JP7543814B2 - コイル部品およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コイル部品およびその製造方法に関する。

従来のコイル部品としては、特開平１１－２１９８２１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このコイル部品は、積層体と、積層体内に設けられたコイルとを備え、積層体は、積層された複数の磁性体層を有し、コイルは、積層された複数の導体層を有する。そして、磁性体層と導体層の間に空隙部を設け、磁性体層と導体層とが接触しないようにすることで、磁性体層と導体層の間に発生する応力を緩和している。

特開平１１－２１９８２１号公報

ところで、前記従来のコイル部品では、空隙部は、導体層の全周に設けられているため、導体層は、磁性体層に直接に接触しておらず、導体層の位置、つまり、コイルの位置が安定しないおそれがあった。

そこで、本開示は、コイル配線と磁性層の間に発生する応力を緩和しつつ、かつ、コイルの位置を安定できるコイル部品およびその製造方法を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明のコイル部品は、
素体と、
素体内に設けられたコイルと
を備え、
素体は、第１方向に積層された複数の磁性層を有し、
コイルは、第１方向に積層された複数のコイル配線を有し、
素体は、さらに、第１方向からみて、コイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層を有し、
ヒビ発生層の内部にヒビが存在する。

本発明のコイル部品によれば、ヒビ発生層の内部にヒビが存在するので、コイル配線と磁性層の間に発生する応力を緩和できる。また、コイル配線は、磁性層またはヒビ発生層に積層しているので、コイル配線の位置、つまり、コイルの位置が安定する。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層は、第１方向において隣り合う磁性層とコイル配線の間に存在する。

前記実施形態によれば、第１方向において隣り合う磁性層とコイル配線の境界部分に強い応力が発生するが、この境界部分にヒビ発生層を設けることで、応力を効果的に緩和できる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層は、第１方向において隣り合う２つのコイル配線の間に存在する。

前記実施形態によれば、第１方向において隣り合う２つのコイル配線の間に発生する応力を効果的に緩和することができる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層は、第１方向において隣り合う２つの磁性層の間に存在する。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層をコイル配線に直接に設ける場合に比べて、ヒビ発生層を容易に設けることができる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層は、さらに、第１方向に直交する方向において隣り合う磁性層とコイル配線の間に存在する。

前記実施形態によれば、第１方向に直交する方向における応力を緩和できる。

また、コイル部品の一実施形態では、
コイル配線は、第１方向に直交する平面に沿って延在し、
コイル配線は、コイル配線の延在方向に直交する断面において、第１方向に直交する方向の両側の２つの側面を有し、
ヒビ発生層は、磁性層とコイル配線の側面の間に存在する。

前記実施形態によれば、磁性層とコイル配線の側面の間に発生する応力を緩和できる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層の平均厚みは、１０μｍ以下である。

ここで、ヒビ発生層の平均厚みとは、コイル配線の延在方向に直交する断面におけるヒビ発生層の平均厚みをいう。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層は薄いので、ヒビ発生層が磁性を有さない場合、コイル部品として良好な特性（高インダクタンス値または高インピーダンス値）が得られる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層は、低靭性なガラスを含む。

ここで、低靭性とは、「低靭性とは材料の粘りが低いこと」「外力に抗して破壊されやすい。すなわち，亀裂の進展が早く，極限強さが低く塑性，延性が低い状態」を言う。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層に確実にヒビを発生させることができる。

また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層の透磁率は、１より大きい。

前記実施形態によれば、コイル部品として良好な特性（高インダクタンス値または高インピーダンス値）が得られる。
また、コイル部品の一実施形態では、ヒビ発生層の透磁率は、磁性層の透磁率と同じまたはそれよりも低い。

前記実施形態によれば、コイル部品として所望の特性が得られる。

また、コイル部品の製造方法の一実施形態では、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を準備する準備工程と、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を第１方向に積層し、未焼成ヒビ発生層を第１方向からみて未焼成コイル配線の少なくとも一部と重なるようにする積層工程と、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を焼成して、磁性層と、第１方向からみてコイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層とを有する素体を得るとともに、素体の内部に設けられコイル配線を有するコイルを得る焼成工程と、
ヒビ発生層の内部にヒビを発生させるヒビ発生工程と
を備える。

ここで、未焼成磁性層は、例えば、磁性シートまたは磁性ペーストから構成される。未焼成コイル配線は、例えば、導体ペーストから構成される。未焼成ヒビ発生層は、例えば、ガラスを含有させた導体ペーストから構成される。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層の内部にヒビを発生させるので、コイル配線と磁性層の間に発生する応力を緩和できる。また、コイル配線は、磁性層またはヒビ発生層に積層しているので、コイル配線の位置、つまり、コイルの位置が安定する。

また、コイル部品の製造方法の一実施形態では、ヒビ発生工程は、素体に対して、温度差１２０℃以上となるような熱衝撃処理を一回以上行う工程である。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層の内部に確実にヒビを発生できる。

また、コイル部品の製造方法の一実施形態では、熱衝撃処理は、素体を液体窒素に一回以上浸漬する処理である。

前記実施形態によれば、浸漬という簡便な方法で、ヒビ発生層の内部にヒビを発生できる。

また、コイル部品の製造方法の一実施形態では、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を準備する準備工程と、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を第１方向に積層し、未焼成ヒビ発生層を第１方向からみて未焼成コイル配線の少なくとも一部と重なるようにする積層工程と、
未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を焼成して、磁性層と、第１方向からみてコイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層とを有する素体を得るとともに、素体の内部に設けられコイル配線を有するコイルを得る焼成工程と
を備え、
焼成工程は、さらに、焼成温度が３００℃となった際に大気開放する熱衝撃処理を行って、ヒビ発生層の内部にヒビを発生させる工程を含む。

ここで、未焼成磁性層は、例えば、磁性シートまたは磁性ペーストから構成される。未焼成コイル配線は、例えば、導体ペーストから構成される。未焼成ヒビ発生層は、例えば、ガラスを含有させた導体ペーストから構成される。

前記実施形態によれば、ヒビ発生層の内部にヒビを発生させるので、コイル配線と磁性層の間に発生する応力を緩和できる。また、コイル配線は、磁性層またはヒビ発生層に積層しているので、コイル配線の位置、つまり、コイルの位置が安定する。

本発明のコイル部品およびその製造方法によれば、コイル配線と磁性層との間の応力を緩和しつつ、かつ、コイルの位置を安定できる。

本発明のコイル部品の第１実施形態を示す斜視図である。 図１のＸ－Ｘ断面図である。 コイル部品の分解平面図である。 図２のＡ部の拡大断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 本発明のコイル部品の第２実施形態を示す断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。 本発明のコイル部品の第３実施形態を示す断面図である。 コイル部品の製造方法の一例を説明する断面図である。

以下、本開示の一態様であるコイル部品およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
図１は、コイル部品の第１実施形態を示す斜視図である。図２は、図１のＸ－Ｘ断面図であり、コイル部品のＷ方向の中心を通るＬＴ断面図である。図３は、コイル部品の分解平面図であり、下図から上図にわたってＴ方向に沿った図を表している。なお、Ｌ方向は、コイル部品１の長さ方向であり、Ｗ方向は、コイル部品１の幅方向であり、Ｔ方向は、コイル部品１の高さ方向である。Ｔ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向」の一実施形態である。以下、Ｔ方向の順方向を上側といい、Ｔ方向の逆方向を下側ともいう。

図１と図２と図３に示すように、コイル部品１は、素体１０と、素体１０の内部に設けられたコイル２０と、素体１０の表面に設けられコイル２０に電気的に接続された第１外部電極３１および第２外部電極３２とを有する。

コイル部品１は、第１、第２外部電極３１、３２を介して、図示しない回路基板の配線に電気的に接続される。コイル部品１は、例えば、ノイズ除去フィルタとして用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に用いられる。

素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の表面は、第１端面１５と、第１端面１５の反対側に位置する第２端面１６と、第１端面１５と第２端面１６の間に位置する４つの側面１７とを有する。第１端面１５および第２端面１６は、Ｌ方向に対向している。

素体１０は、複数の磁性層１１を含む。複数の磁性層１１は、Ｔ方向に交互に積層される。磁性層１１は、例えば、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｚｎ系のフェライト材料などの磁性材料からなる。磁性層１１の厚みは、例えば、５μｍ以上でかつ３０μｍ以下である。なお、素体１０は、部分的に非磁性層を含んでいてもよい。

第１外部電極３１は、素体１０の第１端面１５の全面と、素体１０の側面１７の第１端面１５側の端部とを覆う。第２外部電極３２は、素体１０の第２端面１６の全面と、素体１０の側面１７の第２端面１６側の端部とを覆う。第１外部電極３１は、コイル２０の第１端に電気的に接続され、第２外部電極３２は、コイル２０の第２端に電気的に接続される。なお、第１外部電極３１は、第１端面１５と１つの側面１７に渡って形成されるＬ字形状であってもよく、第２外部電極３２は、第２端面１６と１つの側面１７に渡って形成されるＬ字形状であってもよい。

コイル２０は、Ｔ方向に沿って、螺旋状に巻回されている。コイル２０は、例えば、ＡｇまたはＣｕなどの導電性材料からなる。コイル２０は、複数のコイル配線２１と複数の引出導体層６１，６２とを有する。

２層の第１引出導体層６１と、複数のコイル配線２１と、２層の第２引出導体層６２とは、Ｔ方向に順に積層され、接続部２５を介して電気的に順に接続される。接続部２５は、磁性層１１を積層方向に貫通して設けられる。

具体的に述べると、４層のコイル配線２１は、Ｔ方向に順に接続されて、Ｔ方向に沿った螺旋を形成する。コイル配線２１は、Ｔ方向に直交する平面に沿って延在する。コイル配線２１は、１ターン未満に巻回された形状に形成されている。第１引出導体層６１は、素体１０の第１端面１５から露出して第１外部電極３１に接続され、第２引出導体層６２は、素体１０の第２端面１６から露出して第２外部電極３２に接続される。

コイル配線２１は、１層のコイル導体層から構成される。コイル導体層の厚みは、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下である。コイル導体層は、例えば、導体ペーストを印刷し乾燥して形成される。なお、コイル配線２１は、複数層のコイル導体層から構成されていてもよい。このとき、複数層のコイル導体層は、Ｔ方向に積層され、Ｔ方向に隣り合うコイル導体層は、互いに面接触する。

図４は、図２のＡ部の拡大断面図である。つまり、図４は、コイル配線２１の延在方向に直交する断面を示す。図４に示すように、素体１０は、さらに、Ｔ方向からみて、コイル配線２１の少なくとも一部に重なるヒビ発生層４０を有する。ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａが存在する。

ヒビ発生層４０は、磁性層１１に比べて、ヒビ４０ａが発生しやすい層である。具体的に述べると、ヒビ発生層４０は、靭性が低い層であり、脆性破壊が起こりやすい層である。例えば、ヒビ発生層４０は、磁性層１１と比べて強度が低い。ヒビ発生層４０は、例えば、ガラスから構成される。好ましくは、ヒビ発生層４０は、磁性を有する。

ヒビ発生層４０の内部のヒビ４０ａは、ヒビ発生層４０の内部に収まっており磁性層１１の内部にまで連続して延在しない。このヒビ４０ａは、従来の空隙部よりも小さく、所謂クラックである。

これによれば、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａが存在するので、このヒビ４０ａによりコイル配線２１と磁性層１１の間に発生する応力を緩和できる。また、コイル配線２１は、磁性層１１またはヒビ発生層４０に積層しているので、コイル配線２１の周囲は従来のような空隙部に囲まれておらず、コイル配線２１の位置、つまり、コイル２０の位置が安定する。

また、ヒビ４０ａは、従来の空隙部と比べて厚みがほとんどないため、コイル部品１としての良好な特性（高インダクタンス値または高インピーダンス値）が得られる。また、ヒビ４０ａは、ヒビ発生層４０の内部に収まっているので、ヒビ４０ａが素体１０の外面に到達せず、耐候性に優れる。また、ヒビ４０ａは、ヒビ発生層４０の内部に設けられるので、ヒビ４０ａが発生する位置や、ヒビ４０ａの大きさを制御でき、さらに、ヒビ４０ａの形状も安定し、この結果、コイル部品１の特性のばらつきを低減できる。

なお、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向からみて、コイル配線２１の全てに重なっていれば、応力をより緩和できるが、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向からみて、コイル配線２１の少なくとも一部に重なっていればよい。

本開示のコイル部品１では、磁性層１１において、本願の応力緩和の目的以外で、前記ヒビ４０ａとは異なるヒビが設けられていてもよい。言い換えると、応力緩和の目的で設けられたヒビ４０ａは、ヒビ発生層４０の内部に存在する。

好ましくは、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１の間に存在する。これによれば、Ｔ方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１の境界部分に強い応力が発生するが、この境界部分にヒビ発生層４０を設けることで、応力を効果的に緩和できる。

好ましくは、ヒビ発生層４０は、複数設けられ、複数のヒビ発生層４０は、全てのコイル配線２１のそれぞれに接触して設けられる。好ましくは、全てのヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａが存在している。これによれば、応力をより緩和できる。

なお、全てのコイル配線２１の内の少なくとも一つのコイル配線２１に接触するように、少なくとも一つのヒビ発生層４０を設けてもよい。また、全てのヒビ発生層４０の内の少なくとも一つのヒビ発生層４０の内部に、ヒビ４０ａが発生していればよい。つまり、複数のヒビ発生層４０の内、ヒビ４０ａのないヒビ発生層４０が存在していてもよい。

好ましくは、ヒビ発生層４０は、さらに、Ｔ方向に直交する方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１の間に存在する。これによれば、Ｔ方向に直交する方向における応力を緩和できる。

具体的に述べると、コイル配線２１は、コイル配線２１の延在方向に直交する断面において、Ｔ方向の両側の２つの面２１ａ，２１ｂと、Ｔ方向に直交する方向（幅方向）の両側の２つの側面２１ｃ，２１ｄとを有する。つまり、コイル配線２１は、Ｔ方向の上側の上面２１ａと、Ｔ方向の下側の下面２１ｂと、幅方向のコイル２０の内磁路側（コイル２０の中心軸側）の内側面２１ｃと、幅方向のコイル２０の外磁路側（素体１０のサイドギャップ側）の外側面２１ｄとを有する。上面２１ａは、下面２１ｂよりも短く、コイル配線２１の断面形状は、台形である。コイル配線２１の断面において、コイル配線２１のＴ方向の厚みｔは、コイル配線２１のＬ方向の最大幅ｗよりも小さい。

そして、ヒビ発生層４０は、磁性層１１とコイル配線２１の上面２１ａの間に存在し、さらに、磁性層１１とコイル配線２１の内側面２１ｃおよび外側面２１ｄの間にも存在する。これによれば、磁性層１１とコイル配線２１の上面２１ａの間に発生する応力を緩和し、さらに、磁性層１１とコイル配線２１の内側面２１ｃおよび外側面２１ｄの間に発生する応力をも緩和できる。

なお、コイル配線２１の断面形状は、矩形でなくてもよく、四角形以外の多角形であってもよく、長円形や楕円形であってもよい。この場合であっても、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１の間に存在し、さらに、Ｔ方向に直交する方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１の間にも存在する。

また、ヒビ発生層４０は、下面２１ｂ、内側面２１ｃおよび外側面２１ｄに接触するように設けられていてもよく、または、上面２１ａまたは下面２１ｂのみに接触するように設けられていてもよい。つまり、ヒビ発生層４０は、上面２１ａまたは下面２１ｂに接触している。したがって、ヒビ発生層４０は、内側面２１ｃおよび外側面２１ｄに比べて面積が大きく応力の発生し易い上面２１ａまたは下面２１ｂに接触するため、効果的に応力を緩和できる。

好ましくは、ヒビ発生層４０の平均厚みは、１０μｍ以下である。これによれば、ヒビ発生層４０は薄いので、ヒビ発生層４０が磁性を有さない場合、コイル部品１として良好な特性（高インダクタンス値または高インピーダンス値）が得られる。

ここで、ヒビ発生層４０の平均厚みとは、コイル配線２１の延在方向に直交する断面におけるヒビ発生層４０の平均厚みをいう。例えば、コイル部品１のＷ方向の中心を通るＬＴ断面で、かつ、コイル配線２１の延在方向に直交する断面において、ヒビ発生層４０の複数個所の厚みを測定し、その平均値を求める。

好ましくは、ヒビ発生層４０は、低靭性なガラスを含む。これによれば、ヒビ発生層４０に確実にヒビを発生させることができる。ここで、低靭性とは、「低靭性とは材料の粘りが低いこと」「外力に抗して破壊されやすい。すなわち，亀裂の進展が早く，極限強さが低く塑性，延性が低い状態」を言う。

好ましくは、ヒビ発生層４０の透磁率は、１より大きい。これによれば、コイル部品１として良好な特性（高インダクタンス値または高インピーダンス値）が得られる。 好ましくは、ヒビ発生層４０の透磁率は、磁性層の透磁率と同じまたはそれよりも低い。これによれば、コイル部品１として所望の特性が得られる。

次に、図５Ａから図５Ｆを用いて、コイル部品１の製造方法を説明する。図５Ａから図５Ｆは、コイル配線２１の延在方向に直交するＬＴ断面を示す。

まず、未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を準備する。これを、準備工程という。未焼成磁性層は、磁性ペーストから構成される。未焼成コイル配線は、導体ペーストから構成される。未焼成ヒビ発生層は、ガラスを含有させた導体ペーストから構成される。なお、未焼成ヒビ発生層は、導体ペーストを含まないで、ガラスから構成してもよいが、導体ペーストを含むことで、均一に薄く形成できる。

続いて、未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線をＴ方向に積層し、未焼成ヒビ発生層をＴ方向からみて未焼成コイル配線の少なくとも一部と重なるようにする。これを、積層工程という。

具体的に述べると、図５Ａに示すように、第１未焼成磁性層１１１上に未焼成コイル配線２１１を積層する。未焼成コイル配線２１１の下面２１１ｂは、第１未焼成磁性層１１１に接触する。

図５Ｂに示すように、未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａ、内側面２１１ｃおよび外側面２１１ｄに、未焼成ヒビ発生層４００を設ける。

図５Ｃに示すように、未焼成ヒビ発生層４００における未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａに対向する部分を露出し、未焼成ヒビ発生層４００における未焼成コイル配線２１１の内側面２１１ｃおよび外側面２１１ｄに対向する部分を覆うように、第１未焼成磁性層１１１上に第２未焼成磁性層１１２を積層する。

図５Ｄに示すように、未焼成ヒビ発生層４００における未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａに対向する部分を覆うように、第２未焼成磁性層１１２上に第３未焼成磁性層１１３を積層する。以上の積層工程を複数回繰り返して積層体を形成する。

続いて、未焼成磁性層１１１～１１３、未焼成ヒビ発生層４００および未焼成コイル配線２１１、つまり、積層体を焼成して、図５Ｅに示すように、磁性層１１とヒビ発生層４０とを有する素体１０を得るとともに、素体１０の内部に設けられコイル配線２１を有するコイル２０を得る。ヒビ発生層４０は、Ｔ方向からみてコイル配線２１の少なくとも一部に重なる。これを、焼成工程という。

焼成工程において、未焼成磁性層１１１～１１３は、焼成されて、磁性層１１を形成する。また、未焼成ヒビ発生層４００の一部である導体ペーストは、未焼成コイル配線２１１と共に焼成されて、コイル配線２１を形成する。また、未焼成ヒビ発生層４００の一部であるガラスは、焼成されて、ヒビ発生層４０を形成する。

続いて、図５Ｆに示すように、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生させる。これを、ヒビ発生工程という。そして、図２に示すコイル部品１を製造する。

このように、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生させるので、コイル配線２１と磁性層１１の間に発生する応力を緩和できる。また、コイル配線２１は、磁性層１１またはヒビ発生層４０に積層しているので、コイル配線２１の位置、つまり、コイル２０の位置が安定する。

好ましくは、ヒビ発生工程は、素体１０に対して、温度差１２０℃以上となるような熱衝撃処理を一回以上行う工程である。これによれば、ヒビ発生層４０の内部に確実にヒビ４０ａを発生できる。好ましくは、熱衝撃処理は、素体１０を液体窒素に一回以上浸漬する処理である。これによれば、浸漬という簡便な方法で、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生できる。

なお、前記ヒビ発生工程を設けないで、前記焼成工程において、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生してもよい。具体的に述べると、前記焼成工程は、さらに、焼成温度が３００℃となった際に大気開放（炉空け）する熱衝撃処理を行って、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生させる工程を含む。これにより、前記ヒビ発生工程を設ける場合に比べて、ヒビ４０ａを形成する際の付加的な設備や工程を省くことができる。

（第２実施形態）
図６は、本発明のコイル部品の第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイル配線の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

図６に示すように、第２実施形態のコイル部品１Ａでは、コイル２０Ａのコイル配線２１Ａの形状は、コイル配線２１Ａの延在方向に直交する断面において、楕円形となっている。コイル配線２１Ａは、円弧状の上面２１ａと円弧状の下面２１ｂとを有する。

コイル配線２１Ａは、２層の磁性層１１の間に挟まれている。具体的に述べると、コイル配線２１Ａの下面２１ｂは、下側の磁性層１１と接触する。コイル配線２１Ａの上面２１ａと上側の磁性層１１との間には、ヒビ発生層４０が存在する。つまり、ヒビ発生層４０は、コイル配線２１Ａの上面２１ａに接触する。

そして、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１Ａの間に存在する。ヒビ発生層４０は、さらに、Ｔ方向に直交するＬ方向において隣り合う磁性層１１とコイル配線２１Ａの間にも存在する。

次に、コイル部品１Ａの製造方法を説明する。

図７に示すように、Ｔ方向に沿って順に、第１未焼成磁性層１１１、未焼成コイル配線２１１、未焼成ヒビ発生層４００および第２未焼成磁性層１１２を積層する。このとき、未焼成コイル配線２１１の下面２１１ｂは、第１未焼成磁性層１１１に接触し、未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａは、未焼成ヒビ発生層４００に接触する。未焼成磁性層は、前記第１実施形態と異なり、磁性シートから構成される。

その後、前記第１実施形態の焼成工程およびヒビ発生工程を経て、図６に示すように、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生させて、コイル部品１Ａを製造する。

第２実施形態のコイル部品１Ａでは、前記第１実施形態のコイル部品１と同様の効果を有する。

（第３実施形態）
図８は、本発明のコイル部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、コイル配線の形状およびヒビ発生層の位置が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。

図８に示すように、第３実施形態のコイル部品１Ｂでは、コイル２０Ｂのコイル配線２１Ｂの形状は、コイル配線２１Ｂの延在方向に直交する断面において、楕円形となっている。コイル配線２１Ｂは、円弧状の上面２１ａと円弧状の下面２１ｂとを有する。

コイル配線２１Ｂは、２層の磁性層１１の間に挟まれている。具体的に述べると、コイル配線２１Ｂの下面２１ｂは、下側の磁性層１１と接触する。コイル配線２１Ｂの上面２１ａは、上側の磁性層１１と接触する。

ヒビ発生層４０は、Ｔ方向において隣り合う２つのコイル配線２１Ｂの間に存在する。これによれば、Ｔ方向において隣り合う２つのコイル配線２１Ｂの間に発生する応力を効果的に緩和することができる。

具体的に述べると、ヒビ発生層４０は、Ｔ方向において隣り合う２つの磁性層１１の間に存在する。つまり、ヒビ発生層４０は、コイル配線２１Ｂに接触していない。これによれば、ヒビ発生層４０をコイル配線２１Ｂに直接に設ける場合に比べて、ヒビ発生層４０を容易に設けることができる。

コイル配線２１Ｂの延在方向に直交する断面において、Ｔ方向に直交するＬ方向の幅に関して、ヒビ発生層４０の幅は、コイル配線２１Ｂの幅と同じである。なお、ヒビ発生層４０の幅は、コイル配線２１Ｂの幅よりも広くてもよく、この場合、ヒビ発生層４０の内部のヒビ４０ａにより、応力をより緩和できる。一方、ヒビ発生層４０の幅は、コイル配線２１Ｂの幅よりも狭くてもよく、この場合、ヒビ発生層４０は、素体１０の外磁路や内磁路まで延びず、また、ヒビ発生層４０は、コイル２０Ｂの磁束を邪魔しない。

次に、コイル部品１Ｂの製造方法を説明する。

図９に示すように、Ｔ方向に沿って順に、第１未焼成磁性層１１１、第１の未焼成コイル配線２１１、第２未焼成磁性層１１２、未焼成ヒビ発生層４００、第３未焼成磁性層１１３、第２の未焼成コイル配線２１１、および、第４未焼成磁性層１１４を積層する。このとき、第１の未焼成コイル配線２１１の下面２１１ｂは、第１未焼成磁性層１１１に接触し、第１の未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａは、第２未焼成磁性層１１２に接触する。また、第２の未焼成コイル配線２１１の下面２１１ｂは、第３未焼成磁性層１１３に接触し、第２の未焼成コイル配線２１１の上面２１１ａは、第４未焼成磁性層１１４に接触する。また、第２未焼成磁性層１１２と第３未焼成磁性層１１３の間の一部に未焼成ヒビ発生層４００が存在する。未焼成磁性層は、前記第１実施形態と異なり、磁性シートから構成される。

その後、前記第１実施形態の焼成工程およびヒビ発生工程を経て、図８に示すように、ヒビ発生層４０の内部にヒビ４０ａを発生させて、コイル部品１Ｂを製造する。

第３実施形態のコイル部品１Ｂでは、前記第１実施形態のコイル部品１と同様の効果を有する。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。コイル配線の数量やヒビ発生層の数量の増減は、設計変更可能である。

１，１Ａ，１Ｂ コイル部品
１０ 素体
１１ 磁性層
２０，２０Ａ，２０Ｂ コイル
２１，２１Ａ，２１Ｂ コイル配線
２５ 接続部
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
４０ ヒビ発生層
４０ａ ヒビ
１１１～１１４ 第１～第４未焼成磁性層
２１１ 未焼成コイル配線
４００ 未焼成ヒビ発生層

Claims (15)

1. 素体と、
   前記素体内に設けられたコイルと
   を備え、
   前記素体は、第１方向に積層された複数の磁性層を有し、
   前記コイルは、前記第１方向に積層された複数のコイル配線を有し、
   前記素体は、さらに、前記第１方向からみて、前記コイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層を有し、
   前記ヒビ発生層の内部にヒビが存在し、
   前記ヒビ発生層は、ガラスから構成され、前記磁性層よりも靭性が低い層である、コイル部品。
2. 前記ヒビ発生層は、前記第１方向において隣り合う前記磁性層と前記コイル配線の間に存在する、請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記ヒビ発生層は、前記第１方向において隣り合う２つの前記コイル配線の間に存在する、請求項１に記載のコイル部品。
4. 前記ヒビ発生層は、前記第１方向において隣り合う２つの前記磁性層の間に存在する、請求項３に記載のコイル部品。
5. 前記ヒビ発生層は、さらに、前記第１方向に直交する方向において隣り合う前記磁性層と前記コイル配線の間に存在する、請求項１から４の何れか一つに記載のコイル部品。
6. 前記コイル配線は、前記第１方向に直交する平面に沿って延在し、
   前記コイル配線は、前記コイル配線の延在方向に直交する断面において、前記第１方向に直交する方向の両側の２つの側面を有し、
   前記ヒビ発生層は、前記磁性層と前記コイル配線の側面の間に存在する、請求項５に記載のコイル部品。
7. 前記ヒビ発生層の平均厚みは、１０μｍ以下である、請求項１から６の何れか一つに記載のコイル部品。
8. 前記ヒビ発生層の透磁率は、１より大きい、請求項１から７の何れか一つに記載のコイル部品。
9. 前記ヒビ発生層の透磁率は、前記磁性層の透磁率と同じまたはそれよりも低い、請求項８に記載のコイル部品。
10. 未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を準備する準備工程と、
    前記未焼成磁性層、前記未焼成ヒビ発生層および前記未焼成コイル配線を第１方向に積層し、前記未焼成ヒビ発生層を前記第１方向からみて前記未焼成コイル配線の少なくとも一部と重なるようにする積層工程と、
    前記未焼成磁性層、前記未焼成ヒビ発生層および前記未焼成コイル配線を焼成して、磁性層と、前記第１方向からみてコイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層とを有する素体を得るとともに、前記素体の内部に設けられ前記コイル配線を有するコイルを得る焼成工程と、
    前記ヒビ発生層の内部にヒビを発生させるヒビ発生工程と
    を備え、前記ヒビ発生層は、ガラスから構成され、前記磁性層よりも靭性が低い層である、コイル部品の製造方法。
11. 前記ヒビ発生工程は、前記素体に対して、温度差１２０℃以上となるような熱衝撃処理を一回以上行う工程である、請求項１０に記載のコイル部品の製造方法。
12. 前記熱衝撃処理は、前記素体を液体窒素に一回以上浸漬する処理である、請求項１１に記載のコイル部品の製造方法。
13. 未焼成磁性層、未焼成ヒビ発生層および未焼成コイル配線を準備する準備工程と、
    前記未焼成磁性層、前記未焼成ヒビ発生層および前記未焼成コイル配線を第１方向に積層し、前記未焼成ヒビ発生層を前記第１方向からみて前記未焼成コイル配線の少なくとも一部と重なるようにする積層工程と、
    前記未焼成磁性層、前記未焼成ヒビ発生層および前記未焼成コイル配線を焼成して、磁性層と、前記第１方向からみてコイル配線の少なくとも一部に重なるヒビ発生層とを有する素体を得るとともに、前記素体の内部に設けられ前記コイル配線を有するコイルを得る焼成工程と
    を備え、
    前記焼成工程は、さらに、焼成温度が３００℃となった際に大気開放する熱衝撃処理を行って、前記ヒビ発生層の内部にヒビを発生させる工程を含む、コイル部品の製造方法。
14. 前記ヒビ発生層の透磁率は、１より大きい、請求項１０から１３の何れか一つに記載のコイル部品の製造方法。
15. 前記未焼成ヒビ発生層は、導体ペーストおよびガラスを含み、
    前記焼成工程において、前記導体ペーストは、前記未焼成コイル配線と共に焼成されて前記コイル配線を形成し、前記ガラスは焼成されて前記ヒビ発生層を形成する、請求項１０から１４の何れか一つに記載のコイル部品の製造方法。

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