JPH068056B2 - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JPH068056B2 JPH068056B2 JP61204004A JP20400486A JPH068056B2 JP H068056 B2 JPH068056 B2 JP H068056B2 JP 61204004 A JP61204004 A JP 61204004A JP 20400486 A JP20400486 A JP 20400486A JP H068056 B2 JPH068056 B2 JP H068056B2
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
- B41J2/355—Control circuits for heating-element selection
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は厚膜形サーマルヘツドの製造方法、特にその
発熱抵抗体の抵抗値の均一化に関するものである。
発熱抵抗体の抵抗値の均一化に関するものである。
厚膜形のサーマルヘツドは、ペースト状の抵抗材料をス
クリーン印刷法等によつて所定のパターンに印刷し、そ
の後焼成することで発熱抵抗体を形成している。そのた
め厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製造工程によつ
て安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きが大きくなる欠点を持ち合せている。この発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影響を及ぼすも
のであるため、厚膜形のサーマルヘツドの製造において
は発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重要なフアクタ
である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化としては、発
熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高圧の電
圧パルスを印加するとその抵抗値が低下するという現象
を利用したトリミング処理がある。
クリーン印刷法等によつて所定のパターンに印刷し、そ
の後焼成することで発熱抵抗体を形成している。そのた
め厚膜形のサーマルヘツドは比較的短い製造工程によつ
て安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きが大きくなる欠点を持ち合せている。この発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影響を及ぼすも
のであるため、厚膜形のサーマルヘツドの製造において
は発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重要なフアクタ
である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化としては、発
熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高圧の電
圧パルスを印加するとその抵抗値が低下するという現象
を利用したトリミング処理がある。
第４図は例えば特開昭６１−８３０５３号公報に示され
た従来のサーマルヘツドの製造方法を示すフローチヤー
トである。図において、ＳＴ１は初期設定のステツプ、
ＳＴ２は前記ステツプＳＴ１に続くプローバ及びスイツ
チングのステツプ、ＳＴ３は前記スタツプＳＴ２に続く
電圧パルス印加のステツプ、ＳＴ４は前記ステツプＳＴ
３に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ５は前記ステツプ
ＳＴ４に続く前回データとの比較のステツプ、ＳＴ６は
前記ステツプＳＴ５に続く抵抗値減少検出のステツプ、
ＳＴ７は前記ステツプＳＴ６に続くトリミングの全ドツ
ト終了検出のステツプ、ＳＴ８は前記ステツプＳＴ５よ
り分岐したプローブのステツプ、ＳＴ９は前記ステツプ
ＳＴ６より分岐した電圧パルスの電圧調整のステツプで
あり、前記ステツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ２
へ、ステツプＳＴ８からはステツプＳＴ４へ、ステツプ
ＳＴ９からはステツプＳＴ３へ、それぞれ処理が戻され
る。
た従来のサーマルヘツドの製造方法を示すフローチヤー
トである。図において、ＳＴ１は初期設定のステツプ、
ＳＴ２は前記ステツプＳＴ１に続くプローバ及びスイツ
チングのステツプ、ＳＴ３は前記スタツプＳＴ２に続く
電圧パルス印加のステツプ、ＳＴ４は前記ステツプＳＴ
３に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ５は前記ステツプ
ＳＴ４に続く前回データとの比較のステツプ、ＳＴ６は
前記ステツプＳＴ５に続く抵抗値減少検出のステツプ、
ＳＴ７は前記ステツプＳＴ６に続くトリミングの全ドツ
ト終了検出のステツプ、ＳＴ８は前記ステツプＳＴ５よ
り分岐したプローブのステツプ、ＳＴ９は前記ステツプ
ＳＴ６より分岐した電圧パルスの電圧調整のステツプで
あり、前記ステツプＳＴ７の分岐からはステツプＳＴ２
へ、ステツプＳＴ８からはステツプＳＴ４へ、ステツプ
ＳＴ９からはステツプＳＴ３へ、それぞれ処理が戻され
る。
次に動作について説明する。まず、ステツプＳＴ１にお
いて、トリミングする発熱抵抗体に加える電圧パルスの
初期値、トリミングの目標値等の初期条件が設定され
る。次に、ステツプＳＴ２において、サーマルヘツドに
プロービングし、トリミングするドツトを選択してその
発熱抵抗体を電圧パルス発生手段に接続し、ステツプＳ
Ｔ３で前記ステツプ１で設定された初期値の電圧パルス
を印加する。次にステツプＳＴ４でその発熱抵抗体の抵
抗値を測定し、ステツプＳＴ５において抵抗値が減少し
たか否かを識別し、していなければプローブの接触不良
とみなしてステツプＳＴ８にてプロービングをやり直
し、ステツプＳＴ４に戻つて再度抵抗値の測定を行な
う。抵抗値が減少していればステツプＳＴ６にてステツ
プＳＴ１で設定されたトリミングの目標値と比較し、目
標値より小さくなつていなければ、ステツプＳＴ９にて
電圧パルスの電圧値をΔＶだけ上昇させててステツプＳ
Ｔ３に戻り、電圧パルスの再印加を行なう。この処理は
その発熱抵抗体の抵抗値が前記目標値より小さくなるま
で繰返され、目標値より小さくなればそのドツトの発熱
抵抗体のトリミングを終了してステツプＳＴ７へ移る。
ステツプＳＴ７では全ドツトのトリミングが終了したか
否かを識別しており、全ドツトのトリミングが終了して
いなければ処理をステツプＳＴ２へ戻す。ステツプＳＴ
２では新たなドツトが選択されてその発熱抵抗体が電圧
パルス発生手段に接続され、同様の処理が全ドツトのト
リミング終了まで繰返される。
いて、トリミングする発熱抵抗体に加える電圧パルスの
初期値、トリミングの目標値等の初期条件が設定され
る。次に、ステツプＳＴ２において、サーマルヘツドに
プロービングし、トリミングするドツトを選択してその
発熱抵抗体を電圧パルス発生手段に接続し、ステツプＳ
Ｔ３で前記ステツプ１で設定された初期値の電圧パルス
を印加する。次にステツプＳＴ４でその発熱抵抗体の抵
抗値を測定し、ステツプＳＴ５において抵抗値が減少し
たか否かを識別し、していなければプローブの接触不良
とみなしてステツプＳＴ８にてプロービングをやり直
し、ステツプＳＴ４に戻つて再度抵抗値の測定を行な
う。抵抗値が減少していればステツプＳＴ６にてステツ
プＳＴ１で設定されたトリミングの目標値と比較し、目
標値より小さくなつていなければ、ステツプＳＴ９にて
電圧パルスの電圧値をΔＶだけ上昇させててステツプＳ
Ｔ３に戻り、電圧パルスの再印加を行なう。この処理は
その発熱抵抗体の抵抗値が前記目標値より小さくなるま
で繰返され、目標値より小さくなればそのドツトの発熱
抵抗体のトリミングを終了してステツプＳＴ７へ移る。
ステツプＳＴ７では全ドツトのトリミングが終了したか
否かを識別しており、全ドツトのトリミングが終了して
いなければ処理をステツプＳＴ２へ戻す。ステツプＳＴ
２では新たなドツトが選択されてその発熱抵抗体が電圧
パルス発生手段に接続され、同様の処理が全ドツトのト
リミング終了まで繰返される。
第５図はこの発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図であ
り、トリミング前にはＲ1，Ｒ2，Ｒ3と大きくばらつい
ていた抵抗値が、目標値Ｒ0よりわずかに低い。狭い範
囲内に均一化される。図においてＶsは前記電圧パルス
の初期値であり、電圧パルスの印加によつて発熱抵抗体
の抵抗値が減少をはじめる境界電圧が通常２５Ｖ近傍に
あるため例えば２５Ｖに設定されている。また、ΔＶは
ステツプＳＴ９による電圧パルスの電圧値の増し分であ
り、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例えば
２．５Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させている。
り、トリミング前にはＲ1，Ｒ2，Ｒ3と大きくばらつい
ていた抵抗値が、目標値Ｒ0よりわずかに低い。狭い範
囲内に均一化される。図においてＶsは前記電圧パルス
の初期値であり、電圧パルスの印加によつて発熱抵抗体
の抵抗値が減少をはじめる境界電圧が通常２５Ｖ近傍に
あるため例えば２５Ｖに設定されている。また、ΔＶは
ステツプＳＴ９による電圧パルスの電圧値の増し分であ
り、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例えば
２．５Ｖに設定して徐々に抵抗値を減少させている。
従来のサーマルヘツド製造方法は以上のように構成され
ているので、１ドツトの発熱抵抗体のトリミングには２
０〜３０回の電圧パルスの印加、及び抵抗値の測定をし
なければならず、発熱抵抗体の抵抗値の均一化には多大
な時間を要するという問題点があつた。
ているので、１ドツトの発熱抵抗体のトリミングには２
０〜３０回の電圧パルスの印加、及び抵抗値の測定をし
なければならず、発熱抵抗体の抵抗値の均一化には多大
な時間を要するという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化に多大の時間を
必要とすることのないサーマルヘツドの製造方法を得る
ことを目的とする。
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化に多大の時間を
必要とすることのないサーマルヘツドの製造方法を得る
ことを目的とする。
この発明に係るサーマルヘツドの製造方法は、サーマル
ヘツドのドツト中よりいくつかのサンプルを選定してそ
れに電圧値の異なるいくつかの電圧パルスを低いものか
ら順に印加し、その都度発熱抵抗体の抵抗変化を測定し
て抵抗値降下曲線を近似し、各ドツトのトリミングに際
しては、まずその発熱抵抗体の抵抗値を測定して、必要
な抵抗値の降下量から前記抵抗値降下曲線に基づいて印
加する電圧パルスの電圧値を決定するものである。
ヘツドのドツト中よりいくつかのサンプルを選定してそ
れに電圧値の異なるいくつかの電圧パルスを低いものか
ら順に印加し、その都度発熱抵抗体の抵抗変化を測定し
て抵抗値降下曲線を近似し、各ドツトのトリミングに際
しては、まずその発熱抵抗体の抵抗値を測定して、必要
な抵抗値の降下量から前記抵抗値降下曲線に基づいて印
加する電圧パルスの電圧値を決定するものである。
この発明におけるサーマルヘツドの製造方法は、当該サ
ーマルヘツド内のサンプルドツトの測定によつて抵抗値
降下曲線を近似し、トリミングに際してこの抵抗値降下
曲線を用いて、測定したそのドツトの発熱抵抗体の抵抗
値より印加する電圧パルスの電圧値を決定して、１回の
電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗値を目標値に近い
ものとする。
ーマルヘツド内のサンプルドツトの測定によつて抵抗値
降下曲線を近似し、トリミングに際してこの抵抗値降下
曲線を用いて、測定したそのドツトの発熱抵抗体の抵抗
値より印加する電圧パルスの電圧値を決定して、１回の
電圧パルスの印加で発熱抵抗体の抵抗値を目標値に近い
ものとする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、ＳＴ１１は初期設定のステツプ、ＳＴ１２
は前記ステツプＳＴ１１に続くサンプルの抵抗変化測定
のステツプ、ＳＴ１３は前記ステツプＳＴ１２に続く抵
抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ１４は前記ステツプ
ＳＴ１３に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ１５は前記
ステツプＳＴ１４に続く印加電圧決定のステツプ、ＳＴ
１６は前記ステツプＳＴ１５に続く電圧パルス印加のス
テツプ、ＳＴ１７は前記ステツプＳＴ１６に続くトリミ
ングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステツ
プＳＴ１７の分岐からはステツプＳＴ１４に処理が戻さ
れる。
図において、ＳＴ１１は初期設定のステツプ、ＳＴ１２
は前記ステツプＳＴ１１に続くサンプルの抵抗変化測定
のステツプ、ＳＴ１３は前記ステツプＳＴ１２に続く抵
抗値降下曲線近似のステツプ、ＳＴ１４は前記ステツプ
ＳＴ１３に続く抵抗値測定のステツプ、ＳＴ１５は前記
ステツプＳＴ１４に続く印加電圧決定のステツプ、ＳＴ
１６は前記ステツプＳＴ１５に続く電圧パルス印加のス
テツプ、ＳＴ１７は前記ステツプＳＴ１６に続くトリミ
ングの全ドツト終了検出のステツプであり、このステツ
プＳＴ１７の分岐からはステツプＳＴ１４に処理が戻さ
れる。
第２図はこの発明のサーマルヘツドの製造方法を実施す
る装置の一例を示すブロツク図であり、図において、１
はトリミング処理が行なわれるサーマルヘツド、２はこ
のサーマルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを
押し当てるプロービング装置、３はプロービング装置２
に接続されて前記発熱抵抗体の選択を行なうリレー網、
４はリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値
の測定とを切り換えるスイツチ、５はスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理装置（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて、前記
諸装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行なう
制御演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリ
ンタである。
る装置の一例を示すブロツク図であり、図において、１
はトリミング処理が行なわれるサーマルヘツド、２はこ
のサーマルヘツド１の各発熱抵抗体の端子にプローブを
押し当てるプロービング装置、３はプロービング装置２
に接続されて前記発熱抵抗体の選択を行なうリレー網、
４はリレー網３に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値
の測定とを切り換えるスイツチ、５はスイツチ４の一方
に接続されて指定された電圧値の電圧パルスを送出する
パルス発生器、６はスイツチ４の他方に接続された抵抗
計、７は入出力部８、中央処理装置（以下、ＣＰＵとい
う）９、メモリ１０、キーボード１１等を備えて、前記
諸装置の制御を行なうとともに所要の演算処理を行なう
制御演算部、１２はこの制御演算部７に接続されたプリ
ンタである。
次に動作について説明する。第３図は前記抵抗値降下曲
線の一例を示す線図であり、図中の実線Ｙがその抵抗値
降下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値が、
縦には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が
目盛られている。実験の結果、第３図の縦軸を抵抗変化
率にして、初期の抵抗値から何％降下したかをプロツト
すると、第３図に破線で示す如く、初期の抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどり、その曲線Ｙは
（１）式で近似できることがわかつた。
線の一例を示す線図であり、図中の実線Ｙがその抵抗値
降下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値が、
縦には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率が
目盛られている。実験の結果、第３図の縦軸を抵抗変化
率にして、初期の抵抗値から何％降下したかをプロツト
すると、第３図に破線で示す如く、初期の抵抗値には関
係なくほぼ一定の曲線Ｙ上をたどり、その曲線Ｙは
（１）式で近似できることがわかつた。
なお、（１）式中、Ｒ0は発熱抵抗体の初期の抵抗値、
Ｖ0は抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界
値、ΔＶは印加電圧の変化ステツプ、α，βはサーマル
ヘツドの構造、ドツト密度等で決まる定数である。
Ｖ0は抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界
値、ΔＶは印加電圧の変化ステツプ、α，βはサーマル
ヘツドの構造、ドツト密度等で決まる定数である。
また、別の実験の結果、所定の電圧値の電圧パルスを１
回だけ印加した場合の抵抗減少率は、第３図の如く電圧
値を暫増させながら何回も電圧パルスを印加した場合の
同一電圧値のそれと同等の値を示すこともわかつた。こ
の発明はこれらの実験結果に基づくものである。
回だけ印加した場合の抵抗減少率は、第３図の如く電圧
値を暫増させながら何回も電圧パルスを印加した場合の
同一電圧値のそれと同等の値を示すこともわかつた。こ
の発明はこれらの実験結果に基づくものである。
この実施例では、まず、ステツプ１１で初期設定が行な
われ、次いでステツプ１２でサンプルの抵抗変化測定が
行なわれる。即ち、リレー網３を制御してサーマルヘツ
ド１のサンプルとして指定されたドツトの発熱抵抗体を
選択し、スイツチ４を切り換えて抵抗計６へ接続して抵
抗値を測定し、その測定値を制御演算部７へ送り、制御
演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ格納する。次
にスイツチ４を切り換えてパルス発生器５より所定の電
圧値の電圧パルスを前記抵抗発熱体に印加する。ここ
で、この電圧パルスは例えば幅が２μsecのパルスが１
５個周期５０μsecで連続するパルス列である。次に、
再度スイツチ４を切り換えて、この電圧パルスが印加さ
れた発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定し、
制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそれを
印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に格納
する。以下、同様にして、電圧パルスの電圧値を適宜上
昇させながらこれらの処理を繰返す。この処理は少くと
も３回繰返して実行され、リレー網３を切り換えていく
つかのサンプルについて実行される。
われ、次いでステツプ１２でサンプルの抵抗変化測定が
行なわれる。即ち、リレー網３を制御してサーマルヘツ
ド１のサンプルとして指定されたドツトの発熱抵抗体を
選択し、スイツチ４を切り換えて抵抗計６へ接続して抵
抗値を測定し、その測定値を制御演算部７へ送り、制御
演算部７のＣＰＵ９はこれをメモリ１０へ格納する。次
にスイツチ４を切り換えてパルス発生器５より所定の電
圧値の電圧パルスを前記抵抗発熱体に印加する。ここ
で、この電圧パルスは例えば幅が２μsecのパルスが１
５個周期５０μsecで連続するパルス列である。次に、
再度スイツチ４を切り換えて、この電圧パルスが印加さ
れた発熱抵抗体を抵抗計６に接続して抵抗値を測定し、
制御演算部７へ送る。制御演算部７のＣＰＵ９はそれを
印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ１０に格納
する。以下、同様にして、電圧パルスの電圧値を適宜上
昇させながらこれらの処理を繰返す。この処理は少くと
も３回繰返して実行され、リレー網３を切り換えていく
つかのサンプルについて実行される。
次に、ステツプＳＴ１３において、このようにして測定
された抵抗変化に基づく抵抗値降下曲線の近似が行なわ
れる。即ち、制御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格
納しておいた抵抗変化から、電圧パルスによる各印加電
圧における抵抗変化率ΔＲ＝（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0を求め、
これを前記（１）式に代入する。これによつて各サンプ
ル毎にそれぞれα，β，Ｖ0を未知数とする方程式を作
成してこれを解く。ここで、三つの未知数に対して四つ
以上の方程式がある場合にはこれを統計的に処理して解
を得る。得られた解はさらに各サンプル間で統計的に処
理され、得られた定数α，β、境界電圧値Ｖ0が（１）
式に代入されて、抵抗変化率ΔＲと印加電圧Ｖとの関係
を示す抵抗値降下曲線が近似される。
された抵抗変化に基づく抵抗値降下曲線の近似が行なわ
れる。即ち、制御演算部７のＣＰＵ９はメモリ１０に格
納しておいた抵抗変化から、電圧パルスによる各印加電
圧における抵抗変化率ΔＲ＝（Ｒ−Ｒ0）／Ｒ0を求め、
これを前記（１）式に代入する。これによつて各サンプ
ル毎にそれぞれα，β，Ｖ0を未知数とする方程式を作
成してこれを解く。ここで、三つの未知数に対して四つ
以上の方程式がある場合にはこれを統計的に処理して解
を得る。得られた解はさらに各サンプル間で統計的に処
理され、得られた定数α，β、境界電圧値Ｖ0が（１）
式に代入されて、抵抗変化率ΔＲと印加電圧Ｖとの関係
を示す抵抗値降下曲線が近似される。
これで準備段階を終了してステツプＳＴ１４よりトリミ
ングの処理に入る。まず、ステツプＳＴ１４において、
リレー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、ス
イツチによつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を
測定する。次に、ステツプＳＴ１５ではＣＰＵ９によつ
て、得られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗
変化率ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線
Ｙを用いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。その
様子は第３図に示され、具体的には前記α，β，Ｖ0が
代入された関係式に前記ΔＲｎを代入して印加電圧Ｖｎ
を算出する。得られた印加電圧Ｖｎは制御演算部７より
パルス発生器５へ送られる。ステツプＳＴ１６でスイツ
チ４が切り換えられると、パルス発生器５からは電圧が
Ｖｎの電圧パルスが送出され、トリミングを実施するド
ツトの発熱抵抗体に印加される。これによつて当該発熱
抵抗体の抵抗値は目標値に近い値に降下する。以下ステ
ツプＳＴ１７が全ドツトのトリミングの終了を検出する
まで、ステツプＳＴ１４以後の処理が繰返される。
ングの処理に入る。まず、ステツプＳＴ１４において、
リレー網３でトリミングを実施するドツトを選択し、ス
イツチによつてこれを抵抗計６に接続してその抵抗値を
測定する。次に、ステツプＳＴ１５ではＣＰＵ９によつ
て、得られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗
変化率ΔＲｎが算出され、さらに前述の抵抗値降下曲線
Ｙを用いて電圧パルスの印加電圧Ｖｎを決定する。その
様子は第３図に示され、具体的には前記α，β，Ｖ0が
代入された関係式に前記ΔＲｎを代入して印加電圧Ｖｎ
を算出する。得られた印加電圧Ｖｎは制御演算部７より
パルス発生器５へ送られる。ステツプＳＴ１６でスイツ
チ４が切り換えられると、パルス発生器５からは電圧が
Ｖｎの電圧パルスが送出され、トリミングを実施するド
ツトの発熱抵抗体に印加される。これによつて当該発熱
抵抗体の抵抗値は目標値に近い値に降下する。以下ステ
ツプＳＴ１７が全ドツトのトリミングの終了を検出する
まで、ステツプＳＴ１４以後の処理が繰返される。
なお、上記実施例では１つのサンプルに対して、少くと
も３回の電圧パルス印加を行なつて抵抗値降下曲線を近
似するものを示したが、抵抗値に変化が現われはじめる
印加電圧の境界値Ｖ0を２５Ｖとして固定的に与えてし
まえば、２回の電圧パルス印加で抵抗値降下曲線を近似
することも可能となる。
も３回の電圧パルス印加を行なつて抵抗値降下曲線を近
似するものを示したが、抵抗値に変化が現われはじめる
印加電圧の境界値Ｖ0を２５Ｖとして固定的に与えてし
まえば、２回の電圧パルス印加で抵抗値降下曲線を近似
することも可能となる。
また、上記実施例では電圧パルスに所定数連続したパル
ス列を用いたが単パルスであつてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
ス列を用いたが単パルスであつてもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、少ないサンプリング
の抵抗変化を測定して抵抗値降下曲線を近似し、トリミ
ングに際しては、そのドツトの発熱抵抗体の抵抗値を測
定して、前記抵抗値降下曲線を用いて電圧パルスの電圧
値を決定するように構成したので、各ドツト毎に１回の
電圧パルスの印加によつてトリミングが完了するため、
発熱抵抗体の抵抗値の均一化に要する時間を大幅に削減
できる効果がある。この効果はフアクシミリ用サーマル
ヘツドの如く、１０００ドツトあるいはそれ以上の発熱
抵抗体を有するような、多ドツトのサーマルヘツドに適
用した場合、特に顕著である。
の抵抗変化を測定して抵抗値降下曲線を近似し、トリミ
ングに際しては、そのドツトの発熱抵抗体の抵抗値を測
定して、前記抵抗値降下曲線を用いて電圧パルスの電圧
値を決定するように構成したので、各ドツト毎に１回の
電圧パルスの印加によつてトリミングが完了するため、
発熱抵抗体の抵抗値の均一化に要する時間を大幅に削減
できる効果がある。この効果はフアクシミリ用サーマル
ヘツドの如く、１０００ドツトあるいはそれ以上の発熱
抵抗体を有するような、多ドツトのサーマルヘツドに適
用した場合、特に顕著である。
第１図はこの発明の一実施例によるサーマルヘツドの製
造方法を示すフローチヤート、第２図はそれを実施する
ための装置の一例を示すブロツク図、第３図はその抵抗
値降下曲線の一例を示す線図、第４図は従来のサーマル
ヘツドの製造方法を示すフローチヤート、第５図はその
発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図である。 １はサーマルヘツド、２はプロービング装置、３はリレ
ー網、４はスイツチ、５はパルス発生器、６は抵抗計、
７は制御演算部。
造方法を示すフローチヤート、第２図はそれを実施する
ための装置の一例を示すブロツク図、第３図はその抵抗
値降下曲線の一例を示す線図、第４図は従来のサーマル
ヘツドの製造方法を示すフローチヤート、第５図はその
発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図である。 １はサーマルヘツド、２はプロービング装置、３はリレ
ー網、４はスイツチ、５はパルス発生器、６は抵抗計、
７は制御演算部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 裕 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (72)発明者 高瀬 弥平 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−131404（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】複数のドツトの発熱抵抗体を備えたサーマ
ルヘツドの前記ドツトの発熱抵抗体の各々に電圧パルス
を印加し、そのドツトの発熱抵抗体の抵抗値を降下させ
て均一化するサーマルヘツドの製造方法において、前記
ドツトの発熱抵抗体中からサンプルドツトを選び、電圧
値の異なる電圧パルスを低圧のものから順次、前記サン
プルドツトとして選ばれたドツトの発熱抵抗体に印加し
て、印加電圧と抵抗値変化の関係を示す抵抗値降下曲線
を近似し、前記各ドツトの発熱抵抗体へ印加する前記電
圧パルスの電圧値を、当該ドツトの発熱抵抗体の初期の
抵抗値に基づいて前記抵抗値降下曲線を用いて決定する
ことを特徴とするサーマルヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204004A JPH068056B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204004A JPH068056B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6359551A JPS6359551A (ja) | 1988-03-15 |
| JPH068056B2 true JPH068056B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=16483179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61204004A Expired - Lifetime JPH068056B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH068056B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140142816A (ko) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 주식회사 엘지화학 | 탄소나노구조체 제조용 담지촉매, 이의 제조방법 및 이를 이용한 탄소나노구조체의 2차구조물 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131404A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-19 | ロ−ム株式会社 | サ−マルヘツドにおけるパルストリミング法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61204004A patent/JPH068056B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140142816A (ko) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 주식회사 엘지화학 | 탄소나노구조체 제조용 담지촉매, 이의 제조방법 및 이를 이용한 탄소나노구조체의 2차구조물 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6359551A (ja) | 1988-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |