JP7054628B2 - シリカ粒子分散液及びその製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、半導体集積回路は、シリコンウエハー等の基材上に配線層間膜(絶縁膜)を成膜し、その配線層間膜(絶縁膜)上に金属配線用の溝パターンを形成し、必要に応じてスパッタリング法などによって窒化タンタル(TaN)等のバリアメタル層を形成し、ついで金属配線用の銅を化学蒸着(CVD)法等により成膜する。ここで、TaN等のバリアメタル層を設けた場合には層間絶縁膜への銅や不純物などの拡散や侵食に伴う層間絶縁膜の絶縁性の低下などを防止することができ、また層間絶縁膜と銅の接着性を高めることができる。
次いで、溝内以外に成膜された不要な銅及びバリアメタル(犠牲層ということがある)を化学機械研磨(CMP)法により研磨して除去するとともに上部表面を可能な限り平坦化して、溝内にのみ金属膜を残して銅の配線・回路パターンを形成する。
例えば、上記特許文献4記載の方法によれば、二次粒子の平均粒子径が一次粒子の平均粒子径の1.5~3.0倍の異形状のシリカ粒子が得られるとされている。
さらに、水やアルカリ触媒を含まない液Iに対して、シリコンアルコキシドを含有する液Aと、アルカリ触媒及び水を含有する液Bを添加して反応を進めることで、反応期間中、シリコンアルコキシドの加水分解に大きな影響を与える水及びアルカリ触媒の量が、シリコンアルコキシドに対してほぼ一定となる。この結果、逐次添加されるシリコンアルコキシドが常に同じ条件で加水分解され、目的とするシリカ粒子まで成長しないオリゴマー等の未反応物の生成が抑制される。
このシリカ粒子分散液は、シリカ粒子中のU、Thの各々の含有量が0.3ppb未満、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの各々の含有量が0.1ppm未満であり、Cu、Ni、Crの各々の含有量が1ppb未満が好ましい。
本発明のシリカ粒子分散液の製造方法は、実質的に有機溶媒からなる液Iを準備する工程と、この液Iにシリコンアルコキシドを含有する液Aと、アルカリ触媒及び水を含有する液Bとを同時に添加して、シリコンアルコキシドを加水分解及び重縮合させ、一次粒子が2個以上連結した異形シリカ粒子を含む分散液を製造する工程を含む。この時、添加終了時(反応終了時)の反応系(分散液)中のシリカ濃度の70%の濃度に到達するまでの添加開始(反応開始)からの期間を、全添加期間(全反応期間)の20%以下とする。
添加終了時(反応終了時)の系中シリカ濃度の70%の濃度に到達するまでの添加開始(反応開始)からの期間は、全添加期間(全反応期間)の15%以下が好ましい。
また、系中シリカ濃度の測定は、10分毎にサンプルを採取し、サンプル5gを1000℃で1時間乾燥させ、乾燥前後の質量から求める(下記式)。
系中シリカ濃度(質量%)=(乾燥後の質量/乾燥前の質量)×100
液Iは、実質的に有機溶媒からなる。有機溶媒としては、アルコール、ケトン、エーテル、グリコール、エステルなどが挙げられる。中でも、シリコンアルコキシドを拡散しやすく加水分解を均一かつ迅速に進めることができる点から、アルコールが好ましい。より具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノプロピルエーテルなどのグリコールエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコールなどのグリコール、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステルが挙げられる。これらの中でも、メタノール又はエタノールがより好ましく、メタノールが特に好ましい。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよく、2種以上混合して用いてもよい。
液Aは、シリコンアルコキシドを含有するものであり、好ましくは、さらに有機溶媒を含有する。通常は、実質的にシリコンアルコキシドからなるか、実質的にシリコンアルコキシド及び有機溶媒の2成分からなる。なお、「実質的にシリコンアルコキシドからなる」、「実質的に2成分からなる」とは、上記同様、シリコンアルコキシドや有機溶媒の製造過程から不可避的に含まれる不純物等は含まれ得るが、それ以外は含まないことを意味し、例えば、99質量%以上であり、好ましくは99.5質量%以上である。
液Bは、アルカリ触媒及び水を含有するものであり、通常、実質的に2成分からなる。なお、「実質的に2成分からなる」とは、上記液Aで説明したのと同様の意味である。
シリカ粒子分散液の製造方法は、次の2つの条件を満足することが好ましい。
(1)液A及び液Bの添加を開始してから終了するまでの期間(添加開始(反応開始)から終了までの期間)の反応系におけるシリコンアルコキシドに対するアルカリ触媒のモル比の初期値に対する変化率(触媒割合変化率)が、0.90~1.10であり、
(2)液A及び液Bの添加を開始してから終了するまでの期間(添加開始(反応開始)から終了までの期間)の反応系におけるシリコンアルコキシドに対する水のモル比の初期値に対する変化率(水割合変化率)が、0.90~1.10である。
本発明のシリカ粒子分散液は、平均粒子径(d)が5~300nmの一次粒子が2個以上連結した異形シリカ粒子を10%以上含み、未反応物の含有量が200ppm以下である。シリカ粒子分散液は、上記の製造方法により製造できる。シリカ粒子分散液は、研磨材に有用であり、このまま分散体の状態で用いてもよいし、乾燥して用いてもよい。
未反応物とは、目的とするシリカ粒子まで反応が進んでいない含珪素化合物を意味する。例えば、未反応の原料シリコンアルコキシドやその低分子加水分解物(オリゴマー)、目的とする粒子よりはるかに小さい粒子等である。具体的には、日立工機株式会社製 小型超遠心機CS150GXLを用いて、シリカ粒子水分散液を設定温度10℃、1,370,000rpm(1,000,000G)で30分遠心処理した際の上澄み中に存在する含珪素化合物を意味する。
上記上澄み中に存在する含珪素化合物(未反応物)を、株式会社島津製作所製 ICP発光分析装置ICPS-8100で測定したSiからSiO2濃度を求める。
その構造は、透過電子顕微鏡や走査型電子顕微鏡で確認して、粒子として存在することで判断できる。
ここで、平均粒子径が5nm未満の場合は、シリカ粒子分散液の安定性が不充分となる傾向にあり、また粒子径が小さすぎて充分な研磨速度が得られない。平均粒子径が300nmを超える場合は、研磨材として使用した場合、基板または絶縁膜の種類にもよるが、スクラッチが発生しやすく、充分な平滑性が得られないことがある。平均粒子径は10~200nmが好ましく、15~100nmがより好ましい。
これら不純分の金属元素の含有量が上述の範囲を超えて多く存在すると、シリカ粒子を用いて研磨した基板に金属元素が残存するおそれがある。この金属元素が半導体基板に形成された回路の絶縁不良を起こしたり回路を短絡させたりする。これによって、絶縁用に設けた膜(絶縁膜)の誘電率が低下し、金属配線にインピーダンスが増大し、応答速度の遅れ、消費電力の増大等が起きることがある。また、金属元素イオンが移動(拡散)し、使用条件や使用が長期にわたった場合にもこのような不具合を生じることがある。特に、U、Thの場合は、放射線を発生するため、微量でも残存した場合に放射線による半導体の誤作動を引き起こす点で好ましくない。
ここで、アルカリ金属とは、Li、Na、K、Rb、Cs、Frを表し、アルカリ土類金属とは、Be,Mg、Ca、Sr,Ba,Raを表す。
また、使用する原料については、蒸留・イオン交換・フィルター除去で精製することが好ましい。特にアルコキシドの加水分解時に使用するアルコールは、タンク等からの金属不純分や合成時の触媒が残存するおそれがあり、特に精度の高い精製を必要とする場合がある。
シリカ粒子中のU、Thの含有量、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの含有量、およびCu、Ni、Crの含有量については、シリカ粒子をフッ酸で溶解し、加熱してフッ酸を除去した後、必要に応じて純水を加え、得られた溶液についてICP誘導結合プラズマ発光分光質量分析装置(例えば、株式会社島津製作所製 ICPM-8500)を用いて測定する。
〈シリカ粒子分散液(SA)の製造〉
メタノール(液I)300.0gを50℃に保持し、この液Iに対して、テトラメトキシシラン(多摩化学工業(株)製、以下同じ)のメタノール溶液(液A)2994.4gと、アンモニア水(液B)800.0gとを同時に5時間かけて添加した。反応終了時のシリカ粒子分散液のシリカ濃度は、14.2質量%であった。添加終了後、さらにこの温度で1時間熟成した。溶媒を純水に置換し、シリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液(SA)を得た。詳細な処理条件、及び各種測定結果を表1に示す。また、触媒割合変化率及び水割合変化率の経時変化を図2に示す。さらに、系内シリカ濃度の変化を図3に示す。
アルカリ触媒/シリコンアルコキシド、水/シリコンアルコキシドの各モル比は、添加重量実測値を基に、シリコンアルコキシドの加水分解及び重縮合の反応は瞬時に起こるもの、アルカリ触媒は系外への放出はないものと仮定して算出した。液A及び液Bの添加開始10分後から、10分毎の反応系内のモル比を算出した。液A及び液Bの添加直後のモル比(理論値)を初期値として、かかる初期値で除した数値で、系内の各物質モル比の変化を比較した。
(加水分解時に4モル消費)
Si(OH)4 → SiO2 + 2H2O
(重縮合時に2モル放出)
10分毎にサンプルを採取し、サンプル5gを1000℃で1時間乾燥させ、乾燥前後の質量から、系中シリカ濃度を算出した(下記式)。
系中シリカ濃度(質量%)=(乾燥後の質量/乾燥前の質量)×100
未反応物量は、得られたシリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液を、日立工機株式会社製 小型超遠心機CS150GXLを用いて、設定温度10℃、1,370,000rpm(1,000,000G)で30分遠心処理した際の上澄み中に存在する含珪素化合物(未反応物)を、株式会社島津製作所製 ICP発光分析装置ICPS-8100で測定したSiから求めたSiO2濃度で比較した。
一次粒子の平均粒子径は、シリカ粒子の電子顕微鏡写真を撮影し、任意の100個の粒子について、図1に例示するように一次粒子の最も径が長い部分(鎖状粒子の短径方向の場合もあり)を測定し、その平均値として得た。
《一次粒子径のCV値》
一次粒子径のCV値は、上記の個々の結果を用い、計算により求めた。
電子顕微鏡写真を撮影し、任意の100個の粒子について観察し、一次粒子が2個以上連結した異形シリカ粒子の割合を求めた。
電子顕微鏡写真を撮影し、任意の100個の粒子について観察し、各粒子の連結個数の平均値を求めた。
実施例1で製造したシリカ粒子を3.0質量%、ヒドロキシエチルセルロース(H E C)を175ppm、アンモニアを225ppm含有する研磨材(SA)を調製した。
研磨材(スラリー)の安定性は、〈研磨材(SA)の製造〉で調製された研磨材(SA)の白濁の有無で評価した。結果を表1に示す。
白濁なし :○
白濁あり :×
研磨用基板(結晶構造が1.0.0である単結晶シリコンウエハー)を用い、研磨装置(ナノファクター(株)製 NF300)にセットし、研磨パッドSUBA600、基板加重15kPa、テーブル回転速度50rpm、スピンドル速度60rpmで、上記研磨材(SA)を250ml/分の速度で研磨用基板の研磨を10分間行った。その後、純水にて洗浄し風乾した。
スクラッチはほとんど認められない。 :○
スクラッチが僅かに認められる。 :△
スクラッチが広範囲に認められる。 :×
残存はほとんど認められない。 :○
残存が僅かに認められる。 :△
残存が広範囲に認められる。 :×
〈シリカ粒子分散液(SB)の製造〉
メタノール(液I)206.0gを25℃に保持し、この液Iに対して、テトラメトキシシランのメタノール溶液(液A)2003.3gと、アンモニア水(液B)784.0gとを同時に10時間かけて添加した。反応終了時のシリカ粒子分散液のシリカ濃度は、12.9質量%であった。添加終了後、さらにこの温度で1時間熟成した。溶媒を純水に置換し、シリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液(SB)を得た。詳細な処理条件、及び各種測定結果を表1に示す。また、触媒割合変化率及び水割合変化率の経時変化を図4に示す。さらに、系内シリカ濃度の変化を図5に示す。
〈シリカ粒子分散液(SC)の製造〉
メタノール(液I)150.0gを60℃に保持し、この液Iに対して、テトラメトキシシランのメタノール溶液(液A)2994.4gと、アンモニア水(液B)800.0gとを同時に5時間かけて添加した。反応終了時のシリカ粒子分散液のシリカ濃度は、14.7質量%であった。添加終了後、さらにこの温度で1時間熟成した。溶媒を純水に置換し、シリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液(SC)を得た。詳細な処理条件、及び各種測定結果を表1に示す。また、触媒割合変化率及び水割合変化率の経時変化を図6に示す。さらに、系内シリカ濃度の変化を図7に示す。
〈シリカ粒子分散液(SD)の製造〉
メタノール(液I)500.0gを40℃に保持し、この液Iに対して、テトラメトキシシランのメタノール溶液(液A)2794.4gと、アンモニア水(液B)800.0gとを同時に8時間20分(500分間)かけて添加した。反応終了時のシリカ粒子分散液のシリカ濃度は、14.2質量%であった。添加終了後、さらにこの温度で1時間熟成した。溶媒を純水に置換し、シリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液(SD)を得た。詳細な処理条件、及び各種測定結果を表1に示す。また、触媒割合変化率及び水割合変化率の経時変化を図8に示す。さらに、系内シリカ濃度の変化を図9に示す。
〈シリカ粒子分散液(RA)の製造〉
メタノール2268.0g、純水337.5g、29%アンモニア水94.5gからなる液Iを40℃に保持し、この液Iに対して、テトラメトキシシランのメタノール溶液(液A)2170.0gを160分かけて添加した。反応終了時のシリカ粒子分散液のシリカ濃度は、14.0質量%であった。添加終了後、さらにこの温度で1時間熟成した。溶媒を純水に置換し、シリカ濃度20質量%のシリカ粒子分散液(RA)を得た。詳細な処理条件、及び各種測定結果を表1に示す。また、触媒割合変化率及び水割合変化率の経時変化を図10に示す。さらに、系内シリカ濃度の変化を図11に示す。
シリカ粒子中の各金属元素量の含有量については、シリカ粒子をフッ酸で溶解し、加熱してフッ酸を除去した後、必要に応じて純水を加え、得られた溶液についてICP誘導結合プラズマ発光分光質量分析装置(例えば、株式会社島津製作所製 ICPM-8500)を用いて測定した。
Claims (6)
- 実質的に有機溶媒からなる液Iを準備する工程と、
前記液Iに下記式[1]で表されるシリコンアルコキシドを含有する液Aと、アルカリ触媒及び水を含有する液Bとを同時に添加して、前記シリコンアルコキシドを加水分解及び重縮合させて、一次粒子が2個以上連結した異形シリカ粒子を含む分散液を製造する工程とを含み、
添加終了時の反応系中のシリカ濃度の70%の濃度に到達するまでの添加開始からの期間を、全添加期間の20%以下とすることを特徴とするシリカ粒子の分散液の製造方法。
Xn Si(OR)4 - n [1]
(式中、Xは水素原子、フッ素原子、炭素数1~8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、Rは水素原子、炭素数1~8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、nは0~3の整数を表す。) - 前記液Iの量が、前記液A及び前記液Bの総添加量に対して、30質量%以下であることを特徴とする請求項1記載の分散液の製造方法。
- 前記反応系の温度が、0~65℃であることを特徴とする請求項1又は2記載の分散液の製造方法。
- 前記添加終了時の前記反応系中のシリカ濃度が、5質量%以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか記載の分散液の製造方法。
- 前記一次粒子の平均粒子径(d)が5~300nmである前記異形シリカ粒子を10%以上含み、未反応物の含有量が200ppm以下である分散液を製造することを特徴とする請求項1~4のいずれか記載の分散液の製造方法。
- 前記シリカ粒子のU、Thの各々の含有量が0.3ppb未満、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Fe、Ti、Zn、Pd、Ag、Mn、Co、Mo、Sn、Al、Zrの各々の含有量が0.1ppm未満であり、Cu、Ni、Crの各々の含有量が1ppb未満であることを特徴とする請求項1~5のいずれか記載の分散液の製造方法。
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