JP7444048B2 - 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

近年、大容量且つ小型の積層セラミックコンデンサが求められている。このような積層セラミックコンデンサは、誘電率の比較的高い強誘電体材料である誘電体層と内部電極とが交互に積み重ねられた内層部を有する。
そして、その内層部の上部と下部とに外層部としての誘電体層が配置されて直方体状の積層体が形成され、積層体の長手方向の両端面に外部電極が設けられてコンデンサ本体が形成される。
さらに、いわゆる「鳴き」の発生を抑制するために、コンデンサ本体における基板に実装される側に配置されるインターポーザを備える積層セラミックコンデンサが知られている（特許文献１参照）。

国際公開第２０１５／０９８９９０号公報

しかし、積層セラミックコンデンサが実装されている基板に曲げ等によるストレスが加わると、インターポーザの端部がコンデンサ本体を押圧し、接触部に応力が集中してコンデンサ本体にクラックが発生する可能性がある。

本発明は、コンデンサ本体へのインターポーザとの接触による応力集中の低減が可能な積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、及び、前記積層体の２つの端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と接続された外部電極を有するコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の基板実装側面に離間して配置されたインターポーザと、前記インターポーザにおける前記基板実装側面と対向するコンデンサ対向面と前記基板実装側面との間の隙間に配置された絶縁樹脂膜と、を備える積層セラミックコンデンサを提供する。

本発明によれば、コンデンサ本体へのインターポーザとの接触による応力集中の低減が可能な積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。

第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。 コンデンサ本体製造工程Ｓ１を説明する図である。 インターポーザ配置工程Ｓ２と絶縁樹脂膜形成工程Ｓ３を説明する図である。 第２実施形態の積層セラミックコンデンサ２００の断面図である。 第３実施形態の積層セラミックコンデンサ３００の断面図である。 第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００の断面図である。

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の概略斜視図である。図２は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の図１におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状で、積層体２及び積層体２の両端に設けられた一対の外部電極３とを備えるコンデンサ本体１Ａと、コンデンサ本体１Ａに取り付けられたインターポーザ４と、絶縁樹脂膜５０とを備える。また、積層体２は、誘電体層１４と内部電極層１５とを複数組含む内層部１１を含む。

以下の説明において、積層セラミックコンデンサ１の向きを表わす用語として、積層セラミックコンデンサ１において、一対の外部電極３が設けられている方向を長さ方向Ｌとする。誘電体層１４と内部電極層１５とが積層されている方向を積層方向Ｔとする。長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも交差する方向を幅方向Ｗとする。なお、実施形態においては、幅方向Ｗは長さ方向Ｌ及び積層方向Ｔのいずれにも直交している。

（積層体２の外表面）
また、積層体２の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面を積層体第１主面ＡＳ１と積層体第２主面ＡＳ２とし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面を積層体第１側面ＢＳ１と積層体第２側面ＢＳ２とし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面を積層体第１端面ＣＳ１と積層体第２端面ＣＳ２とする。
なお、積層体第１主面ＡＳ１と積層体第２主面ＡＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体主面ＡＳとし、積層体第１側面ＢＳ１と積層体第２側面ＢＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体側面ＢＳとし、積層体第１端面ＣＳ１と積層体第２端面ＣＳ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて積層体端面ＣＳとして説明する。

（コンデンサ本体１Ａの外表面）
また、コンデンサ本体１Ａの６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面をコンデンサ第１主面ＡＣ１とコンデンサ第２主面ＡＣ２とし、幅方向Ｗに相対する一対の外表面をコンデンサ第１側面ＢＣ１とコンデンサ第２側面ＢＣ２とし、長さ方向Ｌに相対する一対の外表面をコンデンサ第１端面ＣＣ１とコンデンサ第２端面ＣＣ２とする。なお、コンデンサ第２主面ＡＣ２は、コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２でもある。
コンデンサ第１主面ＡＣ１とコンデンサ第２主面ＡＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ主面ＡＣとし、コンデンサ第１側面ＢＣ１とコンデンサ第２側面ＢＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ側面ＢＣとし、コンデンサ第１端面ＣＣ１とコンデンサ第２端面ＣＣ２とを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてコンデンサ端面ＣＣとして説明する。

（インターポーザ４の外表面）
また、インターポーザ４は、第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとの２つ設けられているがそれぞれのインターポーザ４の６つの外表面のうち、積層方向Ｔに相対する一対の外表面のうちのコンデンサ本体１Ａ側の外表面を、コンデンサ対向面ＡＩとし、長さ方向Ｌに設けられた第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとの互いに対向する側の面をインターポーザ対向面ＣＩとする。
インターポーザ４のコンデンサ対向面ＡＩとコンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２とは対向し、第１インターポーザ４Ａのインターポーザ対向面ＣＩと、第２インターポーザ４Ｂのインターポーザ対向面ＣＩとは対向している。

積層体２は、角部を含む稜線部Ｒ１に丸みがつけられていることが好ましい。稜線部Ｒ１は、積層体２の２面、すなわち積層体主面ＡＳと積層体側面ＢＳ、積層体主面Ａと積層体端面ＣＳ、又は、積層体側面ＢＳと積層体端面ＣＳが交わる部分である。
積層体２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向Ｌ寸法が０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、幅方向Ｗ寸法が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下、積層方向Ｔ寸法が０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。

（積層体２）
積層体２は、内層部１１と、内層部１１の積層方向Ｔ両側にそれぞれ配置される外層部１２とを備える積層体本体１０と、積層体本体１０の幅方向Ｗの両側に設けられたサイドギャップ部３０とを備える。

（内層部１１）
内層部１１は、積層方向Ｔに沿って交互に積層された誘電体層１４と内部電極層１５とを複数組含む。
誘電体層１４は、厚みが０．５μｍ以下である。誘電体層１４は、セラミック材料で製造されている。セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体セラミックが用いられる。また、セラミック材料として、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物等の副成分のうちの少なくとも一つを添加したものを用いてもよい。なお、誘電体層１４の枚数は、外層部１２も含めて１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。

内部電極層１５は、複数の第１内部電極層１５ａと、複数の第２内部電極層１５ｂとを備える。第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとは、交互に配置されている。なお、第１内部電極層１５ａと第２内部電極層１５ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて内部電極層１５として説明する。

第１内部電極層１５ａは、第２内部電極層１５ｂと対向する第１対向部１５２ａと、第１対向部１５２ａから積層体第１端面ＣＳ１側に引き出された第１引き出し部１５１ａとを備える。第１引き出し部１５１ａの端部は、積層体第１端面ＣＳ１に露出し、後述の第１外部電極３ａに電気的に接続されている。
第２内部電極層１５ｂは、第１内部電極層１５ａと対向する第２対向部１５２ｂと、第２対向部１５２ｂから積層体第２端面ＣＳ２に引き出された第２引き出し部１５１ｂとを備える。第２引き出し部１５１ｂの端部は、後述の第２外部電極３ｂに電気的に接続されている。
第１内部電極層１５ａの第１対向部１５２ａと、第２内部電極層１５ｂの第２対向部１５２ｂとに電荷が蓄積され、コンデンサの特性が発現する。

内部電極層１５は、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等に代表される金属材料により形成されていることが好ましい。内部電極層１５の厚みは、例えば、０．５μｍ以上２．０ｍｍ程度であることが好ましい。内部電極層１５の枚数は、第１内部電極層１５ａ及び第２内部電極層１５ｂを合わせて１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。

（外層部１２）
外層部１２は、内層部１１の誘電体層１４と同じ材料で製造されている。そして、外層部１２の厚みは例えば２０μｍ以下であり、１０μｍ以下であることがより好ましい。

サイドギャップ部３０は、積層体本体１０の積層体側面ＢＳ側に設けられた第１サイドギャップ部３０ａと、積層体本体１０の積層体第２側面ＢＳ２側に設けられた第２サイドギャップ部３０ｂと、を備える。
なお、第１サイドギャップ部３０ａと第２サイドギャップ部３０ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめてサイドギャップ部３０として説明する。

（サイドギャップ部３０）
サイドギャップ部３０は、誘電体層１４と同様の材料で製造されている。サイドギャップ部３０の厚みは、例えば２０μｍであり、１０μｍ以下であることが好ましい。

（外部電極３）
外部電極３は、積層体第１端面ＣＳ１に設けられた第１外部電極３ａと、積層体第２端面ＣＳ２に設けられた第２外部電極３ｂとを備える。なお、第１外部電極３ａと第２外部電極３ｂとを特に区別して説明する必要のない場合、まとめて外部電極３として説明する。外部電極３は、積層体端面ＣＳだけでなく、積層体主面ＡＳ及び積層体側面ＢＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆っている。

上述のように、第１内部電極層１５ａの第１引き出し部１５１ａの端部は積層体第１端面ＣＳ１に露出し、第１外部電極３ａに電気的に接続されている。また、第２内部電極層１５ｂの第２引き出し部１５１ｂの端部は積層体第２端面ＣＳ２に露出し、第２外部電極３ｂに電気的に接続されている。これにより、第１外部電極３ａと第２外部電極３ｂとの間は、複数のコンデンサ要素が電気的に並列に接続された構造となっている。

また、外部電極３は、例えば下地電極層とめっき層との２層構造であってもよい。また、めっき層は１層であってもよく、２層であってもよい。さらに下地電極層とめっき層との間に導電性樹脂層を備えていてもよい。
下地電極層は、例えば、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布、焼き付けることにより形成される。下地電極層の導電性金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等を用いることができる。
めっき層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等からなる群から選ばれる１種の金属又は当該金属を含む合金のめっきからなることが好ましい。

（インターポーザ４）
インターポーザ４は、一対の第１インターポーザ４Ａと、第２インターポーザ４Ｂとを備える。以下、第１インターポーザ４Ａと、第２インターポーザ４Ｂとを区別して説明する必要のない場合、まとめてインターポーザ４として説明する。

コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２における、長さ方向Ｌの一方のコンデンサ第１端面ＣＣ１側に第１インターポーザ４Ａが配置され、他方のコンデンサ第２端面ＣＣ２側に第２インターポーザ４Ｂが配置されている。第１インターポーザ４Ａと第２インターポーザ４Ｂとは同形であり、互いに対向し、一定の距離、離間して配置されている。

インターポーザ４は、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の高融点金属と低融点金属としてのＳｎとを含む金属間化合物を主成分とした材料とした部材により構成される。インターポーザ４は、金属間化合物とは別に単体のＳｎ金属を含む。インターポーザ４中のＳｎ金属は、積層セラミックコンデンサ１を基板に実装するとき、インターポーザ４において良好なはんだ付け性を実現する。

図２に示すように、インターポーザ４のコンデンサ対向面ＡＩは、コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２における外部電極３が設けられている部分と接している電極接続領域ＡＩ１と、電極接続領域からさらに長さ方向Ｌの中央側に向かって延びる電極非接続領域ＡＩ２とを有する。

コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２における外部電極３が設けられていない部分、すなわち積層体第２主面ＡＳ２が露出している部分と、電極非接続領域ＡＩ２との間には、外部電極３の厚さ分の隙間Ｄが形成されている。隙間Ｄは、第１インターポーザ４Ａ側の隙間ＤＡと、第２インターポーザ４Ｂ側の隙間ＤＢとを有する。隙間ＤＡ及び隙間ＤＢは、後述する絶縁樹脂膜５０が侵入するために設けられる。

（絶縁樹脂膜５０）
絶縁樹脂膜５０は、第１インターポーザ４Ａ側の隙間ＤＡに配置されている部分と、第２インターポーザ４Ｂ側の隙間ＤＢに配置されている部分と、隙間ＤＡと隙間ＤＢとを接続する部分とを有する。すなわち、絶縁樹脂膜５０は、隙間ＤＡ及び隙間ＤＢを埋めて、隙間ＤＡ及び隙間ＤＢを接続するように、コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２に沿って延びている。第１実施形態で絶縁樹脂膜５０は積層方向Ｔの厚みが略均一である。また、絶縁樹脂膜５０は、例えばポリスチレンで製造されている。

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
図４は、積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するフローチャートである。積層セラミックコンデンサ１の製造方法はコンデンサ本体製造工程Ｓ１と、インターポーザ配置工程Ｓ２と、絶縁樹脂膜形成工程Ｓ３とを備える。
図５は、コンデンサ本体製造工程Ｓ１を説明する図である。図６はインターポーザ配置工程Ｓ２と絶縁樹脂膜形成工程Ｓ３とを説明する図である。

（コンデンサ本体製造工程Ｓ１）
コンデンサ本体製造工程Ｓ１は、積層体製造工程Ｓ１１と外部電極形成工程Ｓ１２とを備える。

（積層体製造工程Ｓ１１）
セラミックス粉末、バインダ及び溶剤を含むセラミックスラリーをキャリアフィルム上においてダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いてシート状に成形して誘電体層１４となる積層用セラミックグリーンシート１０１を製作する。
次いで、積層用セラミックグリーンシート１０１に導電体ペーストをスクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等によって帯状に印刷し、積層用セラミックグリーンシート１０１の表面に内部電極層１５となる導電パターン１０２を印刷するが印刷された素材シート１０３を製作する。

続いて、図５（ａ）に示すように、導電パターン１０２が同一の方向を向き且つ導電パターン１０２が隣り合う素材シート１０３間において幅方向において半ピッチずつずれた状態になるように、複数の素材シート１０３を積み重ねる。
さらに、複数枚積層された素材シート１０３の両側にそれぞれ、外層部１２となる上部外層部用セラミックグリーンシート１１２を積み重ねる。
積み重ねた複数の素材シート１０３と外層部用セラミックグリーンシート１１３とを熱圧着し、図５（ｂ）に示すマザーブロック１１０を作成する。
次いで、マザーブロック１１０を、図５（ｂ）に示す切断線Ｘ及び切断線Ｘと交差する切断線Ｙに沿って切断し、図５（ｃ）に示す積層体本体１０を複数製造する。

（外部電極形成工程Ｓ１２）
続いて、図５（ｄ）に示すように積層体２の積層体端面ＣＳに、導電性金属とガラスとを含む導電性ペーストを塗布、焼き付けることにより外部電極３を形成する。外部電極３は、積層体２両側の積層体端面ＣＳのみならず、積層体主面ＡＳ及び積層体側面側まで延びて、積層体主面ＡＳの積層体端面ＣＳ側の一部も覆うように形成する。以上の工程により、コンデンサ本体１Ａを製造する。

（インターポーザ配置工程Ｓ２）
インターポーザの材料となるＣｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の高融点金属と低融点金属としてのＳｎとを含む金属材料ペーストを用意する。また、例えばアルミナ板のように、金属材料ペーストがリフロー条件下で接合しない保持板４０を用意する。
図６（ａ）に示すように保持板４０の上に、金属材料ペーストをスクリーン印刷法またはディスペンス法等により付与することにより、金属材料ペースト厚膜４１を形成する。

コンデンサ本体１Ａを図６（ｂ）に示すように、基板実装側面ＡＣ２が保持板４０に対向する姿勢で保持板４０の上に搭載する。このとき、コンデンサ本体１Ａの外部電極３と金属材料ペースト厚膜４１とが位置合わせされ、金属材料ペースト厚膜４１がコンデンサ本体１Ａに付着する。金属材料ペースト厚膜４１は、積層体２との間に隙間ＤＡ及び隙間ＤＢが設けられるように付着する。

この状態で、リフロー工程を実施する。これにより、金属材料ペースト厚膜４１中の金属が金属間化合物を生成するとともに、金属材料ペースト厚膜４１が硬化し、コンデンサ本体１Ａならびに外部電極３に接合した状態のインターポーザ４が形成される。
その後、コンデンサ本体１Ａがインターポーザ４とともに、保持板４０から分離され、図６（ｃ）の状態となる。
以上の工程によりコンデンサ本体１Ａにインターポーザ４が取り付けられているが、まだ絶縁樹脂膜５０が設けられていない状態の積層セラミックコンデンサ１Ｂが製造される。

（絶縁樹脂膜形成工程Ｓ３）
絶縁樹脂膜形成工程Ｓ３は、絶縁樹脂配置工程Ｓ３１と、絶縁樹脂拡張工程Ｓ３２と、絶縁樹脂硬化工程Ｓ３３とを備える。

（絶縁樹脂配置工程Ｓ３１）
次いで、図６（ｄ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１Ｂの基板実装側面ＡＣ２の外部電極３が設けられていない積層体第２主面ＡＳ２部分に、絶縁樹脂膜の材料として、硬化前の、例えばフィラーレスの熱硬化樹脂である樹脂材料５１を配置する。この時点で、樹脂材料５１はまだ、隙間Ｄに入り込んでいない。

（絶縁樹脂拡張工程Ｓ３２）
樹脂材料５１が塗布された状態の積層セラミックコンデンサ１Ｂを真空デシケータに１５分間入れる。ここで樹脂材料５１が拡張して図６（ｅ）に示すように隙間Ｄに侵入する。また、積層セラミックコンデンサ１Ｂを真空デシケータに１５分間に入れることにより、樹脂材料５１が脱泡される。

（絶縁樹脂硬化工程Ｓ３３）
樹脂材料５１が広がって隙間Ｄに侵入された状態の積層セラミックコンデンサ１Ｂを、例えば２３０°での環境に６０分間置くことにより、樹脂材料５１が熱硬化する。なお、実施形態では樹脂材料５１として熱硬化樹脂を用いたが、これに限定されず光硬化樹脂を用いてもよい。
これにより、図６（ｆ）に示すように樹脂材料５１が硬化した絶縁樹脂膜５０となり、隙間Ｄを埋め、且つ隙間ＤＡ及び隙間ＤＢを接続するように、コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２に沿って延びている積層セラミックコンデンサ１が製造される。なお、この後、積層セラミックコンデンサ１は、基板に実装される。
なお、第１実施形態では、インターポーザ４を配置した後に樹脂材料５１を配置したが、これに限定されず、樹脂材料５１を配置した後にインターポーザ４を配置してもよい。

（第１実施形態の効果）
積層セラミックコンデンサ１が実装されている基板に曲げ等によるストレスが加わる場合がある。このとき、絶縁樹脂膜５０が存在しないと、インターポーザ４における、インターポーザ対向面ＣＩとコンデンサ対向面ＡＩとの間の図２に示す角部Ｋが、コンデンサ本体１Ａの基板実装側面ＡＣ２における、外部電極３が設けられていない積層体第２主面ＡＳ２部分と当接する可能性がある。
このとき角部Ｋが当接するコンデンサ本体１Ａの部分は、外部電極３が設けられておらず、積層体２のセラミック部分である。ゆえに、この当接部に応力が集中するとセラミック部分にクラックが発生する可能性がある。

しかし、実施形態では、インターポーザ４の角部Ｋと基板実装側面ＡＣ２の積層体第２主面ＡＳ２部分との間に絶縁樹脂膜５０が存在する。したがって、角部Ｋは積層体第２主面ＡＳ２に直接当接しない。
ゆえにコンデンサ本体１Ａへのインターポーザ４との接触による応力集中の低減が可能となり、コンデンサ本体１Ａのクラック発生の可能性が低減する。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の積層セラミックコンデンサ２００について説明する。図７は、第１実施形態の図２に相当する、第２実施形態の積層セラミックコンデンサ２００の断面図である。
第２実施形態の積層セラミックコンデンサ２００が第１実施形態と異なる点は、絶縁樹脂膜５０であり、それ以外については第１実施形態と同様であるので説明を省略する。

第２実施形態の絶縁樹脂膜５０は、第１インターポーザ４Ａ側の隙間ＤＡに配置され、隙間ＤＡからわずかに長さ方向Ｌの中央部側に延びる絶縁樹脂膜５０Ａと、第２インターポーザ４Ｂ側の隙間ＤＢに配置され、隙間ＤＢからわずかに長さ方向Ｌの中央部側に延びる絶縁樹脂膜５０Ｂとを備える。絶縁樹脂膜５０Ａと絶縁樹脂膜５０Ｂとは接続されておらず、分離されている。

このように、絶縁樹脂膜５０が、絶縁樹脂膜５０Ａと絶縁樹脂膜５０Ｂとに分離されていても、第１インターポーザ４Ａの角部Ｋと基板実装側面ＡＣ２の積層体第２主面ＡＳ２部との間に絶縁樹脂膜５０Ａが配置され、第２インターポーザ４Ｂの角部Ｋと基板実装側面ＡＣ２の積層体第２主面ＡＳ２部分との間に絶縁樹脂膜５０Ｂが配置されている。
したがって、両方の角部Ｋは積層体第２主面ＡＳ２に直接当接しない。ゆえにコンデンサ本体１Ａへのインターポーザ４との接触による応力集中の低減が可能となり、コンデンサ本体１Ａのクラック発生の可能性が低減する。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態の積層セラミックコンデンサ３００について説明する。図８は、第１実施形態の図２に相当する、第３実施形態の積層セラミックコンデンサ３００の断面図である。
第３実施形態の積層セラミックコンデンサ３００が第１実施形態と異なる点は、絶縁樹脂膜５０であり、それ以外については第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
絶縁樹脂膜５０は、第３実施形態の絶縁樹脂膜５０は、第１実施形態と同様に第１インターポーザ４Ａ側の隙間ＤＡに配置されている部分と、第２インターポーザ４Ｂ側の隙間ＤＢに配置されている部分と、隙間ＤＡと隙間ＤＢとを接続する部分とを有する点で第１実施形態と同様である。
しかし、第３実施形態の絶縁樹脂膜５０は、隙間ＤＡと隙間ＤＢとを接続する部分の厚みが、隙間ＤＡに配置されている部分及び隙間ＤＢに配置されている部分より厚い。

第３実施形態においても、第１インターポーザ４Ａの角部Ｋと基板実装側面ＡＣ２の積層体第２主面ＡＳ２部分との間及び第２インターポーザ４Ｂの角部Ｋと基板実装側面ＡＣ２の積層体第２主面ＡＳ２部分との間に絶縁樹脂膜５０が配置されている。
したがって、両方の角部Ｋは積層体第２主面ＡＳ２に直接当接しない。ゆえにコンデンサ本体１Ａへのインターポーザ４との接触による応力集中の低減が可能となり、コンデンサ本体１Ａのクラック発生の可能性が低減する。
さらに、絶縁樹脂膜５０の製造時に、樹脂材料５１の量を、絶縁樹脂膜５０の厚みが均一にするように厳密に調整する必要がないので積層セラミックコンデンサ１の製造が容易である。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００について説明する。図９は、第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００の断面図であり、積層セラミックコンデンサ４００が実装される基板１００も図示する。
第４実施形態は、コンデンサ本体１Ａについては第１実施形態と同様であるのでコンデンサ本体１Ａについての説明は省略する。

第４実施形態のインターポーザ４０４は、第１インターポーザと第２インターポーザとの２つに分かれておらず、１枚の板状の基板本体４３０と、第１本体接続用電極４３２Ａ及び第２本体接続用電極４３２Ｂと、第１実装用電極４３３Ａ及び第２実装用電極４３３Ｂとを備える。

基板本体４３０は材質が絶縁性樹脂である。また基板本体４３０の両端面における幅方向Ｗの中央部に、積層方向Ｔに延び且つ平面形状が半円弧状の第１溝部４３１Ａ及び第２溝部４３１Ｂが設けられている。

第１本体接続用電極４３２Ａ及び第２本体接続用電極４３２Ｂは、基板本体４３０のコンデンサ対向面ＡＩに形成されている。第１本体接続用電極４３２Ａは、外部電極３ａにはんだ等で接続されている。第２本体接続用電極４３２Ｂは、外部電極３ｂにはんだ等で接続されている。

インターポーザ４０４のコンデンサ対向面ＡＩと、コンデンサ本体１Ａのコンデンサ第２主面ＡＣ２の一部である積層体２の積層体第２主面ＡＳ２との間に、隙間Ｄが形成されている。隙間Ｄの積層方向Ｔの厚みは、外部電極３と本体接続用電極４３２とを足した厚みで、この隙間Ｄに絶縁樹脂膜５０が配置されている。

第１実装用電極４３３Ａ及び第２実装用電極４３３Ｂは、基板本体４３０の基板実装面ＡＩ２に形成されている。一方、基板１００には、第１実装用ランド１０１Ａ及び第２実装ランド１０１Ｂが設けられている。
インターポーザ４０４を基板１００に実装する際、インターポーザ４０４の第１実装用電極４３３Ａと、基板１００の第１実装用ランド１０１Ａとをはんだ等で接続し、第２実装用電極４３３Ｂと、第２実装ランド１０１Ｂとをはんだ等で接続する。

第１溝部４３１Ａには、はんだが配置され、はんだは第１溝部４３１Ａを埋めるとともに、第１本体接続用電極４３２Ａを超えて第１外部電極３ａまで延び、さらに、第１実装用電極４３３Ａを超えて第１実装用ランド１０１Ａまで延びる第１側面電極４３４Ａを形成する。第１側面電極４３４Ａは本体接続用電極４３２Ａと、実装用電極４３３Ａと、第１実装用ランド１０１Ａを導通させる。

第２溝部４３１Ｂには、はんだが配置され、はんだは第２溝部４３１Ｂを埋めるとともに、第２本体接続用電極４３２Ｂを超えて第２外部電極３ｂまで延び、さらに、第２実装用電極４３３Ｂを超えて第２実装ランド１０１Ｂまで延びて第２側面電極４３４Ｂを形成する。第２側面電極４３４Ｂは本体接続用電極４３２Ｂと、実装用電極４３３Ｂと、第２実装ランド１０１Ｂとを導通させる。

なお、第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００を製造する場合、例えば、第１実施形態と異なり、樹脂材料５１を配置した後にインターポーザ４０４が配置され、その後、絶縁樹脂膜が硬化される。

第４実施形態の場合、インターポーザ４０４は１枚の板部材であるので角部Ｋは存在しない。しかし、この場合であっても、絶縁樹脂膜５０が配置されていないと、積層セラミックコンデンサ４００が実装されている実装基板に曲げ等によるストレスが加わったときに、インターポーザ４０４のコンデンサ対向面ＡＩの一部が、積層体第２主面ＡＳ２と接触して押圧し、接触部に応力が集中して、積層体第２主面ＡＳ２側にクラックが発生する可能性がある。

しかし、第４実施形態において、インターポーザ４０４のコンデンサ対向面ＡＩと、積層体第２主面ＡＳ２との間に絶縁樹脂膜５０が配置されている。したがって、インターポーザ４０４のコンデンサ対向面ＡＩは、積層体第２主面ＡＳ２に直接当接しない。ゆえにコンデンサ本体１Ａへのインターポーザ４との接触による応力集中の低減が可能となり、コンデンサ本体１Ａのクラック発生の可能性が低減する。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、発明の範囲内において種々の変形が可能である。

ＡＳ 積層体主面
ＢＳ 積層体側面
ＣＳ 積層体端面
ＡＣ コンデンサ主面
ＡＣ１ コンデンサ第１主面
ＡＣ２ コンデンサ第２主面（基板実装側面）
ＢＣ コンデンサ側面
ＣＣ コンデンサ端面
ＡＩ コンデンサ対向面
ＡＩ１ 電極接続領域
ＡＩ２ 電極非接続領域
ＣＩ インターポーザ対向面
Ｄ 隙間
ＤＡ 隙間
ＤＢ 隙間
Ｋ 角部
１ 積層セラミックコンデンサ
１Ａ コンデンサ本体
２ 積層体
３ 外部電極
４ インターポーザ
４Ａ 第１インターポーザ
４Ｂ 第２インターポーザ
１０ 積層体本体
１１ 内層部
１２ 外層部
１４ 誘電体層
１５ 内部電極層
５０ 絶縁樹脂膜
５０Ａ 絶縁樹脂膜
５０Ｂ 絶縁樹脂膜
５１ 樹脂材料
２００ 積層セラミックコンデンサ
３００ 積層セラミックコンデンサ

Claims (7)

1. 誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体、及び、前記積層体の２つの端面のそれぞれに配置され、前記内部電極層と接続された外部電極を有するコンデンサ本体と、
   前記コンデンサ本体の基板実装側面に配置されたインターポーザと、
   前記インターポーザにおける前記基板実装側面と対向するコンデンサ対向面と前記基板実装側面との間の隙間に配置された絶縁樹脂膜と、を備え、
   前記インターポーザは、互いに離間して２つ配置され、
   前記絶縁樹脂膜は、２つのインターポーザのそれぞれにおける前記基板実装側面と対向するコンデンサ対向面と前記基板実装側面との間の隙間に配置されている、
   積層セラミックコンデンサ。
2. 前記隙間は、
   前記基板実装側面における前記外部電極が配置されていない部分と前記コンデンサ対向面との間に形成されている、
   請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記絶縁樹脂膜は、
   一方の前記インターポーザ側の前記隙間に配置された第１部分と、
   他方の前記インターポーザ側の前記隙間に配置された第２部分と、
   前記基板実装側面に沿って延び、前記第１部分と前記第２部分とを接続する接続部分と、を有する、
   請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記接続部分は、
   前記第１部分及び前記第２部分よりも厚い、
   請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 誘電体層と内部電極層とを交互に積層して積層体を製造し、前記積層体の２つの端面のそれぞれに、前記内部電極層と接続された外部電極を形成してコンデンサ本体を製造するコンデンサ本体製造工程と、
   前記コンデンサ本体の基板実装側面に、互いに離間した２つのインターポーザを配置するインターポーザ配置工程と、
   前記基板実装側面に、絶縁樹脂材料を配置する絶縁樹脂配置工程と、
   配置された前記絶縁樹脂材料を、前記基板実装側面と前記インターポーザのコンデンサ対向面との間の隙間に侵入させる絶縁樹脂拡張工程と、
   前記絶縁樹脂材料を硬化させる絶縁樹脂硬化工程と、
   を含む積層セラミックコンデンサの製造方法。
6. 前記絶縁樹脂拡張工程は、脱泡工程を含む、
   を含む請求項５に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
7. 前記絶縁樹脂硬化工程は、熱硬化又は光硬化工程である、
   請求項５または請求項６に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

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