JPS61154006A - チツプ抵抗器におけるパルストリミング法 - Google Patents
チツプ抵抗器におけるパルストリミング法Info
- Publication number
- JPS61154006A JPS61154006A JP59276621A JP27662184A JPS61154006A JP S61154006 A JPS61154006 A JP S61154006A JP 59276621 A JP59276621 A JP 59276621A JP 27662184 A JP27662184 A JP 27662184A JP S61154006 A JPS61154006 A JP S61154006A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip resistor
- resistor
- resistance value
- voltage
- pulse trimming
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）技術分野
この発明は、抵抗体を基板上に厚膜形成されたチップ抵
抗器の抵抗値を調整するためのチップ抵抗器におけるパ
ルストリミング法に関する。
抗器の抵抗値を調整するためのチップ抵抗器におけるパ
ルストリミング法に関する。
（ｂ）従来技術
従来の厚膜チップ抵抗器は、基板上に抵抗体ペーストを
プリントし焼成した後に、レーザービーム法またはサン
ドブラスト法で抵抗体の一部を削り取ることにより、抵
抗値の修正をおこなっていた。ところが、このチップ抵
抗器は、抵抗値の修正後、抵抗体を保護するために保護
コートを形成しなければならないので、この保護コート
の焼成工程で再び抵抗体の抵抗値にバラツキが生じるこ
とになる。このため、従来のチップ抵抗器の抵抗値修正
方法では、特に高精度規格の製品製造の際の歩留まりが
悪くなるという欠点があり、また、レーザービーム法や
サンドブラスト法は、抵抗体に直接傷を付けるので外観
が悪くなるばかりでなく、抵抗体の断面積が小さくなる
ので電力容量が低下し、さらに局部発熱のおそれも生じ
るという欠点があった。
プリントし焼成した後に、レーザービーム法またはサン
ドブラスト法で抵抗体の一部を削り取ることにより、抵
抗値の修正をおこなっていた。ところが、このチップ抵
抗器は、抵抗値の修正後、抵抗体を保護するために保護
コートを形成しなければならないので、この保護コート
の焼成工程で再び抵抗体の抵抗値にバラツキが生じるこ
とになる。このため、従来のチップ抵抗器の抵抗値修正
方法では、特に高精度規格の製品製造の際の歩留まりが
悪くなるという欠点があり、また、レーザービーム法や
サンドブラスト法は、抵抗体に直接傷を付けるので外観
が悪くなるばかりでなく、抵抗体の断面積が小さくなる
ので電力容量が低下し、さらに局部発熱のおそれも生じ
るという欠点があった。
（Ｃ）発明の目的
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、チップ抵抗器の電極間にパルス状の高電圧を印加す
ることにより、製造の最終工程で精度の高い抵抗値の修
正を行うことができるチップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法を提供することを目的とする。
て、チップ抵抗器の電極間にパルス状の高電圧を印加す
ることにより、製造の最終工程で精度の高い抵抗値の修
正を行うことができるチップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法を提供することを目的とする。
（ｄ１発明の構成および効果
この発明の千ノブ抵抗器におけるパルストリミング法は
、厚膜チップ抵抗器の電極間に、パルス状の高電圧を順
次電圧値をステップアップさせながら適宜回数繰り返し
印加することにより、抵抗値のバラツキを修正すること
を特徴とする。
、厚膜チップ抵抗器の電極間に、パルス状の高電圧を順
次電圧値をステップアップさせながら適宜回数繰り返し
印加することにより、抵抗値のバラツキを修正すること
を特徴とする。
具体的には、まず、抵抗体上に保護コートを焼成し電極
を形成することによりチップ抵抗器を外観的に完成した
後に、１個ずつ抵抗値を測定し、この抵抗値が所定範囲
よりも高いものについて、電極間にパルス状の高電圧を
印加する。次に、再び抵抗値を測定して、その値が未だ
所定範囲内とならないときには、電圧値を少し増して再
びパルス状の高電圧を印加する。そして、以下、この抵
抗値が所定範囲内に入るまで順次電圧値をステップアッ
プさせながらこの電圧の印加を繰り返す。
を形成することによりチップ抵抗器を外観的に完成した
後に、１個ずつ抵抗値を測定し、この抵抗値が所定範囲
よりも高いものについて、電極間にパルス状の高電圧を
印加する。次に、再び抵抗値を測定して、その値が未だ
所定範囲内とならないときには、電圧値を少し増して再
びパルス状の高電圧を印加する。そして、以下、この抵
抗値が所定範囲内に入るまで順次電圧値をステップアッ
プさせながらこの電圧の印加を繰り返す。
最初に印加する高電圧の電圧値やステップアップする電
圧値の幅は、実験データ等に基づいて定める。なお、最
初の抵抗値測定でこの抵抗値が所定範囲内であったもの
は、そのまま完成品となる。
圧値の幅は、実験データ等に基づいて定める。なお、最
初の抵抗値測定でこの抵抗値が所定範囲内であったもの
は、そのまま完成品となる。
また、この抵抗値が所定範囲より低いものは、不良品と
して処分される。
して処分される。
この発明のチップ抵抗器におけるパルストリミング法を
上記のように構成すると、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、高
精度規格の製品であっても歩留まり良く製造することが
できる。また、レーザービーム法やサンドブラスト法を
併用することなくこの方法を使用すれば抵抗体に傷が付
かないので、外観が良くなるばかりでなく、電力容量が
減少するということもなくなる。
上記のように構成すると、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、高
精度規格の製品であっても歩留まり良く製造することが
できる。また、レーザービーム法やサンドブラスト法を
併用することなくこの方法を使用すれば抵抗体に傷が付
かないので、外観が良くなるばかりでなく、電力容量が
減少するということもなくなる。
（ｅ）実施例
第１図は、この発明の実施例であるチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステップアップの状態を示す
グラフである。
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステップアップの状態を示す
グラフである。
この実施例のチップ抵抗器におけるパルストリミング法
は、焼成工程を完了したチップ抵抗器の抵抗値の測定を
行い、その値が規格許容範囲より高いものについて実施
する。抵抗値が規格許容範囲より高かった場合、まず、
そのチ・ノブ抵抗器の電極間に最初のパルス状の高電圧
を印加する。このパルス状の高電圧の印加を行う電気回
路は、第１図に示すように、電圧値が可変となる電源１
に、電圧計２を並列に接続するとともに、切り換えスイ
ッチ３の一方の接点４を介してコンデンサ５を並列に接
続することにより構成され、このコンデンサ５に並列に
切り換えスイッチ３の他方の接点６を介してチップ抵抗
器７の電極８．８を接続することにより使用する。そし
て、パルス状の高電圧の印加は、まず、切り換えスイッ
チ３を一方の接点４に切り換えコンデンサ５を充電し、
次に、切り換えスイッチ３を他方の接点６に切り換えコ
ンデンサ５の充電電荷をチップ抵抗器７に放電すること
により行う。このようにしてパルス状の高電圧を印加し
た後、再びチップ抵抗器の抵抗値を測定する。この測定
で抵抗値が規格許容範囲内となったものについては、こ
こでパルストリミングを終了する。抵抗値が規格許容範
囲に達しない場合には、電圧値をステップアンプさせて
もう一度パルス状の高電圧を印加し、測定した抵抗値が
規格許容範囲内となるまで同様の操作を繰り返す。印加
電圧のステップアップは、第２図に示すように、最初の
印加電圧を８５５ボルトとして、２回目を９４０ボルト
、３回目を１０２０ボルト。
は、焼成工程を完了したチップ抵抗器の抵抗値の測定を
行い、その値が規格許容範囲より高いものについて実施
する。抵抗値が規格許容範囲より高かった場合、まず、
そのチ・ノブ抵抗器の電極間に最初のパルス状の高電圧
を印加する。このパルス状の高電圧の印加を行う電気回
路は、第１図に示すように、電圧値が可変となる電源１
に、電圧計２を並列に接続するとともに、切り換えスイ
ッチ３の一方の接点４を介してコンデンサ５を並列に接
続することにより構成され、このコンデンサ５に並列に
切り換えスイッチ３の他方の接点６を介してチップ抵抗
器７の電極８．８を接続することにより使用する。そし
て、パルス状の高電圧の印加は、まず、切り換えスイッ
チ３を一方の接点４に切り換えコンデンサ５を充電し、
次に、切り換えスイッチ３を他方の接点６に切り換えコ
ンデンサ５の充電電荷をチップ抵抗器７に放電すること
により行う。このようにしてパルス状の高電圧を印加し
た後、再びチップ抵抗器の抵抗値を測定する。この測定
で抵抗値が規格許容範囲内となったものについては、こ
こでパルストリミングを終了する。抵抗値が規格許容範
囲に達しない場合には、電圧値をステップアンプさせて
もう一度パルス状の高電圧を印加し、測定した抵抗値が
規格許容範囲内となるまで同様の操作を繰り返す。印加
電圧のステップアップは、第２図に示すように、最初の
印加電圧を８５５ボルトとして、２回目を９４０ボルト
、３回目を１０２０ボルト。
４回目を１１０５ボルトというように、−回ごとに約８
５ボルトずつ増加させる。
５ボルトずつ増加させる。
第３図は、この実施例のチップ抵抗器におけるパルスト
リミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を
示したグラフであり、チップ抵抗器の５つのサンプルに
ついて、１０回ずつパルス状の高電圧を印加した場合の
実験結果である。
リミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を
示したグラフであり、チップ抵抗器の５つのサンプルに
ついて、１０回ずつパルス状の高電圧を印加した場合の
実験結果である。
この実施例のチップ抵抗器におけるパルストリミング法
をこのように実施すると、第３図に示すように、チップ
抵抗器のサンプルＡの場合、最初規格値に対して抵抗値
が＋１．８％の偏差を有していたものが、１回目のパル
ス状の高電圧の印加で＋１．２％の偏差となり、２回目
のパルス状の高電圧の印加で＋０．９％の偏差となって
、１０回目のパルス状の高電圧の印加では−１，０５％
の偏差まで達し、パルス状の高電圧を印加するごとに抵
抗値が減少する。このため、このパルス状の高電圧の印
加を適当なところで終了すれば、チップ抵抗器の抵抗値
を規格値に対して±１％以内とすることも容易であを。
をこのように実施すると、第３図に示すように、チップ
抵抗器のサンプルＡの場合、最初規格値に対して抵抗値
が＋１．８％の偏差を有していたものが、１回目のパル
ス状の高電圧の印加で＋１．２％の偏差となり、２回目
のパルス状の高電圧の印加で＋０．９％の偏差となって
、１０回目のパルス状の高電圧の印加では−１，０５％
の偏差まで達し、パルス状の高電圧を印加するごとに抵
抗値が減少する。このため、このパルス状の高電圧の印
加を適当なところで終了すれば、チップ抵抗器の抵抗値
を規格値に対して±１％以内とすることも容易であを。
以上説明したように、この実施例のチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法は、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、例
えば±１％級の高精度な規格の製品であっても歩留まり
良く製造することができる。また、レーザービーム法や
サンドブラスト法を併用することなくこの方法を使用す
れば抵抗体に傷が付かないので、外観が良くなるばかり
でなく、電力容量が減少せず、局部発熱のおそれもなく
なる。
るパルストリミング法は、チップ抵抗器の抵抗値を抵抗
体上の保護コート焼成後の最終工程で修正できるので、
その後抵抗値にバラツキが生じるような工程がなく、例
えば±１％級の高精度な規格の製品であっても歩留まり
良く製造することができる。また、レーザービーム法や
サンドブラスト法を併用することなくこの方法を使用す
れば抵抗体に傷が付かないので、外観が良くなるばかり
でなく、電力容量が減少せず、局部発熱のおそれもなく
なる。
第１図は、この発明の実施例であるチップ抵抗器におけ
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステソプアソブの状態を示す
グラフ、第３図は、同チップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を示
すグラフである。 ７−チップ抵抗器、８−電橋。
るパルストリミング法において使用する電気回路の回路
図、第２図は、同チップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法において印加電圧値のステソプアソブの状態を示す
グラフ、第３図は、同チップ抵抗器におけるパルストリ
ミング法において電圧印加後の抵抗値の偏差の割合を示
すグラフである。 ７−チップ抵抗器、８−電橋。
Claims (1)
- （１）厚膜チップ抵抗器の電極間に、パルス状の高電圧
を順次電圧値をステップアップさせながら適宜回数繰り
返し印加することにより、抵抗値のバラツキを修正する
ことを特徴とするチップ抵抗器におけるパルストリミン
グ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276621A JPS61154006A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | チツプ抵抗器におけるパルストリミング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276621A JPS61154006A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | チツプ抵抗器におけるパルストリミング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154006A true JPS61154006A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17571988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276621A Pending JPS61154006A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | チツプ抵抗器におけるパルストリミング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154006A (ja) |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59276621A patent/JPS61154006A/ja active Pending
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