JP2022014533A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】クラックが生じにくく、且つ小型化が可能な電子部品を提供すること。【解決手段】本発明の電子部品１は、積層体２の端面にそれぞれ配置された外部ニッケル層４と、外部ニッケル層４が配置された端面のそれぞれを覆う外部銅電極層３と、を具備する電子部品１であって、外部ニッケル層４の積層方向の寸法ＴＮ、内層部１１の積層方向の寸法Ｔ１としたときに、Ｔ１＜ＴＮであり、外部ニッケル層４の幅方向の寸法ＷＮ、内層部１１の幅方向の寸法Ｗ１としたときに、ＷＮ＜Ｗ１であるとともに、外部ニッケル層４自体は、ＷＮ＜ＴＮであり、内層部１１は、幅方向において外部ニッケル層４に覆われていない非被覆領域４１を有し、該非被覆領域４１において内部ニッケル電極層１５と外部銅電極層３とが直接接合され、内部ニッケル電極層１５内に外部銅電極層３の銅が拡散された拡散領域が形成されている。【選択図】図５

Description

本発明は、電子部品に関する。

近年、積層セラミックコンデンサ等の電子部品の小型大容量化に伴い、内部電極層の枚数は増加し、サイドギャップ部は極小化している。このような小型の積層セラミックコンデンサでは、外部電極層として用いられる銅が内部電極層であるニッケルの内部に拡散することにより、内部電極層の厚みが増加し、クラックが生じる場合がある。
一方、外部電極層としてニッケルを用いると、外部電極層だけでは十分に耐湿性を担保できず、外部電極層を超えて、内部電極層に水分が侵入する場合がある。
そこで、内部電極層が露出している端面にニッケル層を形成し、そのニッケル層が形成された端面を覆うように、外部電極層としての銅を塗布する方法が用いられている（特許文献１参照）。

特開２０２０－２１８１９号公報

しかし、端面のニッケル層が、内部電極層が露出している端面の全体を覆っていると、ニッケル層の収縮応力によりクラックが生じる可能性がある。一方で端面のニッケル層が小さすぎると、上述のように外部電極層の銅が内部電極層に拡散することによりクラックが生じる場合がある。

本発明は、クラックが生じにくく、且つ小型化が可能な電子部品を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、誘電体層と内部ニッケル電極層とが交互に積層された内層部を有し、積層方向と交差する長さ方向の両側にそれぞれ設けられた端面に、前記内部ニッケル電極層が露出している積層体本体、並びに、前記積層体本体における、前記積層方向及び前記長さ方向と交差する幅方向の両側にそれぞれ設けられたサイドギャップ部を備える積層体と、前記積層体の前記端面にそれぞれ配置された外部ニッケル層と、前記外部ニッケル層が配置された前記端面のそれぞれを覆う外部銅電極層と、を具備する電子部品であって、前記外部ニッケル層の前記積層方向の寸法ＴＮ、前記内層部の前記積層方向の寸法Ｔ１としたときに、Ｔ１＜ＴＮであり、前記外部ニッケル層の前記幅方向の寸法ＷＮ、前記内層部の幅方向の寸法Ｗ１としたときに、ＷＮ＜Ｗ１であるとともに、前記外部ニッケル層自体は、ＷＮ＜ＴＮであり、前記内層部は、幅方向において前記外部ニッケル層に覆われていない非被覆領域を有し、該非被覆領域において前記内部ニッケル電極層と前記外部銅電極層とが直接接合され、前記内部ニッケル電極層内に前記外部銅電極層の銅が拡散された拡散領域が形成されている電子部品を提供する。

クラックが生じにくく、且つ小型化が可能な電子部品を提供することができる。

第１実施形態の積層セラミックコンデンサの概略斜視図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 （ａ）は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。 （ａ）は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサの図１におけるＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの積層体の概略斜視図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの積層体本体の概略斜視図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するフローチャートである。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法における、積層体準備工程Ｓ１を説明する図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法における、ニッケルシート貼付工程Ｓ２以降の工程を説明する図である。 第２実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の部分拡大図である。 第２実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＷ断面の部分拡大図である。 第３実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の部分拡大図である。 第３実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＷ断面の部分拡大図である。

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる電子部品としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。
図１は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３（ａ）は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＮ部の部分拡大図である。図４（ａ）は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサの図１におけるＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＭ部の部分拡大図である。

積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２と、積層体２の両端に設けられた一対の外部ニッケル層４（図２、及び図４に示す）と、積層体２の両端において外部ニッケル層４のさらに外側に設けられた外部銅電極層３とを備える。また、積層体２は、誘電体層１４と内部ニッケル電極層１５とを複数組含む内層部１１を含む。

以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、積層セラミックコンデンサ１において、一対の外部銅電極層３が設けられている方向を長さ方向Ｌとする。誘電体層１４と内部ニッケル電極層１５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を幅方向Ｗとする。なお、実施形態においては、幅方向Ｗは長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。

図５は、外部ニッケル層４を含む積層体２の概略斜視図である。積層体２は、積層体本体１０と、サイドギャップ部３０とを備える。図６は、外部ニッケル層４及びサイドギャップ部３０が形成される前の状態の積層体本体１０の概略斜視図である。

以下の説明において、図５に示す積層体２の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面を第１主面Ａａと第２主面Ａｂとし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面を第１側面Ｂａと第２側面Ｂｂとし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面を第１端面Ｃａと第２端面Ｃｂとする。
なお、第１主面Ａａと第２主面Ａｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて主面Ａとし、第１側面Ｂａと第２側面Ｂｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて側面Ｂとし、第１端面Ｃａと第２端面Ｃｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて端面Ｃとして説明する。

（積層体２）
積層体２は、角部Ｒ１及び稜線部Ｒ２に丸みがつけられている。角部Ｒ１は、主面Ａと、側面Ｂと、端面Ｃとが交わる部分である。稜線部Ｒ２は、積層体２の２面、すなわち主面Ａと側面Ｂ、主面Ａと端面Ｃ、又は、側面Ｂと端面Ｃが交わる部分である。角部Ｒ１及び稜線部Ｒ２の丸みの量は、Ｒ＝８μｍ～１５０μｍであり、Ｒ＝８μｍ～２０μｍが好ましい。
また、積層体２の主面Ａ、側面Ｂ、端面Ｃの一部又は全部に凹凸等が形成されていてもよい。

実施形態では、図５に示すように積層体２の幅方向Ｗの寸法Ｗ０、積層方向Ｔの寸法Ｔ０としたときに、
Ｗ０＜Ｔ０
すなわち、縦長形状であることが好ましい。ただし、これに限定されずＷ０≧Ｔ０であってもよい。
それぞれの寸法は、特に限定されないが、長さ方向Ｌ寸法Ｌ０は、
０．２ｍｍ≦Ｌ０≦１０ｍｍ（０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下）
幅方向Ｗの寸法Ｗ０は、
０．１ｍｍ≦Ｗ０≦５ｍｍ（０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下）
積層方向Ｔの寸法Ｔ０は、
０．１ｍｍ≦Ｔ０≦５ｍｍ（０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下）
であることが好ましい。

（積層体本体１０）
積層体本体１０は、図２、図３及び図６に示すように、内層部１１と、内層部１１の第１主面Ａａ側に配置される上部外層部１２ａと、内層部１１の第２主面Ａｂ側に配置される下部外層部１２ｂとを備える。なお、上部外層部１２ａと下部外層部１２ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外層部１２として説明する。

（内層部１１）
内層部１１（有効領域）は、積層方向Ｔに沿って交互に積層された誘電体層１４と内部ニッケル電極層１５との組を複数含む。実施形態では、図５に示すように、内層部１１の幅方向Ｗの寸法Ｗ１、内層部１１の積層方向Ｔの寸法Ｔ１としたときに、
Ｔ１＜Ｗ１
すなわち、横長形状であることが好ましい。横長形状の方が、積層セラミックコンデンサ１の高容量化が容易であるためである。ただし、これに限定されずＴ１≧Ｗ１であってもよい。

（誘電体層１４）
誘電体層１４は、バリウム、チタン及びジスプロシウムを含むセラミック材料で製造されている。
誘電体層１４の厚みｔｕは、
０．４０μｍ≦ｔｕ≦０．５０μｍ（０．４０μｍ以上０．５０μｍ以下）
であることが好ましい。
なお、積層体本体１０を構成する誘電体層１４の枚数は、上部外層部１２ａ及び下部外層部１２ｂも含めて１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。

（内部ニッケル電極層１５）
内部ニッケル電極層１５は、複数の第１内部ニッケル電極層１５ａと、複数の第２内部ニッケル電極層１５ｂとを備え、第１内部ニッケル電極層１５ａと第２内部ニッケル電極層１５ｂとは、交互に配置されている。なお、第１内部ニッケル電極層１５ａと第２内部ニッケル電極層１５ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部ニッケル電極層１５として説明する。

内部ニッケル電極層１５の厚みｔｎは、
０．２５μｍ≦ｔｎ≦０．３３μｍ（０．２５μｍ以上０．３３μｍ以下）
であることが好ましい。
内部ニッケル電極層１５の枚数は、第１内部ニッケル電極層１５ａ及び第２内部ニッケル電極層１５ｂを合わせて１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。

第１内部ニッケル電極層１５ａは、第２内部ニッケル電極層１５ｂと対向する第１対向部１５２ａと、第１対向部１５２ａから第１端面Ｃａ側に引き出された第１引き出し部１５１ａとを備える。第１引き出し部１５１ａの端部は、第１端面Ｃａに露出し、後述の第１外部銅電極層３ａに電気的に接続されている。
第２内部ニッケル電極層１５ｂは、第１内部ニッケル電極層１５ａと対向する第２対向部１５２ｂと、第２対向部１５２ｂから第２端面Ｃｂに引き出された第２引き出し部１５１ｂとを備える。第２引き出し部１５１ｂの端部は、後述の第２外部銅電極層３ｂに電気的に接続されている。
第１内部ニッケル電極層１５ａの第１対向部１５２ａと、第２内部ニッケル電極層１５ｂの第２対向部１５２ｂとに電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。

図３に示すように、積層体２の長さ方向Ｌの中央を通る、幅方向Ｗ及び積層方向Ｔに沿ったＷＴ断面において、積層方向Ｔにおいて上下に隣り合う２つの第１内部ニッケル電極層１５ａと第２内部ニッケル電極層１５ｂとの幅方向Ｗの端部の積層方向Ｔにおける位置のずれ量ｄは０．５μｍ以内である。
すなわち、積層方向Ｔにおいて上下に隣り合う第１内部ニッケル電極層１５ａと第２内部ニッケル電極層１５ｂとの幅方向Ｗの端部は、幅方向Ｗ上において略同位置にあり、端部の位置が積層方向Ｔで揃っている。

位置のずれ量ｄは、図３に示すように長さ方向Ｌの中央のＴＷ断面において、内層部１１（有効領域）を積層方向Ｔに４等分したときの、３本の分割線Ｄ１に最も近い、互いに隣り合う内部ニッケル電極層１５間の端部の幅方向Ｗのずれ量ｄを平均した値である。

なお、図３（ｂ）に示すように、内部ニッケル電極層１５には、微視的に見ると、内部ニッケル電極層１５を厚み方向（積層方向Ｔ）に貫通する孔が複数開いている。その孔には、誘電体層１４の材料が柱状に柱部材１５３として入り込んでいる。

（外層部１２）
外層部１２は、内層部１１の誘電体層１４と同じ材料の、バリウム、チタン及びジスプロシウムを含むセラミック材料で製造されている。

外層部１２は、内層部１１の積層方向Ｔの上側に配置された上部外層部１２ａと、下側に配置された下部外層部１２ｂとを有する。下側は、基板に実装される側である。実施形態で下部外層部１２ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇ２は、上部外層部１２ａの積層方向Ｔの厚みｔｇ１より厚い。すなわち、内部ニッケル電極層１５が配置された内層部１１が積層方向Ｔにおいて第１主面Ａａ側に偏っている。

積層セラミックコンデンサ１においては、内部ニッケル電極層１５に電力が供給されて誘電体層１４に電界が加わり、誘電体層１４に応力や機械的歪みが生じて振動が生じる可能性がある。しかし、このように、下部外層部１２ｂの積層方向Ｔの厚みを上部外層部１２ａの積層方向Ｔの厚みより厚くすると、積層セラミックコンデンサ１が実装された基板に振動が伝達しにくく、いわゆる「鳴き」の発生が抑制される。「鳴き」の発生抑制の観点から、下部外層部１２ｂの厚みｔｇ２は上部外層部１２ａの厚みｔｇ１の３倍以上が好ましく、４倍以上がさらに好ましい。ただし、これに限定されず、上部外層部１２ａの積層方向Ｔの厚みｔｇ１と下部外層部１２ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇ２とを等しくしてもよい。

上部外層部１２ａの厚みｔｇ１の厚み、又は、上部外層部１２ａの積層方向Ｔの厚みｔｇ１と下部外層部１２ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇ２とが等しい場合、両方の厚みは、
１０μｍ≦ｔｇ１≦２０μｍ（１０μｍ以上２０μｍ以下）
であることが好ましい。

外層部１２の厚みは、図３に示すように、長さ方向Ｌの中央のＴＷ断面において、積層体２を幅方向Ｗに４等分したときの、３本の分割線Ｄ２上の外層部１２の厚みを平均した平均値である。

また、上部外層部１２ａの積層方向Ｔの厚みｔｇ１及び下部外層部１２ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇ２とは、サイドギャップ部３０の厚みｔｓより厚い。このように外層部１２を厚くした場合、クラックが入ったとしても、内部ニッケル電極層まで伸展せず、信頼性が担保できる。

（サイドギャップ部３０）
サイドギャップ部３０は、積層体本体１０の両側面に露出している内部ニッケル電極層１５の幅方向Ｗ側の端部を、その端部に沿って覆っている。
サイドギャップ部３０は、積層体本体１０の第１側面Ｂａ側に設けられた第１サイドギャップ部３０ａと、積層体本体１０の第２側面Ｂｂ側に設けられた第２サイドギャップ部３０ｂと、を備える。なお、第１サイドギャップ部３０ａと第２サイドギャップ部３０ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてサイドギャップ部３０として説明する。

（サイドギャップ部３０の厚み）
サイドギャップ部３０の厚みｔｓは、
５μｍ≦ｔｓ≦１２μｍ（５μｍ以上１２μｍ以下）
であることが好ましい。
サイドギャップ部３０の厚みは、図３に示すように長さ方向Ｌの中央部のＴＷ断面において、積層体２を積層方向Ｔに４等分したときの、３本の分割線Ｄ３上のサイドギャップ部３０の厚みを平均した平均値である。

（サイドギャップ部３０の材料）
サイドギャップ部３０は、内層部１１の誘電体層１４及び外層部１２と同じ材料の、バリウム、チタン及びジスプロシウムを含むセラミック材料で製造されている。
また、サイドギャップ部３０は、焼結助剤としてマグネシウムを含む。
さらに、サイドギャップ部３０は、シリコン系酸化物（ＳｉＯ）及びリン（Ｐ）系酸化物を含有する。図３に示すような長さ方向Ｌの中央部のＴＷ断面において、サイドギャップ部３０が観察された場合、ＳｉＯが存在する領域は、扁平形状（ニードル形状）になっている。Ｐが存在する領域も同様に、扁平形状（ニードル形状）になっている。また、ＳｉＯ及びＰが混在する領域も同様に、扁平形状（ニードル形状）になっている。なお、本明細書において扁平形状とは、長さ方向Ｌの中央部のＴＷ断面おいて観察される領域の、長手方向の短手方向に対するアスペクト比が４以上の細長い形状であることをいう。

（サイドギャップ部３０のマグネシウム偏析）
図４（ｂ）に示すように、図中黒丸で示す焼結助剤として含まれるマグネシウムは、サイドギャップ部３０の焼結時に内部ニッケル電極層１５側に移動し、内部ニッケル電極層１５に偏析層１５Ａが形成される。偏析層１５Ａの長さは０．４μｍ以上５μｍ以下が好ましい。
また、図３（ｂ）に示すように、積層方向Ｔの最も主面側に配置された内部ニッケル電極層１５の主面側にもマグネシウムが偏析して層状になっている。
また、内部ニッケル電極層１５の幅方向の端部から、１０μｍ以内の領域において上述の柱部材１５３が貫通している部分には、柱部材１５３側の面に、マグネシウムが偏析している。

（サイドギャップ部３０の２層構造）
サイドギャップ部３０は複数層であり、内側の層をインナー層３０ｉｎ、外側の層をアウター層３０ｏｕとすると、インナー層３０ｉｎの厚み＜アウター層３０ｏｕの厚みである。ただし、これに限らず、サイドギャップ部３０は１層であってもよい。
２層構造とすることで、インナー層３０ｉｎからアウター層３０ｏｕとの間に界面が形成されるので、この界面により積層セラミックコンデンサ１にかかる応力を緩和することができる。

インナー層３０ｉｎからアウター層３０ｏｕに向かってサイドギャップ部３０を構成する誘電体粒子の粒径が小さくなっている。粒子の粒径は、最も外側で４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であり、最も内側で６００ｎｍ以上であることが好ましく、最も外側の粒子の粒径より、最も内側の粒子の粒径は１．５倍以上であることが好ましい。
なお、粒子の粒径とは、図３に示す長さ方向Ｌの中央のＴＷ断面において、側面側から幅方向に２０ｎｍずつ複数の領域に分け、各領域内でのそれぞれの誘電体粒子の面積を測定し、同じ面積を有する円の径に変換したものを、領域ごとに平均した値である。なお、最も内側の幅方向が２０ｎｍ未満となる領域は、その領域内において平均したものを粒径とする。

また、インナー層３０ｉｎよりアウター層３０ｏｕのシリコン酸化物の含有量を多くすることが好ましい。これにより、サイドギャップ部３０の強度の向上を図ることができるため、積層セラミックコンデンサ１の抗折強度が向上する。さらに、サイドギャップ部３０に亀裂や欠けが生じ難くなり、水分の浸入を防止することができるため、積層セラミックコンデンサ１の絶縁性を確保することができる。その結果、信頼性の向上した積層セラミックコンデンサ１を提供することができる。なお、シリコンがアウター層内３０ｏｕに偏析していてもよい。

（外部ニッケル層４）
図５及び図２に示すように、外部ニッケル層４は、積層体２の第１端面Ｃａ側に設けられた第１外部ニッケル層４ａと、積層体２の第２端面Ｃｂに設けられた第２外部ニッケル層４ｂとを備える。なお、第１外部ニッケル層４ａと第２外部ニッケル層４ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部ニッケル層４として説明する。

（外部ニッケル層４の材料）
また、外部ニッケル層４は、ニッケルに共材として、ガラスである誘電体が含まれる。図２に示す幅方向Ｗの中央部のＬＴ断面の外部ニッケル層４において、誘電体は、面積比で３０％～４０％に含まれる。このように共材が含まれることで、外部ニッケル層４と誘電体層１４とを同時に焼結（コファイア）したときに、互いの接合強度を高めることができる。

（外部ニッケル層４のサイズ）
外部ニッケル層４は、図５に示すように、積層体２の端面Ｃより一回り小さく、積層体２の端面において、上述の角部Ｒ１や稜線部Ｒ２の丸み設けられている領域以外の領域に形成されている。

（外部ニッケル層４自体の縦横比）
図５に示すように、外部ニッケル層４の積層方向Ｔの寸法ＴＮ、外部ニッケル層４の幅方向Ｗの寸法ＷＮとしたときに、
ＷＮ＜ＴＮ
すなわち、外部ニッケル層４は縦長形状であることが好ましい。ただし、これに限定されず、外部ニッケル層４は横長形状であってもよい。

（外部ニッケル層４と内層部１１との関係）
図５に示すように、外部ニッケル層４の積層方向Ｔの寸法ＴＮ、内層部１１（有効層）の積層方向Ｔの寸法Ｔ１としたときに、
Ｔ１＜ＴＮ
である。
外部銅電極層３の銅が内部ニッケル電極層１５の内部に拡散すると、内部ニッケル電極層１５の厚みが増加し、クラックが生じる場合がある。特に最も主面Ａ側の内部ニッケル電極層１５に銅が拡散するとクラックが生じやすい。
しかし、実施形態ではＴ１＜ＴＮであるので、最も主面Ａ側の内部ニッケル電極層１５における両側部以外の領域が確実に外部ニッケル層４で覆われている。ゆえに、主面Ａ側の内部ニッケル電極層１５の中央部への銅の拡散が防止され、クラックの発生の可能性が低減される。

また、外部ニッケル層４の幅方向Ｗの寸法ＷＮ、内層部１１の幅方向Ｗの寸法、すなわち内部ニッケル電極層１５の幅方向Ｗの寸法Ｗ１としたときに、
ＷＮ＜Ｗ１
である。
これにより、内部ニッケル電極層１５には、幅方向Ｗにおいて外部ニッケル層４に覆われていない非被覆領域４１が存在する。この非被覆領域４１は外部ニッケル層４の幅方向Ｗの両側に設けられており、一方の長さは１μｍ以上５０μ以下であり、５μ以下がより好ましい。

非被覆領域４１においては、図４（ｂ）に示すように、内部ニッケル電極層１５は外部銅電極層３と直接接合され、外部銅電極層３の図中黒三角で示す銅が内部ニッケル電極層１５内に拡散し、ニッケルと反応した相互拡散領域が形成される。この相互拡散領域により外部銅電極層３と内部ニッケル電極層１５との強固な結合が確保される。
このような内部ニッケル電極層１５内での拡散状態の分析は、図４に示すＬＷ断面を、波長分散型Ｘ線（ＷＤＸ）分析することで観察可能である。
なお、外部銅電極層３の銅は、内部ニッケル電極層１５における外部ニッケル層４に覆われている部分にも拡散している。また、非被覆領域４１では、内部ニッケル電極層１５の幅方向Ｗの端部近傍にマグネシウムが偏析しているため、マグネシウム－銅－ニッケル（ニッケルは図中黒四角で示す）の反応層も形成されている。

このように、外部ニッケル層４と内層部１１との関係において、Ｔ１＜ＴＮ且つＷＮ＜Ｗ１とすることにより、クラックを防止しつつ、外部銅電極層３の銅と内部ニッケル電極層１５のニッケルとの強固な接合が確保されている。

（外部ニッケル層４と積層体２との関係）
図５に示すように、外部ニッケル層４の積層方向Ｔの寸法ＴＮ、積層体２の積層方向Ｔの寸法Ｔ０としたときに、
ＴＮ＜Ｔ０
である。
外部ニッケル層４の幅方向Ｗの寸法ＷＮ、積層体２の幅方向Ｗの寸法Ｗ０としたときに、
ＷＮ＜Ｗ０
である。

すなわち、図５に示すように、
Ｔ１＜ＴＮ＜Ｔ０、ＷＮ＜Ｗ１＜Ｗ０
である。
この関係が満たされることによって、クラックが生じにくくなる。また、この関係が満たされることによって、外部銅電極層３と内部ニッケル電極層１５とのより強固な接合が実現容易となる。

（外部ニッケル層４の厚み）
次に、外部ニッケル層４の厚みについて説明する。
図２に示すような、積層セラミックコンデンサ１の幅方向Ｗの中央を通り、且つ長さ方向Ｌと積層方向Ｔとに延びる断面ＬＴにおいて、外部ニッケル層４を、長さ方向Ｌに延びる３本の直線Ｄ４１，Ｄ４２，Ｄ４３で積層方向Ｔに４等分する。
３本の直線Ｄ４１，Ｄ４２，Ｄ４３のうちの中央の直線Ｄ４２上の第１外部ニッケル層４ａ及び第２外部ニッケル層４ｂの厚みの平均値をＴｅｍとする。
３本の直線Ｄ４１，Ｄ４２，Ｄ４３全ての直線上の第１外部ニッケル層４ａ及び第２外部ニッケル層４ｂの厚みの平均値をＴｅａとする。

このとき、０．８μｍ≦Ｔｅａ≦１５μｍであり、２μｍ≦Ｔｅｍ≦１５μｍである。
また、０．８μｍ≦Ｔｅａ≦７μｍであり、２μｍ≦Ｔｅｍ≦７μｍであることが好ましい。
また、実施形態でＴｅａ／Ｔｅｍの範囲は以下である。
０．２≦Ｔｅａ／Ｔｅｍ≦１．１
より好ましくは以下である。
０．３３≦Ｔｅａ／Ｔｅｍ≦１．１
さらに好ましくは以下である。
Ｔｅａ／Ｔｅｍ＝１
すなわち、Ｔｅａ／Ｔｅｍ＝１、すなわち外部ニッケル層４の厚みは均一であることが最も好ましいが、０．２≦Ｔｅａ／Ｔｅｍ≦１．１であれば、外部ニッケル層４の圧縮応力を平均化でき、クラックを防止することができる。なお、Ｔｅｍ、Ｔｅａともに５μｍ～７μｍがさらに好ましく、薄いほど内部電極を大きくすることが可能となり静電容量を大きくすることができる。

なお、外部ニッケル層４の平均厚みであるＴｅａは、幅方向Ｗの中央部まで積層体２を研磨してＬＴ断面を露出させる。そして、光学顕微鏡にてＬＴ断面における外部ニッケル層４を特定し、もしくはＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分析法）等でニッケル成分が含まれる外部ニッケル層４を特定する。そして、上述のようにＴｅｍとＴｅｓを求めて（Ｔｅｍ＋２Ｔｅｓ）／３＝Ｔｅａを計算することで測定可能である。

このように、外部ニッケル層４が設けられているので、外部銅電極層３として用いられる銅が、内部ニッケル電極層１５の内部に過剰に拡散することが防止される。仮に、外部ニッケル層４が設けられていない場合、外部銅電極層３と内部ニッケル電極層１５とが直接接触している面積が大きいので、外部銅電極層３の銅が内部ニッケル電極層１５の内部に過剰に拡散する。そうすると拡散によって内部ニッケル電極層１５の厚みが増大することによるクラックが発生する可能性がある。しかし実施形態によると、このようなクラックの発生が防止される。

（フッ素層４０）
また、図５に示す外部ニッケル層４が形成された積層体２の表面には、フッ素層４０が形成されている。

（外部銅電極層３）
外部電極層である外部銅電極層３は、積層体２の第１端面Ｃａ側において第１外部ニッケル層４ａのさらに外側に設けられた第１外部銅電極層３ａと、積層体２の第２端面Ｃｂにおいて第２外部ニッケル層４ｂのさらに外側に設けられた第２外部銅電極層３ｂとを備える。なお、第１外部銅電極層３ａと第２外部銅電極層３ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部銅電極層３として説明する。外部銅電極層３は、端面Ｃだけでなく、主面Ａ及び側面Ｂの端面Ｃ側の一部も覆っている。

（外部銅電極層３の材料）
外部銅電極層３は、銅とガラスとを含む導電性ペーストを塗布して、焼き付けることにより形成される。外部銅電極層３は積層体２が焼結されたのちに別途焼結されるポストファイアの電極である。
外部銅電極層３がガラスを含むことにより、外部銅電極層３と外部ニッケル層４との間にニッケル系酸化物及び／又はシリコン系酸化物、すなわちニッケル系酸化物及び／又はシリコン系酸化物の少なくとも一方がコンポジットとして形成される。ニッケル系酸化物及び／又はシリコン系酸化物は、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察される。このように外部ニッケル層４と外部銅電極層３との間に、ＮｉＯ等のニッケル系酸化物及び／又はＳｉＯ等のシリコン系酸化物が配置されているので固着力が高められるとともに耐湿性が向上される。ニッケル系酸化物とは、ニッケルが含まれていればよく、ニッケルが含まれているか否かは、ＷＤＸ／ＴＥＭなどの組成分析によって判断できる。シリコン系酸化物についてもニッケル系酸化物同様に、シリコンが含まれていればよく、シリコンが含まれているか否かは、ＷＤＸ／ＴＥＭなどの組成分析によって判断できる。

第１内部ニッケル電極層１５ａの第１引き出し部１５１ａの端部は第１端面Ｃａに露出し、第１外部ニッケル層４ａを介して第１外部銅電極層３ａに電気的に接続され、また第１外部ニッケル層４ａよりも幅方向Ｗの両側の領域では、直接、第１外部銅電極層３ａに電気的に接続されている。
第２内部ニッケル電極層１５ｂの第２引き出し部１５１ｂの端部は第２端面Ｃｂに露出し、第２外部ニッケル層４ｂを介して第２外部銅電極層３ｂに電気的に接続され、また第２外部ニッケル層４ｂよりも幅方向Ｗの両側の領域では、直接、第２外部銅電極層３ｂに電気的に接続されている。
これにより、第１外部銅電極層３ａと第２外部銅電極層３ｂとの間は、複数のコンデンサ要素が電気的に並列に接続された構造となっている。

上述したように、積層体２の外部に露出している内部ニッケル電極層１５の全てが外部ニッケル層４で覆われているわけではない。内部ニッケル電極層１５の幅方向Ｗの両端部は外部ニッケル層４で覆われていない。
この両端部において、内部ニッケル電極層１５と直接接触し、外部銅電極層３と内部ニッケル電極層１５の前記両端部との間で、銅とニッケルとの相互拡散領域が存在する。
したがって、この相互拡散領域において外部銅電極層３と内部ニッケル電極層１５とが直接接合するので強固な接合が確保される。

（めっき層）
また、図２、図に示すように外部銅電極層３の外側には、さらにニッケルめっき層３１と錫めっき層３２とが形成されている。

（積層セラミックコンデンサ１の製造方法）
図７は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、積層体２を準備する積層体準備工程Ｓ１を含む。積層体準備工程Ｓ１は、素材シート準備工程Ｓ１１と、素材シート積層工程Ｓ１２と、マザーブロック形成工程Ｓ１３と、マザーブロック切断工程Ｓ１４と、サイドギャップ部形成工程Ｓ１５とを含む。図８は積層体準備工程Ｓ１を説明する図である。

（素材シート準備工程Ｓ１１）
素材シート準備工程Ｓ１１において、まず、バリウム、チタン及びジスプロシウムを含むセラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーが準備される。このセラミックスラリーがキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてシート状に成形されることで、積層用セラミックグリーンシート１０１が製作される。
また、上部外層部１２ａとなる上部外層部用セラミックグリーンシート１１２及び下部外層部１２ｂとなる下部外層部用セラミックグリーンシート１１３も同様に作製される。

続いて、この積層用セラミックグリーンシート１０１に、ニッケルを主成分としてガラス（シリコン酸化物）成分も含む導電体ペースト１０２が帯状のパターンを有するようにスクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等によって印刷される。

これにより、図８（ａ）に示すように、誘電体層１４となる積層用セラミックグリーンシート１０１の表面に内部ニッケル電極層１５となる導電体ペースト１０２が印刷された素材シート１０３が準備される。

（素材シート積層工程Ｓ１２）
次いで、素材シート積層工程Ｓ１２において、図８（ｂ）に示すように、素材シート１０３が複数枚積層される。具体的には、帯状の導電体ペースト１０２が同一の方向を向き且つその帯状の導電体ペースト１０２が隣り合う素材シート１０３間において幅方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シート１０３が積み重ねられる。さらに、複数枚積層された素材シート１０３の一方の側に、上部外層部１２ａとなる上部外層部用セラミックグリーンシート１１２が積み重ねられ、他方の側に下部外層部１２ｂとなる下部外層部用セラミックグリーンシート１１３が積み重ねられる。

（マザーブロック形成工程Ｓ１３）
続いて、マザーブロック形成工程Ｓ１３において、上部外層部用セラミックグリーンシート１１２と、積み重ねられた複数の素材シート１０３と、下部外層部用セラミックグリーンシート１１３とを熱圧着する。これにより、図８（ｃ）に示すマザーブロック１１０が形成される。

（マザーブロック切断工程Ｓ１４）
次いで、マザーブロック切断工程Ｓ１４において、マザーブロック１１０を、図８（ｃ）に示す、積層体本体１０の寸法に対応した切断線Ｘ及び切断線Ｘと交差する切断線Ｙに沿って切断する。これにより、図８（ｄ）に示す積層体本体１０が製造される。なお、実施形態で切断線Ｙは切断線Ｘと直交している。このとき、積層体本体１０の側部には、内部ニッケル電極層１５が露出している。

（サイドギャップ部形成工程Ｓ１５）
次に、サイドギャップ部形成工程Ｓ１５において、積層用セラミックグリーンシート１０１と同様のバリウム、チタン及びジスプロシウムを含み、且つシリコン酸化物及びリンを含む誘電体粉末に、マグネシウムが焼結助剤として加えられたセラミックスラリーが作製される。
そして、樹脂フィルム上に、セラミックスラリーを塗布し、乾燥して、サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４が作製される。
サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４は、インナー層３０ｉｎ用と、アウター層３０ｏｕ用とが作製される。

そして、図８（ｅ）に示すように積層体本体１０の内部ニッケル電極層１５が露出しているＬＴ側面を、まず、インナー層３０ｉｎ用のサイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４に押し付ける。これにより、サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４が、積層体本体１０のＬＴ側面に圧着されるとともに、積層体本体１０のＬＴ側面の端部において剪断力が作用して、サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４が打ち抜かれる。このようにして積層体本体１０のＬＴ側面の一面を、サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４によって覆う。次いで、積層体本体１０のＬＴ側面の他面も同様に、インナー層３０ｉｎ用のサイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４によって覆う。

さらに、アウター層３０ｏｕ用のサイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４も同様にして、積層体本体１０のＬＴ側面におけるインナー層３０ｉｎ用のサイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４の外側の両面を覆う。
これにより、図８（ｆ）に示すように積層体本体１０のＬＴ側面にインナー層３０ｉｎとアウター層３０ｏｕとの２層のサイドギャップ部３０が張り付けられた、焼結前の状態の積層体２が形成される。

（ニッケルシート貼付工程Ｓ２）
図９は積層セラミックコンデンサ１の製造方法における、ニッケルシート貼付工程Ｓ２以降の工程を説明する図である。ニッケルシート貼付工程Ｓ２において、図９（ａ）に示すように焼結前の状態の積層体２の端面Ｃに、サイドギャップ部用セラミックグリーンシート１１４の貼り付けと同様に、外部ニッケル層４となるニッケルシート１１５を押し付ける。なお、ニッケルシート１１５の材料としては、ニッケルに共材の誘電体としてガラスが含まれている。
これにより、ニッケルシート１１５が、積層体２の端面Ｃに圧着されるとともに、積層体２の端面Ｃの端部において剪断力が作用して、ニッケルシート１１５が打ち抜かれる。
このようにして、積層体２の端面Ｃの一面を、ニッケルシート１１５によって覆う。
次いで、積層体２の端面Ｃの他面も同様に、ニッケルシート１１５によって覆う。
なお、この際、図９（ｂ）に示すように積層体２の端面Ｃのみならずの主面Ａ及び側面Ｂの一部も、ニッケルシート１１５によって覆われている。

なお、ニッケルにガラスが添加されたペーストが充填されたニッケルペースト槽に浸漬させ、積層体２にニッケルペーストを塗布してもよい。この場合、外部ニッケル層４の端面の厚みを均一にするため、ニッケルペースト塗布後、定盤等に押し付け、余分なペーストを欠き取る。

（バレル工程Ｓ３）
次に、バレル工程Ｓ３において、図９（ａ）に示すニッケルシート１１５に端面Ｃが覆われた積層体２に対してバレル研磨を施す。これにより、図９（ｃ）及び図５に示すように、積層体２の角部Ｒ１及び稜線部Ｒ２に丸みがつけられる。
また、積層体２の主面Ａ及び側面Ｂを覆っていたニッケルシート１１５も削られ、ニッケルシート１１５は端面Ｃの外周よりも一回り小さい領域にのみ残る。

（フッ素層形成工程Ｓ４）
次いで、フッ素層形成工程Ｓ４において、外部ニッケル層４を有する積層体２の表面に図９（ｅ）に符号で示すようにフッ素層４０を形成する。

（外部ニッケル層形成工程Ｓ５）
外部ニッケル層形成工程Ｓ５において、ニッケルシート１１５が貼り付けられた焼結前の積層体２は、所定の条件で脱脂処理された後、窒素－水素－水蒸気の混合雰囲気中、所定の温度で焼成される。これにより、図９（ｅ）に示すようにニッケルシート１１５が焼成されて外部ニッケル層４が形成される。
この際、バレル工程Ｓ３において、積層体２の主面Ａ及び側面Ｂを覆っていたニッケルシート１１５が削られ、ニッケルシート１１５は端面Ｃの外周よりも一回り小さい領域にのみ残っているので、焼成時に生じる圧縮応力が軽減される。

ここで、焼結時にサイドギャップ部３０のマグネシウムは、内部ニッケル電極層１５側に移動する。これにより焼結後、サイドギャップ部３０のマグネシウムは内部ニッケル電極層１５側に偏析する。
なお、誘電体層１４とサイドギャップ部３０とは、略同じ材料で製造されているが、サイドギャップ部３０は、誘電体層１４を含む積層体本体１０に張り付けたものであるので、焼結後においても、サイドギャップ部３０と積層体本体１０との間には界面が存在している。

（銅膜形成工程Ｓ６）
銅膜形成工程Ｓ６は、第１銅膜形成工程Ｓ６１と、第１欠き取り工程Ｓ６２と、第２銅膜形成工程Ｓ６３と、第２欠き取り工程Ｓ６４とを含む。

（第１銅膜形成工程Ｓ６１）
第１銅膜形成工程Ｓ６１は、図９（ｆ）に示すように、外部ニッケル層４形成されている端面Ｃを、ガラス入りの銅ペースト１１６に浸漬させる。

この際、積層体２の表面にフッ素層４０が形成されて撥水性が向上しているため、銅ペースト１１６が積層体２の表面を過剰に濡れ上り、曲面状の三日月形状になることが防止される。
ゆえに、図９（ｇ）に示すように、積層体２の主面Ａ及び側面Ｂ側において銅ペーストの境界１１６ａが平らになるので、主面Ａ及び側面Ｂ側への銅ペースト１１６の回り込み量を制御することができ、外部銅電極層３の大きさを制御することができる。

（第１欠き取り工程Ｓ６２）
第１欠き取り工程Ｓ６２は、図９（ｇ）に示すように、銅ペースト１１６の端面の厚みを均一にするため、銅ペースト１１６塗布後、定盤１１８等に押し付け、余分な銅ペースト１１６を欠き取る。一方の端面Ｃ側の銅ペースト１１６が乾燥した後、他方の端面Ｃも同様に銅ペースト１１６を塗布する。

（第２銅膜形成工程Ｓ６３）
第２銅膜形成工程Ｓ６３は、図９（ｈ）に示すように、図９（ｆ）に示すように、外部ニッケル層４形成されている端面Ｃを、ガラス入りの銅ペースト１１７に浸漬させる。銅ペースト１１７は、第１銅膜形成工程Ｓ６１における銅ペースト１１６よりもガラスの含有量が多い。

（第２欠き取り工程Ｓ６４）
第２欠き取り工程Ｓ６４は、図９（ｉ）に示すように第１欠き取り工程Ｓ６２と同様に、外部銅電極層３の端面の厚みを均一にするため、銅ペースト１１７塗布後、定盤１１８等に押し付け、余分な銅ペースト１１７を欠き取る。一方の端面Ｃ側の銅ペースト１１７が乾燥した後、他方の端面Ｃも同様に銅ペースト１１７を塗布する。

（外部銅電極層形成工程Ｓ７）
外部銅電極層形成工程Ｓ７は、銅ペースト１１６が乾燥した後、図９（ｊ）に示すように窒素雰囲気且つ酸素分圧ＰＯ２が、
１０^－９≦ＰＯ２≦１０^－１３Ｐａ 且つ
焼付温度ＴＹが、
７００℃≦ＴＹ≦９５０℃
の条件下で、所定時間、焼成を行うことで外部銅電極層３を形成する。

外部銅電極層形成工程Ｓ７において、外部銅電極層３と外部ニッケル層４との間に反応層ができる。この反応層は、外部銅電極層３に含まれるガラス成分を含むコンポジットとしてニッケル系酸化物及び／又はシリコン系酸化物を含む、すなわちニッケル系酸化物又はシリコン系酸化物の少なくとも一方を含む反応層である。

外部ニッケル層４を設けることで、内部ニッケル電極層１５が外部銅電極層３の銅が内部ニッケル電極層１５に過剰に侵入することが防止され、これにより内部ニッケル電極層１５に生じるクラックの発生が防止される。

また、内部ニッケル電極層１５と、外部銅電極層３とが直接接する部分があり、内部ニッケル電極層１５と、外部銅電極層３との強固な接合は確保される。

外部銅電極層３にガラスが含まれているので、ガラスにより耐湿性が確保され、次に続くめっき工程において、めっきの付着性及び固着力が付与される。

（ニッケルめっき工程Ｓ８）
ニッケルめっき工程Ｓ８は、図９（ｋ）に示すように、外部銅電極層３の外周にニッケルめっき層３１が形成される。この際、外部銅電極層３が設けられているので、めっき液に浸す際においても積層体２の内部への水の侵入が防止される。

（錫めっき工程Ｓ９）
次いで、図９（ｌ）に示すように、外部銅電極層３の外周に錫めっき層３２が形成される。

上記工程により、実施形態の積層セラミックコンデンサ１が製造される。以上、本発明の実施形態について説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１０は本発明の第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１のＬＴ断面の部分拡大図である。図１１は、第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１のＬＷ断面の部分拡大図である。以下の説明において第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付して説明を省略する。

第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、外部ニッケル層４と外部銅電極層３との間に導電性の熱硬化性樹脂層３３が設けられている点である。熱硬化性樹脂層３３の材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられ、熱硬化性樹脂層３３内に金属フィラー３３ａが含まれている。金属フィラー３３ａは例えば銅であり、銅の場合、マイグレーションの防止になる。
銅の金属フィラー３３ａは錫でコートされていてもよく、錫が外部ニッケル層４と拡散接合することで、金属抵抗を抑えることができ、結果としてＲＤＣ（直流抵抗）を低下できる。金属フィラー３３ａは銀であってもよい。銀にすることによりＲＤＣをさらに抑えることができる。
図１１に示すように、金属フィラー３３ａと内部ニッケル電極層１５のニッケルとが反応することで、金属フィラー３３ａが内部ニッケル電極層１５のニッケル近辺に集まり、突起物３３ｂが形成される。

（第３実施形態）
図１２は、第３実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＴ断面の部分拡大図であり、図１３は、第３実施形態の積層セラミックコンデンサのＬＷ断面の部分拡大図である。第２実施形態と異なる点は、外部銅電極層３の外側に導電性の熱硬化性樹脂層３３が設けられている点である。
第３実施形態では、熱硬化性樹脂層３３は外部銅電極層３の全面を覆うことなく、外部銅電極層３の角部は覆っていない。すなわち、熱硬化性樹脂層３３の積層方向Ｔの寸法をＴ３、前記積層体の積層方向Ｔの寸法Ｔ０としたときに、
Ｔ３＜Ｔ０
である。
また、熱硬化性樹脂層３３の幅方向の寸法をＷ３、積層体２の前記幅方向の寸法をＷ０としたときに、
Ｗ３＜Ｗ０
である。

以上、第２実施形態及び第３実施形態によると、熱硬化性樹脂層３３が設けられている。熱硬化性樹脂層３３は、熱硬化性樹脂を含むため、例えば、めっき層や外部銅電極層３や外部ニッケル層４よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、熱硬化性樹脂層３３が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１にクラックが発生することを抑制する。
また、熱硬化性樹脂層３３が水分を吸収するので、積層セラミックコンデンサ１の耐湿信頼性を向上することもできる。

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ 外部銅電極層
４ 外部ニッケル層
１０ 積層体本体
１１ 内層部
１２ 外層部
１２ａ 上部外層部
１２ｂ 下部外層部
１４ 誘電体層
１５ 内部ニッケル電極層
１５Ａ 偏析層
３０ サイドギャップ部
３０ｉｎ インナー層
３０ｏｕ アウター層
３１ ニッケルめっき層
３２ 錫めっき層
３３ 熱硬化性樹脂層
３３ａ 金属フィラー
３３ｂ 突起物
４０ フッ素層
４１ 非被覆領域
１１８ 定盤
１５３ 柱部材

Claims (7)

1. 誘電体層と内部ニッケル電極層とが交互に積層された内層部を有し、積層方向と交差する長さ方向の両側にそれぞれ設けられた端面に、前記内部ニッケル電極層が露出している積層体本体、並びに、
   前記積層体本体における、前記積層方向及び前記長さ方向と交差する幅方向の両側にそれぞれ設けられたサイドギャップ部を備える積層体と、
   前記積層体の前記端面にそれぞれ配置された外部ニッケル層と、
   前記外部ニッケル層が配置された前記端面のそれぞれを覆う外部銅電極層と、
   を具備する電子部品であって、
   前記外部ニッケル層の前記積層方向の寸法ＴＮ、前記内層部の前記積層方向の寸法Ｔ１としたときに、
   Ｔ１＜ＴＮ であり、
   前記外部ニッケル層の前記幅方向の寸法ＷＮ、前記内層部の幅方向の寸法Ｗ１としたときに、
   ＷＮ＜Ｗ１ であるとともに、
   前記外部ニッケル層自体は、
   ＷＮ＜ＴＮであり、
   前記内層部は、幅方向において前記外部ニッケル層に覆われていない非被覆領域を有し、該非被覆領域において前記内部ニッケル電極層と前記外部銅電極層とが直接接合され、前記内部ニッケル電極層内に前記外部銅電極層の銅が拡散された拡散領域が形成されている、
   電子部品。
2. 前記内層部の前記積層方向の一方の側に設けられた上部外層部と他方の側に設けられた下部外層部とを備え、
   前記下部外層部の積層方向の厚みは、前記上部外層部の積層方向の厚みより厚い、
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記下部外層部の厚みは、前記上部外層部の厚みの３倍以上である、
   請求項２に記載の電子部品。
4. 前記下部外層部の厚みは、前記上部外層部の厚みの４倍以上である、
   請求項２又は請求項３に記載の電子部品。
5. 前記積層体の前記幅方向の寸法Ｗ０、前記積層方向Ｔの寸法Ｔ０としたときに、
   Ｗ０＜Ｔ０ である、
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
6. 前記内層部の前記幅方向の寸法Ｗ１、前記積層方向Ｔの寸法Ｔ１としたときに、
   Ｔ１＜Ｗ１ である、
   請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 前記電子部品は、積層セラミックコンデンサである、
   請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。

Images