が所定値と
大幅に異なるような場合には、一律に不良品とし
て処分せざるを得なかつたものが、焼成後の修正
が可能となつたので、歩留りの向上を期待するこ
とができる。特にパルス電圧印加処理に続いてエ
ージング処理を行うことにより、製造されたサー
マル・ヘツドの実際の使用時における各抵抗体の
抵抗値変化を低く抑えることができ、信頼性の高
いサーマル・ヘツドを得ることができる。
リミング法を上記のように構成すると、各抵抗体
の抵抗値を焼成後に個別に修正することができる
ので、発熱抵抗体アレイにおける各抵抗体の抵抗
値がほぼ一定となる。このため、同一信号入力に
対する各抵抗体の発熱量も均一となるので、記録
濃度のムラがなくなり記録品質を向上させること
ができる。また、従来抵抗体の抵抗値が所定値と
大幅に異なるような場合には、一律に不良品とし
て処分せざるを得なかつたものが、焼成後の修正
が可能となつたので、歩留りの向上を期待するこ
とができる。特にパルス電圧印加処理に続いてエ
ージング処理を行うことにより、製造されたサー
マル・ヘツドの実際の使用時における各抵抗体の
抵抗値変化を低く抑えることができ、信頼性の高
いサーマル・ヘツドを得ることができる。
(e) 実施例
図は、この発明のサーマル・ヘツドにおけるパ
ルストリミング法を或る厚膜型のサーマル・ヘツ
ドに実施した場合の、印加するパルス状の高電圧
の電圧値に対する抵抗体の抵抗値の変化の割合を
示すグラフであり、この特性は実験的に求められ
る。
ルストリミング法を或る厚膜型のサーマル・ヘツ
ドに実施した場合の、印加するパルス状の高電圧
の電圧値に対する抵抗体の抵抗値の変化の割合を
示すグラフであり、この特性は実験的に求められ
る。
厚膜型のサーマル・ヘツドは、セラミツク基板
上にグレーズ層、抵抗層および配線層を焼成する
ことにより、配線パターンによつて分割された多
数の抵抗体からなる発熱抵抗体アレイを形成した
ものである。尚、この実施例では、パルス状の高
電圧を印加すると抵抗体の抵抗値は低下するの
で、発熱抵抗体アレイを形成する際に、予め抵抗
体の抵抗値が誤差によつて低くなつたときにも所
定の抵抗値より低くならないように、抵抗値を大
き目に設定しておく。
上にグレーズ層、抵抗層および配線層を焼成する
ことにより、配線パターンによつて分割された多
数の抵抗体からなる発熱抵抗体アレイを形成した
ものである。尚、この実施例では、パルス状の高
電圧を印加すると抵抗体の抵抗値は低下するの
で、発熱抵抗体アレイを形成する際に、予め抵抗
体の抵抗値が誤差によつて低くなつたときにも所
定の抵抗値より低くならないように、抵抗値を大
き目に設定しておく。
この実施例のサーマル・ヘツドにおけるパルス
トリミング法は、まず、発熱抵抗体アレイの各抵
抗体の抵抗値の測定を行い、所定の抵抗値に合致
しない場合に、この抵抗体の両端の配線と接続す
る電極にパルス状の高電圧を印加する。このパル
ス状の高電圧の印加は、数百Ｖの電圧で充電した
250pFのコンデンサを電極に接続し抵抗体に放電
させることにより行う。尚、コンデンサの容量を
変えると抵抗値変化の特性も変化する。パルス状
の高電圧の電圧値は、例えば、所定の抵抗値が
260Ωであり、測定値が400Ωであつた場合、400Ω
を260Ωに変化させるときの抵抗値変化率は、
（260−400）÷400＝−0.35となるので、図のグラ
フから抵抗値変化率が−35％となる印加電圧
335Vを求めることにより定める。パルス状の高
電圧を１回印加し再び抵抗値を測定して、所定値
付近の或る範囲内になつた場合には、そこでパル
ストリミングを終了する。再び抵抗値を測定し
て、所定値に達しない場合には、印加電圧をさら
に10Vずつ増加して範囲内となるまでパルス状の
高電圧の印加を繰り返す。また、パルス状の高電
圧を印加後、抵抗体の抵抗値を安定化するため
に、低圧の直流電圧を数秒間印加することにより
エージングを行つてもよい。エージングを行う場
合には、エージングによる抵抗値の変化分を予定
に入れてパルス状の高電圧の電圧値を定める。以
下、同様の操作を各抵抗体ごとに繰り返して、抵
抗値のバラツキをできるだけ小さくする。
トリミング法は、まず、発熱抵抗体アレイの各抵
抗体の抵抗値の測定を行い、所定の抵抗値に合致
しない場合に、この抵抗体の両端の配線と接続す
る電極にパルス状の高電圧を印加する。このパル
ス状の高電圧の印加は、数百Ｖの電圧で充電した
250pFのコンデンサを電極に接続し抵抗体に放電
させることにより行う。尚、コンデンサの容量を
変えると抵抗値変化の特性も変化する。パルス状
の高電圧の電圧値は、例えば、所定の抵抗値が
260Ωであり、測定値が400Ωであつた場合、400Ω
を260Ωに変化させるときの抵抗値変化率は、
（260−400）÷400＝−0.35となるので、図のグラ
フから抵抗値変化率が−35％となる印加電圧
335Vを求めることにより定める。パルス状の高
電圧を１回印加し再び抵抗値を測定して、所定値
付近の或る範囲内になつた場合には、そこでパル
ストリミングを終了する。再び抵抗値を測定し
て、所定値に達しない場合には、印加電圧をさら
に10Vずつ増加して範囲内となるまでパルス状の
高電圧の印加を繰り返す。また、パルス状の高電
圧を印加後、抵抗体の抵抗値を安定化するため
に、低圧の直流電圧を数秒間印加することにより
エージングを行つてもよい。エージングを行う場
合には、エージングによる抵抗値の変化分を予定
に入れてパルス状の高電圧の電圧値を定める。以
下、同様の操作を各抵抗体ごとに繰り返して、抵
抗値のバラツキをできるだけ小さくする。
この実施例のサーマル・ヘツドにおけるパルス
トリミング法をこのように実施すると、パルスト
リミングを行わない場合には、±40％程あつた抵
抗値のバラツキを±３％程度まで均一にすること
ができる。このため、同一の信号入力に対する各
抵抗体の発熱量も均一となるので、記録濃度のム
ラがなくなり記録品質を向上させることができ
る。また、従来抵抗体の抵抗値が所定値と大幅に
異なるような場合には、一律に不良品として処分
せざるを得なかつたものが、焼成後の修正が可能
となつたので、歩留りの向上を期待することがで
きる。さらに、このパルストリミングは、他の方
法のように抵抗体を傷付けたりしないので、外観
の品位を損なう心配がない。
トリミング法をこのように実施すると、パルスト
リミングを行わない場合には、±40％程あつた抵
抗値のバラツキを±３％程度まで均一にすること
ができる。このため、同一の信号入力に対する各
抵抗体の発熱量も均一となるので、記録濃度のム
ラがなくなり記録品質を向上させることができ
る。また、従来抵抗体の抵抗値が所定値と大幅に
異なるような場合には、一律に不良品として処分
せざるを得なかつたものが、焼成後の修正が可能
となつたので、歩留りの向上を期待することがで
きる。さらに、このパルストリミングは、他の方
法のように抵抗体を傷付けたりしないので、外観
の品位を損なう心配がない。
尚、実施例では、パルス状の高電圧を印加する
ことにより、抵抗体の抵抗値が低下する場合を示
したが、パルス状の高電圧の電圧値やパルス幅等
によつては抵抗値が上昇する場合もあるので、そ
れぞれの場合にあわせて最適な条件を選択する。
ことにより、抵抗体の抵抗値が低下する場合を示
したが、パルス状の高電圧の電圧値やパルス幅等
によつては抵抗値が上昇する場合もあるので、そ
れぞれの場合にあわせて最適な条件を選択する。
図は、この発明のサーマル・ヘツドにおけるパ
ルストリミング法を或る厚膜型のサーマル・ヘツ
ドに実施した場合の、印加するパルス状の高電圧
の電圧値に対する抵抗体の抵抗値の変化の割合を
示すグラフである。
ルストリミング法を或る厚膜型のサーマル・ヘツ
ドに実施した場合の、印加するパルス状の高電圧
の電圧値に対する抵抗体の抵抗値の変化の割合を
示すグラフである。
Claims (1)
- １ 厚膜型のサーマル・ヘツドにおいて、配線パ
ターンによつて分割された発熱抵抗体アレイの被
調整抵抗体に、パルス状高電圧を印加するパルス
電圧印加処理と、このパルス電圧印加処理に続い
て直流低電圧を数秒間前記被調整抵抗体に印加す
るエージング処理と、前記各抵抗体の抵抗値を測
定する抵抗値測定処理を含み、前記抵抗値が所定
値付近の一定範囲内となるまでパルス電圧印加処
理毎に前記パルス状高電圧の電圧値を増大すると
ともに、前記パルス電圧印加処理と、前記抵抗値
測定処理を繰り返すことを特徴とするサーマル・
ヘツドにおけるパルストリミング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253370A JPS61131404A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253370A JPS61131404A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131404A JPS61131404A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0326527B2 true JPH0326527B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=17250405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253370A Granted JPS61131404A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131404A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292414A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 厚膜型サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPS6292411A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 厚膜型サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPH068054B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1994-02-02 | 三菱電機株式会社 | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPH068056B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1994-02-02 | 三菱電機株式会社 | サ−マルヘツドの製造方法 |
| JPH06413B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1994-01-05 | 三菱電機株式会社 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
| JPH06417B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1994-01-05 | 三菱電機株式会社 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
| JPH06414B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1994-01-05 | 三菱電機株式会社 | サーマルヘッドの抵抗値調整装置 |
| JPS63252759A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−マルヘツドの発熱抵抗体トリミング装置 |
| JPS63252758A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−マルヘツドの発熱抵抗体トリミング方法 |
| JPS63252760A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−マルヘツドの発熱抵抗体トリミング方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528500A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-22 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Electric insulation use gas composition |
| JPS5520872A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Handle for simple flush toilet stool |
| JPS5780708A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nissan Motor | Method of producing thick film resistor |
| JPS5968270A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | サ−マルヘツド用発熱抵抗体の製造法 |
| JPS6183050A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59253370A patent/JPS61131404A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS528500A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-22 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Electric insulation use gas composition |
| JPS5520872A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Handle for simple flush toilet stool |
| JPS5780708A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nissan Motor | Method of producing thick film resistor |
| JPS5968270A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | サ−マルヘツド用発熱抵抗体の製造法 |
| JPS6183050A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61131404A (ja) | 1986-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |