JP7038472B2 - ガスセンサおよびガス検知装置 - Google Patents
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Description
検出対象ガスとの接触により特性が変化するガス検知部位と、
前記ガス検知部位の少なくとも一部を覆って設けられる触媒部位と、
前記ガス検知部位および前記触媒部位を加熱するヒータ部位とを有し、
前記触媒部位が担体に触媒金属を担持させて構成され、前記担体の主成分が酸化イットリウム(Y2O3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)及び酸化タンタル(Ta2O5)のうち少なくとも一つの酸化物である点にある。
センサ素子20は、支持層5の端部がシリコン基板1に支持された、ダイアフラム構造をとる。支持層5は、熱酸化膜2と、Si3N4膜3と、SiO2膜4とが順に積層されて形成されている。そして支持層5の上にヒータ層6が形成され、ヒータ層6の全体を覆って絶縁層7が形成され、絶縁層7の上に一対の接合層8が形成され、接合層8の上に電極層9が形成されている。ヒータ層6は通電により発熱してガス検知層10および触媒層11を加熱する。センサ素子20は、ブリッジ構造をとってもよく、ヒータ層6は、電極を兼用してもよい。
なお、メタン検知のみを実施する場合には、3質量%以上とするのが好適である。
ここでは、メタンおよびCOを検知するセンサを例に説明する。加熱制御部12は、ヒータ層6に通電する通電動作(ヒータ部位による加熱を行う加熱動作)と、ヒータ層6に通電しない非通電動作(ヒータ部位による加熱を停止する非加熱動作)とを行うよう構成される。また加熱制御部12は、ヒータ層6の温度を変動させるよう構成されており、ヒータ層6の温度を設定された任意の温度へ加熱することが可能なように構成されている。
ガス検出部13は、ガス検知層10の特性を測定して検出対象ガスを検出する。本実施形態ではガス検出部13は、一対の電極層9の間の電気抵抗値(電気的特性)を測定することにより、ガス検知層10の抵抗値を測定して、その変化から検出対象ガスの濃度を検出する。
以上の様に構成されたガス検知装置100における、検出対象ガスの検出の際の動作について説明する。
担体材料の種類によるセンサ感度の経時的な変動への影響を調べるため、担体の種類のみを変更したサンプルを作成し、センサ感度の経時的な変化を測定した。測定対象は以下の10種のサンプルである。
(実験例1)担体としての酸化ジルコニウム(ZrO2)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例2)担体としての酸化イットリウム(Y2O3)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例3)担体としての酸化セリウム(CeO2)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例4)担体としての酸化ランタン(La2O3)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例5)担体としての酸化チタン(TiO2)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例6)担体としての酸化ハフニウム(HfO2)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例7)担体としての酸化ニオブ(Nb2O5)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例8)担体としての酸化タンタル(Ta2O5)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例9)担体としてのアルミナ(Al2O3)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、および
(実験例10)担体としての酸化シリコン(SiO2)に2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル。
まず、触媒層における水との相互作用は、以下の3段階からなる。すなわち、(1)短期的にOH基が吸着し化学吸着水が増える、(2)加熱時に飛ばし切れない水分子(物理吸着水)が蓄積する、(3)吸着水がバルク(担体)と反応して水和物を形成する、の3段階である。低温動作を含まない場合は、(1)→(3)のステップで進み、低温動作を含む場合は、(2)→(3)のステップで進む。
従って、水との相互作用が強いSiO2,Al2O3を担体とする場合、低温動作を含まない場合は、高湿中で(1)が生じやすく、低温動作を含む場合には、高湿中で(2)が生じやすくなり、経時的に(3)へと移行して、検知対象ガスの感度を変化させてしまう。
また、表面にOH基が生じた場合、OH基はCOの吸着促進効果を発現することを発明者らは見出しており、触媒層にてCO酸化が促進されることにより、検知層へ到達するCOが減少し、CO感度がさらに下がると考えられる。従って、CO感度については、経時的な感度変動がより大きく生じてしまうものと考えられる。
一方で、水との相互作用がほとんどない第3族~第5族の遷移金属酸化物を担体とした場合、低温動作を含まない場合は、高湿中であっても(1)が生じにくく、低温動作を含む場合には、高湿中でも(2)は少ない。このため、経時的に水和物が形成されることに至らず感度変動は生じない。また、CO感度が湿度に依存することもない。
酸化ジルコニウム担体とアルミナ担体の違いによるセンサ感度の経時的な変動を比較するため、担体の種類と触媒金属の種類・量を変更したサンプルを作成し、高湿度環境でのCO・メタンガス感度の経時変化を測定した。測定対象は以下の4種のサンプルである。
(実験例c)担体としての酸化ジルコニウムに3質量%のパラジウムおよび2質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例e)担体としての酸化ジルコニウムに2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、
(実験例f)担体としてのアルミナに2質量%のイリジウムおよび5質量%の白金を担持させたサンプル、および
(実験例g)担体としてのアルミナに7質量%のパラジウムを担持させたサンプル。
触媒金属を担持させた担体と、空気中の水分との相互作用の強さを調べるため、サンプルを高温高圧の水蒸気の環境下に置き強制的に水との相互作用を促進させ(水熱実験)、その前後での赤外吸収スペクトルの変化を調べた。
(実験例c)
担体としての酸化ジルコニウムに、触媒金属としてパラジウムと白金の混合物を担持させ、触媒層11を模擬したサンプルを作成した。サンプルに含有される触媒金属の量は、パラジウムが3質量%、白金が2質量%である。
担体としてのアルミナに、触媒金属としてパラジウムを担持させ、触媒層11を模擬したサンプルを作成した。サンプルに含有される触媒金属の量は、パラジウムが7質量%である。
上述の実施形態では、ガス検知装置100の構造は、図1に示されるいわゆる基板型であるが、他の構造も可能である。例えば、ヒータ層6を覆う絶縁層7が設けられず、ヒータ層6が電極層9を兼ねる構造も可能である。また、例えば図6に示すように、電極とヒータ部位とを兼ねる電極線21のコイル22の周囲に、酸化物半導体からなるガス検知部位23を形成し、その周囲に触媒層24を形成する構造も可能である。また図7に示すように、電極とヒータ部位とを兼ねる電極線31のコイル32の中心に、別の電極33を配置して、コイル32の周囲に、酸化物半導体からなるガス検知部位34を形成し、その周囲に触媒層35を形成する構造も可能である。
上述の実施例においては、担体としての酸化ジルコニウムを用いた例を挙げたが、同様の効果は酸化チタンを用いた場合にも得られ、また、他の遷移金属酸化物も用いた場合にも得られる。
10 :ガス検知層(ガス検知部位)
11 :触媒層(触媒部位)
12 :加熱制御部
13 :ガス検出部
20 :センサ素子(ガスセンサ)
21 :電極線(ヒータ部位)
23 :ガス検知部位
24 :触媒層(触媒部位)
31 :電極線(ヒータ部位)
34 :ガス検知部位
35 :触媒層(触媒部位)
100 :ガス検知装置
Claims (12)
- 検出対象ガスとの接触により特性が変化するガス検知部位と、
前記ガス検知部位の少なくとも一部を覆って設けられる触媒部位と、
前記ガス検知部位および前記触媒部位を加熱するヒータ部位とを有し、
前記触媒部位が担体に触媒金属を担持させて構成され、前記担体の主成分が酸化イットリウム(Y2O3)、酸化セリウム(CeO2)、酸化ランタン(La2O3)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ニオブ(Nb2O5)及び酸化タンタル(Ta2O5)のうち少なくとも一つの酸化物であるガスセンサ。 - 前記触媒金属は、パラジウム、白金、イリジウム、ロジウムのうち少なくとも一つを含む請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記触媒金属の主成分がパラジウムと白金の混合物である請求項1または2に記載のガスセンサ。
- 前記触媒金属の主成分がパラジウムとイリジウムと白金の混合物である請求項1から3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記触媒金属の主成分がイリジウムと白金の混合物である請求項1または2のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記ガス検知部位の主成分が酸化スズである請求項1から5のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記触媒部位が前記ガス検知部位の検知対象ガスに接触しうる部位の全体を少なくとも覆って設けられる請求項1から6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載のガスセンサと、
前記ヒータ部位による加熱を制御する加熱制御部と、
前記ガス検知部位の特性を測定して検出対象ガスを検出するガス検出部とを有するガス検知装置。 - 前記ガス検知部位および前記触媒部位をメタン検出用の温度に加熱してメタンの検出が可能な請求項8に記載のガス検知装置。
- 前記加熱制御部は、前記ヒータ部位の温度を変動させるよう構成されている請求項8または9に記載のガス検知装置。
- 前記加熱制御部は、前記ヒータ部位による加熱を行う加熱動作と、前記ヒータ部位による加熱を停止する非加熱動作とを行うよう構成されている請求項8から10のいずれか1項に記載のガス検知装置。
- 前記加熱制御部は、
前記ヒータ部位による加熱を制御して前記ガス検知部位および前記触媒部位とを一酸化炭素検出用の第1温度に加熱する第1加熱動作と、
前記ヒータ部位による加熱を制御して前記ガス検知部位および前記触媒部位を前記第1温度よりも高い第2温度に加熱する第2加熱動作とを行うよう構成されている請求項8から11のいずれか1項に記載のガス検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016184575A JP7038472B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | ガスセンサおよびガス検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016184575A JP7038472B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | ガスセンサおよびガス検知装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018048912A JP2018048912A (ja) | 2018-03-29 |
JP7038472B2 true JP7038472B2 (ja) | 2022-03-18 |
Family
ID=61766308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016184575A Active JP7038472B2 (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | ガスセンサおよびガス検知装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7038472B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240006000A (ko) * | 2018-09-05 | 2024-01-12 | 오사까 가스 가부시키가이샤 | 가스 검지 장치 |
JP7533941B2 (ja) | 2020-12-15 | 2024-08-14 | 公立大学法人大阪 | 湿度センサ |
CN115308267B (zh) * | 2022-07-07 | 2024-07-23 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种基于mems低功耗气体传感器的制备方法及制备的传感器 |
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JP2015093254A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 大阪瓦斯株式会社 | 吸着性樹脂材料、シロキサン除去剤、それを用いたフィルター、フィルターを配設したガスセンサー及びガス検出器 |
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JP2615138B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1997-05-28 | 株式会社リケン | 複合ガスセンサ |
EP2995938A1 (en) * | 2014-09-15 | 2016-03-16 | Sensirion AG | Integrated metal oxide chemical sensor |
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2016
- 2016-09-21 JP JP2016184575A patent/JP7038472B2/ja active Active
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JP2015045546A (ja) | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | ガス検知装置及びガス検知方法 |
JP2015093254A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 大阪瓦斯株式会社 | 吸着性樹脂材料、シロキサン除去剤、それを用いたフィルター、フィルターを配設したガスセンサー及びガス検出器 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018048912A (ja) | 2018-03-29 |
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