JP6410554B2 - スイッチングコンバータおよびその制御回路、ac/dcコンバータ、電源アダプタおよび電子機器 - Google Patents
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Description
VDC==LP・dIP/dt …(1)
VCS=RCS×IP …(2)
これを変形すると、式(3)を得る。
VCS=RCS/LP×∫VDCdt=(RCS/LP×VDC)×t …(3)
(RCS/LP×VDC)は、検出電圧VCSの傾き[V/s]であり、以下、αと記す。つまりスイッチングトランジスタM1のオン期間における検出電圧VCSの傾きαは、直流電圧VDCおよび1次コイルLPのインダクタンスに依存する。
VTH_EFF=VTH+α×τD …(4)
VTH_EFF=VTH+(τD+τVAR)×α …(1)
ここで検出電圧VCSの傾きαは、スイッチングトランジスタがターンオンしてから比較信号が遷移するまでの経過時間(検出時間TDETという)に反比例する。この態様によれば、検出時間TDETが長いほど、言い換えれば傾きαが小さいほど、可変遅延τVARを長くすることにより、式(1)の右辺第2項(τD+τVAR)×αのばらつきを抑制でき、入力電圧VINの変動に起因する実効しきい値電圧VTH_EFFの変動を抑制できる。さらに第1コンパレータは、時間的に変化する検出電圧と、時間的に実質的に不変であるしきい値電圧を比較するため、入力電圧VINの低い場合であっても正確な電圧比較が可能となる。
この場合、充電電流と放電電流の比率に応じて、検出時間と可変遅延時間の比率を調節できる。
この場合、第2電流源がオフのとき、キャパシタを第1所定量の充電電流で充電でき、第2電流源がオンのとき、キャパシタを第2所定量と第1所定量の差分に相当する放電電流で放電できる。つまり2つの電流源が生成する第1所定量と第2所定量に応じて、検出時間と可変遅延時間の比率を調節できる。
このように可変遅延回路はデジタルカウンタを用いても構成できる。
このように電流比較回路は、過電流保護に好適に利用でき、コイル電流のピーク値の変動を抑制できる。
このように電流比較回路は、過電流保護に好適に利用でき、コイル電流のピーク値の変動を抑制できる。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。制御回路をひとつのIC(Integrated Circuit)チップに集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。
同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
図6は、図5の制御回路200の動作波形図である。図6には、入力電圧VINが時間とともに低下したときの様子が模式的に示される。
検出電圧VCSがしきい値電圧VTHとクロスしてから、ピーク電流検出信号S11が遷移(アサート)するまでの遅延τTOTALは、第1コンパレータ212に固有の固定遅延τDと、可変遅延回路214により与えられる可変遅延τVARの合計となる。検出電圧VCSの傾きをα(V/s)とすると、ピーク電流検出信号S11がアサートされる時刻における検出電圧VCS、つまり実効しきい値電圧VTH_EFFは、式(1)で与えられる。
VTH_EFF=VTH+(τD+τVAR)×α …(1)
上述のように、可変遅延時間τVARは、検出時間TDETが長いほど、言い換えれば傾きαが小さいほど長くなるように調節される。その結果、入力電圧VINが低下した際に、式(1)の右辺第2項(τD+τVAR)×αにおいて、τVARの増加と、αの減少が相殺し合い、式(1)の実効しきい値電圧VTH_EFFの変動を抑制することができる。実効しきい値電圧VTH_EFFの変動が抑制されることにより、コイル電流IPと比較されるしきい値電流ITHの実効値ITH_EFFの変動が抑制される。つまり電流比較回路210を過電流保護に用いた場合には、過電流保護のためのしきい値電流を一定に保つことができる。あるいは電流比較回路210をピーク電流モードのフィードバック制御に用いた場合には、スイッチングサイクルごとのコイル電流IPのピーク値を、フィードバック電圧VFBに応じた量に保つことができ、出力電圧VOUTの精度を高めることができる。
ΔV=TDET×ICHG/C11
ΔV=TDET×IC1/C11
放電期間t1〜t2の長さに相当する可変遅延τVARは、以下の式で与えられる。
τVAR=ΔV/(IC2−IC1)×C11=TDET×IC1/(IC2−IC1)
このように、図10の可変遅延回路214によれば、検出時間TDETに比例した可変遅延τVARを生成することができる。
以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。
図5では、電流検出回路120によるコイル電流IPの検出を、スイッチングトランジスタM1のソースと接地の間に設けられた検出抵抗RCSにより行なったが本発明はそれに限定されない。たとえばスイッチングトランジスタM1のソースを接地し、検出抵抗RCSを、接地と整流回路402の負極の間に挿入してもよい。この場合、検出電圧VCSは、負電圧VCS=−RCS×IPとなるため、制御回路200に検出電圧VCSを反転するアンプを追加し、アンプの出力を電流比較回路210に入力すればよい。
ロジック部206の変調方式、構成にはさまざまな変形例が存在する。たとえば図8のロジック部206において、ピーク電流検出信号S11のアサートをハイレベルに割り当て、第2論理ゲート232を省略し、RSフリップフロップ230のリセット端子にピーク電流検出信号S11を入力してもよい。
実施の形態では、電流比較回路300を、ピーク電流モードのフィードバック制御や過電流保護に利用する場合を説明したが本発明はそれには限定されず、コイル電流IPにもとづくさまざまな信号処理に利用可能である。
実施の形態では、フライバック式のDC/DCコンバータ100の制御回路について説明したが、スイッチングコンバータの形式は特に限定されない。たとえばDC/DCコンバータ100は、フォワード式であってもよいし、バックコンバータやブーストコンバータであってもよい。出力回路102のトポロジーは、スイッチングコンバータの形式に応じて変更すればよい。
図10の可変遅延回路214では、可変遅延τVARを検出時間TDETに比例させたが本発明はそれには限定されず、それらの対応関係は、実効しきい値電圧VTH_EFFの変動がより小さくなるように最適化してもよい。
最後に、AC/DCコンバータ400の用途を説明する。AC/DCコンバータ400は、ACアダプタや電子機器の電源ブロックに好適に利用される。
プラグ902、図示しないコンセントから商用交流電圧VACを受ける。AC/DCコンバータは、筐体804内に実装される。AC/DCコンバータにより生成された直流出力電圧VOUTは、同じ筐体904内に搭載される、マイコン、DSP(Digital Signal Processor)、電源回路、照明機器、アナログ回路、デジタル回路などの負荷に供給される。
Claims (13)
- スイッチングコンバータに使用される制御回路であって、
前記スイッチングコンバータは、少なくとも、スイッチングトランジスタおよび前記スイッチングトランジスタと接続されたコイルを含み、
前記制御回路は、
前記スイッチングトランジスタのオン期間に前記コイルに流れる電流が所定のしきい値電流に達すると、ピーク電流検出信号をアサートする電流比較回路と、
前記スイッチングコンバータの出力電圧が所定の目標値に近づくように値が調節されるフィードバック電圧を受けるフィードバック端子と、
前記ピーク電流検出信号のアサートに応答してオフレベルに遷移するパルス信号を生成するロジック部と、
前記パルス信号に応じて前記スイッチングトランジスタを駆動するドライバと、
を備え、
前記電流比較回路は、
前記スイッチングトランジスタおよび前記コイルに流れる電流に応じた検出電圧を、前記しきい値電流を規定する前記しきい値電圧と比較し、比較信号を生成する第1コンパレータと、
前記比較信号を遅延させて前記ピーク電流検出信号を生成する可変遅延回路であって、前記スイッチングトランジスタがターンオンしてから前記比較信号が遷移するまでの時間に応じてその遅延量が変化する可変遅延回路と、
を備え、
前記電流比較回路は、前記第1コンパレータとして、前記検出電圧を前記フィードバック電圧と比較し、前記検出電圧が前記フィードバック電圧より高くなるとその出力である前記比較信号をアサートするエラーコンパレータを含むことを特徴とする制御回路。 - 前記可変遅延回路は、
前記スイッチングトランジスタがターンオンしてから前記比較信号が遷移するまでの経過時間を測定する時間測定手段と、
前記比較信号が遷移してから、前記時間測定手段により測定された前記経過時間に比例した遅延時間が経過すると、前記ピーク電流検出信号をアサートする遅延手段と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 前記可変遅延回路は、
キャパシタと、
前記スイッチングトランジスタのターンオンを契機として前記キャパシタを充電し、前記比較信号の遷移を契機として前記キャパシタを放電する充放電回路と、
前記キャパシタの放電過程において、前記キャパシタの電圧が所定レベルとなると、前記ピーク電流検出信号をアサートする第2コンパレータと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 前記充放電回路は、
第1所定量の電流を前記キャパシタに供給する第1電流源と、
オン、オフ状態が切りかえ可能であり、オン状態において前記第1所定量より大きな第2所定量の電流を前記キャパシタから引き抜く第2電流源と、
前記比較信号の遷移を契機として第2電流源をオンし、前記スイッチングトランジスタのターンオンを契機として前記第2電流源をオフするコントローラと、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の制御回路。 - 前記充放電回路は、前記スイッチングトランジスタのオフの期間、前記キャパシタの電圧を所定の初期電圧にリセットする初期化回路をさらに含み、
前記第2コンパレータは、前記キャパシタの電圧を前記初期電圧と比較することを特徴とする請求項3または4に記載の制御回路。 - 前記可変遅延回路は、前記スイッチングトランジスタのターンオンを契機としてカウントアップ・カウントダウンの一方を開始し、前記比較信号の遷移を契機として前記カウントアップ・カウントダウンの他方を開始するカウンタを含み、前記カウンタのカウント値が所定値となると、前記ピーク電流検出信号をアサートすることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
- 前記電流比較回路は、過電流検出のために設けられ、
前記制御回路は、前記ピーク電流検出信号がアサートされると、所定の過電流保護処理を行うことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の制御回路。 - ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の制御回路。
- 少なくとも、コイルと、前記コイルと接続されたスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタがオンの期間に前記コイルに流れる電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路と、を含む出力回路と、
請求項1から8のいずれかに記載の制御回路と、
を備えることを特徴とするスイッチングコンバータ。 - 前記電流検出回路は、前記スイッチングトランジスタおよび前記コイルと直列に設けられた検出抵抗を含み、前記検出抵抗の電圧降下に応じた前記検出電圧を生成することを特徴とする請求項9に記載のスイッチングコンバータ。
- 交流電圧を整流する整流回路と、
前記整流回路の出力電圧を平滑化する平滑キャパシタと、
前記平滑キャパシタの電圧を入力電圧として受けるスイッチングコンバータと、
を備え、
前記スイッチングコンバータは、
少なくとも、コイルと、前記コイルと接続されたスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタがオンの期間に前記コイルに流れる電流に応じた検出電圧を生成する電流検出回路と、を含む出力回路と、
請求項1から8のいずれかに記載の制御回路と、
を備えることを特徴とするAC/DCコンバータ。 - 負荷と、
前記負荷に直流電圧を供給する請求項11に記載のAC/DCコンバータと、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 請求項11に記載のAC/DCコンバータを備えることを特徴とする電源アダプタ。
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