JP7247858B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体に関する。

近年、コンピュータ用データストレージとして利用されている磁気テープ（磁気記録媒体）では、データの記録密度を向上するために、トラック幅及び隣接するトラック間の距離は非常に狭くなっている。このようにトラック幅及びトラック間の距離が狭くなると、例えば温湿度変化などの環境要因に起因するテープ自体の寸法変化量として最大許容される変化量がますます小さくなる。

寸法変化量を小さくするための技術がこれまでにいくつか提案されてきている。例えば、下記特許文献１に開示された磁気テープ媒体は、非磁性支持体の幅方向のヤング率をＸ且つバック層の幅方向のヤング率をＹとしたときに、Ｘが８５０ｋｇ／ｍｍ^２以上であるか又は８５０ｋｇ／ｍｍ^２未満の場合はＸ×Ｙが６×１０^５以上であり、且つ、磁性層を含む層の幅方向のヤング率をＺとしたときＹ／Ｚが６．０以下であることを特徴とする。

特開２００５－３３２５１０号公報

本技術は、テープの長手方向にかかるテンションを調整することによって、幅方向の寸法変化を抑制することができる磁気記録媒体を提供することを主目的とする。

本技術は、
磁性層、非磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ が、ｔ _Ｔ ≦５．５μｍであり、
磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、
前記長手方向の収縮率が、０．０８％以下である、長尺状の磁気記録媒体を提供する。
前記寸法変化量Δｗは、７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎでありうる。
前記寸法変化量Δｗは、８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎでありうる。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．３μｍでありうる。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．２μｍでありうる。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．０μｍでありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ_mは、３５ｎｍ≦ｔ_m≦１２０ｎｍでありうる。
前記非磁性層の平均厚みは、０．６μｍ以上２．０μｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは、２．５μｍ以上６μｍ以下でありうる。
前記ベース層の平均厚みは、２．６μｍ以上５μｍ以下でありうる。
前記バック層の平均厚みｔ_bは、ｔ_b≦０．６μｍでありうる。
前記収縮率が、０．０７％以下でありうる。
長手方向の１％伸び荷重が、０．６０Ｎ以下でありうる。
長手方向の１％伸び荷重が、０．５５Ｎ以下でありうる。
前記磁性層は磁性粉および結着剤を含み、
前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉又はコバルトフェライト磁性粉を含むものでありうる。
前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉を含み、
前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線におけるメインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上１００以下でありうる。
前記ε酸化鉄磁性粉の平均粒子サイズが、８ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。
前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉を含み、
前記磁性層の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃが、１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下でありうる。
前記バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズが、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下でありうる。
前記磁気記録媒体の温度膨張係数αが、５．５［ｐｐｍ／℃］≦α≦９［ｐｐｍ／℃］でありうる。
前記磁気記録媒体の湿度膨張係数βが、β≦５．５［ｐｐｍ／％ＲＨ］でありうる。
前記磁気記録媒体のポアソン比ρが、０．２５≦ρでありうる。
長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．７［Ｎ］≦σ_MDでありうる。
前記弾性限界値σ_MDが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らないものでありうる。
前記磁性層が垂直配向しているものでありうる。
前記磁性層は、３以上１１以下のサーボバンドを有するものでありうる。
前記磁性層は、前記長手方向に平行な複数の記録トラックを形成可能に構成され、
前記記録トラックの幅は、２μｍ以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステル系樹脂を含むものでありうる。
磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、
前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０でありうる。
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍでありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、７３％以上でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃが、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下でありうる。
本技術は、
前記磁気記録媒体と、
カートリッジケースと、
リールと、を含み、
前記磁気記録媒体が、前記リールに巻き取られた状態で前記カートリッジケース内に収容されている磁気記録カートリッジを提供する。

第１の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 磁性粒子の構成を示す断面図である。 測定装置の構成を示す斜視図である。 測定装置の詳細を示す模式図である。 ＳＦＤ曲線の一例を示すグラフである。 記録再生装置の構成を示す概略図である。 変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。 変形例における磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。 スパッタ装置の構成を示す概略図である。 第３の実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。

本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．第１の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置
（６）効果
（７）変形例
３．第２の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）スパッタ装置の構成
（５）磁気記録媒体の製造方法
（６）効果
（７）変形例
４．第３の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）
５．実施例

１．本技術の説明

磁気記録媒体（例えば磁気記録テープ）の記録容量をさらに高めることが求められている。例えば、記録容量（記録面積）を増やすために、磁気記録媒体をより薄くして（全厚を低減して）、磁気記録媒体を含むカートリッジ製品１つ当たりのテープ長を増加させることが考えられる。
しかしながら、磁気記録媒体がより薄くなることによって、トラック幅方向の寸法変化が起こり易くなりうる。当該寸法変化は、特に長期保存した場合に起こりやすい。幅方向の寸法変化は、例えばオフトラック現象など、磁気記録にとって望ましくない現象を引き起こしうる。オフトラック現象は、磁気ヘッドが読み取るべきトラック位置に対象のトラックが存在しないこと、又は、磁気ヘッドが間違ったトラック位置を読み取ることをいう。

従来は、磁気記録媒体の寸法変化抑制のために、例えば磁気記録媒体の寸法変化抑制のための層を追加するなどの手法が行われていた。
しかしながら、当該層の追加は磁気記録テープの厚みを高める場合があり、前記カートリッジ製品１つ当たりのテープ長を増加させない。

本発明者らは、長尺状の磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することによって当該磁気記録媒体の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる記録再生装置における使用に適している磁気記録媒体を検討している。当該記録再生装置は、例えば磁気記録媒体の幅方向の寸法又は寸法変化を検知し、検知結果に基づき長手方向のテンションを調整する。
しかしながら、寸法変化が抑制された磁気記録媒体は、長手方向のテンション変化による幅方向の寸法変化量が小さい。そのため、当該磁気記録媒体は、前記記録再生装置による長手方向のテンション調整を行っても、その幅を一定又はほぼ一定に保つことは難しい。

以上の状況を踏まえ、本発明者らは、薄く、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適しており、且つ、前記記録再生装置における使用のための適性が保存によって低下することを抑制することができる磁気記録媒体について検討した。その結果、本発明者らは特定の構成を有する磁気記録媒体がこれらの要件を満たすことを見出した。すなわち、本技術は、平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、長手方向の収縮率が、０．０８％以下である、磁気記録媒体を提供する。

本技術に従う磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔは、５．５μｍ以下であり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下又は４．６μｍ以下でありうる。本技術に従う磁気記録媒体はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。

本技術に従う磁気記録媒体は、長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ以上であり、より好ましくは６７０ｐｐｍ／Ｎ以上であり、さらにより好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ以上、７１０ｐｐｍ／Ｎ以上、７３０ｐｐｍ／Ｎ以上、７５０ｐｐｍ／Ｎ以上、７８０ｐｐｍ／Ｎ以上、又は８００ｐｐｍ／Ｎ以上であってよい。磁気記録媒体が上記数値範囲内の寸法変化量Δｗを有することが、当該磁気記録媒体の長手方向のテンションを調整することで当該磁気記録媒体の幅を一定に保つことを可能とすることに貢献する。
また、前記寸法変化量Δｗの上限は、特に限定されるものではないが、例えば１７０００００ｐｐｍ／Ｎ以下、好ましくは２００００ｐｐｍ／Ｎ以下、より好ましくは８０００ｐｐｍ／Ｎ以下、さらにより好ましくは５０００ｐｐｍ／Ｎ以下、４０００ｐｐｍ／Ｎ以下、３０００ｐｐｍ／Ｎ以下、又は２０００ｐｐｍ／Ｎ以下でありうる。寸法変化量Δｗが大きすぎる場合、製造工程内で安定して走行させることが困難になる場合がある。
寸法変化量Δｗの測定方法は、以下２．の（３）において説明する。

本技術に従う磁気記録媒体は、長手方向の収縮率が、０．０８％以下であり、好ましくは０．０７％以下である。収縮率が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体を長期保存した場合にも、前記記録再生装置における使用への適性が変わらない。そのため、例えばオフトラック現象など、磁気記録にとって望ましくない現象が起こりにくくなる。また、前記長手方向の収縮率は、例えば０％以上であってよい。
収縮率の測定方法は、以下２．の（３）において説明する。

本技術に従う磁気記録媒体は、好ましくはバック層を備え、前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂは、好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍであり、より好ましくは３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．３ｎｍである。表面粗度Ｒ_ａｂが上記数値範囲内にあることが、磁気記録媒体のハンドリング性の向上に貢献する。
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂは、より好ましくは７．２ｎｍ以下であり、さらにより好ましくは７．０ｎｍ以下、６．５ｎｍ以下、６．３ｎｍ以下、又は６．０ｎｍ以下であってよい。また、前記表面粗度Ｒ_ａｂは、より好ましくは３．２ｎｍ以上であり、さらにより好ましくは３．４ｎｍ以上であってよい。表面粗度Ｒ_ａｂが上記数値範囲内にあることによって、特には上記上限値以下であることによって、ハンドリング性の向上に加えて、良好な電磁変換特性を達成することができる。
表面粗度Ｒ_ａｂの測定方法は、以下２．の（３）において説明する。

本技術に従い磁気記録媒体は、好ましくは長尺状の磁気記録媒体であり、例えば磁気記録テープ（特には長尺状の磁気記録テープ）でありうる。

本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、ベース層、及びバック層を備えていてもよく、これらの層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体であってよく又は真空薄膜型の磁気記録媒体であってよい。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。真空薄膜型の磁気記録媒体について、以下３．及び４．においてより詳細に説明する。上記３つの層以外に前記磁気記録媒体に含まれる層については、これらの説明を参照されたい。

本技術に従う磁気記録媒体は、例えば少なくとも一つのデータバンドと少なくとも二つのサーボバンドとを有しうる。データバンドの数は例えば２～１０であり、特には３～６、より特には４又は５でありうる。サーボバンドの数は、例えば３～１１であり、特には４～７であり、より特には５又は６でありうる。これらサーボバンド及びデータバンドは、例えば長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の長手方向に延びるように、特には略平行となるように配置されていてよい。前記データバンド及び前記サーボバンドは、前記磁性層に設けられうる。このようにデータバンド及びサーボバンドを有する磁気記録媒体として、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に従う磁気記録テープを挙げることができる。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ規格に従う磁気記録テープであってよい。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ８又はそれ以降の規格（例えばＬＴＯ９、ＬＴＯ１０、ＬＴＯ１１、又はＬＴＯ１２など）に従う磁気記録テープであってよい。
本技術に従う長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。長尺状の磁気記録媒体（特には磁気記録テープ）の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。

２．第１の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）

（１）磁気記録媒体の構成

まず、図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、例えば垂直配向処理を施した磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状のベース層（基体ともいう）１１と、ベース層１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた磁性層（記録層ともいう）１３と、ベース層１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。以下では、磁気記録媒体１０の両主面のうち、磁性層１３が設けられた側の面を磁性面といい、当該磁性面とは反対側の面（バック層１４が設けられた側の面）をバック面という。

磁気記録媒体１０は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下である。

（２）各層の説明

（ベース層）

ベース層１１は、磁気記録媒体１０の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層１１の厚みは、例えば２μｍ以上８μｍ以下であり、好ましくは２．２μｍ以上７μｍ以下であり、より好ましくは２．５μｍ以上６μｍ以下であり、さらにより好ましくは２．６μｍ以上５μｍ以下でありうる。ベース層１１は、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、芳香族ポリエーテルケトン樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は、積層されていてもよい。

前記ポリエステル系樹脂は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。

前記ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

前記芳香族ポリエーテルケトン樹脂は、例えば、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＥＫＫ（ポリエーテルケトンケトン）、及びＰＥＥＫＫ（ポリエーテルエーテルケトンケトン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＥＫから形成されてよい。

前記その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。

（磁性層）

磁性層１３は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層１３は、磁性粉を含みうる。磁性層１３は、磁性粉に加えて、例えば結着剤及び導電性粒子をさらに含みうる。磁性層１３は、必要に応じて、例えば潤滑剤、研磨剤、及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍでありうる。磁性層１３の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。

磁性層１３の平均厚みｔ_ｍは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試験片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定した後、それらの測定値を単純平均（算術平均）して磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ（ｎｍ）とする。

磁性層１３は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。当該角形比Ｓ１の測定方法は、以下で別途説明する。
なお、磁性層１３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。

（磁性粉）

磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えばイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。特に好ましくは、前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉、コバルトフェライト磁性粉、又はストロンチウムフェライト磁性粉を含みうる。なお、ε酸化鉄はＧａ及び／又はＡｌを含んでいてもよい。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄは、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、更により好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下でありうる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズＤは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などにより加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５００個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、それぞれの粒子の最大粒子サイズｄ_ｍａｘを測定して、磁性粉の最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布を求める。ここで、“最大粒子サイズｄ_ｍａｘ”とは、いわゆる最大フェレ径を意味し、具体的には、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のものをいう。その後、求めた最大粒子サイズｄ_ｍａｘの粒度分布から最大粒子サイズｄ_ｍａｘのメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）Ｄとする。

磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、ＢａＦｅ及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。

本技術の一つの好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図２に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金又はＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子は、図６に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）磁性粉であってもよい。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。

バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであることが好ましい。また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト磁性粉は、コバルトフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「コバルトフェライト磁性粒子」という。）を含む。コバルトフェライト磁性粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。コバルトフェライトは、Ｃｏを含むコバルトフェライトである。コバルトフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。

コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。

本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉が、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

（結着剤）

結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムなどが挙げられる。

また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよく、これらの例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、リチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。

更に、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ^－は、弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。

（添加剤）

磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。

（下地層）

下地層１２は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む非磁性層である。上述の磁性層１３に含まれる結着剤に関する説明が、下地層１２に含まれる結着剤についても当てはまる。下地層１２は、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）

下地層１２に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。

（バック層）

バック層１４は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層１４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層１４に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。

バック層１４に含まれる無機粒子の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。無機粒子の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。

バック層１４の平均厚みｔ_ｂは、ｔ_ｂ≦０．６μｍであることが好ましい。バック層１４の平均厚みｔ_ｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔをｔ_Ｔ≦５．５μｍにした場合でも、下地層１２及びベース層１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。

バック層１４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）等の溶剤や希塩酸等で除去した後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの異なる場所の厚みを５点以上測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（３）物性及び構造

（磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔ）

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは、ｔ_Ｔ≦５．５μｍである。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔがｔ_Ｔ≦５．５μｍであると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔ_Ｔである。

磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔは、バック層１４の平均厚みｔ_ｂの測定方法において説明した平均値ｔ_Ｔの測定方法により求められる。

（寸法変化量Δｗ）

磁気記録媒体１０の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化量Δｗ［ｐｐｍ／Ｎ］は、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは６７０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは７１０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは７３０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、より好ましくは７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、さらにより好ましくは７８０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、特に好ましくは８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである。寸法変化量ΔｗがΔｗ＜６４０ｐｐｍ／Ｎであると、記録再生装置による長手方向のテンションの調整では、幅の変化を抑制することが困難となる虞がある。寸法変化量Δｗの上限値は特に限定されるものではないが、例えばΔｗ≦１７０００００ｐｐｍ／Ｎ、好ましくはΔｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎ、より好ましくはΔｗ≦８０００ｐｐｍ／Ｎ、さらにより好ましくはΔｗ≦５０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦４０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦３０００ｐｐｍ／Ｎ、Δｗ≦２０００ｐｐｍ／Ｎでありうる。
当業者は、寸法変化量Δｗを適宜設定することができる。例えば、寸法変化量Δｗは、ベース層１１の厚み及び／又はベース層１１の材料を選択することにより所望の値に設定されうる。また、寸法変化量Δｗは、例えばベース層を構成するフィルムの縦横方向の延伸強度を調整することによって、所望の値に設定されてもよい。例えば、幅方向により強く延伸することによって、Δｗはより低下し、反対に、縦方向における延伸を強めることによって、Δｗは上昇する。

寸法変化量Δｗは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプル１０Ｓを作製する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ、０．６Ｎ、１．０Ｎの順で荷重をかけ、０．２Ｎ、０．６Ｎ、及び１．０Ｎの荷重におけるサンプル１０Ｓの幅を測定する。続いて、以下の式より寸法変化量Δｗを求める。なお、０．６Ｎの荷重をかけた場合の測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（０．２Ｎ）及びＤ（１．０Ｎ）はそれぞれ、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎ及び１．０Ｎの荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅を示す。）

各荷重をかけたときのサンプル１０Ｓの幅は以下のようにして測定される。まず、測定装置としてキーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ－７０００を組み込んだ、図３Ａに示す測定装置を準備し、この測定装置にサンプル１０Ｓをセットする。具体的には、長尺状のサンプル（磁気記録媒体）１０Ｓの一端を固定部２３１により固定する。次に、図３Ａに示されるとおり、サンプル１０Ｓを、５本の略円柱状且つ棒状の支持部材２３２に乗せる。サンプル１０Ｓは、そのバック面が５本の支持部材２３２に接するように、これら支持部材に乗せられる。５本の支持部材２３２（特にその表面）はいずれもステンレス鋼ＳＵＳ３０４から形成されており、その表面粗さＲｚ（最大高さ）は０．１５μｍ～０．３μｍである。

５本の棒状の支持部材２３２の配置を、図３Ｂを参照しながら説明する。図３Ｂに示されるとおり、サンプル１０Ｓは、５本の支持部材２３２に乗せられている。５本の支持部材２３２について、以下では、固定部２３１に最も近いほうから「第１支持部材」、「第２支持部材」、「第３支持部材」（スリット２３２Ａを有する）、「第４支持部材」、及び「第５支持部材」（重り２３３に最も近い）という。これら５本の支持部材の直径は、７ｍｍである。第１支持部材と第２支持部材との距離ｄ_１（特にはこれら支持部材の中心の間の距離）は２０ｍｍである。第２支持部材と第３支持部材との距離ｄ_２は３０ｍｍである。第３支持部材と第４支持部材との距離ｄ_３は３０ｍｍである。第４支持部材と第５支持部材との距離ｄ_４は２０ｍｍである。また、サンプル１０Ｓのうち第２支持部材、第３支持部材、及び第４支持部材の間に乗っている部分が、重力方向に対して略垂直の平面を形成するように、これら３つの支持部材は配置されている。また、サンプル１０Ｓが、第１支持部材と第２支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_１＝３０°の角度を形成するように、第１支持部材及び第２支持部材は配置されている。さらに、サンプル１０Ｓが、第４支持部材と第５支持部材との間では、前記略垂直の平面に対してθ_２＝３０°の角度を形成するように、第４支持部材及び第５支持部材は配置されている。
また、５本の支持部材２３２のうち、第３支持部材は回転しないように固定されているが、その他の４本の支持部材は全て回転可能である。

サンプル１０Ｓは、支持部材２３２上でサンプル１０Ｓの幅方向に移動しないように保持される。なお、支持部材２３２のうち、発光器２３４及び受光器２３５の間に位置し且つ固定部２３１と荷重をかける部分とのほぼ中心に位置する支持部材２３２にはスリット２３２Ａが設けられている。スリット２３２Ａを介して発光器２３４から受光器２３５に光Ｌが照射されるようになっている。スリット２３２Ａのスリット幅は１ｍｍであり、光Ｌは、スリット２３２Ａの枠に遮られることなく、当該幅を通り抜けられる。

続いて、温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下に制御されたチャンバー内に測定装置を収容した後、サンプル１０Ｓの他端に、０．２Ｎの荷重をかけるための重り２３３を取り付け、サンプル１０Ｓを上記環境内に２時間置く。２時間置いた後に、サンプル１０Ｓの幅を測定する。次に、０．２Ｎの荷重をかけるための重りを、０．６Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。最後に、１．０Ｎの荷重をかけるための重りに変更し、当該変更の５分後にサンプル１０Ｓの幅を測定する。
以上のとおり、重り２３３の重さを調整することによりサンプル１０Ｓの長手方向に加わる荷重を変化させることができる。各荷重が加えられた状態で、発光器２３４から受光器２３５に向けて光Ｌを照射し、長手方向に荷重が加えられたサンプル１０Ｓの幅を測定する。当該幅の測定は、サンプル１０Ｓがカールしていない状態で行われる。発光器２３４及び受光器２３５は、デジタル寸法測定器ＬＳ－７０００に備えられているものである。

（温度膨張係数α）

磁気記録媒体１０の温度膨張係数α［ｐｐｍ／℃］は、好ましくは５．５ｐｐｍ／℃≦α≦９ｐｐｍ／℃であり、より好ましくは５．９ｐｐｍ／℃≦α≦８ｐｐｍ／℃でありうる。温度膨張係数αが上記範囲内にあると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。

温度膨張係数αは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境にサンプル１０Ｓを２時間置く。その後、相対湿度２４％を保持したまま、４５℃、２９℃、及び１０℃の順で温度を変え、４５℃、２９℃、及び１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より温度膨張係数αを求める。これら温度での測定は、各温度への到達後２時間後に行われる。なお、２９℃の温度における測定は、測定において異常が生じていないかを確認するため（特にはこれら３つの測定結果が直線的になっていることを確認するため）に行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（４５℃）及びＤ（１０℃）はそれぞれ、温度４５℃及び１０℃におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（湿度膨張係数β）

磁気記録媒体１０の湿度膨張係数β［ｐｐｍ／％ＲＨ］は、好ましくはβ≦５．５ｐｐｍ／％ＲＨであり、より好ましくはβ≦５．２ｐｐｍ／％ＲＨであり、さらにより好ましくはβ≦５．０ｐｐｍ／％ＲＨでありうる。湿度膨張係数βが上記範囲内にあると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。

湿度膨張係数βは以下のようにして求められる。まず、寸法変化量Δｗの測定方法と同様にしてサンプル１０Ｓを作製し、寸法変化量Δｗの測定方法と同様の測定装置にサンプル１０Ｓをセットしたのち、測定装置を温度２９℃相対湿度２４％の一定環境に制御されたチャンバー内に収容する。次に、サンプル１０Ｓの長手方向に０．２Ｎの荷重をかけ、上記環境中にサンプル１０Ｓを２時間置く。その後、温度２９℃を保持したまま、８０％、２４％、１０％の順で相対湿度を変え、８０％、２４％、及び１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を測定し、以下の式より湿度膨張係数βを求める。これら湿度での測定は、各湿度に到達した直後に行われる。なお、２４％の湿度における測定は、測定において異常が生じていないかを確認するために行われるものであり、その測定結果は以下の式において用いられない。

（但し、式中、Ｄ（８０％）、Ｄ（１０％）はそれぞれ、相対温度８０％、１０％におけるサンプル１０Ｓの幅を示す。）

（ポアソン比ρ）

磁気記録媒体１０のポアソン比ρは、好ましくは０．２５≦ρであり、より好ましくは０．２９≦ρであり、さらにより好ましくは０．３≦ρでありうる。ポアソン比ρが上記範囲内であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整による磁気記録媒体１０の幅の変化をより行いやすくなる。

ポアソン比ρは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製したのち、そのサンプルの中央部に６ｍｍ×６ｍｍのサイズのマークを付与する。次に、チャック間の距離が１００ｍｍとなるようにサンプルの長手方向の両端部をチャックし、初期荷重２Ｎをかけ、その際のサンプルの長手方向のマークの長さを初期長とし、サンプルの幅方向のマークの幅を初期幅とする。続いて、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎで、インストロンタイプの万能引張試験装置にて引張り、キーエンス製イメージセンサーにて、サンプルの長手方向のマークの長さ及びサンプルの幅方向のマークの幅それぞれの寸法変化量を測定する。その後、以下の式よりポアソン比ρを求める。

（長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ）

磁気記録媒体１０の長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ［Ｎ］が、好ましくは０．７Ｎ≦σ_ＭＤであり、より好ましくは０．７５Ｎ≦σ_ＭＤであり、さらにより好ましくは０．８Ｎ≦σ_ＭＤでありうる。弾性限界値σ_ＭＤが上記範囲であると、記録再生装置による磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅の変化を更に抑制することができる。また、ドライブ側の制御がし易くなる。磁気記録媒体１０の長手方向の弾性限界値σ_ＭＤの上限値は特に限定されるものではないが、例えばσ_ＭＤ≦５.０Ｎである。弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らないことが好ましい。弾性限界値σ_ＭＤが上記速度Ｖに依らないことで、記録再生装置における磁気記録媒体１０の走行速度や、記録再生装置のテンション調整速度とその応答性に影響を受ける事無く、効果的に磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制できるからである。弾性限界値σ_ＭＤは、例えば、下地層１２、磁性層１３、及びバック層１４の硬化条件の選択、及び／又は、ベース層１１の材質の選択により所望の値に設定される。例えば、下地層形成用塗料、磁性層形成用塗料、及びバック層形成用塗料の硬化時間を長くするほど又は硬化温度を上げるほど、これらの各塗料に含まれるバインダと硬化剤の反応が促進する。これにより、弾性的な特徴が向上し、弾性限界値σ_ＭＤが向上する。

弾性限界値σ_ＭＤは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製し、チャック間距離λ_０がλ_０＝１００ｍｍとなるように、万能引張試験装置にサンプルの長手方向の両端をチャックする。次に、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎでサンプルを引張り、チャック間距離λ（ｍｍ）に対する荷重σ（Ｎ）を連続的に計測する。続いて、得られたλ（ｍｍ）、σ（Ｎ）のデータを用い、Δλ（％）とσ（Ｎ）の関係をグラフ化する。但し、Δλ（％）は以下の式により与えられる。
Δλ（％）＝（（λ－λ_０）／λ_０）×１００
次に、上記のグラフ中、σ≧０．２Ｎの領域で、グラフが直線となる領域を算出し、その最大荷重σを弾性限界値σ_ＭＤ（Ｎ）とする。

（磁性面とバック面との間の摩擦係数μ）

磁気記録媒体１０の前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μ（以下「層間摩擦係数μ」ともいう）は、好ましくは０．２０≦μ≦０．８０であり、より好ましくは０．２０≦μ≦０．７８であり、さらにより好ましくは０．２５≦μ≦０．７５である。前記摩擦係数μが上記範囲内にあると、磁気記録媒体１０のハンドリング性が向上する。例えば、前記摩擦係数μが上記範囲内にあると、例えば磁気記録媒体１０をリール（例えば図５のリール１０Ｃなど）に巻いたときに巻ズレが発生することを抑制できる。より具体的には、摩擦係数μが小さすぎる場合（例えばμ＜０．１８である場合）と、カートリッジリールに既に巻かれている磁気記録媒体１０のうち最外周に位置する部分の磁性面と、その外側に新たに巻こうとしている磁気記録媒体１０のバック面との間の層間摩擦が極端に低い状態となり、新たに巻こうとしている磁気記録媒体１０が、既に巻かれている磁気記録媒体１０のうち最外周に位置する部分の磁性面からズレやすくなる。したがって、磁気記録媒体１０の巻ズレが発生する。一方、摩擦係数μが大きすぎる場合（例えば０．８２＜μ又は０．８０＜μである場合）、ドライブ側リールの最外周から正に巻き出されようとしている磁気記録媒体１０のバック面と、その直下に位置する、未だドライブリールに巻かれたままの磁気記録媒体１０の磁性面との間の層間摩擦が極端に高い状態となり、上記バック面と上記磁性面とが貼り付いた状態となる。したがって、カートリッジリールへと向かう磁気記録媒体１０の動作が不安定となり、これにより磁気記録媒体１０の巻ズレが発生する。

前記摩擦係数μは以下のようにして求められる。まず、１インチ径の円柱に、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０をバック面を表にして巻き付け、磁気記録媒体１０を固定する。次に、この円柱に対し、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を今度は磁性面が接触する様に抱き角θ（°）＝１８０°＋１°～１８０°－１０°で接触させ、磁気記録媒体１０の一端を可動式ストレインゲージと繋ぎ、他方端にテンションＴ_０＝０．６（Ｎ）を付与する。可動式ストレインゲージを０．５ｍｍ／ｓにて８往復させた際の各往路でのストレインゲージの読みＴ_１（Ｎ）～Ｔ_８（Ｎ）を測定し、Ｔ_４～Ｔ_８の平均値をＴ_ａｖｅ（Ｎ）とする。その後、以下の式より摩擦係数μを求める。

（バック層の表面粗度Ｒ_ａｂ）

バック層１４の表面粗度（すなわち、バック面の表面粗度）Ｒ_ａｂ［ｎｍ］は、好ましくは７．５ｎｍ以下であり、より好ましくは７．２ｎｍ以下であり、さらにより好ましくは７．０ｎｍ以下、６．５ｎｍ以下、６．３ｎｍ以下、又は６．０ｎｍ以下である。また、前記表面粗度Ｒ_ａｂは、好ましくは３．０ｎｍ以上であり、より好ましくは３．２ｎｍ以上であり、さらにより好ましくは３．４ｎｍ以上である。バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが上記範囲内にあると、磁気記録媒体１０のハンドリング性を向上させることができる。また、磁気記録媒体１０の巻き取り時に、磁性層の表面に及ぼす影響を低減でき、電磁変換特性への悪影響を抑制することができる。ハンドリング性と電磁変換特性とは相反する特性であるが、上記数値範囲内の表面粗度Ｒ_ａｂが、これらの両立を可能とする。

バック面の表面粗度Ｒ_ａｂは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、そのバック面を上にしてスライドガラスに貼り付け（すなわち磁性面がスライドガラスに貼り付けられる）、サンプル片とする。次に、そのサンプル片のバック面を下記の光干渉を用いた非接触粗度計により、面粗度を測定する。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製非接触表面・層断面形状計測システムVertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ａｂ（ｎｍ）とする。

（長手方向の収縮率）

磁気記録媒体１０の長手方向の収縮率は、０．０８％以下であり、好ましくは０．０７％以下である。収縮率が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体を長期保存した場合にも、前記記録再生装置における使用への適性が変わらない。そのため、例えばオフトラック現象など、磁気記録にとって望ましくない現象が起こりにくくなる。また、前記長手方向の収縮率は、例えば０％以上であってよい。

前記収縮率は以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。当該サンプルの磁性層側の表面に、針で長手方向に２箇所、１５ｍｍ幅の圧痕をつけ、ＴＯＰＣＯＮ ＴＵＭ－２２０ＥＳ及びＣＯＲＤＩＮＡＴＥ ＣＯＭＰＵＴＥＲ ＣＡ－１Ｂを用いて、２点間の距離Ｌ１（ｍｍ）を計測する。次に、張力をかけない状態でサンプルを６０℃ＤＲＹの恒温槽で７２時間保存する。続いて、サンプルを恒温槽から取り出し、室温で１時間放置したのち、Ｌ１と同じ方法で、サンプルの２点間の距離Ｌ２（ｍｍ）を計測する。その後、以下の式より収縮率を求める。
収縮率（％）＝（（Ｌ１－Ｌ２）／Ｌ１）×１００
上述のようにして、１ｍのテープからほぼ等間隔に３本５０ｍｍ長さのサンプルを切り出し、３本のサンプルについて同様の測定を行い、各サンプルの収縮率（％）の平均値を長手方向の収縮率（％）とする。

なお、前記収縮率は、例えば以下のとおりに調整することができる。磁気記録媒体１０における収縮を抑制するために、例えば磁気記録媒体１０の塗布工程又は乾燥工程においてベース張力を調整することが行われてよく、又は、塗布工程において巻き取り張力を調整することが行われてもよい。また、磁気記録媒体１０に生じた収縮を緩和するために、例えば磁気記録媒体１０をカートリッジに収容した状態で５０℃５０％Ｒｈ環境で１週間保存することが行われてよく、又は、磁気記録媒体１０の硬化工程後の製造工程内で６０℃環境で３日間保存することが行われてもよい。

（長手方向の１％伸び荷重）

磁気記録媒体１０の長手方向の１％伸び荷重は、好ましくは０．６０Ｎ以下であり、より好ましくは０．５５Ｎ以下であり、より好ましくは０．５２Ｎ以下である。１％伸び荷重は、好ましくは０．２０Ｎ以上であり、より好ましくは０．３０Ｎ以上であり、さらにより好ましくは０．４０Ｎ以上でありうる。１％伸び荷重が上記数値範囲内にあることによって、前記記録再生装置における使用への適性が良くなる。

前記１％伸び荷重は以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１００ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。当該サンプルを、室温下にてＡＵＴＯＧＲＡＰＨ ＡＧ－１００Ｄ（島津製作所製）で引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎで０．５％伸び荷重（σ０．５）と１．５％伸び荷重（σ１．５）を測定し、σ１．５－σ０．５の値を１％伸び荷重（Ｎ）とする。

（保磁力Ｈｃ）

磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは２３０ｋＡ／ｍ以上３００ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以上２９０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃが２２０ｋＡ／ｍ以上であると、保磁力Ｈｃが十分な大きさとなるため、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲを得ることができる。一方、保磁力Ｈｃが３１０ｋＡ／ｍ以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が容易になるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの厚み方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）に測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３など）を払拭し、ベース層１１のみを残してバックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いてベース層１１の厚み方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）にベース層１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループからベース層１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（保磁力Ｈｃ（５０）と保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ）

５０℃にて磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃ（５０）と２５℃にて磁気記録媒体１０の厚み方向に測定した保磁力Ｈｃ（２５）との比率Ｒ（＝（Ｈｃ（５０）／Ｈｃ（２５））×１００）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９６％以上、更により好ましくは９７％以上、特に好ましくは９８％以上である。上記比率Ｒが９５％以上であると、保磁力Ｈｃの温度依存性が小さくなり、高温環境下におけるＳＮＲの劣化を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ（２５）は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。また、上記の保磁力Ｈｃ（５０）は、測定サンプル及びベース層１１のＭ－Ｈループの測定をいずれも５０℃にて行うこと以外は上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして求められる。

（長手方向に測定した角形比Ｓ１）

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは２７％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。

上記の角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトン又はエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３など）を払拭し、ベース層１１のみを残して、バックグラウンド補正用とし、ＶＳＭを用いてベース層１１の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応するベース層１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループからベース層１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）

磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７３％以上、更により好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。

角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０及びベース層１１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。なお、角形比Ｓ２の測定においては、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。

（ＳＦＤ）

磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、好ましくは３．０以上、より好ましくは５．０以上、更により好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図４参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子など）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。

上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ－Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ－Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）

活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、更により好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^－２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓ、及び磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体１０から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）

非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を作成する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）

まず、磁気記録媒体１０の厚み方向に磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトン及びエタノールなどを用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３など）を払拭し、ベース層１１のみを残して、バックグラウンド補正用として、ベース層１１のＭ－Ｈループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体１０全体のＭ－Ｈループからベース層１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法については後述する。

（磁気粘性係数Ｓ）

まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（算術平均粗さＲａ）

磁性面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。

上記の算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）（ブルカー製、Dimension Icon）を用いて磁性層１３が設けられている側の表面を観察して、断面プロファイルを取得する。次に、取得した断面プロファイルから、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して算術平均粗さＲａを求める。

（４）磁気記録媒体の製造方法

次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料及び下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、下地層形成用塗料をベース層１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層１３の形成後、ベース層１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

（５）記録再生装置

［記録再生装置の構成］

次に、図５を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。

記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。

記録再生装置は、図５に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。

スピンドル３１は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジも提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。

スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。

ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。

通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。

制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

また、制御装置３８は、ヘッドユニット３６から供給されるサーボ信号に基づき、磁気記録媒体１０の幅の変化を検出する。具体的には、磁気記録媒体１０にはサーボ信号として複数のハの字状のサーボパターンが記録されており、ヘッドユニット３６はヘッドユニット３６上の２つのサーボヘッドにより、異なる２つのサーボパターンを同時に再生し、其々のサーボ信号を得ることが出来る。このサーボ信号から得られる、サーボパターンとヘッドユニットとの相対位置情報を用いて、サーボパターンを追従する様に、ヘッドユニット３６の位置を制御する。これと同時に、２つのサーボ信号波形を比較する事で、サーボパターンの間の距離情報も得ることが出来る。各々の測定時に得られるこのサーボパターン間の距離情報を比較する事で、各々の測定時におけるサーボパターン間の距離の変化を得ることができる。これに、サーボパターン記録時のサーボパターン間の距離情報を加味する事で、磁気記録媒体１０の幅の変化も計算できる。制御装置３８は、上述のようにして得られたサーボパターン間の距離の変化、または計算した磁気記録媒体１０の幅の変化に基づき、スピンドル駆動装置３３及びリール駆動装置３４の回転駆動を制御し、磁気記録媒体１０の幅が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整する。これにより、磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制することができる。

［記録再生装置の動作］

次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。

まず、磁気記録カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。

次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。

（６）効果

第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０では、磁気記録媒体１０の平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、磁気記録媒体１０の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、長手方向の収縮率が０．０８％以下である。これにより、記録再生装置により磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体１０の幅の変化を抑制することができる。例えば磁気記録媒体１０の幅の変化をもたらしうる温湿度変化があったとしても、磁気記録媒体１０の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる。当該テンション調整による幅の変化の抑制は、長期保存後でも可能である。さらに、磁気記録媒体１０は、その厚みがｔ_Ｔ≦５．５μｍと薄いが、ハンドリング性に優れている。

（７）変形例

［変形例１］

磁気記録媒体１０が、図７に示すように、ベース層１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、環境に応じたベース層１１の寸法変化を抑える為の層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例としてベース層１１の吸湿性が挙げられ、バリア層１５によりベース層１１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層１５は、金属又は金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、及びＺｒＯ_２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを用いることもできる。

バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。

［変形例２］

磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。

［変形例３］

磁気記録媒体１０は、サーボライタによるサーボ信号書き込み処理に付されてもよい。当該サーボライタが、サーボ信号の記録時などに磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体１０の幅を一定又はほぼ一定に保ちうる。この場合、当該サーボライタは、磁気記録媒体１０の幅を検出する検出装置を備えうる。当該サーボライタは、当該検出装置の検出結果に基づき、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを調整しうる。

３．第２の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）

（１）磁気記録媒体の構成

第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、長尺状の垂直磁気記録媒体であり、図８に示すように、フィルム状のベース層１１１と、軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）１１２と、第１のシード層１１３Ａと、第２のシード層１１３Ｂと、第１の下地層１１４Ａと、第２の下地層１１４Ｂと、磁性層１１５とを備える。ＳＵＬ１１２、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂ、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂ、及び磁性層１１５は、例えば、スパッタリングにより形成された層（以下「スパッタ層」ともいう）などの真空薄膜でありうる。

ＳＵＬ１１２、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂ、及び第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、ベース層１１１の一方の主面（以下「表面」という。）と磁性層１１５との間に設けられ、ベース層１１１から磁性層１１５の方向に向かってＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂの順序で積層されている。

磁気記録媒体１１０が、必要に応じて、磁性層１１５上に設けられた保護層１１６と、保護層１１６上に設けられた潤滑層１１７とをさらに備えるようにしてもよい。また、磁気記録媒体１１０が、必要に応じて、ベース層１１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバック層１１８をさらに備えるようにしてもよい。

以下では、磁気記録媒体１１０の長手方向（ベース層１１１の長手方向）を機械方向（ＭＤ：Machine Direction）という。ここで、機械方向とは、磁気記録媒体１１０に対する記録及び再生ヘッドの相対的な移動方向、すなわち記録再生時に磁気記録媒体１１０が走行される方向を意味する。

第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体１１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ^２以上の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体１１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり１００ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。

第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型またはトンネル磁気抵抗効果（Tunneling Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドとを有する記録再生装置（データを記録再生するための記録再生装置）に用いて好適なものである。また、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、サーボ信号書込ヘッドとしてリング型の記録ヘッドが用いられるものであることが好ましい。磁性層１１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりデータ信号が垂直記録される。また、磁性層１１５には、例えばリング型の記録ヘッドによりサーボ信号が垂直記録される。

（２）各層の説明

（ベース層）

ベース層１１１については、第１の実施形態におけるベース層１１に関する説明が当てはまるので、ベース層１１１についての説明は省略する。

（ＳＵＬ）

ＳＵＬ１１２は、アモルファス状態の軟磁性材料を含む。軟磁性材料は、例えば、Ｃｏ系材料及びＦｅ系材料のうちの少なくとも１種を含む。Ｃｏ系材料は、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、又はＣｏＺｒＴａＮｂを含む。Ｆｅ系材料は、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、又はＦｅＣｏＴａを含む。

ＳＵＬ１１２は、単層のＳＵＬであり、ベース層１１１上に直接設けられている。ＳＵＬ１１２の平均厚みは、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

ＳＵＬ１１２の平均厚みは、第１の実施形態における磁性層１３の平均厚みの測定方法と同じ方法で求められる。なお、後述する、ＳＵＬ１１２以外の層の平均厚み（すなわち、第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂ、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂ、及び磁性層１１５の平均厚み）も、第１の実施形態における磁性層１３の平均厚みの測定方法と同じ方法で求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、各層の厚みに応じて適宜調整される。

（第１、第２のシード層）

第１のシード層１１３Ａは、Ｔｉ及びＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有している。また、この合金には、Ｏ（酸素）がさらに含まれていてもよい。この酸素は、スパッタリング法などの成膜法で第１のシード層１１３Ａを成膜する際に、第１のシード層１１３Ａ内に微量に含まれる不純物酸素であってもよい。

ここで、“合金”とは、Ｔｉ及びＣｒを含む固溶体、共晶体、及び金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。“アモルファス状態”とは、Ｘ線回折または電子線回折法などにより、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。

第１のシード層１１３Ａに含まれるＴｉ及びＣｒの総量に対するＴｉの原子比率は、好ましくは３０原子％以上１００原子％未満、より好ましくは５０原子％以上１００原子％未満の範囲内である。Ｔｉの原子比率が３０％未満であると、Ｃｒの体心立方格子（Body-Centered Cubic lattice：ｂｃｃ）構造の（１００）面が配向するようになり、第１のシード層１１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの配向性が低下する虞がある。

上記Ｔｉの原子比率は次のようにして求められる。磁性層１１５側から磁気記録媒体１１０をイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による第１のシード層１１３Ａの深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行う。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向におけるＴｉ及びＣｒの平均組成（平均原子比率）を求める。次に、求めたＴｉ及びＣｒの平均組成を用いて、上記Ｔｉの原子比率を求める。

第１のシード層１１３ＡがＴｉ、Ｃｒ、及びＯを含む場合、第１のシード層１１３Ａに含まれるＴｉ、Ｃｒ、及びＯの総量に対するＯの原子比率は、好ましくは１５原子％以下、より好ましくは１０原子％以下である。Ｏの原子比率が１５原子％を超えると、ＴｉＯ_２結晶が生成することにより、第１のシード層１１３Ａ上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶核形成に影響を与えるようになり、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの配向性が低下する虞がある。上記Ｏの原子比率は、上記Ｔｉの原子比率と同様の解析方法を用いて求められる。

第１のシード層１１３Ａに含まれる合金が、Ｔｉ及びＣｒ以外の元素を添加元素としてさらに含んでいてもよい。この添加元素は、例えば、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｌ、及びＷからなる群より選ばれる１種以上の元素であってよい。

第１のシード層１１３Ａの平均厚みは、好ましくは２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

第２のシード層１１３Ｂは、例えば、ＮｉＷ又はＴａを含み、結晶状態を有している。第２のシード層１１３Ｂの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。

第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂは、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂに類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられるシード層ではなく、当該第１、第２のシード層１１３Ａ、１１３Ｂのアモルファス状態によって第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの垂直配向性を向上するシード層である。

（第１、第２の下地層）

第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、磁性層１１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁性層１１５がＣｏ系合金を含む場合には、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。これは、磁性層１１５の配向性を高め、且つ、第２の下地層１１４Ｂと磁性層１１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えばＲｕ－ＳｉＯ_２、Ｒｕ－ＴｉＯ_２、及びＲｕ－ＺｒＯ_２などのＲｕ合金酸化物が挙げられ、Ｒｕ合金はこれらのうちのいずれか一つであってよい。

上述のように、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの材料として同様のものを用いることができる。しかしながら、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂそれぞれの目的とする効果が異なっている。具体的には、第２の下地層１１４Ｂについてはその上層となる磁性層１１５のグラニュラ構造を促進する膜構造であり、第１の下地層１１４Ａについては結晶配向性の高い膜構造である。このような膜構造を得るためには、第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂそれぞれのスパッタ条件などの成膜条件を異なるものとすることが好ましい。

第１の下地層１１４Ａの平均厚みは、好ましくは３ｎｍ以上１５ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。第２の下地層１１４Ｂの平均厚みは、好ましくは７ｎｍ以上４０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。

（磁性層）

磁性層（記録層ともいう）１１５は、磁性材料が垂直に配向した垂直磁気記録層でありうる。磁性層１１５は、記録密度を向上する観点からすると、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ_２などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁性層１１５を構成することができる。

Ｃｏ系合金は、六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、Ｃｒ、及びＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、さらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、Ｎｉ及びＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。

強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含む。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物及び金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、及びＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ_２）を含む金属酸化物が好ましい。金属酸化物の具体例としては、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、及びＨｆＯ_２などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、及びＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。金属窒化物の具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮ、及びＡｌＮなどが挙げられる。

強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（１）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
（Ｃｏ_ｘＰｔ_ｙＣｒ_{１００－ｘ－ｙ}）_{１００－ｚ}－（ＳｉＯ_２）_ｚ・・・（１）
（但し、式（１）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値である。）

なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁性層１１５側から磁気記録媒体１１０をイオンミリングしながら、ＡＥＳによる磁性層１１５の深さ方向分析を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ、及びＯの平均組成（平均原子比率）を求める。

磁性層１１５の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］は、好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍ、より好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦２０ｎｍ、更により好ましくは９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１５ｎｍである。磁性層１１５の平均厚みｔ_ｍが上記数値範囲内にあることによって、電磁変換特性を向上することができる。

（保護層）

保護層１１６は、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含み、保護層１１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含むことが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）、又はダイヤモンドなどが挙げられる。

（潤滑層）

潤滑層１１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含む。潤滑層１１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤など、をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基であり、Ｅｓはエステル結合であり、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）

上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）又は（３）で表されるものであることが好ましい。
一般式（２）：

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基である。）
一般式（３）：

（式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素基又は炭化水素基である。）

潤滑剤は、上記の一般式（２）及び（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含むことが好ましい。

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁性層１１５または保護層１１６などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０であることが好ましい。Ｒｆ基は、例えば飽和又は不飽和の直鎖、分岐鎖、又は環状の炭化水素基であってよいが、好ましくは飽和の直鎖状炭化水素基でありうる。

例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：

（但し、一般式（４）において、ｌは、８～３０、より望ましくは１２～２０の範囲から選ばれる整数である。）

また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：

（但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から互いに独立に選ばれる整数で、ｍ＝２～２０、ｎ＝３～１８、より望ましくは、ｍ＝４～１３、ｎ＝３～１０である。）

フッ化炭化水素基は、上記のように分子内の１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、－ＣＦ_３や－ＣＦ_２－ばかりでなく－ＣＨＦ_２や－ＣＨＦ－等であってもよい。
一般式（６）：

（但し、一般式（５）及び（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）

一般式（４）、（５）、及び（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。

特に、一般式（１）、（２）、及び（３）におけるＲｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐことが好ましい。

また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであってもよい。

一般式（１）におけるＲ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であることが好ましい。

また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、及びハロゲンから選ばれる１又は複数の元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含むことが好ましい。
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
C₁₇H₃₅COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(C₁₈H₃₇)COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CHF₂(CF₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₂OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₁OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₆OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
C₁₈H₃₇OCOCH₂CH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₄COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₃(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₉(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇(CH₂)₁₂COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₅(CH₂)₁₀COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₉H₁₉)CH₂CH=CH(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CF₃(CF₂)₇CH(C₆H₁₃)(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH
CH₃(CH₂)₃(CH₂CH₂CH(CH₂CH₂(CF₂)₉CF₃))₂(CH₂)₇COOCH(COOH)CH₂COOH

一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、例えば炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、及びエステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、前記汎用溶剤として、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、及びシクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。

保護層１１６が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１１６上に塗布すると、保護層１１６上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１１７を形成することができる。

なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体１１０の表面に潤滑層１１７として保持されるのみならず、磁気記録媒体１１０を構成する磁性層１１５及び保護層１１６などの層に含まれ、保有されていてもよい。

（バック層）

バック層１１８については、第１の実施形態におけるバック層１４に関する説明が当てはまる。

（３）物性及び構造

上記２．の（３）において述べた物性及び構造に関する説明の全てが、第２の実施形態についても当てはまる。例えば、磁気記録媒体１１０の平均厚みｔ_Ｔ、寸法変化量Δｗ、温度膨張係数α、湿度膨張係数β、ポアソン比ρ、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ、磁性面とバック面との間の摩擦係数μ、バック層１１８の表面粗度Ｒ_ａｂ、長手方向の収縮率、及び長手方向の１％伸び荷重は、第１の実施形態におけるものと同様であってよい。そのため、第２の実施形態の磁気記録媒体の物性及び構造についての説明は省略する。

（４）スパッタ装置の構成

以下、図９を参照して、第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０の製造に用いられるスパッタ装置１２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置１２０は、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ及び磁性層１１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図９に示すように、成膜室１２１と、金属キャン（回転体）であるドラム１２２と、カソード１２３ａ～１２３ｆと、供給リール１２４と、巻き取りリール１２５と、複数のガイドロール１２７ａ～１２７ｃ、１２８ａ～１２８ｃとを備える。スパッタ装置１２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。

成膜室１２１は、排気口１２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室１２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室１２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム１２２、供給リール１２４、及び巻き取りリール１２５が配置されている。成膜室１２１の内部には、供給リール１２４とドラム１２２との間におけるベース層１１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール１２７ａ～１２７ｃが設けられていると共に、ドラム１２２と巻き取りリール１２５との間におけるベース層１１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール１２８ａ～１２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール１２４から巻き出されたベース層１１１が、ガイドロール１２７ａ～１２７ｃ、ドラム１２２、及びガイドロール１２８ａ～１２８ｃを介して巻き取りリール１２５に巻き取られる。ドラム１２２は円柱状の形状を有し、長尺状のベース層１１１はドラム１２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム１２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば－２０℃程度に冷却される。成膜室１２１の内部には、ドラム１２２の周面に対向して複数のカソード１２３ａ～１２３ｆが配置されている。これらのカソード１２３ａ～１２３ｆにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ、１２３ｆにはそれぞれ、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、磁性層１１５を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード１２３ａ～１２３ｆにより複数の種類の膜、すなわちＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、及び磁性層１１５が同時に成膜される。

上述の構成を有するスパッタ装置１２０では、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、及び磁性層１１５をRolltoRoll法により連続成膜することができる。

（５）磁気記録媒体の製造方法

第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。

まず、図９に示したスパッタ装置１２０を用いて、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、及び磁性層１１５をベース層１１１の表面上に順次成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室１２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室１２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード１２３ａ～１２３ｆにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、及び磁性層１１５が、走行するベース層１１１の表面に順次成膜される。

スパッタ時の成膜室１２１の雰囲気は、例えば、１×１０^－５Ｐａ～５×１０^－５Ｐａ程度に設定される。ＳＵＬ１１２、第１のシード層１１３Ａ、第２のシード層１１３Ｂ、第１の下地層１１４Ａ、第２の下地層１１４Ｂ、及び磁性層１１５の膜厚及び特性は、ベース層１１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスなどのプロセスガスの圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御可能である。

次に、磁性層１１５上に保護層１１６を成膜する。保護層１１６の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（Physical Vapor Deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。

次に、結着剤、無機粒子、及び潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バック層成膜用の塗料を調製する。次に、ベース層１１１の裏面上にバック層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１１８をベース層１１１の裏面上に成膜する。

次に、例えば潤滑剤を保護層１１６上に塗布し、潤滑層１１７を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体１１０を所定の幅に裁断する。以上により、図８に示した磁気記録媒体１１０が得られる。

（６）効果

第２の実施形態に係る磁気記録媒体１１０では、第１の実施形態と同様に、記録再生装置により磁気記録媒体１１０の長手方向のテンションを調整することで、磁気記録媒体１１０の幅の変化を抑制することができる。例えば磁気記録媒体１１０の幅の変化をもたらしうる温湿度変化があったとしても、磁気記録媒体１１０の幅を一定又はほぼ一定に保つことができる。当該テンション調整による幅の変化の抑制は、長期保存後であっても可能である。さらに、磁気記録媒体１１０の厚みはｔ_Ｔ≦５．５μｍと薄いが、ハンドリング性に優れている。

（７）変形例

磁気記録媒体１１０が、ベース層１１１とＳＵＬ１１２との間に下地層をさらに備えるようにしてもよい。ＳＵＬ１１２はアモルファス状態を有するため、ＳＵＬ１１２上に形成される層のエピタキシャル成長を促す役割を担わないが、ＳＵＬ１１２の上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶配向を乱さないことが求められる。そのためには、軟磁性材料がカラムを形成しない微細な構造を有していることが好ましいが、ベース層１１１からの水分などのガスの放出の影響が大きい場合、軟磁性材料が粗大化し、ＳＵＬ１１２上に形成される第１、第２の下地層１１４Ａ、１１４Ｂの結晶配向を乱してしまう虞がある。ベース層１１１からの水分などのガスの放出の影響を抑制するためには、上述のように、ベース層１１１とＳＵＬ１１２との間に、Ｔｉ及びＣｒを含む合金を含み、アモルファス状態を有する下地層を設けることが好ましい。この下地層の具体的な構成としては、第２の実施形態の第１のシード層１１３Ａと同様の構成を採用することができる。

磁気記録媒体１１０が、第２のシード層１１３Ｂ及び第２の下地層１１４Ｂのうちの少なくとも１つの層を備えていなくてもよい。但し、ＳＮＲの向上の観点からすると、第２のシード層１１３Ｂ及び第２の下地層１１４Ｂの両方の層を備えることがより好ましい。

磁気記録媒体１１０が、単層のＳＵＬに代えて、ＡＰＣ－ＳＵＬ（Antiparallel Coupled ＳＵＬ）を備えるようにしてもよい。

４．第３の実施形態（真空薄膜型の磁気記録媒体の例）

（磁気記録媒体の構成）

第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、図１０に示すように、ベース層１１１と、ＳＵＬ１１２と、シード層１３１と、第１の下地層１３２Ａと、第２の下地層１３２Ｂと、磁性層１１５とを備える。なお、第３の実施形態において第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

ＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１、第２の下地層１３２Ａ、１３２Ｂは、ベース層１１１の一方の主面と磁性層１１５との間に設けられ、ベース層１１１から磁性層１１５の方向に向かってＳＵＬ１１２、シード層１３１、第１の下地層１３２Ａ、第２の下地層１３２Ｂの順序で積層されている。

（シード層）

シード層１３１は、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面がベース層１１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。

シード層１３１のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層１３１のＸ線回折の強度比率は、シード層１３１のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層１３１の平均厚みＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。

シード層１３１に含まれるＣｒ、Ｎｉ、及びＦｅは、以下の式（２）で表される平均組成を有することが好ましい。
Ｃｒ_Ｘ（Ｎｉ_ＹＦｅ_{１００－Ｙ}）_{１００－Ｘ}・・・（２）
（但し、式（２）中において、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）Ｘが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。同様にＹが上記範囲内であると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

シード層１３１の平均厚みは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層１３１の平均厚みをこの範囲内にすることで、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向を向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、シード層１３１の平均厚みは、第１の実施形態における磁性層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、シード層１３１の厚みに応じて適宜調整される。

（第１、第２の下地層）

第１の下地層１３２Ａは、面心立方格子構造を有するＣｏ及びＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。Ｃｏ及びＯを含む第１の下地層１３２Ａでは、Ｒｕを含む第２の下地層１３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１以上であると、第１の下地層１３２Ａを設ける効果が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体１３０の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体１３０の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、磁性層１１５の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、第１の下地層１３２Ａのカラム構造の傾きの影響で、磁性層１１５の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体１３０においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体１３０の長手方向に磁性層１１５の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体１３０の幅方向に磁性層１１５の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体１３０の長手方向に磁性層１１５の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように第１の下地層１３２Ａのカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体１３０の長手方向とすることが好ましい。

カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、第１の下地層１３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、第１の下地層１３２Ａに含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。

カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、磁性層１１５に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が低下する虞がある。一方、平均粒径が１３ｎｍ以下であると、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。

第１の下地層１３２Ａの平均厚みは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。第１の下地層１３２Ａの平均厚みが１０ｎｍ以上であると、第１の下地層１３２Ａの面心立方格子構造の（１１１）配向が向上し、より良好なＳＮＲを得ることができる。一方、第１の下地層１３２Ａの平均厚みが１５０ｎｍ以下であると、カラムの粒径が大きくなることを抑制できる。したがって、ノイズを抑制し、より良好なＳＮＲを得ることができる。なお、第１の下地層１３２Ａの平均厚みは、第１の実施形態における磁性層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第１の下地層１３２Ａの厚みに応じて適宜調整される。

第２の下地層１３２Ｂは、磁性層１１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁性層１１５がＣｏ系合金を含む場合には、第２の下地層１３２Ｂは、Ｃｏ系合金と同様の六方最密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。磁性層１１５の配向性を高め、かつ、第２の下地層１３２Ｂと磁性層１１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方最密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ－ＳｉＯ_２、Ｒｕ－ＴｉＯ_２またはＲｕ－ＺｒＯ_２などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。

第２の下地層１３２Ｂの平均厚みは、一般的な磁気記録媒体における下地層（例えばＲｕを含む下地層）よりも薄くてもよく、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが可能である。第２の下地層１３２Ｂの下に上述の構成を有するシード層１３１及び第１の下地層１３２Ａを設けているので、第２の下地層１３２Ｂの平均厚みが上述のように薄くても良好なＳＮＲが得られる。なお、第２の下地層１３２Ｂの平均厚みは、第１の実施形態における磁性層１３と同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、第２の下地層１３２Ｂの厚みに応じて適宜調整される。

（効果）

第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０では、第１の実施形態と同様に、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションの調整により、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。

第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０は、ベース層１１１と第２の下地層１３２Ｂとの間にシード層１３１及び第１の下地層１３２Ａを備えている。シード層１３１は、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面がベース層１１１の表面に平行になるように優先配向している。第１の下地層１３２Ａは、Ｃｏ及びＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、第２の下地層１３２Ｂの厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する磁性層１１５を実現できる。

第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕは、磁性層１１５の主成分であるＣｏと同じ六方最密格子構造を有する。このため、Ｒｕには、磁性層１１５の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、第２の下地層１３２Ｂに含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、第２の下地層１３２Ｂの下に第１の下地層１３２Ａ及びシード層１３１を設けている。第３の実施形態に係る磁気記録媒体１３０においては、Ｒｕを含む第２の下地層１３２Ｂとほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む第１の下地層１３２Ａで実現している。このため、第２の下地層１３２Ｂの厚さを薄くできる。また、第１の下地層１３２Ａの結晶配向を高めるために、Ｃｒ、Ｎｉ、及びＦｅを含むシード層１３１を設けている。

５．実施例

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例及び比較例において、磁気テープの平均厚みｔ_Ｔ、磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量Δｗ、磁気テープの温度膨張係数α、磁気テープの湿度膨張係数β、磁気テープのポアソン比ρ、磁気テープの長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ、磁性層の平均厚みｔ_ｍ、角形比Ｓ２、バック層の平均厚みｔ_ｂ、バック層の表面粗度Ｒ_ａｂ、磁性面とバック面の層間摩擦係数μ、長手方向の収縮率、及び長手方向の１％伸び荷重は、第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。但し、後述するように、実施例１１では、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤを測定する際の速度Ｖを、第１の実施形態にて説明した測定方法とは異なる値とした。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
ε酸化鉄ナノ粒子（ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶粒子）の粉末：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭カーボン株式会社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である長尺のポリエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）上に平均厚み１．０μｍの下地層、及び平均厚みｔ_ｍが９０ｎｍの磁性層を以下のようにして形成した。まず、フィルム上に、下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、フィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を６５％に設定した。

続いて、下地層及び磁性層が形成されたフィルムに対して、平均厚みｔ_ｂが０．６μｍのバック層を塗布し乾燥させた。そして、下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムに対して硬化処理を行った。続いて、カレンダー処理を行い、磁性層表面を平滑化した。この際、磁性面とバック面の層間摩擦係数μが約０．５となるように、カレンダー処理の条件（温度）を調整した後、再硬化処理を施し、平均厚みｔ_Ｔが５．５μｍの磁気テープが得られた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、コアに巻き取ってパンケーキを得た。

以上のとおりにして得られた磁気テープは、表１に示す特性を有した。例えば、当該磁気テープの寸法変化量Δｗは７０５ｐｐｍ／Ｎであり、且つ、長手方向の収縮率は０．０５％であった。

［実施例２］
寸法変化量Δｗが７５０ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５μｍであった。

［実施例３］
寸法変化量Δｗが８００ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし且つバック層及び下地層の平均厚みを薄くしたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは４．５μｍであった。

［実施例４］
寸法変化量Δｗが８００ｐｐｍ／Ｎとなるように実施例１よりもＰＥＮフィルムの厚みを薄くし、バック層及び下地層の平均厚みを薄くし、且つ、下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化処理条件を調整したこと以外は、実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例５］
温度膨張係数αが８．０ｐｐｍ／℃となるように下地層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例６］
湿度膨張係数βが３．０ｐｐｍ／％ＲＨとなるようにＰＥＮフィルムの両表面に薄いバリア層を形成したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例７］
ポアソン比ρが０．３１となるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例８］
ポアソン比ρが０．３５となるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例４と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例９］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが０．８Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１０］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが３．５Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件及び再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１１］
実施例９と同様にして磁気テープを得た。そして、得られた磁気テープの弾性限界値σ_ＭＤを、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤを測定する際の速度Ｖを５ｍｍ／ｍｉｎに変更して測定した。その結果、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤは、上記速度Ｖが０．５ｍｍ／ｍｉｎの長手方向の弾性限界値σ_ＭＤ（実施例９）に対して変化はなく０．８であった。

［実施例１２］
磁性層の平均厚みｔ_ｍが４０ｎｍとなるように磁性層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１３］
（ＳＵＬの成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性支持体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、平均厚み１０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層（ＳＵＬ）を成膜した。なお、高分子フィルムとしては、ＰＥＮフィルムを用いた。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ

（第１のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＣｏＺｒＮｂ層上に平均厚み５ｎｍのＴｉＣｒ層（第１のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＴｉＣｒターゲット
到達真空度：５×１０^－５Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２のシード層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＴｉＣｒ層上に平均厚み１０ｎｍのＮｉＷ層（第２のシード層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
到達真空度：５×１０^－５Ｐａ
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第１の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、ＮｉＷ層上に平均厚み１０ｎｍのＲｕ層（第１の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ

（第２の下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚み２０ｎｍのＲｕ層（第２の下地層）を成膜した。
スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（磁性層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、Ｒｕ層上に平均厚み９ｎｍの（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ_２）層（磁性層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ_２）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ

（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、磁性層上に平均厚み５ｎｍのカーボン層（保護層）を成膜した。
成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ

（潤滑層の成膜工程）
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。

（バック層の成膜工程）
次に、磁性層とは反対側の面に、バック層形成用塗料を塗布し乾燥することにより、平均厚みｔ_ｂが０．３μｍのバック層を形成した。これにより、平均厚みｔ_Ｔが４．０μｍの磁気テープが得られた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。

以上のとおりにして得られた磁気テープは、表１に示す特性を有した。例えば、当該磁気テープの寸法変化量Δｗは８００ｐｐｍ／Ｎであり、且つ、長手方向の収縮率は０．０７％であった。

［実施例１４］
バック層の厚みを０．２μｍに変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの平均厚みは４．４μｍであった。

［実施例１５］
バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが３．４ｎｍとなるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１６］
摩擦係数μが０．２０となるようにカレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１７］
バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが３．２ｎｍとなるようにバック層形成用塗料の組成を変更し、摩擦係数μが０．７８となるようにカレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１８］
磁性層の平均厚みｔ_ｍが１１０ｎｍとなるように磁性層形成用塗料の塗布厚を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例１９］
バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが７．２ｎｍとなるようにバック層形成用塗料の組成を変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２０］
摩擦係数μが０．１８となるようにカレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２１］
摩擦係数μが０．８２となるようにカレンダー処理の条件（温度）を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２２］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を７３％に設定したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２３］
磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間を調整し磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ２を８０％に設定したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２４］
長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが５Ｎとなるように下地層、磁性層、及びバック層が形成されたフィルムの硬化条件並びに再硬化条件を調整したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２５］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）ナノ粒子を用いたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２６］
寸法変化量Δｗが６７０［ｐｐｍ／Ｎ］となるようにＰＥＮフィルムのテンシライズを変更したこと以外は実施例２５と同じ方法で磁気テープを得た。

［実施例２７］
寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるようにＰＥＮフィルムのテンシライズを変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。

［比較例１］
寸法変化量Δｗが６５０［ｐｐｍ／Ｎ］となるようにＰＥＮフィルムのテンシライズを変更し、塗布工程での巻き取り張力を上げたこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの長手方向の収縮率は０．０９％であった。

［比較例２］
塗布工程での巻き取り張力を上げたこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの長手方向の収縮率は０．１１％であった。

［比較例３］
ε酸化鉄ナノ粒子に代えてバリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）ナノ粒子を用い、寸法変化量Δｗが６３０［ｐｐｍ／Ｎ］となるようにＰＥＮフィルムのテンシライズを変更したこと以外は実施例７と同じ方法で磁気テープを得た。当該磁気テープの平均厚みｔ_Ｔは５．７μｍであった。

（テープ幅の変化量の判定）
まず、１／２インチ幅の磁気テープを組み込んだカートリッジサンプルを準備した。当該カートリッジサンプルには、カートリッジケース内に設けられたリールに前記磁気テープが巻き付けられて収容されていた。なお、磁気テープには、ハの字の磁気パターンの列を、互いに既知の間隔（以下、「予め記録した際の既知の磁気パターン列の間隔」という。）で、長手方向に平行に２列以上予め記録した。次に、カートリッジサンプルを記録再生装置で往復走行をさせた。そして、往復走行時に上記のハの字の磁気パターン列の２列以上を同時に再生し、それぞれの列の再生波形の形状から、走行時の磁気パターン列の間隔を連続的に計測した。尚、走行時には、この計測された磁気パターン列の間隔情報に基づき、スピンドル駆動装置とリール駆動装置の回転駆動を制御し、磁気パターン列の間隔が規定の幅、またはほぼ規定の幅となるように、磁気テープの長手方向のテンションを自動で調整する様にした。この磁気パターン列の間隔の１往復分全ての計測値を単純平均したものを「計測された磁気パターン列の間隔」とし、これと「予め記録した際の既知の磁気パターン列の間隔」の差分を「テープ幅の変化」とした。

また、記録再生装置による往復走行は、恒温恒湿槽中で行った。往復走行の速度は５ｍ／ｓｅｃであった。往復走行中の温湿度は、上記の往復走行とは独立に、温度範囲１０℃～４５℃、相対湿度範囲１０％～８０％で、予め組まれた環境変化プログラム（例：１０℃１０％→２９℃８０％→１０℃１０％を２回繰り返す。１０℃１０％から２９℃８０％へ２時間で変化させ、且つ、２９℃８０％→１０℃１０％へ２時間で変化させる。）に従って、徐々に且つ繰り返し変化させた。

この評価を、「予め組まれた環境変化プログラム」が終了するまで繰り返した。評価終了後、各往復時に得られた「テープ幅の変化」それぞれの絶対値全てを用いて平均値（単純平均）を計算し、その値をそのテープの「実効的なテープ幅の変化量」とした。この「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離（小さい程望ましい）に従った判定を各テープに対して行い、８段階の判定値をそれぞれ付与した。なお、評価“８”が最も望ましい判定結果を示し、評価“１”が最も望ましくない判定結果を示すものとした。前記８段階のいずれかの評価を有する磁気テープは、テープ走行時に以下の状態が観察される。
８：何も異常が発生しない。
７：走行時に、軽度のエラーレートの上昇がみられる。
６：走行時に、重度のエラーレートの上昇がみられる。
５：走行時に、サーボ信号が読めず軽度（１～２回）の再読み込みがかかる。
４：走行時に、サーボ信号が読めず中度（１０回以内）の再読み込みがかかる。
３：走行時に、サーボ信号が読めず重度（１０回超）の再読み込みがかかる。
２：サーボが読めず、システムエラーで時々停止する。
１：サーボが読めず、システムエラーで即時に停止する。

さらに、磁気テープをカートリッジに組み込んだ状態で、５０℃５０％Ｒｈ環境にて１週間保存した後、再度同じの判定を行った。

（電磁変換特性の評価）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
head:GMR
headspeed : 2m/s
signal : 単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流

次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyzer）によりスパン（SPAN）0～20MHz（resolution band width=100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたfloor noiseを積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。次に、上述のようにして得られたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、電磁変換特性の良否を以下のようにして判定した。
より良好：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））よりも１ｄＢ以上良い。
良好：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））と同等、もしくはこのＳＮＲ（＝０（ｄＢ））を超える。
不良：磁気テープのＳＮＲが評価基準サンプル（比較例１）のＳＮＲ（＝０（ｄＢ））未満である。

（巻ズレの評価）
まず、上記の“テープ幅の変化量の判定”後のカートリッジサンプルを準備した。次に、カートリッジサンプルからテープが巻かれたリールを取り出し、巻かれたテープの端面を目視にて観察した。なお、リールにはフランジがあり、少なくとも１つのフランジは透明または半透明であり、内部のテープ巻き状態をフランジ越しに観察することができる。

観察の結果、テープの端面が平坦でなく、段差やテープの飛び出しがある場合、テープの巻ズレがあるものとした。また、これらの段差やテープの飛び出しが複数個観察される程、「巻ズレ」は悪いものとした。上記の判定をサンプル毎に行った。各サンプルの巻ズレ状態を、リファレンスメディアとしての比較例１の巻ズレ状態と比較し、良否を以下のようにして判定した。
良好：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態と同等もしくは少ない場合。
不良：サンプルの巻ズレ状態が、基準サンプル（比較例１）の巻ズレ状態とより多い場合。

表１は、実施例１～２２及び比較例１～５の磁気テープの構成及び評価結果を示す。

なお、表１中の各記号は、以下の測定値を意味する。
ｔ_Ｔ：磁気テープの厚み（単位：μｍ）
Δｗ：磁気テープの長手方向のテンション変化に対する磁気テープの幅方向の寸法変化量（単位：ｐｐｍ／Ｎ）
α：磁気テープの温度膨張係数（単位：ｐｐｍ／℃）
β：磁気テープの湿度膨張係数（単位：ｐｐｍ／％ＲＨ）
ρ：磁気テープのポアソン比
σ_ＭＤ：磁気テープの長手方向の弾性限界値（単位：Ｎ）
Ｖ：弾性限界測定を行う際の速度（単位：ｍｍ／ｍｉｎ）
ｔ_ｍ：磁性層の平均厚み（単位：ｎｍ）
Ｓ２：磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比（単位：％）
ｔ_ｂ：バック層の平均厚み（単位：μｍ）
Ｒ_ａｂ：バック層の表面粗度（単位：ｎｍ）
μ：磁性面とバック面の層間摩擦係数

表１に示される結果より、以下のことが分かる。

実施例１～２７の磁気テープはいずれも、保存前後においてテープ幅の変化量の判定結果が４以上であった。（すなわち「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離が小さい）よって、本技術に従う磁気記録媒体は、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用に適していることがわかる。
また、当該記録再生装置への適性が、前記保存の前後でほぼ変わらない。そのため、前記記録再生装置への適性が、長期間にわたって安定的に維持されることも分かる。

実施例１～２７についてのテープ幅の変化量の判定結果より、磁気記録テープの寸法変化量Δｗが６５０ｐｐｍ／Ｎ以上、より好ましくは７００ｐｐｍ／Ｎ以上、より好ましくは７５０ｐｐｍ／Ｎ以上、さらにより好ましくは８００ｐｐｍ／Ｎ以上であることによって、当該磁気記録テープは、長手方向のテンションを調整する記録再生装置における使用（特には当該テンションの調整によるテープの幅の調整）により適したものとなることが分かる。

実施例１と比較例１とを対比すると、実施例１の磁気テープは、長手方向の収縮率が０．０５％であり、保存後のテープ幅の変化量の判定結果が４である一方で、比較例１の磁気テープは、長手方向の収縮率が０．０９％であり、保存後のテープ幅の変化量の判定結果が１であった。また、実施例７と比較例２とを対比すると、実施例７の磁気テープは、長手方向の収縮率が０．０７％であり、保存後のテープ幅の変化量の判定結果が６である一方で、比較例２の磁気テープは、長手方向の収縮率が０．１１％であり、保存後のテープ幅の変化量の判定結果が１であった。そのため、磁気記録テープの長手方向の収縮率が０．０８％以下、好ましくは０．０７％以下であることによって、当該磁気記録テープは、保存による前記記録再生装置への適性の劣化を抑制できることがわかる。

実施例３～６等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、温度膨張係数αが５．９ｐｐｍ／℃≦α≦８ｐｐｍ／℃であることが好ましいことがわかる。また、実施例３～６等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、湿度膨張係数βがβ≦５ｐｐｍ／％ＲＨであることが好ましいことがわかる。

実施例７、９、１０等の評価結果の比較から、「実効的なテープ幅の変化量」の理想からの乖離を抑制する観点からすると、長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．８Ｎ≦σ_ＭＤであることが好ましいことがわかる。
実施例９及び１１の比較から、弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに寄らないことが分かる。

実施例７及び１８の評価結果の比較から、電磁変換特性を良好にする観点からは、磁性層の厚みが１００ｎｍ以下、特には９０ｎｍ以下であることが好ましいことがわかる。

実施例７、１５、１７、１９等の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、好ましくは３．２ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．２ｎｍであることがわかる。

実施例７、１６、１７、２０、及び２１の評価結果を相互に比較すると、巻ずれを抑制する観点からは、摩擦係数μは、０．１８＜μ＜０．８２、特には０．２０≦μ≦０．８０、より特には０．２０≦μ≦０．７８、さらにより特には０．２５≦μ≦０．７５であることが好ましいことがわかる。

実施例７、２２、２３の評価結果の比較から、電磁変換特性の向上の観点からすると、垂直方向における磁気テープの角形比Ｓ２が７３％以上、特には８０％以上であることが好ましいことがわかる。

実施例７、２５、２６等の評価結果の比較から、磁性粒子としてバリウムフェライトナノ粒子を用いた場合にも、磁性粒子としてε酸化鉄ナノ粒子を用いた場合と同様の評価結果が得られることがわかる。

実施例１３と他の実施例の結果との比較から、真空薄膜型（スパッタタイプ）の磁気記録テープであっても、塗布型の磁気記録テープと同様の評価結果が得られることが分かる。

以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、
長手方向のテンション変化に対する幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、
前記長手方向の収縮率が、０．０８％以下である、
磁気記録媒体。
〔２〕垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕前記寸法変化量Δｗが、７００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕前記寸法変化量Δｗが、７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔５〕前記寸法変化量Δｗが、８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗである、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔６〕前記収縮率が、０．０７％以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕前記磁気記録媒体が、バック層を備え、
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍである、〔１〕～〔６〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕前記磁気記録媒体が、磁性層及びバック層を備え、
前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である、〔１〕～〔７〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕長手方向の１％伸び荷重が、０．６０Ｎ以下である、〔１〕～〔８〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１０〕温度膨張係数αが、５．５ｐｐｍ／℃≦α≦９ｐｐｍ／℃であり、且つ、
湿度膨張係数βが、β≦５．５ｐｐｍ／％ＲＨである、
〔１〕～〔９〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕ポアソン比ρが、０．２５≦ρである、〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．７Ｎ≦σ_ＭＤである、〔１〕～〔１１〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１３〕前記弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない、〔１２〕に記載の磁気記録媒体。
〔１４〕前記磁気記録媒体が、磁性層を備え、
前記磁性層が垂直配向しているものである、〔１〕～〔１３〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕前記磁気記録媒体が、バック層を備え、
前記バック層の平均厚みｔ_ｂが、ｔ_ｂ≦０．６μｍである、〔１〕～〔１４〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕前記磁気記録媒体が、磁性層を備え、
前記磁性層がスパッタ層である、〔１〕～〔１５〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが、９ｎｍ≦ｔ_ｍ≦９０ｎｍである、〔１６〕に記載の磁気記録媒体。
〔１８〕前記磁気記録媒体が、磁性層を備え、
前記磁性層が磁性粉を含む、〔１〕～〔１５〕のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
〔１９〕前記磁性層の平均厚みｔ_ｍが、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１２０ｎｍである、〔１８〕に記載の磁気記録媒体。
〔２０〕前記磁性粉が、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉、コバルトフェライト磁性粉、又はストロンチウムフェライト磁性粉を含む、〔１８〕又は〔１９〕に記載の磁気記録媒体。
〔２１〕前記収縮率が、０．０７％以下である、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２２〕前記磁気記録媒体が、バック層を備え、
前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍである、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２３〕前記磁気記録媒体が、磁性層及びバック層を備え、
前記磁性層側の表面と前記バック層側の表面との間の摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２４〕長手方向の１％伸び荷重が、０．６０Ｎ以下である、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２５〕温度膨張係数αが、５．５ｐｐｍ／℃≦α≦９ｐｐｍ／℃であり、且つ、
湿度膨張係数βが、β≦５．５ｐｐｍ／％ＲＨである、
〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２６〕ポアソン比ρが、０．２５≦ρである、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２７〕長手方向の弾性限界値σ_ＭＤが、０．７Ｎ≦σ_ＭＤである、〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔２８〕前記弾性限界値σ_ＭＤが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない、〔２７〕に記載の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１１ ベース層
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層

Claims (33)

1. 磁性層、非磁性層、ベース層、及びバック層をこの順に有する層構造を有し、
   磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが、ｔ_Ｔ≦５．５μｍであり、
   磁気記録媒体の長手方向のテンション変化に対する磁気記録媒体の幅方向の寸法変化量Δｗが、６５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗであり、且つ、
   前記長手方向の収縮率が、０．０８％以下である、
   長尺状の磁気記録媒体。
2. 前記寸法変化量Δｗが、７５０ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎである、請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記寸法変化量Δｗが、８００ｐｐｍ／Ｎ≦Δｗ≦２００００ｐｐｍ／Ｎである、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．３μｍである、請求項１から３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．２μｍである、請求項１から４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記磁気記録媒体の平均厚みｔ_Ｔが、３．５μｍ≦ｔ_Ｔ≦５．０μｍである、請求項１から５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁性層の平均厚みｔ_mが、３５ｎｍ≦ｔ_m≦１２０ｎｍである、請求項１から６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
8. 前記非磁性層の平均厚みが、０．６μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項１から７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
9. 前記ベース層の平均厚みが、２．６μｍ以上５μｍ以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
10. 前記バック層の平均厚みｔ_bは、ｔ_b≦０．６μｍである、請求項１から９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
11. 前記収縮率が、０．０７％以下である請求項１から１０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
12. 長手方向の１％伸び荷重が、０．６０Ｎ以下である、請求項１～１１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
13. 長手方向の１％伸び荷重が、０．５５Ｎ以下である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
14. 前記磁性層は磁性粉および結着剤を含み、
    前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉、バリウムフェライト磁性粉又はコバルトフェライト磁性粉を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
15. 前記磁性粉は、ε酸化鉄磁性粉を含み、
    前記磁気記録媒体のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線におけるメインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙが、３．０以上１００以下である、請求項１４に記載の磁気記録媒体。
16. 前記ε酸化鉄磁性粉の平均粒子サイズが、８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である、請求項１５に記載の磁気記録媒体。
17. 前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉を含み、
    前記磁性層の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔ_ｍ≦１００ｎｍであり、
    前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃが、１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下である、請求項１４に記載の磁気記録媒体。
18. 前記バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズが、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、請求項１７に記載の磁気記録媒体。
19. 前記磁気記録媒体の温度膨張係数αが、５．５［ｐｐｍ／℃］≦α≦９［ｐｐｍ／℃］である、請求項１から１８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
20. 前記磁気記録媒体の湿度膨張係数βが、β≦５．５［ｐｐｍ／％ＲＨ］である、請求項１から１９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
21. 前記磁気記録媒体のポアソン比ρが、０．２５≦ρである、請求項１から２０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
22. 長手方向の弾性限界値σ_MDが、０．７［Ｎ］≦σ_MDである、請求項１から２１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
23. 前記弾性限界値σ_MDが、弾性限界測定を行う際の速度Ｖに依らない、請求項２２に記載の磁気記録媒体。
24. 前記磁性層が垂直配向しているものである、請求項１から２３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
25. 前記磁性層は、３以上１１以下のサーボバンドを有する、請求項１から２４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
26. 前記磁性層は、前記長手方向に平行な複数の記録トラックを形成可能に構成され、
    前記記録トラックの幅は、２μｍ以下である、請求項１から２５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
27. 前記ベース層は、ポリエステル系樹脂を含む、請求項１から２６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
28. 磁性面と該磁性面とは反対側となるバック面とを有し、
    前記磁性面と前記バック面の層間摩擦係数μが、０．２０≦μ≦０．８０である、請求項１から２７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
29. 前記バック層の表面粗度Ｒ_ａｂが、３．０ｎｍ≦Ｒ_ａｂ≦７．５ｎｍである、請求項１～２８のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
30. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、６５％以上である、請求項１から２９のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
31. 前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が、７３％以上である請求項１から３０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
32. 前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力Ｈｃが、２２０ｋＡ／ｍ以上３１０ｋＡ／ｍ以下である、請求項１から３１のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
33. 請求項１から３２のいずれか一項に記載の磁気記録媒体と、
    カートリッジケースと、
    リールと、を含み、
    前記磁気記録媒体が、前記リールに巻き取られた状態で前記カートリッジケース内に収容されている磁気記録カートリッジ。

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