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JPH0212795A - 有機薄膜el素子とその製造方法 - Google Patents

有機薄膜el素子とその製造方法

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Publication number
JPH0212795A
JPH0212795A JP63164030A JP16403088A JPH0212795A JP H0212795 A JPH0212795 A JP H0212795A JP 63164030 A JP63164030 A JP 63164030A JP 16403088 A JP16403088 A JP 16403088A JP H0212795 A JPH0212795 A JP H0212795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
thin film
phthalocyanine
organic thin
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63164030A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayasu Ishiko
雅康 石子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63164030A priority Critical patent/JPH0212795A/ja
Publication of JPH0212795A publication Critical patent/JPH0212795A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は平面光源やデイスプレィに利用される有機薄膜
EL素子とその製造方法に関するものである。
(従来の技術) 有機物質を原料としたEL(電界発光)素子は、安価な
大面積フルカラー表示素子を実現するものとして注目を
集めた。この有機EL素子は一時期活発に研究されたも
のの、ZnS:Mn系の無機薄膜EL素子に比べ輝度が
低く、特性劣化も激しかったため実用にいたらなかった
。また、その駆動電圧がDC100V程度と高かった事
も実用化への障害になっていた。
ところが、最近有機薄膜を2層構造にした新しいタイプ
の有機薄膜EL素子が報告され、強い関心を集めている
(アプライド・フィジックス・レターズ、第51巻、第
913ページ、1987年)。第5図に示すように蛍光
性金属キレート錯体を有機蛍光体薄膜層34に、アミン
系材料を正孔注入層33に使用して明るい緑色発光を得
たと報告している。発光過程は次のように考えられてい
る。即ち、正孔伝導性の正孔注入層33から電子伝導性
の有機蛍光体薄膜層34に正孔が注入されることにより
有機蛍光体層内に一重項励起子が生成され、これが源と
なり発光が生じている。
この素子は6〜7■の直流電圧印加で約100cd/m
2の輝度を示す。更に、最大発光効率はLOfj:mN
J程度と、優れた性能を持っている。
(発明が解決しようとする課題) 前述したように、有機蛍光体薄膜と正孔注入層が2層積
層した構造を有している有機薄膜EL素子は、明るい緑
色発光を示している。しかし、この有機薄膜EL素子に
は次に示すような課題があった。第一に、効率、発光輝
度が実用レベルに達していない。例えば従来の有機薄膜
EL素子は10数cm角で全面発光(約100cd/m
2前後の輝度)させた場合10ワット以上の電力を必要
とした。この電力の大部分は熱となり、効率を向上させ
なければヒートパネルとなってしまう。
次に、動作温度や駆動電流を高くすると著しく発光輝度
劣化が加速された。このように有機薄膜EL素子の実用
化には素子の高効率・高輝度化と発光特性劣化を防止す
ることが重要である。しかし、従来これら課題解決が困
難であった。
(課題を解決するための手段) 前述の問題点を解決するため本発明が提供する手段は、
少なくとも一方が透明である一対の電極間に少なくとも
有機蛍光体薄膜層と正孔注入層とが積層されている有機
薄膜EL素子において、前記正孔注入層を構成する材料
が、無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニン
であることを特徴とした有機薄膜EL素子である。
ここで無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニ
ンの膜厚は10人から200OAである。
更に本発明が提供するもう一つの発明は、少なくとも一
方が透明である一対の電極間に有機蛍光体薄膜層と無金
属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニンを積層し
た構造を有する有機薄膜EL素子の製造方法において、
前記無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニン
を成膜する温度が0°Cから450°Cの範囲であるこ
とを特徴とする有機薄膜EL素子の製造方法である。
(作用) 従来の有機薄膜EL素子の問題点を鋭意調査した結果、
次の2点が明らかになった。第1に、従来2層構造をし
た有機薄膜EL素子の発光は有機蛍光体薄膜層内で電子
と正孔が再結合することにより生成された一重項励起子
が源となっている。しかし、従来の有機薄膜EL素子に
於て発光効率や発光輝度が充分でない原因は有機薄膜E
L素子を構成する正孔注入層の有機蛍光体薄膜層への正
孔注入効率が低いことであった。第2に、有機薄膜EL
素子を構成する正孔注入層が通電によるジュール熱及び
電気化学反応により変質していることが主な劣化原因で
あることが判明した。従って、従来の有機薄膜EL素子
の課題解決には正孔注入効率が高く、高い電流密度を通
電しても安定な新しい正孔注入材料を探索する必要があ
った。
そこで新しい材料を探索した結果、正孔注入層を構成す
る材料として無金属フタロシアニンあるいは金属フタロ
シアニンが優れた性能を有していることを発見し、本発
明に至った。
無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニンを正
孔注入層として使用することにより高効率・高輝度化及
び劣化防止が可能になった理由として、次のように考え
ている。
無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニンは仕
事関数が比較的大きく、かつ有機物としては比較的正孔
密度の高い薄膜形成が可能である故に従来の電荷注入層
を構成する材料に比べ有機蛍光体薄膜層に正孔が注入さ
れ易くなった。
方、無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニン
蒸着膜は電子に対してはブロッキング接触となるため、
有機蛍光体薄膜がらの電子注入が抑圧される。
以上述べたように、無金属フタロシアニンあるいは金属
フタロシアニン蒸着膜を電荷注入層として使用すると正
孔注入効率を高くすることが可能となり、その結果発光
効率と発光輝度を高くできたと考える。ただし第2図に
示すように無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシ
アニンの膜厚が10Å以下であると発光効率の低下およ
び発光が不均一となり不適当であった。無金属フタロシ
アニンあるいは金属フタロシアニンの膜厚が2000A
以上であると有機蛍光体薄膜で生じた光が殆ど無金属フ
タロシアニンあるいは金属フタロシアニン層で吸収され
、光取り出し効率が大幅に低下した。更に発光開始電圧
も上昇し不適当であった。
尚、無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニン
薄膜は、熱に対して非常に安定であるとともに数A/a
m2の電流にも安定であることが知られている。この優
れた性質により、従来問題となっていた劣化も大幅に低
下させることができたと考える。
更に、無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニ
ン蒸着薄膜上にトリス(8,ハイドロキシキノリツール
)アルミニウム、ペリレン、アントラセン、テトラセン
、コロネン等有機蛍光体薄膜を蒸着形成すると、低温に
おいて有機蛍光体薄膜の結晶性が改善し、発光効率アッ
プに寄与するという効果もあった。ここで第3図に示す
ように無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシアニ
ン蒸着薄膜形成時の基板温度が0°Cから450°Cで
ある場合に特に効果があった。
本発明に使用できる金属フタロシアニンの金属(実施例
) 以下実施例を以て本発明の詳細な説明する。
[実施例1] 第1図に本実施例1で用いた有機薄膜EL素子の断面構
造の概略図を示す。
有機蛍光体として充分高純度なトリス(8−ハイドロキ
シキノリツール)アルミニムを用いた。まず充分に脱脂
・洗浄した透明電極2付ガラス基板1を真空蒸着機に入
れる。正孔注入層として、無金属のフタロシアニンを約
200人毎秒1人の速度で蒸着し、無金属フタロシアニ
ン薄膜層3とする。尚、蒸着中の基板温度は約85°C
であった。ひきつづきトリス(8゜ハイドロキシキノリ
ツール)アルミニウム金属錯体を有機蛍光体薄膜層4と
して600人蒸着口た。電子ビーム法で銀・マグネシウ
ム電極5を300OA形成し、有機薄膜EL素子が完成
する。この素子の発光特性を測定したところ、約5■の
直流電圧印加で200cd/m2の発光が得られた。こ
のときの最大発光効率は3.0errdWであった。こ
れは従来の有機薄膜EL素子より約2倍発光特性が改善
された。更に1mA/cm2で連続発光させたところ1
000時間以上安定な発光が観測できた。従来素子より
数倍寿命が延びている。
本発明はトリス(8−ハイドロキシキノリツール)アル
ミニウム蛍光体ばかりでなく他の有機蛍光体でも同様の
効果が認められた。また、鉄、ニッケル、銅、コバルト
などの金属フタロシアニンを無金属フタロシアニンの代
わりに使用しても同様な効果があった。すなわち、本発
明で重要な点は、無金属フタロシアニンあるいは金属フ
タロシアニンを電荷注入層に使用した有機薄膜EL素子
で発光効率、輝度の向上及び劣化の抑制ができることで
ある。有機蛍光体材料そのものを限定するものではない
[実施例21 第4図に本実施例2で用いた有機薄膜KL素子の断面構
造の概略図を示す。
実施例1と同様に透明電極ITOが付いているガラス基
板21を充分に脱脂・洗浄した後、基板を真空装置にい
れる。その後、正孔注入層として、高純度のコバルトフ
タロシアニンを20OA毎秒1人の速度で蒸着する。尚
、蒸着中の基板温度は約100°Cであった。ひきつづ
きトリス(8−ハイドロキシキノリツール)アルミニウ
ム金属錯体を有機蛍光体薄膜層24として600人蒸着
口た。更に、電子注入層25としてペリレン・テトラカ
ーポリツク誘導体を20OA毎秒1人の速度で蒸着する
。最後に、電子ビーム法で銀・マグネシウム電極26を
3000人形成し、有機薄膜EL素子が完成する。この
素子の発光特性を測定したところ、約5vの直流電圧印
加で200cd/m2の発光が得られた。このときの最
大発光効率は3.01!rrdWであった。これは従来
の有機薄膜EL素子より2倍以上発光特性が改善された
。更に1mA/cm2で連続発光させたところ1000
時間以上安定な発光が観測できた。
従来素子より数倍寿命が延びている。
尚、表1に示した、他の金属フタロシアニンを使用して
も同様な効果が認められた。
(発明の効果) 以上説明したように本発明により、従来の有機薄膜EL
素子に比べ、発光特性が向上し、高輝度・高効率化が達
成できた。また従来問題であった発光の劣化をかなり抑
えることが可能になった。このように本発明により有機
薄膜EL素子を実用レベルまで引き上げることができ、
その工業的価値は高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例1に於ける有機薄膜EL素子の断
面構造を示す図である。 第2図は無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシア
ニンの膜厚による有機薄膜EL素子の発光効率の変化を
示す図である。 第3図は無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシア
ニンの蒸着時の基板温度による有機薄膜EL素子の発光
効率の変化を示す図である。 第4図は本発明実施例2に於ける有機薄膜EL素子の断
面構造を示す図である。 第5図は代表的な有機薄膜EL素子の断面構造を示す図
である。 1、21.31・・・ガラス基板、2.22.32・・
・透明電極、33・・・正孔注入層、3・・・無金属フ
タロシアニン薄膜層、23・・・コバルトフタロシアニ
ン薄膜層、25・・・電子注入層、4.24.34・・
・有機蛍光体薄膜層、5.26.35・・・背面電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に少な
    くとも有機蛍光体薄膜層と正孔注入層とが積層されてい
    る有機薄膜EL素子において、前記正孔注入層を構成す
    る材料が、無金属フタロシアニンあるいは金属フタロシ
    アニンであることを特徴とする有機薄膜EL素子 2) 前記正孔注入層の厚さが10Åから2000Åの
    範囲であることを特徴とした特許請求の範囲第1項記載
    の有機薄膜EL素子 3) 少なくとも一方が透明である一対の電極間に有機
    蛍光体薄膜層と無金属フタロシアニンあるいは金属フタ
    ロシアニンを積層した構造を有する有機薄膜EL素子の
    製造方法において、前記無金属フタロシアニンあるいは
    金属フタロシアニンを成膜する温度が0℃から4500
    ℃の範囲であることを特徴とする有機薄膜EL素子の製
    造方法。
JP63164030A 1988-06-29 1988-06-29 有機薄膜el素子とその製造方法 Pending JPH0212795A (ja)

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JP63164030A JPH0212795A (ja) 1988-06-29 1988-06-29 有機薄膜el素子とその製造方法

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JP63164030A JPH0212795A (ja) 1988-06-29 1988-06-29 有機薄膜el素子とその製造方法

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JPH0212795A true JPH0212795A (ja) 1990-01-17

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ID=15785474

Family Applications (1)

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JP63164030A Pending JPH0212795A (ja) 1988-06-29 1988-06-29 有機薄膜el素子とその製造方法

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JP (1) JPH0212795A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994007344A1 (en) * 1992-09-22 1994-03-31 Hitachi, Ltd. Organic luminescent element and its substrate
US7247074B2 (en) 2001-12-03 2007-07-24 Denso Corporation Organic electroluminescent element and process for its manufacture

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994007344A1 (en) * 1992-09-22 1994-03-31 Hitachi, Ltd. Organic luminescent element and its substrate
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