JP7129576B1 - コロイダルシリカ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
項1.
水及びシリカ粒子を含み、
前記シリカ粒子の平均粒子径は60~130nmであり、
前記シリカ粒子に含まれる粒径0.2μm以上の粗大シリカ粒子含有量が、シリカ粒子濃度を1質量%とした時に10,000,000個/mL以下であることを特徴とする、コロイダルシリカ。
項2.
項1に記載のコロイダルシリカを含む、研磨用組成物。
項3.
アルコール、アルカリ触媒及び水を含む母液に、下記(1)~(3)の反応条件にてアルコキシシランとアルコールとを含むアルコキシシラン溶液を注入して反応液を得る工程を含む、コロイダルシリカの製造方法。
(1)母液中のアルカリ触媒濃度:0.40mol/L以上
(2)反応液中の水含有量:アルコキシシランの注入量1molあたり4mol以上
(3)アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度:5.0mol/L以上
本発明のコロイダルシリカは、水及びシリカ粒子を含んで構成される。本発明のコロイダルシリカは、水及びシリカ粒子以外の物質を、その効果及び目的を損なわない範囲で含んでもよいが、水及びシリカ粒子のみからなる態様であることも好ましい。
本発明は、上記したコロイダルシリカを含む研磨用組成物に係る発明を包含する。当該研磨用組成物は、化学機械研磨用として好適に使用することができる。
本発明は、上記したコロイダルシリカの製造方法に係る発明を包含する。
工程1は、下記(1)~(3)の反応条件にて実施する。
(1)母液中のアルカリ触媒濃度:0.40mol/L以上
(2)反応液中の水含有量:アルコキシシランの注入量1molあたり4mol以上
(3)アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度:5.0mol/L以上
本発明のコロイダルシリカの製造方法は、さらに工程1で得られた反応液中の液体成分を水に置換する工程(単に「工程2」ともいう。)を含むことも好ましい。
メタノール100質量部、超純水11質量部、及び28質量%アンモニア水6質量部を混合して母液を作製した。母液に使用したメタノール100質量部に対して、テトラメトキシシラン50質量部とメタノール14質量部を混合してアルコキシシラン溶液とした。超純水34質量部と28質量%アンモニア水5質量部とを混合してアルカリ触媒溶液とした。原料溶液とアルカリ触媒溶液を、母液の温度を25℃に維持しつつ、60分かけて母液中に定速注入し、反応液を得た。母液のアルカリ触媒濃度は0.68mol/Lであった。アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度は6.5mol/Lであった。反応系中の水の総仕込み量は、テトラメトキシシランの注入量1molあたり8.9molであった。得られた反応液100質量部に対して、加熱して溶媒を留去させながら190質量部の超純水を添加することにより、体積を一定に維持しながら溶媒成分を完全に水に置換し、コロイダルシリカを得た。
メタノール100質量部、超純水11質量部、及び28質量%アンモニア水6質量部を混合して母液を作製した。母液に使用したメタノール100質量部に対して、テトラメトキシシラン50質量部とメタノール12質量部を混合してアルコキシシラン溶液とした。超純水34質量部と28質量%アンモニア水5質量部とを混合してアルカリ触媒溶液とした。原料溶液とアルカリ触媒溶液を、母液の温度を25℃に維持しつつ、60分かけて母液中に定速注入し、反応液を得た。母液のアルカリ触媒濃度は0.68mol/Lであった。アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度は6.0mol/Lであった。反応系中の水の総仕込み量は、テトラメトキシシランの注入量1molあたり8.9molであった。得られた反応液100質量部に対して、加熱して溶媒を留去させながら190質量部の超純水を添加することにより、体積を一定に維持しながら溶媒成分を完全に水に置換し、コロイダルシリカを得た。
メタノール100質量部、超純水30質量部、及び28質量%アンモニア水4質量部を混合して母液を作製した。母液に使用したメタノール100質量部に対して、テトラメトキシシラン119質量部とメタノール32質量部を混合してアルコキシシラン溶液とした。超純水34質量部と28質量%アンモニア水9質量部とを混合してアルカリ触媒溶液とした。原料溶液とアルカリ触媒溶液を、母液の温度を20℃に維持しつつ、150分かけて母液中に定速注入し、反応液を得た。母液のアルカリ触媒濃度は0.43mol/Lであった。アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度は6.5mol/Lであった。反応系中の水の総仕込み量は、テトラメトキシシランの注入量1molあたり5.2molであった。得られた反応液100質量部に対して、加熱して溶媒を留去させながら190質量部の超純水を添加することにより、体積を一定に維持しながら溶媒成分を完全に水に置換し、コロイダルシリカを得た。
メタノール100質量部、超純水11質量部、及び28質量%アンモニア水6質量部を混合して母液を作製した。母液に使用したメタノール100質量部に対して、テトラメトキシシラン50質量部をアルコキシシランとして使用した(アルコキシシランは溶媒に溶解させなかった)。超純水34質量部と28質量%アンモニア水5質量部を混合してアルカリ触媒溶液とした。原料溶液とアルカリ触媒溶液を、母液の温度を25℃に維持しつつ、60分かけて母液中に定速注入し、反応液を得た。母液のアルカリ触媒濃度は0.68mol/Lであった。反応系中の水の総仕込み量は、テトラメトキシシランの注入量1molあたり8.9molであった。得られた反応液100質量部に対して、加熱して溶媒を留去させながら190質量部の超純水を添加することで、体積を一定に維持しながら溶媒成分を完全に水に置換し、コロイダルシリカを得た。
比較例1のコロイダルシリカをろ過精度0.2μmの精密フィルター(ロキテクノ社製SLF-002)でろ過し、比較例2のコロイダルシリカを得た。
各実施例及び比較例のコロイダルシリカに0.3質量%クエン酸水溶液を加えて、シリカ粒子濃度が1.0質量%となるように希釈した。希釈液を測定用サンプルとした。当該測定用サンプルを用いて、動的光散乱法(大塚電子株式会社製「ELSZ-2000」)により平均粒子径を測定した。
各実施例及び比較例のコロイダルシリカに超純水を加えてシリカ濃度として1.0質量%となるように希釈した。希釈液を測定用サンプルとし、Particle sizing system Inc.社製Accusizer FX-nano を用いて0.2μm以上の粗大粒子数を測定した。測定条件は以下の通りとした。
<System Setup>
・Stirred Vessel Volume : 13.22 mL
・Sample Loop Volume : 0.52 mL
・Autodilution delay time : 3 sec.
・Normal Speed Flow Rate : 15 mL/min
<Sensor Setup Menu>
・FX-Nano HG Minimum Size : 0.15 μm
・FX-Nano HG Maximum Size : 0.27 μm
・FX-Nano HG Collection Time : 60 sec.
・HG Starting Concentration : 8000 #/mL
各実施例及び比較例のコロイダルシリカに超純水を加えてシリカ濃度として3.0質量%となるように希釈し、研磨用組成物とした。得られた研磨用組成物を用いて、酸化ケイ素膜が表面に成膜されている3 cm四方のシリコンウェーハを以下の条件で研磨した。
研磨機:株式会社ナノファクター製NF-300CMP
研磨パッド:ニッタ・デュポン株式会社製IC1000TMPad
スラリー供給速度:50 mL/min
ヘッド回転速度:32 rpm
プラテン回転速度:32 rpm
研磨圧:4 psi
研磨時間:2 min
研磨後のウェーハに関して、原子間力顕微鏡を用いて下記の条件で被研磨面の表面粗さを評価した。
原子間力顕微鏡:株式会社島津製作所製SPM-9700HT
カンチレバー:OLYMPUS製MICRO CANTILEVER OMCL-AC240TS-R3
観察モード:ダイナミック
走査範囲:3.0 μm四方
走査速度:1.00 Hz
観察視野数:研磨後のウェーハ1枚あたり5視野を観察した。
表面粗さの算出方法:5視野の二乗平均平方根粗さの平均値を算出し、被研磨面の表面粗さとした。
Claims (3)
- 水及びシリカ粒子を含み、
前記シリカ粒子の平均粒子径は110~130nmであり、
前記シリカ粒子に含まれる粒径0.2μm以上の粗大シリカ粒子含有量が、シリカ粒子濃度を1質量%とした時に10,000,000個/mL以下であることを特徴とする、コロイダルシリカ。 - 請求項1に記載のコロイダルシリカを含む、研磨用組成物。
- アルコール、アルカリ触媒及び水を含む母液に、下記(1)~(3)の反応条件にてアルコキシシランとアルコールとを含むアルコキシシラン溶液を注入して反応液を得る工程を含む、請求項1又は2に記載のコロイダルシリカの製造方法。
(1)母液中のアルカリ触媒濃度:0.40mol/L以上0.90mol/L以下
(2)反応液中の水含有量:アルコキシシランの注入量1molあたり5mol以上12.0mol以下
(3)アルコキシシラン溶液中のアルコール濃度:5.0mol/L以上
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62148316A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 微小球シリカの製法 |
JPS6374911A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微細球状シリカの製造法 |
JPH05170424A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-09 | Nittetsu Mining Co Ltd | シリカゾルの製造方法 |
JPH09142827A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-06-03 | Tokuyama Corp | シリカ分散液及びその製造方法 |
JP2010269985A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fuso Chemical Co Ltd | スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法 |
JP2017112207A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液の製造方法 |
JP2019172853A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 砥粒分散液、研磨用組成物キットおよび磁気ディスク基板の研磨方法 |
JP2021116209A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5135773B2 (ja) | 2006-11-20 | 2013-02-06 | 日本精工株式会社 | ステアリング装置 |
JP5477192B2 (ja) | 2010-06-23 | 2014-04-23 | 富士ゼロックス株式会社 | シリカ粒子の製造方法 |
JP6751578B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-09-09 | 日揮触媒化成株式会社 | 被膜形成用の塗布液、及び該塗布液を用いた被膜付基材 |
KR20190106679A (ko) | 2018-03-07 | 2019-09-18 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62148316A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 微小球シリカの製法 |
JPS6374911A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 微細球状シリカの製造法 |
JPH05170424A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-09 | Nittetsu Mining Co Ltd | シリカゾルの製造方法 |
JPH09142827A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-06-03 | Tokuyama Corp | シリカ分散液及びその製造方法 |
JP2010269985A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fuso Chemical Co Ltd | スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法 |
JP2017112207A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液の製造方法 |
JP2019172853A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 砥粒分散液、研磨用組成物キットおよび磁気ディスク基板の研磨方法 |
JP2021116209A (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-10 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
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