JP6597775B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。詳しくは、データなどの記録に用いられる磁気記録媒体に関する。

近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用テープメディアの高記録密度化の要求が高まっている。

高記録密度の磁気テープとしては、スパッタ法により複数の薄膜を非磁性支持体上に成膜した磁気記録媒体が提案されている。例えば特許文献１では、非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層および保護層が順次形成された磁気記録媒体が開示されている。

特開２００５−１９６８８５号公報

高記録密度の磁気テープでは、良好な記録再生特性を得るために、磁気テープ表面を平滑化することが望まれる。しかし、磁気テープ表面を平滑化すると、摩擦が増大する傾向がある。このため、良好な記録再生特性と低い摩擦とを両立することは困難である。また、摩擦としては、実走行時の走行性に寄与する高速摩擦を低減することが特に望まれる。

したがって、本技術の目的は、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立できる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本技術は、可撓性を有する基体と、基体上に設けられた結晶制御層と、結晶制御層上に設けられた磁性層とを備え、平均表面粗さSRaが３．０ｎｍ以下である記録面を有し、記録面の単位領域（但し、単位領域は、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の領域である。）内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上であり、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下であり、結晶制御層は、下地層と、下地層と基体との間に設けられたシード層と、シード層と下地層との間に設けられた中間層とを備え、シード層は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、中間層は、ＣｏおよびＯを含んでいる磁気記録媒体である。

以上説明したように、本技術によれば、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立できる。

本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を模式的に示す概略図である。 本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 本技術の第４の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 本技術の第５の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 本技術の第６の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との関係を示すグラフである。 単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との関係を示すグラフである。 単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、高速摩擦力との関係を示すグラフである。 単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数と、高速摩擦力との関係を示すグラフである。 単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性および高速摩擦力の評価結果との関係を示すグラフである。 図１３は、本技術の第７の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図１４は、本技術の第７の実施形態の変形例に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（基体が記録面とほぼ同様な凹凸面を有する磁気記録媒体の例）
１．１ 概要
１．２ 磁気記録媒体の構成
１．３ スパッタ装置の構成
１．４ 磁気記録媒体の製造方法
１．５ 効果
１．６ 変形例
２ 第２の実施形態（記録面とほぼ同様な凹凸面を有する凹凸層をさらに備える磁気記録媒体の例）
２．１ 磁気記録媒体の構成
２．２ 磁気記録媒体の製造方法
２．３ 効果
３ 第３の実施形態（２層構造のシード層を備える磁気記録媒体の例）
３．１ 磁気記録媒体の構成
３．２ 効果
４ 第４の実施形態（２層構造の下地層を備える磁気記録媒体の例）
４．１ 磁気記録媒体の構成
４．２ 効果
４．３ 変形例
５ 第５の実施形態（単層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える磁気記録媒体の例）
５．１ 磁気記録媒体の構成
５．２ 効果
５．３ 変形例
６ 第６の実施形態（多層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える磁気記録媒体の例）
６．１ 磁気記録媒体の構成
６．２ 効果
６．３ 変形例
７ 第７の実施形態（Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層と、ＣｏおよびＯを含む中間層とを備える磁気記録媒体の例）
７．１ 磁気記録媒体の構成
７．２ 効果
７．３ 変形例

［１．１ 概要］
本発明者らは、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立すべく鋭意検討を行った。まず、磁気記録媒体の表面における算術平均粗さSRaについて検討した結果、算術平均粗さSRaがSRa≦３．０ｎｍを満たさないと、良好な記録再生特性が得られなくなる傾向があることを見出すに至った。

次に、平均表面粗さSRaがSRa≦３．０ｎｍを満たすことを前提として、記録面の突起数に着目して、良好な記録再生特性と低い高速摩擦との両立について検討した。その結果、以下の特徴を見出すに至った。
（Ａ）記録面の単位領域（但し、単位領域は、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の領域である。）内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、高速摩擦との間に相関関係があり、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数を２５６個以上にすると、低い高速摩擦が得られる。
（Ｂ）記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との間に相関関係があり、単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数を０個以上１０４個以下にすると、良好な記録再生特性が得られる。

以上の検討により、本発明者らは、次のことを見出すに至った。すなわち、平均表面粗さSRaがSRa≦３．０ｎｍの条件下において、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数を２５６個以上にし、かつ、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数を０個以上１０４個以下にすることで、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立できる。

［１．２ 磁気記録媒体の構成］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる長尺状の単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の一方の主面（以下「表面」という。）上に設けられた結晶制御層１２と、結晶制御層１２上に設けられた磁性層１３と、磁性層１３上に設けられた保護層１４と、保護層１４上に設けられた潤滑剤層１５とを備える。第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、基体１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバックコート層１６をさらに備える。

結晶制御層１２は、基体１１の表面上に設けられたシード層２１と、シード層２１上に設けられた下地層２２とを備える。結晶制御層１２、磁性層１３および保護層１４により構成される積層膜は、スパッタリング法により成膜されたスパッタ膜であることが好ましい。

なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」という。また、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の両主面のうち、情報信号の記録時に記録ヘッドまたは記録再生ヘッドが接触する側の主面を記録面という。

第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気テープの１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ²の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：GMR）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。

（記録面）
第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、長尺状の記録面を有している。記録面は、微細な凹凸を有している。記録面の平均表面粗さSRaが、３．０ｎｍ以下である。平均表面粗さSRaが３．０ｎｍを超えると、良好な記録再生特性が得られなくなる傾向がある。

記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上、好ましくは２５６個以上３０００個以下である。７．５ｎｍ以上の高さの突起数が２５６個未満であると、記録面の高速摩擦が高くなる傾向がある。記録面の高速摩擦を低減する観点からすると、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは５００個以上３０００個以下、より好ましくは１０００個以上３０００個以下、さらに好ましくは２０００個以上３０００個以下、最も好ましくは２５００個以上３０００個以下である。ここで、単位領域とは、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の測定領域のことをいう。

記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下である。１５ｎｍ以上の高さの突起数が１０４個を超えると、記録再生特性が悪化する傾向がある。記録再生特性の向上の観点からすると、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは０個以上７５個以下、より好ましくは０個以上５０個以下、さらに好ましくは０個以上２５個以下、最も好ましくは０個以上１０個以下である。

（基体）
支持体となる基体１１は、長尺状を有している。基体１１は、記録面側に微細な凹凸からなる凹凸面を有する。基体１１の凹凸面は、記録面の凹凸とほぼ同様な凹凸形状を有する。具体的には例えば、基体１１の表面の平均表面粗さSRaが、３．０ｎｍ以下である。基体１１の表面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上３０００個以下である。基体１１の表面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下である。

基体１１の凹凸面が記録面側に記録面の凹凸とほぼ同様な凹凸形状を有すると、基体１１の凹凸面に倣うように結晶制御層１２、磁性層１３および保護層１４を積層することで、記録面を基体１１の凹凸面にほぼ倣った凹凸面とし、上述の平均表面粗さSRaおよび突起数を満たす記録面を形成することができる。

記録面の高速摩擦を低減する観点からすると、基体１１の凹凸面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは５００個以上３０００個以下、より好ましくは１０００個以上３０００個以下、さらに好ましくは２０００個以上３０００個以下、最も好ましくは２５００個以上３０００個以下である。記録再生特性の向上の観点からすると、基体１１の凹凸面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは０個以上７５個以下、より好ましくは０個以上５０個以下、さらに好ましくは０個以上２５個以下、最も好ましくは０個以上１０個以下である。

基体１１は、可撓性を有する非磁性基体、具体的には高分子フィルムである。非磁性基体の材料としては、例えば、一般的な磁気記録媒体の非磁性基体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。

（シード層）
シード層２１は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、この合金はアモルファス状態を有していることが好ましい。具体的には、シード層２１は、ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有していることが好ましい。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法でシード層２１を成膜する際に、シード層２１内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「シード層」とは、下地層２２に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられる中間層ではなく、当該シード層２１のアモルファス状態によって下地層２２の垂直配向性を向上する中間層のことを意味する。「合金」とは、ＴｉおよびＣｒを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

ＴｉおよびＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有するシード層２１には、基体１１に吸着したＯ₂ガスやＨ₂Ｏの影響を抑制する作用がある。この作用により、下地層２２の垂直配向性が向上する。

シード層２１に含まれるＴｉ、ＣｒおよびＯ（酸素）の総量に対するＯの割合は、好ましくは１５原子％（atomic％：at％）以下、より好ましくは１０原子％以下である。酸素の割合が１５原子％を超えると、ＴｉＯ₂結晶が生成することにより、シード層２１の表面に形成される下地層２２の結晶核形成に影響を与えるようになり、下地層２２の配向性が大きく低下する。

シード層２１に含まれるＴｉおよびＣｒの総量に対するＴｉの割合は、好ましくは３０原子％以上１００原子％以下、より好ましくは５０原子％以上１００原子％以下の範囲内である。Ｔｉの比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、シード層２１の表面に形成される下地層２２の配向性が低下する。

なお、上記元素の割合は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体の潤滑剤層１５側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされたシード層２１の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｔｉ、ＣｒおよびＯの３元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

シード層２１に含まれる合金が、ＴｉおよびＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素としては、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＷなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

（下地層）
下地層２２は、磁性層１３と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁性層１３がＣｏ系合金を含んでいる場合には、下地層２２は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁性層１３の配向性を高め、かつ、下地層２２と磁性層１３との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ−ＳｉＯ₂、Ｒｕ−ＴｉＯ₂またはＲｕ−ＺｒＯ₂などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

（磁性層）
磁気記録層である磁性層１３は、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ₂などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁性層１３を構成することができる。

Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ₂）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂またはＨｆＯ₂などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。グラニュラ構造をより安定に維持するためには、非磁性粒界が金属窒化物および金属酸化物のうち金属酸化物を含んでいることが好ましい。

ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）の更なる向上を実現する観点からすると、強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、高いＳＮＲを確保できるからである。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z
（但し、式中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体の潤滑剤層１５側からイオンビームによるエッチングを行い、エッチングされた磁性層１３の最表面についてオージェ電子分光法による解析を実施し、膜厚に対する平均の原子数比率をその元素の比率とする。具体的には、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの５元素について解析を行い、その百分率比率による元素量を同定する。

本実施形態に係る磁気記録媒体は、軟磁性材料を含む裏打ち層（軟磁性裏打ち層）を有さない単層磁気記録媒体であるが、この種の磁気記録媒体では、磁性層１３に起因する垂直方向への反磁界の影響が大きいと、垂直方向への十分な記録が困難となる傾向がある。反磁界は、磁性層１３の飽和磁化量Ｍｓに比例して大きくなるので、反磁界を抑えるためには飽和磁化量Ｍｓを小さくすることが望ましい。しかしながら、飽和磁化量Ｍｓが小さくなると、残留磁化量Ｍｒが小さくなり、再生出力が低下する。したがって、磁性層１３に含まれる材料は、反磁界の影響の抑制（すなわち飽和磁化量Ｍｓの低減）と、十分な再生出力を確保できる残留磁化量Ｍｒとを両立する観点から選択することが好ましい。上記式の平均組成においては、これらの特性を両立し、高いＳＮＲを確保できる。

シード層２１、下地層２２および磁性層１３のうち少なくとも隣接する２層は、Roll to Roll法により連続成膜されていることが好ましく、それらの３層すべてがRoll to Roll法により連続成膜されていることがより好ましい。磁気特性および記録再生特性を更に向上できるからである。

（保護層）
保護層１４は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を含み、保護層１４の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：DLC）またはダイヤモンドなどが挙げられる。

（潤滑剤層）
潤滑剤層１５は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。

（バックコート層）
バックコート層１６は、結着剤、無機粒子および潤滑剤を含んでいる。バックコート層１６が、必要に応じて硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。

［１．３ スパッタ装置の構成］
以下、図２を参照して、本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例について説明する。このスパッタ装置は、シード層２１、下地層２２および磁性層１３の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室３１と、金属キャン（回転体）であるドラム３２と、カソード３３ａ〜３３ｃと、供給リール３４と、巻き取りリール３５と、複数のガイドロール３７、３８とを備える。スパッタ装置は、例えばDC（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

成膜室３１は、排気口３６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室３１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室３１の内部には、回転可能な構成を有するドラム３２、供給リール３４および巻き取りリール３５が配置されている。成膜室３１の内部には、供給リール３４とドラム３２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール３７が設けられていると共に、ドラム３２と巻き取りリール３５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール３８が設けられている。スパッタ時には、供給リール３４から巻き出された基体１１が、ガイドロール３７、ドラム３２およびガイドロール３８を介して巻き取りリール３５に巻き取られる。ドラム３２は円柱状の形状を有し、長尺状の基体１１はドラム３２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム３２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば−２０℃程度に冷却される。成膜室３１の内部には、ドラム３２の周面に対向して複数のカソード３３ａ〜３３ｃが配置されている。これらのカソード３３ａ〜３３ｃにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード３３ａ、３３ｂ、３３ｃにはそれぞれ、シード層２１、下地層２２、磁性層１３を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード３３ａ〜３３ｃにより複数の種類の膜、すなわちシード層２１、下地層２２および磁性層１３が同時に成膜される。

上述の構成を有するスパッタ装置では、シード層２１、下地層２２および磁性層１３をRoll to Roll法により連続成膜することができる。

［１．４ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の第１の実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。

まず、図２に示したスパッタ装置を用いて、シード層２１、下地層２２および磁性層１３を基体１１の表面上に成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室３１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室３１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード３３ａ〜３３ｃにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、シード層２１、下地層２２および磁性層１３が、基体１１の表面の凹凸に倣うように、走行する基体１１の表面に順次成膜される。

スパッタ時の成膜室３１の雰囲気は、例えば、１×１０^-5Ｐａ〜５×１０^-5Ｐａ程度に設定される。シード層２１、下地層２２および磁性層１３の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基体１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。テープライン速度は、１ｍ／ｍｉｎ〜１０ｍ／ｍｉｎ程度の範囲内であることが好ましい。スパッタガス圧は、０．１Ｐａ〜５Ｐａ程度の範囲内であることが好ましい。投入電力量は、３０ｍＷ／ｍｍ²〜１５０ｍＷ／ｍｍ²程度の範囲内であることが好ましい。

次に、磁性層１３の表面の凹凸に倣うように、磁性層１３上に保護層１４を成膜する。保護層１４の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：CVD）法または物理蒸着（physical vapor deposition：PVD）法を用いることができる。

次に、必要に応じて、例えばサファイアブレードなどを用いて、記録面としての保護層１４の表面の突起を切削することにより、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数とを調整するようにしてもよい。

次に、結着剤、無機粒子および潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バックコート層成膜用の塗料を調製する。次に、基体１１の裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バックコート層１６を基体１１の裏面上に成膜する。

次に、例えば潤滑剤を保護層１４上に塗布し、潤滑剤層１５を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体を所定の幅に裁断する。以上により、図１に示した磁気記録媒体が得られる。

［１．５ 効果］
第１の実施形態に係る磁気記録媒体では、記録面の平均表面粗さSRaが、３．０ｎｍ以下であり、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上であり、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下である。このため、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立できる。なお、高速摩擦が低くなることで、走行性が向上し、信頼性の向上が可能となる。

第１の実施形態に係る磁気記録媒体では、シャトル時のスタートおよびストップに寄与する低速摩擦の低減も可能であるが、実走行時の走行性に寄与する高速摩擦を特に低減できる。

［１．６ 変形例］
第１の実施形態では、磁気記録媒体が、結晶制御層１２、保護層１４、潤滑剤層１５およびバックコート層１６を備える構成について説明したが、これらの層は必要に応じて備えられるものであって、省略することも可能である。なお、結晶制御層１２、保護層１４、潤滑剤層１５およびバックコート層１６のうちの少なくとも１層を省略する構成としてもよい。

第１の実施形態では、基体１１の凹凸面（表面）が、記録面の凹凸とほぼ同様な凹凸形状を有する場合について説明したが、基体１１の凹凸面が、記録面の凹凸とは全く異なる凹凸形状を有していてもよい。この場合、磁性層１３の成膜工程と保護層１４の成膜工程との間に、磁性層１３の表面の突起を切削する工程をさらに備え、記録面の平均表面粗さSRaと、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数とを調整するようにしてもよい。また、保護層１４の成膜工程と潤滑剤層１５の成膜工程との間に、保護層１４の突起を切削する工程をさらに備え、上記と同様に平均表面粗さSRaおよび突起数を調整するようにしてもよい。

＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 磁気記録媒体の構成］
図３に示すように、本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体は、以下の構成において第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。すなわち、第２の実施形態に係る磁気記録媒体は、基体１１Ａと結晶制御層１２との間に設けられた凹凸層１７をさらに備える。また、基体１１Ａの凹凸面（表面）は、記録面の凹凸とは全く異なる凹凸形状を有している。なお、第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

凹凸層１７は、記録面の凹凸形状を形成するための層であり、結晶制御層１２側に凹凸面を有している。凹凸層１７の凹凸面は、記録面の凹凸とほぼ同様な凹凸形状を有している。具体的には例えば、凹凸層１７の凹凸面の平均表面粗さSRaが、３．０ｎｍ以下である。凹凸層１７の凹凸面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上、好ましくは２５６個以上３０００個以下である。凹凸層１７の凹凸面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下である。

凹凸層１７の凹凸面が記録面の凹凸とほぼ同様な凹凸形状を有すると、凹凸層１７の凹凸面に倣うように結晶制御層１２、磁性層１３および保護層１４を積層することで、記録面を凹凸層１７の凹凸面にほぼ倣った凹凸面とし、上述の平均表面粗さSRaおよび突起数を満たす記録面を形成することができる。

記録面の高速摩擦を低減する観点からすると、凹凸層１７の凹凸面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは５００個以上３０００個以下、より好ましくは１０００個以上３０００個以下、さらに好ましくは２０００個以上３０００個以下、最も好ましくは２５００個以上３０００個以下である。記録再生特性の向上の観点からすると、凹凸層１７の凹凸面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは０個以上７５個以下、より好ましくは０個以上５０個以下、さらに好ましくは０個以上２５個以下、最も好ましくは０個以上１０個以下である。

凹凸層１７は、非磁性微粒子粉および結着剤を含む非磁性層である。凹凸層１７が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、研磨剤、硬化剤および防錆剤などの各種添加剤をさらに含んでいてもよい。凹凸層１７の凹凸面は、非磁性微粒子により構成されている。具体的には、凹凸層１７の凹凸面は、凹凸層１７の表面から非磁性微粒子が突出することにより構成されている。

凹凸層１７は、非磁性粉および結着剤を含む凹凸層成膜用の塗料を基体１１Ａの表面上に塗布、乾燥することにより得られる塗布層である。凹凸層１７が塗布層であるか否かは、例えば、凹凸層１７が結着剤としての樹脂などを含んでいるか否かを分析することにより確認することができる。

非磁性微粒子粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、カーボンブラックなどの炭素微粒子粉なども使用できる。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性微粒子粉の形状としては、例えば、針状、球状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴムなどが挙げられる。

また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ₃Ｍ、−ＯＳＯ₃Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、あるいはリチウム、カリウム、ナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ−の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ−の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ−は弗素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基なども挙げられる。

また、樹脂にポリイソシアネートを併用して、これを架橋硬化させるようにしてもよい。ポリイソシアネートとしては、例えば、トルエンジイソシアネート、およびこれらの付加体、アルキレンジイソシアネート、およびこれらの付加体などが挙げられる。

導電性粒子としては、炭素を主成分とする微粒子、例えば、カーボンブラックを用いることができる。カーボンブラックとしては、例えば、旭カーボン社の旭＃１５、＃１５ＨＳなどを用いることができる。また、シリカ粒子表面にカーボンを付着させたハイブリッドカーボンを用いてもよい。

潤滑剤としては、例えば、炭素数１０〜２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２〜１２の１価〜６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、またはジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステルを適宜用いることができる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチルなどが挙げられる。

研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、および必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したものなどが、単独または組み合せで使用される。

［２．２ 磁気記録媒体の製造方法］
本技術の第２の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、シード層２１を成膜する工程前に、基体１１Ａの表面上に凹凸層１７を成膜する工程をさらに備える点において、上述の第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法とは異なっている。したがって、以下では、凹凸層１７の成膜工程のみ説明する。

まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、凹凸層成膜用の塗料を調製する。凹凸層成膜用の塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を適用することができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機（エクストルーダー）、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、コニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、基体１１Ａの表面上に凹凸層成膜用の塗料を塗布して乾燥させる。塗布の方法としては、例えば、グラビアコート、押出コート、エアードクターコート、リバースロールコートなどの一般的な塗布方法を用いることができる。次に、乾燥させた塗膜に対してカレンダー処理を施して表面を平滑化する。これにより、基体１１Ａの表面上に凹凸層１７が成膜される。

［２．３ 効果］
第２の実施形態では、基体１１Ａと結晶制御層１２との間に、記録面の微細な凹凸形状を形成するための凹凸層１７を設けている。このため、基体１１Ａとして、記録面の凹凸とは異なる凹凸形状を表面に有する基体、例えば一般的な基体を用いて、良好な記録再生特性と低い高速摩擦とを両立できる。

＜３ 第３の実施形態＞
［３．１ 磁気記録媒体の構成］
図４に示すように、本技術の第３の実施形態に係る磁気記録媒体は、２層構造のシード層２１Ａを有する結晶制御層１２Ａを備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

シード層２１Ａは、第１のシード層（上側シード層）２１ａおよび第２のシード層（下側シード層）２１ｂを備える。第１のシード層２１ａが下地層２２の側に設けられ、第２のシード層２１ｂが基体１１の側に設けられる。第２のシード層２１ｂは、第１の実施形態におけるシード層２１と同様のものを用いることができる。第１のシード層２１ａは、例えば第２のシード層２１ｂとは異なる組成の材料を含んでいる。この材料の具体例としては、ＮｉＷまたはＴａなどが挙げられる。なお、第１のシード層２１ａは、シード層ではなく、第２のシード層２１ｂと下地層２２との間に設けられた中間層と見なすことも可能である。

［３．２ 効果］
磁気記録媒体が２層構造のシード層２１Ａを備えることで、下地層２２および磁性層１３の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。

＜４ 第４の実施形態＞
［４．１ 磁気記録媒体の構成］
図５に示すように、本技術の第４の実施形態に係る磁気記録媒体は、２層構造の下地層２２Ａを有する結晶制御層１２Ｂを備える点において、第３の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第４の実施形態において第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

下地層２２Ａは、第１の下地層（上側下地層）２２ａおよび第２の下地層（下側下地層）２２ｂを備える。第１の下地層２２ａが磁性層１３の側に設けられ、第２の下地層２２ｂがシード層２１Ａの側に設けられる。

第１の下地層２２ａ、第２の下地層２２ｂの材料としては共に、例えば、上述の第１の実施形態における下地層２２と同様のものを用いることができる。しかしながら、第１の下地層２２ａ、第２の下地層２２ｂそれぞれにおいて目的とする効果が異なっており、それ故にそれぞれのスパッタ条件は異なるものとなる。すなわち、第１の下地層２２ａについてはその上層となる磁性層１３のグラニュラ構造を促進する膜構造とすることが重要であり、第２の下地層２２ｂについては結晶配向性の高い膜構造とすることが重要となる。

［４．２ 効果］
磁気記録媒体が２層構造の下地層２２Ａを備えることで、磁性層１３の配向性およびグラニュラ構造性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。

［４．３ 変形例］
第４の実施形態に係る磁気記録媒体において、２層構造のシード層２１Ａに代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第１の実施形態におけるシード層２１を用いることができる。

＜５ 第５の実施形態＞
［５．１ 磁気記録媒体の構成］
本技術の第５の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図６に示すように、基体１１とシード層２１Ａとの間に、シード層１８および軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）１９を備える点において、第４の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。シード層１８は基体１１の側に設けられ、ＳＵＬ１９はシード層２１Ａの側に設けられる。この第５の実施形態に係る磁気記録媒体は、単磁極型（Single Pole Type：SPT）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：TMR）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。なお、第５の実施形態において第４の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

シード層１８としては、第１の実施形態におけるシード層２１と同様のものを用いることができる。

ＳＵＬ１９の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。ＳＵＬ１９の膜厚が４０ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を得ることができる。一方、ＳＵＬ１９の膜厚が１４０ｎｍ以下であると、ＳＵＬ１９の結晶粒の粗大化による下地層２２Ａの結晶配向性の低下を抑制できるとともに、ＳＵＬ１９の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招くことを回避できる。ＳＵＬ１９は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。

ＳＵＬ１９はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１９上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１９の上に形成される下地層２２Ａの結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが必要となるが、基体１１からの水分などのデガスの影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１９上に形成される下地層２２Ａの結晶配向を乱してしまう。それらの影響を抑えるために、シード層１８を基体１１の表面に設けることが好ましい。特に、水分や酸素などの気体の吸着の多い、高分子材料のフィルムを基体１１として用いる場合、それらの影響を抑えるためにシード層１８を設けることが好ましい。

磁性層１３と保護層１４との間にＣＡＰ層（スタック層）２０をさらに備えることが好ましい。グラニュラ構造を有する磁性層１３と、ＣＡＰ層２０とからなる積層構造は、一般にCoupled Granular Continuous（ＣＧＣ）と呼ばれている。ＣＡＰ層２０の膜厚は、４ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい。ＣＡＰ層２０の膜厚を４ｎｍ以上１２ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。ＣｏＣｒＰｔ系材料を含んでいる。ＣｏＣｒＰｔ系材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、これら材料に金属酸化物をさらに添加した材料（ＣｏＣｒＰｔ−金属酸化物、ＣｏＣｒＰｔＢ−金属酸化物）などが挙げられる。添加する金属酸化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、ＴａおよびＣｒなどからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。その具体例としては、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、それらの２種以上の混合体などが挙げられる。

第５の実施形態に係る磁気記録媒体では、シード層１８、ＳＵＬ１９、第１、第２のシード層２１ａ、２１ｂ、第１、第２の下地層２２ａ、２２ｂおよび磁性層１３のすべてがRoll to Roll法により連続成膜されていることが好ましい。磁気特性および記録再生特性を更に向上できるからである。

［５．２ 効果］
第５の実施形態に係る磁気記録媒体では、垂直磁性層である磁性層１３の下にＳＵＬ１９を設けることで、磁性層１３の表層に発生する磁極の発生を減磁界を抑えるとともに、ヘッド磁束をＳＵＬ１９中に誘導することにより、鋭いヘッド磁界の発生を助ける役割を果たす。また、基体１１とＳＵＬ１９との間にシード層１８を設けているので、ＳＵＬ１９に含まれる軟磁性材料の粗大化を抑制することができる。すなわち、下地層２２Ａにおける結晶配向の乱れを抑制することができる。したがって、第１の実施形態よりも高い面記録密度を有する磁気記録媒体において、より良好な記録再生特性を実現することができる。

グラニュラ構造を有する磁性層１３上にＣＡＰ層２０を設けた構造を採用した場合には、これらの磁性層１３とＣＡＰ層２０との間で交換相互作用による磁気的結合を発生させ、その効果により、Hc近傍でのM-Hループの傾きを急峻とすることで、記録を容易とすることができる。通常、磁性層１３のみでM-Hループの傾きを急峻とした場合、ノイズの増大が観察されるが、この構造の場合には、ノイズを発生する記録の構造は低ノイズ構造を維持できるため、低ノイズでかつ記録が容易となる構造を実現できる。

［５．３ 変形例］
第５の実施形態に係る磁気記録媒体において、２層構造のシード層２１Ａに代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第１の実施形態におけるシード層２１を用いることができる。また、２層構造の下地層２２Ａに代えて単層構造の下地層を備えるようにしてもよい。単層構造の下地層としては、第１の実施形態における下地層２２を用いることができる。

＜６ 第６の実施形態＞
［６．１ 磁気記録媒体の構成］
図７に示すように、本技術の第６の実施形態に係る磁気記録媒は、Antiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ−ＳＵＬ」という。）１９Ａを備える点において、第５の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第６の実施形態において第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

ＡＰＣ−ＳＵＬ１９Ａは、薄い中間層１９ｂを介して２つの軟磁性層１９ａ、１９ｃを積層し、中間層１９ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層１９ａ、１９ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層１９ａ、１９ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。トータルの膜厚が４０ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を得ることができる。一方、トータルの膜厚が１４０ｎｍ以下であると、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９Ａの成膜時間が長くなり、生産性の低下を招くことを回避できる。軟磁性層１９ａ、１９ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては第５の実施形態におけるＳＵＬ１９と同様の材料を用いることができる。中間層１９ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層１９ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層１９ｂの材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、およびＲｅが挙げられ、特に、Ｒｕを含んでいることが好ましい。

［６．２ 効果］
第６の実施形態に係る磁気記録媒体では、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９Ａを用いているので、上層部である軟磁性層１９ａと下層部である軟磁性層１９ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ−ＳＵＬ１９Ａ中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。

［６．３ 変形例］
第６の実施形態に係る磁気記録媒体において、第５の実施形態の変形例に係る磁気記録媒体と同様に、単層構造のシード層および／または下地層を備えるようにしてもよい。

＜７ 第７の実施形態＞
［７．１ 磁気記録媒体の構成］
本技術の第７の実施形態に係る磁気記録媒体は、結晶制御層１２および潤滑層１５（図１参照）に代えて、図１３に示すように、結晶制御層４０および潤滑層１５Ａを備える点において、第１の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第７の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

結晶制御層４０は、基体１１の表面上に設けられたシード層（第１層）４１と、シード層４１上に設けられた中間層（第２層）４２と、中間層４２上に設けられた下地層（第３層）２２とを備える。

（シード層）
シード層４１は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ−２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。

シード層４１のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層４１のＸ線回折の強度比率は、シード層４１のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層４１の厚さＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。

シード層４１に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有することが好ましい。
Ｃｒ_X（Ｎｉ_YＦｅ_100-Y）_100-X ・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
Ｘが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲが悪化する傾向がある。同様にＹが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲが悪化する傾向がある。

シード層４１の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層４１の厚さがこの範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲが悪化する傾向がある。なお、本明細書において、シード層４１などの各層の厚さは以下のようにして測定される。まず、磁気記録媒体をその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製する。次に、その試料片を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope、以下「ＴＥＭ」という。）により観察し、そのＴＥＭ像からシード層４１などの各層の厚さを測定する。

（中間層）
中間層４２は、面心立方格子構造を有するＣｏおよびＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。ＣｏおよびＯを含む中間層４２では、Ｒｕを含む下地層２２とほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１未満であると、中間層４２を設ける効果が低下し、ＳＮＲが低下する傾向がある。

カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、磁性層１３の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、中間層４２のカラム構造の傾きの影響で、磁性層１３の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体の長手方向に磁性層１３の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体の幅方向に磁性層１３の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体の長手方向に磁性層１３の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように中間層４２のカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体の長手方向とすることが好ましい。

カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、中間層４２に含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、中間層４２に含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。

カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、磁性層１３に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が著しく低下する傾向がある。一方、平均粒径が１３ｎｍを超えると、ノイズが増大し、ＳＮＲが低下する傾向がある。

中間層４２の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。中間層４２の厚さが１０ｎｍ未満であると、中間層４２の面心立方格子構造の（１１１）配向が低下する傾向がある。一方、中間層４２の厚さが１５０ｎｍを超えると、カラムの粒径が大きくなりノイズが増大するため、ＳＮＲが低下する傾向がある。

（Ｏ、Ｃｏ原子濃度比）
Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比は、以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体をイオンミリングして、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy：ＡＥＳ）により中間層４２の深さ方向分析を行うことにより、深さ方向におけるＣｏ、Ｏ原子それぞれの平均原子濃度（at（atomic）％）を求める。次に、Ｏ原子の平均原子濃度に対するＣｏ原子の平均原子濃度の濃度比（（Ｃｏ原子の平均原子濃度）／（Ｏ原子の平均原子濃度））を求める。

（平均粒径）
カラム構造の平均粒径は、以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体の表面から下地層２２までをイオンミリングにより除去するとともに、磁気記録媒体の裏面側よりシード層４１までをイオンミリングにより除去する。次に、残った膜片をＴＥＭにより観察し、そのＴＥＭ像から無作為に粒子を１００個選び出し、各粒子の面積Ｓを求める。次に、粒子の断面形状が円形であると仮定して、以下の式から各粒子の粒径（直径）Ｒを求める。
Ｒ＝２×（Ｓ／π）^1/2
次に、求めた１００個の粒子の粒径を単純に平均（算術平均）してカラムの平均粒径を求める。

（カラムの傾斜角）
カラム構造の傾斜角は、以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体をその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製する。次に、その試料片をＴＥＭ観察し、そのＴＥＭ像から中間層４２のカラムの傾斜角を測定する。ここで、傾斜角は、中間層４２のシード層４１側の表面（界面）を基準（０°）として測定された角度である。

（Ｘ線回折強度比率）
まず、磁気記録媒体の膜法面内にて（θ−２θ）特性を測定する。次に、２θ：４４°（Ｎｉ ｆｃｃ（１１１面））のピーク強度Ｉをシード層４１の厚さＤで除算した値（Ｉ／Ｄ）をＸ線回折強度比率として求める。なお、シード層４１の厚さは、上述したように、作製した試料片をＴＥＭ観察することにより求めたものである。

表３に、Ｘ線回折強度の測定条件を示す。

なお、データ処理ソフトとしては、付属のピークサーチソフトとＸＲＤ解析処理ソフトＪＡＤＥを使用することができる。

（潤滑層）
潤滑層１５Ａは、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑層１５Ａは、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：

（式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）

上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）または（３）で表されるものが好ましい。
一般式（２）：

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）

潤滑剤は、上記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁性層１３または保護層１４などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６〜５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４〜２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。

例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：

（但し、一般式（４）において、ｌは、８〜３０、より望ましくは１２〜２０の範囲から選ばれる整数である。）

また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：

（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２〜２０、ｎ＝３〜１８、より望ましくは、ｍ＝４〜１３、ｎ＝３〜１０である。）

フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、−ＣＦ₃や−ＣＦ₂−ばかりでなく−ＣＨＦ₂や−ＣＨＦ−等であってもよい。
一般式（６）：

（但し、一般式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）

一般式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。

特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。

また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。

Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。

また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
C₁₇H₃₅COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(C₁₈H₃₇)COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CHF₂(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₁OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
C₁₈H₃₇OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₉(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₂COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₅(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₉H₁₉)CH₂CH=CH(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₆H₁₃)(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CH₃(CH₂)₃(CH₂CH₂CH(CH₂CH₂(CF₂)₉CF₃))₂(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。

保護層１４が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１４上に塗布すると、保護層１４上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１５Ａを形成することができる。

なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体の表面に潤滑層１５Ａとして保持されるのみならず、磁気記録媒体を構成する磁性層１３および保護層１４などの層に含まれ、保有されていてもよい。

［７．２ 効果］
上述の第７の実施形態に係る磁気記録媒体は、基体１１と下地層２２との間にシード層４１および中間層４２を備えている。シード層４１は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。中間層４２は、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、下地層２２の厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する磁性層１３を実現できる。したがって、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供できる。

下地層２２に含まれるＲｕは、磁性層１３の主成分であるＣｏと同じ六方稠密格子構造を有する。このため、Ｒｕには、磁性層１３の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、下地層２２に含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、下地層２２の下に中間層４２およびシード層４１を設けている。第７の実施形態に係る磁気記録媒体においては、Ｒｕを含む下地層２２とほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む中間層４２で実現している。このため、下地層２２の厚さを薄くできる。また、中間層４２の結晶配向を高めるために、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層４１を設けている。

［７．３ 変形例］
磁気記録媒体は、図１４に示すように、中間層４２上に２層構造を有する下地層５１を備えるようにしてもよい。下地層５１は、第１の下地層（上側下地層）５１ａおよび第２の下地層（下側下地層）５１ｂを備える。第１の下地層５１ａが磁性層１３の側に設けられ、第２の下地層５１ｂが中間層４２の側に設けられる。第１の下地層５１ａは、上述の第１の実施形態における中間層２２と同様である。第２の下地層５１ｂは、例えばＮｉＷ、ＮｉＷＺｒ、ＮｉＷＡｌまたはＴａを含んでいる。

第７の実施形態に係る磁気記録媒体に対して、第１の実施形態の変形例を適用してもよい。

第７の実施形態に係る磁気記録媒体が、第２の実施形態のように、基体１１と結晶制御層４０との間に設けられた凹凸層１７をさらに備えるようにしてもよい。この場合、基体１１の凹凸面（表面）は、記録面の凹凸とは全く異なる凹凸形状を有している。

第７の実施形態に係る磁気記録媒体が、第５の実施形態のように基体１１と結晶制御層４０との間にＳＵＬ１９をさらに備えるようにしてもよいし、第６の実施形態のように基体１１と結晶制御層４０との間にＡＰＣ−ＳＵＬ１９Ａをさらに備えるようにしてもよい。

上述の第７の実施形態では、結晶制御層４０が、シード層４１と中間層４２と下地層２２とから構成される場合について説明したが、結晶制御層４０が、シード層４１と下地層２２とから構成されていてもよい。

第１〜第６の実施形態に係る磁気記録媒体が、潤滑層１５に代えて、第７の実施形態における潤滑層１５Ａを備えるようにしてもよい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
まず、高分子フィルムとして、最終的に得られる実施例１の記録面（表２参照）とほぼ同様な平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有する、膜厚５．０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下「ＰＥＴフィルム」という。）を準備した。

次に、準備したＰＥＴフィルムの表面に、その表面の微細な凹凸形状に倣うように、結晶制御層、磁性層および保護層を順次成膜した。これにより、ＰＥＴフィルムの表面の微細な凹凸形状がほぼ維持された記録面が得られた。次に、ＰＥＴフィルムの裏面にバックコート層を成膜した。次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上に潤滑剤層を成膜した。これにより、幅広の磁気テープが得られた。次に、幅広の磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断して、目的とする磁気テープ（磁気記録媒体）を得た。

結晶制御層は、第１のＴｉＣｒシード層、第１の軟磁性層、Ｒｕ中間層、第２の軟磁性層、第２のＴｉＣｒシード層、ＮｉＷシード層、第１のＲｕ下地層および第２のＲｕ下地層をこの順序でＰＥＴフィルムの表面上に積層することにより成膜された。結晶制御層を構成する各層、磁性層、保護層およびバックコート層は、以下のようにして成膜された。

（第１のＴｉＣｒシード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としてのＰＥＴフィルムの表面上に第１のＴｉＣｒシード層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１の軟磁性層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒシード層上に第１の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（Ｒｕ中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上にＲｕ中間層を１．１ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ

（第２の軟磁性層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ中間層上に第２の軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（第２のＴｉＣｒシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上に第２のＴｉＣｒシード層を２．５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉ₅₀Ｃｒ₅₀ターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（ＮｉＷシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第２のＴｉＣｒシード層上にＮｉＷシード層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０^-5Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１のＲｕ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷシード層上に第１のＲｕ下地層を１０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２のＲｕ下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１のＲｕ下地層上に第２のＲｕ下地層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（磁性層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第２のＲｕ下地層上に（ＣｏＣｒＰｔ）−（ＳｉＯ₂）磁性層を２０ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（Ｃｏ₇₀Ｃｒ₁₅Ｐｔ₁₀）₉₀−（ＳｉＯ₂）₁₀ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＰｔＣｒＢ層上に、カーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（バックコート層成膜用の塗料の調製工程）
次に、バックコート層成膜用の塗料を次のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バックコート層成膜用の塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（バックコート層の成膜工程）
次に、ＰＥＴフィルムの裏面上に、バックコート層成膜用の塗料を塗布、乾燥させることにより、ＰＥＴフィルムの裏面上に平均厚さ０．６μｍのバックコート層を形成した。

（実施例２〜５）
まず、実施例１と同様にして磁気テープを得た。次に、得られた磁気テープの記録面の突起を切削した。具体的には、リニアスキャン型データストレージ（Linear Tape-Open：LTO）の記録再生ヘッド上に、スパッタテープを多数回往復させることにより、記録面の平均表面粗さSRa、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数、および記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、表２に示すものとなるように調整した。

（比較例１）
まず、高分子フィルムとして、最終的に得られる比較例１の記録面（表２参照）とほぼ同様な平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有する、膜厚５．０μｍのＰＥＴフィルムを準備する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。

（実施例６〜９、比較例２〜５）
まず、比較例１と同様にして磁気テープを得た。次に、得られた磁気テープの記録面の突起を切削した。具体的には、リニアスキャン型データストレージの記録再生ヘッド上に、スパッタテープを多数回往復させることにより、記録面の平均表面粗さSRa、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数、および記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、表２に示すものとなるように調整した。

（実施例１０）
まず、高分子フィルムとして、最終的に得られる実施例１０の記録面（表２参照）とは全く異なる平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有する、膜厚５．０μｍのＰＥＴフィルムを準備した。具体的には、比較例１と同様のＰＥＴフィルムを準備した。

次に、準備したＰＥＴフィルムの表面に、最終的に得られる実施例１０の記録面（表２参照）とほぼ同様な平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有する凹凸層を成膜した。次に、成膜した凹凸層の表面に、その表面の微細な凹凸の形状に倣うように、結晶制御層、磁性層および保護層を順次成膜した。これにより、凹凸層の表面の微細な凹凸形状がほぼ維持された記録面が得られた。次に、ＰＥＴフィルムの裏面にバックコート層を成膜した。次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上に潤滑剤層を成膜した。これにより、幅広の磁気テープが得られた。次に、幅広の磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断して、目的とする磁気テープ（磁気記録媒体）を得た。なお、結晶制御層を構成する各薄膜、磁性層、保護層およびバックコート層は、実施例１と同様にして成膜された。また、塗布層である凹凸層は、以下のようにして成膜された。

（凹凸層成膜用の塗料の調製工程）
まず、凹凸層成膜用の塗料を次のようにして調製した。まず、下記原料をエクストルーダで混練して混練物Ａ１を得た。
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１０μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練物Ａ１と、下記原料とを加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、凹凸層成膜用の塗料Ａ２を調製した。
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ポリイソシアネート：４質量部
（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

（凹凸層の成膜工程）
次に、準備したＰＥＴフィルムの表面上に、凹凸層成膜用の塗料Ａ２を膜厚１．０μｍとなるように塗布し、乾燥処理を行い、巻取りを行った。巻き取り後、６０℃で２０時間の硬化処理した後、カレンダー処理（ロール温度：１００℃、線圧１００ｋｇｆ／ｃｍ）により塗膜の表面を平滑化させた。これにより、ＰＥＴフィルムの表面上に凹凸層が成膜された。

（実施例１１）
凹凸層を以下のようにして成膜する以外は実施例１０と同様にして磁気テープを得た。

（凹凸層成膜用の塗料の調製工程）
まず、凹凸層成膜用の塗料を次のようにして調製した。まず、下記原料をエクストルーダで混練して混練物Ｂ１を得た。
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練物Ｂ１と、下記原料とを加えて予備混合を行った。その後、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、凹凸層成膜用の塗料Ｂ２を調製した。
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ポリイソシアネート：４質量部
（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

（凹凸層の成膜工程）
次に、準備したＰＥＴフィルムの表面上に、凹凸層成膜用の塗料Ｂ２を膜厚１．０μｍとなるように塗布し、乾燥処理を行い、巻取りを行った。巻き取り後、６０℃で２０時間の硬化処理した後、カレンダー処理（ロール温度：１００℃、線圧１００ｋｇｆ／ｃｍ）により塗膜の表面を平滑化させた。これにより、ＰＥＴフィルムの表面上に凹凸層が成膜された。

（比較例６）
巻き取り後、６０℃で２０時間の硬化処理した後、カレンダー処理（ロール温度：１００℃、線圧８０ｋｇｆ／ｃｍ）により塗膜の表面を平滑化させる以外は実施例１０と同様にして磁気テープを得た。

（比較例７）
巻き取り後、６０℃で２０時間の硬化処理した後、カレンダー処理（ロール温度：１００℃、線圧８０ｋｇｆ／ｃｍ）により塗膜の表面を平滑化させる以外は実施例１１と同様にして磁気テープを得た。

（実施例１２）
まず、高分子フィルムとして、比較例１と同様のＰＥＴフィルムを準備した。次に、第１の軟磁性層、Ｒｕ中間層、第２の軟磁性層、シード層、中間層および下地層を、以下のようにして高分子フィルム上に順次成膜する以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。

（第１の軟磁性層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる第１の軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（Ｒｕ中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、第１の軟磁性層上にＲｕからなる中間層を１．０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．３Ｐａ

（第２の軟磁性層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、中間層上にＣｏＺｒＮｂからなる第２の軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、第２の軟磁性層上に、Ｃｒ_X（Ｎｉ_YＦｅ_100-Y）_100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝８１）からなるシード層を１０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｒＮｉＦｅターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：１．７５Ｗ／ｍｍ²

（中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる中間層を５０ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＲＦマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＯターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１Ｐａ
投入電力：０．７５Ｗ／ｍｍ²
マスク：なし

（下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、中間層上にＲｕからなる下地層を２ｎｍ成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（切削工程）
次に、得られた磁気テープの記録面の突起を切削した。具体的には、リニアスキャン型データストレージの記録再生ヘッド上に、スパッタテープを多数回往復させることにより、記録面の平均表面粗さSRa、記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数、および記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、表２に示すものとなるように調整した。

上述のようにして得られた実施例１〜１２、比較例１〜７の磁気テープについて、以下の評価を行った。

（算術平均粗さSRa）
磁気テープの記録面の算術平均粗さSRaを以下のようにして測定した。まず、磁気テープの記録面を原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：AFM）で観察し、２次元（２Ｄ）表面プロファイルデータを得た。

以下に、AFMの測定条件を示す。
AFM：Digital Instruments社製“Dimension 3100”
カンチレバー:NanoWorld社 NCH-10T
測定エリア：３０μｍ×３０μｍの正方形状エリア
分解能：５１２×５１２
AFMのプローブのscan方向：磁気テープのMD（Machine Direction）方向（長手方向）
測定mode：タッピングモード
scan ratio：１Ｈｚ

次に、得られた２Ｄ表面プロファイルデータsurface _x,y（ｎｍ）（ｘ＝０〜５１１，ｙ＝０〜５１１）に対して、下記のフィルタ処理を施した。以下では、フィルタ処理後の２Ｄ表面プロファイルデータを“F surface _x,y”という。
Flatten：３次
Planefit：MD方向のみ３次

次に、下記の式（１）を用いて、F surface _x,y（ｎｍ）の平均値Ave surface（ｎｍ）を算出した。

次に、F surface _x,y（ｎｍ）の各点と、Ave surface（ｎｍ）との差を用いて、平均表面粗さSRa（ｎｍ）を算出した。具体的には、以下の式（２）により平均表面粗さSRa（ｎｍ）を算出した。

（７．５ｎｍ以上の高さの突起数）
記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数Peak _(7.5)（個）を以下のようにして求めた。ここで、単位領域は、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の領域である。

まず、上述の“算術平均粗さSRa”と同様にして、F surface _x,y（ｎｍ）を求めた。次に、下記の式（３）により設定されるThreshold _(7.5)を基準値として、F surface _x,y（ｎｍ）を２値化することにより、N surface _{(7.5) x,y}を得た。
Threshold _(7.5)（ｎｍ）＝Ave surface（ｎｍ）＋７．５（ｎｍ） ・・・（３）

具体的には、F surface _x,y （ｎｍ）の各点と、Threshold _(7.5)（ｎｍ）の大小とを、以下のように比較することにより、N surface _{(7.5) x,y}を得た。
F surface _x,y （ｎｍ）≧Threshold _(7.5) （ｎｍ）ならば、N surface _{(7.5) x,y} ＝１（高さ７．５ｎｍ以上の突起の一部と判断）
F surface _x,y （ｎｍ）＜Threshold _(7.5) （ｎｍ）ならば、N surface _{(7.5) x,y} ＝０（高さ７．５ｎｍに満たない部分と判断）

次に、N surface _{(7.5) x,y} にラベリング処理を行い、突起の個数を計数した。すなわち、２次元データ上の連続したN surface _{(7.5) x,y} ＝１の領域を“１つの突起領域”とみなす処理を、単位領域の全面に渡って行った後に、独立した“１つの突起領域”が何領域あるかを計数し、その数値を“高さ７．５ｎｍ以上の突起の個数Peak _(7.5)（個）”と定義した。なお、ラベリング処理における“連続した”とは、８連結（８近傍）条件とした。すなわち、縦、横、斜め何れの方向でも連続している部分は“１つの突起領域”とみなした。

（５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍまたは２０ｎｍ以上の高さの突起数）
下記の式（４）〜（７）により設定されるThreshold ₍₅₎、Threshold ₍₁₀₎、Threshold ₍₁₅₎、Threshold ₍₂₀₎を基準値としてF surface _x,y（ｎｍ）を２値化する以外は、上記の“７．５ｎｍ以上の高さの突起数”の算出方法と同様にして、記録面の単位領域内における５ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍまたは２０ｎｍ以上の高さの突起数Peak ₍₅₎、Peak ₍₁₀₎、Peak ₍₁₅₎、Peak ₍₂₀₎（個）を求めた。
Threshold ₍₅₎（ｎｍ）＝Ave_surface（ｎｍ）＋５（ｎｍ） ・・・（４）
Threshold ₍₁₀₎（ｎｍ）＝Ave_surface（ｎｍ）＋１０（ｎｍ） ・・・（５）
Threshold ₍₁₅₎（ｎｍ）＝Ave_surface（ｎｍ）＋１５（ｎｍ） ・・・（６）
Threshold ₍₂₀₎（ｎｍ）＝Ave_surface（ｎｍ）＋２０（ｎｍ） ・・・（７）

（記録再生特性）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
ｈｅａｄ：ＧＭＲ ｈｅａｄ
ｓｐｅｅｄ：２ｍ／ｓ
ｓｉｇｎａｌ：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）によりスパン（SPAN）０〜２０ＭＨｚ（resolution band width = 100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noiseを積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ(Signal-to-Noise Ratio)として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。

次に、上述のようにして得られたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、記録再生特性の良否を以下のようにして判定した。
良好：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））を超える。
不良：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））以下である。
上記判定結果に基づき、単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数を横軸、記録再生特性を縦軸とするグラフを作成して、単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数と記録再生特性との間に相関関係があるか否かを調べた。

（摩擦）
テープ走行装置に磁気記録テープを設置し、走行させることにより、磁気テープの記録面の摩擦を測定した。走行装置としては、オープンリールのテープ走行装置（Mountain Engineering II 社製、MTS Transport 装置）を用いた。テープ走行パスの所定の位置に、テープの記録面と摺動するように、角柱（ＡｌＴｉＣ材）を設置した。ＡｌＴｉＣ角材にストレインゲージを設置し、テープと角材の摺動により“角柱にかかる力”の増減をストレインゲージで測定することで、テープと角材との摩擦力の大きさを計測することができる。

具体的には、以下のようにして磁気テープの記録面の摩擦を測定した。まず、評価磁気テープとしての実施例１の磁気テープをテープ走行装置に装着した。次に、磁気テープの記録面との抱き角が１．５度となるように、角柱（ＡｌＴｉＣ材）を設置した。次に、走行速度２ｍ／秒、テープテンション６０ｇｆで磁気テープを走行させた。次に、ストレインゲージから出力された電圧の時間変化を、ディジタルオシロスコープ（ACカップリング）を用い、２５００回／秒で、１．５秒（即ち３ｍ）分のデータ列Vx_jとして取得した。次に、取得したストレインゲージのデータ列Vx_jの２乗和を下記の式（８）を用いて計算し、磁気テープの摩擦力Fxとした。

次に、評価基準磁気テープとしての比較例１の磁気テープについても、実施例１の磁気テープと同様な測定を行い、取得された摩擦力をFfとした。

次に、比較例１の磁気テープ（評価基準磁気テープ）の摩擦力Ffを基準摩擦力（１００（％））として、実施例１の磁気テープ（評価磁気テープ）の摩擦力Fxを相対摩擦力relative-Fx（％）に変換した。

評価磁気テープとしての実施例２〜１２、比較例２〜７の磁気テープについても上記と同様の測定を行い、それらの磁気テープの相対摩擦力relative-F（％）を計算した。

次に、上述のようにして得られた相対摩擦力relative-F（％）を用いて、摩擦力の良否を以下のようにして判定した。
良好：磁気テープの摩擦力が評価基準サンプル（比較例１）の摩擦力（＝１００（％））未満である。
不良：磁気テープの摩擦力が評価基準サンプル（比較例１）の摩擦力（＝１００（％））以上である。
上記判定結果に基づき、単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数を横軸、摩擦力を縦軸とするグラフを作成して、単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数と摩擦力との間に相関関係があるか否かを調べた。

（評価結果）
表１は、記録面の単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数と、記録再生特性との相関関係、および記録面の単位領域に含まれる、各高さ以上の突起数と、摩擦力との相関関係の有無を示す。

図８、図９に、相関関係を調べるために作成したグラフのうち、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍまたは１５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との関係を示すグラフを代表して示す。また、図１０、図１１に、相関関係を調べるために作成したグラフのうち、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍまたは１５ｎｍ以上の高さの突起数と、摩擦力との関係を示すグラフを代表して示す。

なお、図８〜図１１中にプロットしたマーク“◆”、“●”、“○”“×”、“◇”は、以下の判定結果を示す。但し、実施例１０、比較例５の磁気テープでは、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は“０個”であるため、実施例１０、比較例５の評価結果は図１１には図示されていない。
◆：摩擦力が良好、記録再生特性が良好、SRa≦３（ｎｍ）（実施例１〜１２）
●：評価基準サンプル（比較例１）
○：摩擦力が良好、記録再生特性が不良、SRa≦３（ｎｍ）（比較例６）
×：摩擦力が良好、記録再生特性が不良、SRa＞３（ｎｍ）（比較例７）
◇：摩擦力が不良、記録再生特性が良好、SRa≦３（ｎｍ）（比較例２〜５）

表１、図８〜図１１から以下のことがわかる。
記録面の単位領域内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数と、高速摩擦との間には相関関係が認められる。これに対して、記録面の単位領域内に含まれる、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ以上の高さの突起数と、高速摩擦との間には相関関係が認められない。
記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との間には相関関係が認められる。これに対して、記録面の単位領域内に含まれる、５ｎｍ、７．５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ以上の高さの突起数と、記録再生特性との間には相関関係が認められない。

表２は、実施例１〜１２、比較例１〜７の磁気テープの構成および評価結果を示す。なお、表２には、上述のように記録再生特性との相関関係が認められた１５ｎｍ以上の高さの突起数、および高速摩擦との相関関係が認められた７．５ｎｍ以上の高さの突起数のみを示す。

但し、表２中に示したフィルムＡ、Ｂ、SRa、Peak (15)、Peak (7.5)は、以下の内容を意味する。
フィルムＡ：実施例１の磁気テープの記録面とほぼ同様な平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有するＰＥＴフィルム
フィルムＢ：比較例１の磁気テープの記録面とほぼ同様な平均表面粗さSRa、単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数および１５ｎｍ以上の高さの突起数を表面に有するＰＥＴフィルム
SRa：記録面の平均表面粗さ
Peak (15)：記録面の単位領域に含まれる、高さ１５ｎｍ以上の突起数
Peak (7.5)：記録面の単位領域に含まれる、高さ７．５ｎｍ以上の突起数

図１２に、上述のように記録再生特性との相関関係が認められた１５ｎｍ以上の高さの突起数、および摩擦力との相関関係が認められた７．５ｎｍ以上の高さの突起数との関係を示す。なお、図１２中にプロットしたマーク“◆”、“●”、“○”、“×”、“◇”は、上述した判定結果を示している。但し、実施例１０、比較例５の磁気テープでは、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は“０個”であるため、実施例１０、比較例５の評価結果は図１２には図示されていない。

突起数と記録再生特性との間に相関関係が認められる図９から以下のことがわかる。すなわち、SRa≦３．０ｎｍという条件下において、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が減少するに従って、記録再生特性が向上する傾向が見られる。記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が１０４個以下であると、評価基準サンプルよりも良好な記録再生特性が得られる。記録再生特性の向上の観点からすると、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは０個以上７５個以下、より好ましくは０個以上５０個以下、さらに好ましくは０個以上２５個以下、最も好ましくは０個以上１０個以下である。

突起数と摩擦力との間に相関関係が認められる図１０から以下のことがわかる。すなわち、SRa≦３．０ｎｍという条件下において、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が増加するに従って、摩擦力が低下する傾向が見られる。記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が２５６個以上であると、基準サンプルよりも低い摩擦力が得られる。摩擦力の低減の観点からすると、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数は、好ましくは５００個以上、より好ましくは１０００個以上、さらに好ましくは２０００個以上、最も好ましくは２５００個以上である。

図９〜図１１に示した評価結果をまとめて示した図１２から以下のことがわかる。SRa≦３．０ｎｍという条件下において、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が１０４個以下であり、かつ、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が２５６個以上であると、評価基準サンプルより記録再生特性を向上し、かつ、評価基準サンプルより摩擦力を低減できる。

実施例１〜１１の結晶制御層、および実施例１２の結晶制御層のいずれを用いた場合であっても、SRa≦３．０ｎｍという条件下において、記録面の単位領域に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が１０４個以下であり、かつ、記録面の単位領域に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が２５６個以上であると、評価基準サンプルより記録再生特性を向上し、かつ、評価基準サンプルより摩擦力を低減できる。

以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
可撓性を有する基体と、
上記基体上に設けられた結晶制御層と、
上記結晶制御層上に設けられた磁性層と
を備え、
平均表面粗さSRaが３．０μｍ以下である記録面を有し、
上記記録面の単位領域（但し、単位領域は、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の領域である。）内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上であり、
上記記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下である磁気記録媒体。
（２）
上記基体は、上記記録面側に凹凸面を有し、
上記基体の凹凸面は、上記記録面とほぼ同様な凹凸形状を有する（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
上記記録面は、上記基体の凹凸面にほぼ倣っている（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
上記基体と上記結晶制御層との間に設けられ、上記結晶制御層側に凹凸面を有する凹凸層と
を備え、
上記凹凸層は、微粒子を含有する（１）に記載の磁気記録媒体。
（５）
上記凹凸層は、塗布層である（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
上記凹凸層の凹凸面は、上記微粒子により構成されている（４）または（５）に記載の磁気記録媒体。
（７）
上記凹凸層の凹凸面は、上記記録面とほぼ同様な凹凸形状を有する（４）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
上記記録面は、上記凹凸層の凹凸面にほぼ倣っている（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
上記結晶制御層および上記磁性層は、スパッタ膜である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
上記結晶制御層は、
下地層と、
上記下地層と上記基体との間に設けられたシード層と
を備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
上記シード層は、アモルファス状態を有している（１０）に記載の磁気記録媒体。
（１２）
上記シード層は、ＴｉおよびＣｒを含んでいる（１０）または（１１）に記載の磁気記録媒体。
（１３）
上記下地層は、Ｒｕを含んでいる（１０）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
上記シード層は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含んでいる（１０）に記載の磁気記録媒体。
（１５）
上記結晶制御層は、上記シード層と上記下地層との間に設けられた中間層をさらに備え、
上記シード層は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、
上記中間層は、ＣｏおよびＯを含んでいる（１０）に記載の磁気記録媒体。
（１６）
上記基体と上記結晶制御層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備え、
上記中間層は、上記第１の軟磁性層と上記第２の軟磁性層との間に設けられている（１６）に記載の磁気記録媒体。
（１８）
上記基体と上記軟磁性層との間に設けられたシード層をさらに備える（１６）または（１７）に記載の磁気記録媒体。
（１９）
上記磁性層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（１８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２０）
上記磁性層は、以下の式に示す平均組成を有している（１９）に記載の磁気記録媒体。
（Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z
（但し、式中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）

１１ 基体
１２、１２Ａ、１２Ｂ、４０ 結晶制御層
１３ 磁性層
１４ 保護膜
１５ 潤滑剤層
１６ バックコート層
１７ 凹凸層
１８、２１、４１ シード層
１９ ＳＵＬ
１９Ａ ＡＰＣ−ＳＵＬ
１９ａ、１９ｃ 軟磁性層
１９ｂ、４２ 中間層
２２ 下地層
３１ 成膜室
３２ ドラム
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ カソード
３４ 供給リール
３５ 巻き取りリール

Claims (16)

1. 可撓性を有する基体と、
   上記基体上に設けられた結晶制御層と、
   上記結晶制御層上に設けられた磁性層と
   を備え、
   平均表面粗さSRaが３．０ｎｍ以下である記録面を有し、
   上記記録面の単位領域（但し、単位領域は、長さ３０μｍの辺を有する正方形状の領域である。）内に含まれる、７．５ｎｍ以上の高さの突起数が、２５６個以上であり、
   上記記録面の単位領域内に含まれる、１５ｎｍ以上の高さの突起数が、０個以上１０４個以下であり、
   上記結晶制御層は、
   下地層と、
   上記下地層と上記基体との間に設けられたシード層と、
   上記シード層と上記下地層との間に設けられた中間層と
   を備え、
   上記シード層は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、
   上記中間層は、ＣｏおよびＯを含んでいる磁気記録媒体。
2. 上記基体は、上記記録面側に凹凸面を有し、
   上記基体の凹凸面は、上記記録面とほぼ同様な凹凸形状を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 上記記録面は、上記基体の凹凸面にほぼ倣っている請求項２に記載の磁気記録媒体。
4. 上記基体と上記結晶制御層との間に設けられ、上記結晶制御層側に凹凸面を有する凹凸層をさらに備え、
   上記凹凸層は、微粒子を含有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 上記凹凸層は、塗布層である請求項４に記載の磁気記録媒体。
6. 上記凹凸層の凹凸面は、上記微粒子により構成されている請求項４または５に記載の磁気記録媒体。
7. 上記凹凸層の凹凸面は、上記記録面とほぼ同様な凹凸形状を有する請求項４から６のいずれかに記載の磁気記録媒体。
8. 上記記録面は、上記凹凸層の凹凸面にほぼ倣っている請求項７に記載の磁気記録媒体。
9. 上記結晶制御層および上記磁性層は、スパッタ膜である請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
10. 上記シード層は、アモルファス状態を有している請求項１から９のいずれかに記載の磁気記録媒体。
11. 上記下地層は、Ｒｕを含んでいる請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12. 上記基体と上記結晶制御層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
13. 上記軟磁性層は、第１の軟磁性層と、中間層と、第２の軟磁性層とを備え、
    上記中間層は、上記第１の軟磁性層と上記第２の軟磁性層との間に設けられている請求項１２に記載の磁気記録媒体。
14. 上記基体と上記軟磁性層との間に設けられたシード層をさらに備える請求項１２または１３に記載の磁気記録媒体。
15. 上記磁性層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１から１４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
16. 上記磁性層は、以下の式に示す平均組成を有している請求項１５に記載の磁気記録媒体。
    （Ｃｏ_xＰｔ_yＣｒ_100-x-y）_100-z−（ＳｉＯ₂）_z
    （但し、式中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１２≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）

Images