JP6097704B2 - インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上のインプリント材（未硬化の樹脂）をモールド（型）で成形して樹脂のパターンを基板上に形成するインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法が知られている。

光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域に光硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化樹脂）を塗布し、かかる樹脂をモールドで成形する。そして、光（例えば、紫外線）を照射して樹脂を硬化させてからモールドを離型（剥離）することで、樹脂のパターンが基板上に形成される。

このようなインプリント装置は、例えば、基板を位置決めするための基板ステージと、基板ステージに配置され、基準アライメントマークが形成されたアライメント基板と、アライメント検出系とを有する（特許文献１参照）。アライメント検出系は、基準アライメントマークとモールドに形成されたアライメントマークとの間の位置ずれや基準アライメントマークと基板に形成されたアライメントマークとの間の位置ずれなどを検出する。アライメント検出系の検出結果に基づいて、モールドと基板との位置合わせ（アライメント）を行うことが可能である。

特許第４４７８４２４号公報

しかしながら、従来のインプリント装置では、アライメント検出系で位置ずれを検出する際に、モールドとアライメント基板とを近づけて（即ち、モールドとアライメント基板との間隔を狭くして）アライメントマークを検出する必要がある。従って、アライメント基板上に異物が存在している場合、かかる異物にモールドが接触して（即ち、モールドとアライメント基板との間に異物が挟み込まれ）、モールドを破損してしまう可能性がある。

本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持して移動可能なモールドステージと、基準マークを設けられ且つ前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、前記モールドに設けられたモールド側マークと前記基準マークと前記基板に設けられたアライメントマークとを検出する検出光学系と、前記モールドと前記基板とのアライメントのために前記モールドステージ及び前記基板ステージの位置決めと前記検出光学系による検出とを含む検出処理を制御する制御部と、を有し、前記検出処理は、前記モールド側マークと前記アライメントマークとが互いに離れた第１状態で、前記モールド側マークと前記アライメントマークとからの回折光が形成するパターンを前記検出光学系に検出させ、前記モールド側マークと前記基準マークとを検出する処理は、前記基準マークが前記検出光学系の視野外に位置するように前記基板ステージを位置決めし、且つ前記検出光学系のフォーカス面に前記モールド側マークが位置するように前記モールドステージを位置決めした第２状態で前記モールド側マークを前記検出光学系に検出させる第１検出処理と、前記モールド側マークが前記フォーカス面から前記第１状態の場合より離れたデフォーカスした状態になるように前記モールドステージを位置決めし、且つ前記基準マークが前記検出光学系の視野内における前記フォーカス面に位置するように前記基板ステージを位置決めした第３状態で前記基準マークを前記検出光学系に検出させる第２検出処理とを含むことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置の検出光学系の構成の一例を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置の検出光学系の構成の一例を示す概略図である。 従来技術におけるモールドとアライメント基板との位置合わせを説明するための図である。 モールドの段差によるアライメントマークの検出光量の低下を説明するための図である。 図１に示すインプリント装置の検出光学系の瞳面の一例を示す概略図である。 図５及び図６に示すモデルでのシミュレーションの結果を示す図である。 本実施形態におけるモールドとアライメント基板との位置合わせを説明するための図である。 第１検出処理におけるモールドステージと基板ステージとの位置関係をＺ軸方向から示す図である。 図１に示すインプリント装置のモールドステージに配置されたモールド倍率補正部の構成の一例を示す図である。 本発明の一側面としてのインプリント装置の別の構成を示す概略図である。 モールドとアライメント基板に設けられたアライメントマークとの位置関係を示す図である。 第２検出処理におけるモールドに設けられたアライメントマークとアライメント基板に設けられたアライメントマークとの位置関係をＺ軸方向から示す図である。 第２検出処理におけるアライメントマークの検出誤差を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、例えば、半導体デバイスなどのデバイスの製造に用いられ、基板上のインプリント材（未硬化の樹脂）をモールド（型）で成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、図１に示すように、照射部２と、検出光学系３と、モールドステージ４と、基板ステージ５と、樹脂供給機構６と、制御部１９とを有する。以下では、基板及びモールドに平行な面内において、互いに直交する方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とし、Ｘ軸及びＹ軸に垂直な方向をＺ軸方向とする。

照射部２は、光源と、複数の光学素子とを含み、基板８に形成すべきパターン（例えば、回路パターン）に対応する凹凸パターン７ａが形成されたメサ領域を含むモールド７と基板８の上の樹脂９とを接触させた状態で樹脂９を硬化させるための光を照射する。照射部２は、光源から射出される光を、モールド７、詳細には、凹凸パターン７ａが形成されたメサ領域（被照射面）に対して、所定の形状で均一に照射する。

照射部２からの光の照射領域（照射範囲）は、例えば、凹凸パターン７ａが形成されたメサ領域の面積と同程度の領域、或いは、凹凸パターン７ａが形成されたメサ領域の面積よりも僅かに大きい領域であるとよい。これは、照射部２からの光の照射領域を必要最小限にすることで、光の照射による熱に起因してモールド７や基板８が膨張し、樹脂９に転写されるパターンに位置ずれや歪みが発生することを抑えるためである。また、基板８などで反射した光が樹脂供給機構６に到達し、樹脂供給機構６の樹脂吐出口に残留した樹脂９が硬化することで樹脂供給機構６の動作の異常が発生することを抑えるためでもある。

照射部２の光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、各種エキシマランプ、エキシマレーザー又は発光ダイオードなどを用いることができる。本実施形態では、紫外線の照射で硬化する紫外線硬化性樹脂を用いているため、照射部２の光源から紫外線が照射される。但し、照射部２の光源から照射される光（の波長）は、樹脂９の種類に応じて決定される。

検出光学系３は、モールド７と基板８との相対的な位置合わせ（アライメント）のために、種々のマークを検出する。例えば、検出光学系３は、モールド７に設けられたアライメントマーク（モールド側マーク）１０と基板８に設けられたアライメントマーク１１とを光学的に検出する。これにより、モールド７（アライメントマーク１０）と基板８（アライメントマーク１１）との相対位置を求めることができる。検出光学系３は、その光軸がモールド７又は基板８に対して鉛直方向になるように配置されている。また、検出光学系３は、アライメントマークなどのマークの位置に応じて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に配置されている。更に、検出光学系３は、アライメントマークなどのマークの位置にフォーカス面（焦点）を合わせるために、Ｚ軸方向にも移動可能に配置されている。

モールドステージ４は、真空吸着力や静電力によってモールド７を引き付けて保持するモールドチャックを含む。モールドステージ４は、基板８に供給された樹脂９にモールド７を押し付けるためのモールド駆動機構を含む。モールド駆動機構は、モールドステージ４（モールド７）をＺ軸方向に移動させる。また、モールドステージ４には、モールド７をＸ軸方向及びＹ軸方向に変形させて、凹凸パターン７ａの歪み（モールド７の形状）を補正するモールド倍率補正部が配置されている。モールド倍率補正部は、制御部１９の制御下において、モールド７と基板８との相対位置に基づいて、
基板ステージ５は、真空吸着力や静電力によって基板８を引き付けて保持する基板チャックを含む。基板ステージ５は、基板ステージ５（基板８）をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる（ＸＹ平面内を移動可能とする）基板駆動機構を含む。

基板ステージ５には、アライメント基板（基準プレート）１２が配置されている。アライメント基板１２には、アライメントマーク（基準マーク）１３が設けられ、基板ステージ５を移動させることで、アライメントマーク１３を検出光学系３の検出可能領域（視野）に位置させることができる。従って、検出光学系３は、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３も検出することができる。これにより、モールド７とアライメント基板１２との位置合わせ、即ち、モールド７と基板ステージ５との位置合わせを行うことが可能となる。

本実施形態では、インプリント装置１における押印動作（樹脂９にモールド７を押し付ける動作）及び離型動作（樹脂９からモールド７を剥離する動作）は、モールドステージ４（モールド７）をＺ軸方向に移動させることで実現している。但し、基板ステージ５（基板８）をＺ軸方向に移動させること、或いは、モールドステージ４と基板ステージ５の両方をＺ軸方向に移動させることで、押印動作及び離型動作を実現してもよい。

樹脂供給機構６（ディスペンサ）は、樹脂吐出口を含むノズルなどを有し、基板８の上に樹脂９を供給（塗布）する。樹脂供給機構６は、インプリント装置１の内部に配置していなくてもよく、インプリント装置１の外部に配置してもよい。例えば、外部の樹脂供給機構によって予め樹脂９が塗布された基板８を、インプリント装置１に搬入する構成であってもよい。かかる構成によれば、インプリント装置１の内部での樹脂９の供給工程がなくなるため、インプリント装置１で行われる処理（インプリント処理）の迅速化を図ることができる。また、樹脂供給機構６が不要となるため、インプリント装置１の全体としてのコストを抑えることができる。

モールド７は、基板８に対向する面に、凹凸パターン７ａが形成されたメサ領域と、メサ領域の周囲のオフメサ領域とを含む。照射部２からの光は、モールド７を介して樹脂９に照射されるため、モールド７は、照射部２からの光を透過する材料、例えば、石英で構成されている。モールド７において、オフメサ領域は、凹凸パターン７ａが形成されていない領域であって、メサ領域は、オフメサ領域から突出した構造を有している。従って、押印動作においては、モールド７のメサ領域のみが基板８の上の樹脂９に接触する。

基板８は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハやガラスプレートなどを含む。基板８の表面には、樹脂供給機構６によって樹脂９が供給される。樹脂９は、本実施形態では、紫外線の照射で硬化する紫外線硬化性樹脂であるが、樹脂９の種類は、半導体デバイスの種類などに応じて選択される。

制御部１９は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体を制御する。制御部１９は、インプリント装置１の各部を制御して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う（処理部として機能する）。また、制御部１９は、後述するように、モールド７と基板８との位置合わせやモールド７とアライメント基板１２との位置合わせにおいて、モールドステージ４及び基板ステージ５の位置決めと検出光学系３による検出とを制御して検出処理を行う。更に、制御部１９は、モールド７と基板８との相対位置に基づいて、基板ステージ５やモールド倍率補正部を制御する。

インプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。まず、基板搬送系によって、基板８をインプリント装置１に搬入し、基板８を基板ステージ５に保持させる。次いで、基板ステージ５に保持された基板８が樹脂供給機構６の樹脂供給位置に位置するように、基板ステージ５を移動させる。そして、樹脂供給機構６によって、基板８の所定のショット領域に樹脂９を供給する。次に、樹脂９が供給されたショット領域（基板８）がモールド７の直下に位置するように、基板ステージ５を移動させる。そして、モールド７を保持したモールドステージ４をＺ軸方向（鉛直下方向）に移動させて、基板８に供給された樹脂９とモールド７（凹凸パターン７ａ）とを接触させる（押印動作）。この際、樹脂９は、モールド７の凹凸パターン７ａに沿って流動し、凹凸パターン７ａに充填される。

次いで、モールド７と樹脂９とが接触した状態において、検出光学系３によって、モールド７に設けられたアライメントマーク１０及び基板８に設けられたアライメントマーク１１を検出する。そして、検出光学系３の検出結果に基づいて、基板ステージ５をＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させてモールド７と基板８との位置合わせを行う。また、モールドステージ４に配置されたモールド倍率補正部によって、モールド７の形状の補正（倍率補正）も行う。モールド７と基板８との位置合わせ、及び、モールド７の倍率補正が十分に行われると、照射部２からの光を、モールド７を介して基板８の上の樹脂９に照射し、樹脂９を硬化させる。この際、検出光学系３が照射部２からの光の光路を遮らないように、かかる光路から検出光学系３を退避させる。次いで、モールド７を保持したモールドステージ４をＺ軸方向（鉛直上方向）に移動させて、基板８とモールド７との間隔を広げることで、基板８の上の硬化した樹脂９からモールド７を剥離する。これにより、基板８の上にモールド７の凹凸パターン７ａが転写される（即ち、凹凸パターン７ａに対応する樹脂９のパターンが形成される）。

図２は、検出光学系３の構成の一例を示す概略図である。検出光学系３は、検出系２１と、照明系２２とを含む。検出系２１と照明系２２とは、それらを構成する光学部材の一部を共有するように構成されている。

照明系２２は、光源２３からの光を、プリズム２４を介して、検出系２１と同一の光軸上に導光し、アライメントマーク１０及び１１を照明する。光源２３には、例えば、ハロゲンランプやＬＥＤなどを用いることができる。光源２３は、照射部２からの光の波長とは異なる波長の光を射出する。本実施形態では、照射部２からの光に紫外線を用いているため、光源２３からの光に可視光や赤外線を用いる。

プリズム２４は、検出系２１及び照明系２２の瞳面、又は、その近傍に配置されている。アライメントマーク１０及び１１のそれぞれは、回折格子で構成されている。検出系２１は、照明系２２によって照明されたアライメントマーク１０及び１１のそれぞれからの回折光が形成するパターン（モアレ縞）を、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサで構成された撮像素子２５に結像する。

プリズム２４は、貼り合わせ面において、照明系２２の瞳面の周辺部分の光を反射するための反射膜２４ａを有する。反射膜２４ａは、照明系２２の瞳面の光強度分布を規定する開口絞りとして機能する。また、反射膜２４ａは、検出系２１の瞳の大きさ（開口数）を規定する開口絞りとしても機能する。このように、反射膜２４ａは、検出光学系３の開口数（検出瞳）ＮＡｏを規定する。

プリズム２４は、貼り合わせ面に半透膜を有するハーフプリズム、或いは、プリズム以外の光学素子、例えば、表面に反射膜を有する板状の光学素子に置換することが可能である。また、検出系２１又は照明系２２の瞳形状を変化させるために、プリズム２４は、ターレットやスライド機構などの切り換え機構によって、他のプリズム（貼り合わせ面における反射膜の開口形状が異なるプリズム）と切り換え可能に構成してもよい。換言すれば、検出光学系３は、検出系２１の開口数を変更する第１変更部や照明系２２の瞳面の光強度分布を変更する第２変更部として機能する切り換え機構を有してもよい。

また、プリズム２４が配置される位置は、検出系２１及び照明系２２の瞳面、又は、その近傍に限定されるものではない。更に、照明系２２の瞳面の光強度分布を規定する開口絞りは、プリズム２４に配置しなくてもよい。例えば、図３に示すように、検出系２１の瞳面に開口絞り２６を配置し、照明系２２の瞳面に開口絞り２７を配置する。開口絞り２６は、検出系２１の瞳の大きさを規定し、開口絞り２７は、照明系２２の瞳面の光強度分布を規定する。この場合、プリズム２４には、貼り合わせ面に半透膜を有するハーフプリズムなどが用いられる。更に、開口絞り２６及び開口絞り２７のそれぞれは、ターレットなどの切り換え機構によって、他の開口絞り（開口形状が異なる開口絞り）と切り換え可能に構成してもよい。

モールド７に設けられたアライメントマーク１０及び基板８に設けられたアライメントマーク１１の詳細について説明する。アライメントマーク１０の近傍には、粗アライメントマークが設けられ、かかる粗アライメントマークは、アライメントマーク１０と同時に検出することが可能である。また、アライメントマーク１１の近傍には、粗アライメントマークが設けられ、かかる粗アライメントマークは、アライメントマーク１１と同時に検出することが可能である。ここでは、アライメントマーク１０及び１１は、互いにピッチが異なる回折格子で構成されている。そのため、アライメントマーク１０及び１１からの回折光は、回折格子のピッチ差に応じて周期が変化するモアレ縞となる。アライメントマーク１０及び１１のそれぞれからの回折光が形成するモアレ縞の特性から、検出光学系３は、回折格子の１ピッチ以上（数ミクロン）の相対位置ずれを検出することができない。そこで、粗アライメントマークを検出してモールド７及び基板８の位置を特定し、モールド７と基板８との相対位置ずれが回折格子の１ピッチ以内になるように基板ステージ５を移動させることが必要となる。

同様の理由から、アライメント基板１２の上のアライメントマーク１３の近傍にも粗アライメントマークが設けられている。アライメントマーク１３の近傍に設けられる粗アライメントマークは、アライメント基板１２に対して、凹凸形状であっても、位相が異なっていてもよい。検出光学系３は、アライメントマーク１３の近傍に設けられた粗アライメントマークからの散乱光を検出することが可能である。

ここで、従来技術におけるアライメントマークの検出に関する課題について具体的に説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、従来技術におけるモールド７とアライメント基板１２との位置合わせを説明するための図である。但し、アライメント基板１２を基板８とした場合でも同様な課題がある。

従来技術では、図４（ａ）に示すように、検出光学系３のフォーカス面１６に向けて（即ち、フォーカス方向に）モールド７（モールドステージ４）を移動させて、モールド７とアライメント基板１２とを近づける。そして、モールド７とアライメント基板１２とがミクロンオーダーまで近づけた状態で、検出光学系３によって、モールド７に設けられたアライメントマーク１０とアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３とを検出する。このように、従来技術では、モールド７とアライメント基板１２とを近接させるため、アライメント基板１２の上に異物１４が存在すると、モールド７が異物１４に接触してモールド７が破損する可能性がある。これは、モールド７とアライメント基板１２との位置合わせを困難なものにする要因となる。

一方、図４（ｂ）に示すように、モールド７とアライメント基板１２とを離した状態で、検出光学系３によって、モールド７に設けられたアライメントマーク１０とアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３とを検出する場合を考える。この場合、検出光学系３からの光（アライメント光）１５がモールド７の段差部分、即ち、メサ領域とオフメサ領域との段差（境界）を含むエッジ領域を透過するため、アライメントマーク１３の検出光量が低下する。これは、アライメントマークの検出精度を低下させる要因となる。また、アライメントマーク１０及びアライメントマーク１３のうちの一方のアライメントマーク（図４（ｂ）では、アライメントマーク１０）が検出光学系３のフォーカス面１６から離れた状態で検出されることになる。これも、アライメントマークの検出精度を低下させる要因となるし、かかる一方のアライメントマークを検出できない可能性もある。

モールド７の段差によるアライメントマークの検出光量の低下について説明する。図５（ａ）は、２次元波動光学シミュレーションのモデルを示す図である。本実施形態では、アライメント基板１２及びモールド７は、石英（ＳｉＯ_２）で構成されている。モールド７のメサ領域３２は、オフメサ領域３５から３０μｍ突出している。メサ領域３２とオフメサ領域３５との段差を含むエッジ領域３１は、曲率半径を３０μｍとする領域としてモデル化している。図５（ｂ）は、メサ領域３２の拡大図である。メサ領域３２には、段差５０ｎｍ、ピッチ１００ｎｍの凹凸パターン７ａが形成されている。図５（ｃ）は、アライメントマーク１３の拡大図である。アライメントマーク１３は、１００ｎｍの厚さのＣｒで構成されている。

メサ領域３２、エッジ領域３１及びオフメサ領域３５のそれぞれの下側に、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３が位置する場合を想定し、アライメントマーク１３を１０μｍ間隔で移動させてシミュレーションを行った。図５（ａ）に示すように、エッジ領域３１のＸ軸方向の中心（エッジ中心）３１ａは、メサ領域３２のエッジとオフメサ領域３５のエッジとの中間の位置とする。アライメントマーク１３のエッジ中心３１ａに対する位置（図５（ａ）に示す位置で±０μｍ）に応じて、検出光学系３によってアライメントマーク１３を検出して得られる波形がどのように変化するのかを２次元波動光学シミュレーションで確認した。図５（ａ）に示すモデルに対して、アライメント光１５を入射し、アライメントマーク１３による散乱光を検出光学系３で検出した。但し、モールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔（ギャップ量）は、１００μｍとした。

ここで、アライメントマーク１３に対する照明条件及び検出条件について説明する。検出光学系３は、アライメントマーク１３よりも高精度に検出する必要があるアライメントマーク１０及び１１（のそれぞれからの回折光が形成するモアレ縞）を検出するために最適化されている。図６は、検出光学系３の瞳面の一例を示す概略図である。図６を参照するに、ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３及びＩＬ４は、開口数（ＮＡ）がＮＡｐ、瞳中心からの位置がＮＡｉｌである極（有効光源）を示している。図６に示す極ＩＬ１乃至ＩＬ４を含む有効光源をアライメントマーク１３に対する照明条件とし、アライメントマーク１３による散乱光を、開口数がＮＡｏで示される検出光学系３の検出瞳で検出する。本実施形態では、ＮＡｏを０．１、ＮＡｐを０．０５、ＮＡｉｌを０．２、アライメント光１５の波長を６５０ｎｍとしてシミュレーションを行った。

アライメント基板１２とモールド７のオフメサ領域３５との間の間隔だけアライメント光１５が通過したときのアライメント光１５の広がり量は、以下の式（１）で与えられる。
アライメント光１５の広がり量＝ＮＡｏ×（モールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔＋モールド７のメサ領域３２の突出量） ・・・（１）
シミュレーションでは、ＮＡｏを０．１、モールド７のメサ領域３２の突出量を３０μｍ、モールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔を１００μｍとしているため、アライメント光１５の広がり量は、１３μｍとなる。アライメントマーク１３による散乱光と、モールド７のエッジ領域３１による散乱光とが重ならなければ、検出光学系３は、アライメントマーク１３を高精度に検出することができる。

図７は、図５及び図６に示すモデルでのシミュレーションの結果（検出光学系３によってアライメントマーク１３を検出して得られる波形）を示す図である。図７では、エッジ領域３１のエッジ中心３１ａに対するアライメントマーク１３の位置（エッジ中心３１ａからＸ軸方向に±３０μｍの範囲）を横軸に採用し、検出光学系３によってアライメントマーク１３を検出したときの光量を採用している。図７を参照するに、エッジ領域３１のエッジ中心３１ａから離れたメサ領域３２及びオフメサ領域３５において、アライメントマーク１３による散乱光が検出されていることがわかる。

モールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔が１００μｍである場合、アライメント光１５の広がり量は、上述したように（式（１）から）、１３μｍとなる。従って、モールド７のエッジ領域３１（エッジ中心３１ａから±１５μｍの範囲）から１３μｍ以内の範囲の下にアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３が位置していると、エッジ領域３１での散乱による影響を受けることになる。そのため、図７に示すように、モールド７のエッジ領域３１のエッジ中心３１ａの近傍では、アライメントマーク１３の像性能が低下していると考えられる。

また、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３を照明する際にも、アライメント光１５は、モールド７のエッジ領域３１において散乱を受ける。従って、モールド７のエッジ領域３１の影となる部分の光量が低下するため、かかる部分の下にアライメントマーク１３が位置していると、アライメントマーク１３を照明するアライメント光１５の光量が低下する。これにより、アライメントマーク１３による散乱光の光量も低下し、アライメントマーク１３の検出が困難になると考えられる。

モールド７のエッジ領域３１のエッジ中心３１ａから−１０μｍの位置にアライメントマーク１３が位置している場合、アライメントマーク１３による散乱光は、エッジ領域３１による散乱の影響を受けると考えられる。しかしながら、シミュレーションでは、図７に示すように、アライメントマーク１３（に対応するピーク）が検出されている。これは、アライメントマーク１３に対する照明条件が斜入射照明（１１．５度）であり、モールド７のエッジ領域３１のエッジ中心３１ａから−１０μｍの位置では、アライメント光１５に対するエッジ領域３１による散乱の影響が小さいからであると考えられる。

また、アライメント光１５の波長やアライメントマーク１３の厚さ（段差量）によっても、検出光学系３によって検出される光（アライメントマーク１３からの散乱光）の光量が変化する。従って、アライメント光１５の波長を変えることによって、検出光学系３で検出されるアライメントマーク１３からの散乱光の光量を調整することができる。

図８を参照して、本実施形態におけるモールド７とアライメント基板１２との位置合わせを説明する。モールド７とアライメント基板１２との位置合わせでは、上述したように、検出光学系３によって、モールド７に設けられたアライメントマーク１０及びアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３を検出する検出処理が必要となる。かかる検出処理は、制御部１９がモールドステージ４及び基板ステージ５の位置決めと検出光学系３による検出とを制御することで行われる。

本実施形態では、まず、図８（ａ）に示すように、基板ステージ５を移動させてアライメント基板１２を退避させる。アライメント基板１２を退避させることにより、アライメントマーク１３（基準マーク）を検出光学系３の視野外に位置させることができる。基板ステージ５を移動させる方向は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）であってもよいし、鉛直方向（Ｚ軸方向）であってもよい。また、検出光学系３のフォーカス面１６にモールド７（に設けられたアライメントマーク１０）が位置するようにモールドステージ４を位置決めする（即ち、フォーカス面１６にモールド７を近づけるようにモールドステージ４を移動させる）。この際、アライメント基板１２を退避させているため、アライメント基板１２の上に異物が存在していたとしても、モールド７を破損することはない。この状態において、モールド７に設けられたアライメントマーク１０を検出光学系３で検出し、検出光学系３（撮像素子２５）に対する位置として取得する。このように、アライメントマーク１３が検出光学系３の視野４７の外側（視野外）に位置するように基板ステージ５を位置決めした状態でアライメントマーク１０を検出光学系３に検出させる（第１検出処理）。

次に、図８（ｂ）に示すように、モールドステージ４を鉛直方向に移動させてモールド７を退避させる。この際、アライメント基板１２やアライメントマーク１３の上に存在する異物（想定される異物）の寸法に対応する距離よりも長い距離、モールドステージ４（モールド７）を鉛直方向に移動させる。また、検出光学系３のフォーカス面１６にアライメント基板１２（に設けられたアライメントマーク１３）が位置するように基板ステージ５を位置決めする（即ち、フォーカス面１６にアライメント基板１２を近づけるようにモールドステージ４を移動させる）。この状態において、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３を検出光学系３で検出し、検出光学系３（撮像素子２５）に対する位置として取得する。このように、アライメントマーク１０が検出光学系３に対してデフォーカスした状態になるようにモールドステージ４を位置決めし、且つ、アライメントマーク１３が検出光学系３の視野４７の内側（視野内）に位置するように基板ステージ５を位置決めする。そして、この状態でアライメントマーク１３を検出光学系３に検出させる（第２検出処理）。

本実施形態では、検出光学系３は、図８（ａ）に示す第１検出処理と図８（ｂ）に示す第２検出処理とで同一位置に固定されている（即ち、検出光学系３を移動させていない）。従って、第１検出処理で検出されたアライメントマーク１０と第２検出処理で検出されたアライメントマーク１３との相対的な位置を求めることができる。また、検出光学系３の移動による誤差が生じないため、アライメントマーク１０及び１３を高精度に検出することができる。但し、第１検出処理と第２検出処理とで検出光学系３を移動させたとしても、その移動量が得られるのであれば、アライメントマーク１０とアライメントマーク１３との相対的な位置を求めることが可能であり、検出光学系３を同一位置に固定する必要はない。

また、第２検出処理を行う際には、アライメントマーク１３からの光（アライメント光１５）がモールド７のメサ領域とオフメサ領域との段差を含むエッジ領域以外のモールド７の領域を透過するように基板ステージ５が位置決めされている。具体的には、本実施形態では、図８（ｂ）に示すように、アライメントマーク１３からの光がモールド７のオフメサ領域を透過するように基板ステージ５が位置決めされている。従って、モールド７のエッジ領域による散乱の影響を受けることなく、アライメントマーク１３の像性能の低下は発生しない。なお、第２検出処理を行う際に、アライメントマーク１３からの光がモールド７のメサ領域を透過するように基板ステージ５を位置決めしてもよい。但し、この場合には、モールド７のメサ領域のうち凹凸パターン７ａのピッチがアライメントマーク１３からの光（アライメント光１５）の波長以下の領域を透過するように基板ステージ５を位置決めする必要がある。

検出光学系３の視野は、検出系２１の倍率及び撮像素子２５のサイズによって変更することが可能であり、本実施形態では、５００μｍ^２に設定されている。アライメント光１５の広がり量は、式（１）から求められ、例えば、ＮＡｏが０．１、モールド７のメサ領域とアライメント基板１２との間隔が１００μｍ〜２００μｍ、モールド７のメサ領域３２の突出量が３０μｍであれば、１３μｍ〜２３μｍである。従って、検出光学系３の視野内において、モールド７に設けられたアライメントマーク１０及びアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３を、検出光学系３（撮像素子２５）の位置を基準として検出することが十分に可能である。

図９は、第１検出処理におけるモールドステージ４と基板ステージ５との位置関係をＺ軸方向から示す図である。モールドステージ４（モールド７）と基板ステージ５（基板８及びアライメント基板１２）とは、互いに独立して移動する。第１検出処理では、基板ステージ５をモールドステージ４やモールド７と干渉しない位置に退避させ、モールド７に設けられたアライメントマーク１０を検出光学系３の視野４７に配置して、アライメントマーク１０を検出光学系３で検出する。そして、第２検出処理では、モールドステージ４（モールド７）を鉛直方向に移動させた後、基板ステージ５を移動させてアライメントマーク１３を検出光学系３の視野４７に配置して、アライメントマーク１０を検出光学系３で検出する。

図９では、１つのアライメントマーク１３をアライメント基板１２に設け、１つのアライメントマーク１０をモールド７に設けている。但し、複数のアライメントマーク１３をアライメント基板１２に設け、複数のアライメントマーク１０をモールド７に設けてもよい。この場合、インプリント装置１は、検出光学系３を複数有し、複数の検出光学系３のそれぞれで対応するアライメントマーク１３及び１０を検出する。これにより、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３及びモールド７に設けられたアライメントマーク１０のシフト成分やローテーション成分などの誤差を求めることができる。従って、このような複数の検出光学系３の検出結果からモールド７の形状を求め、求められたモールド７の形状に基づいて、モールドステージ４に配置されたモールド倍率補正部によって、モールド７の形状を補正することができる。

図１０は、モールドステージ４に配置されたモールド倍率補正部４０の構成の一例を示す図である。モールド倍率補正部４０は、例えば、図１０（ａ）に示すように、モールド７とモールドステージ４との間に配置された（挟み込まれた）ばね構造で構成される。図１０（ｂ）に示すモールド倍率補正部４０は、ばね構造の挟み込みの強度を変化させることによってモールド７の形状を変形させることができる。また、モールド倍率補正部４０は、例えば、図１０（ｂ）に示すように、モールド７とモールドステージ４との間に配置された（挟み込まれた）複数のばね構造で構成されてもよい。図１０（ｂ）に示すモールド倍率補正部４０は、複数のばね構造のそれぞれの挟み込みの強度を変化させることによって、モールド７の形状をより高精度に変形させることができる。

また、本実施形態では、第１検出処理を行ってから第２検出処理を行っているが、第２検出処理を行ってから第１検出処理を行っても、アライメントマーク１０及び１３の検出精度に影響はない。従って、検出処理を行う検出モードとして、第１検出処理を行ってから第２検出処理を行うモードと、第２検出処理を行ってから第１検出処理を行うモードのいずれか一方を選択するようにしてもよい。かかる選択は、例えば、スループットを考慮して行えばよい。

このように、インプリント装置１によれば、モールド７を破損することなく、モールド７とアライメント基板１２との位置合わせを高精度に行うことができる。従って、インプリント装置１は、モールド７と基板８とを高精度に位置合わせすることが可能となり、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。

＜第２の実施形態＞
図１１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の別の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、本実施形態では、図１１に示すように、投影光学系４１を更に有する。投影光学系４１は、ダイクロイックミラー４２を含み、モールド７の上方、具体的には、モールド７と検出光学系３との間に配置される。投影光学系４１は、照射部２からの光を基板上に投影する。また、投影光学系４１は、モールド７に設けられたアライメントマーク１０、基板８に設けられたアライメントマーク１１及びアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３のそれぞれの像を投影面に投影する。ここで、投影面は、検出光学系３と投影光学系４１との間に設けられており、検出光学系３は、投影面に投影されたアライメントマーク１０、１１及び１３を検出する。

ダイクロイックミラー４２は、波長に応じて選択的に光を反射又は透過させる光学部材である。ダイクロイックミラー４２は、本実施形態では、基板８の上の樹脂９を硬化させる光（照射部２からの紫外光）を反射し、アライメントマーク１０、１１及び１３に対するアライメント光１５（検出光学系３からの可視光又は赤外線）を透過するように構成されている。

検出光学系３は、ダイクロイックミラー４２を含む投影光学系４１を介して、アライメントマーク１０、１１及び１３を検出する（即ち、投影光学系４１の投影面に投影されたモアレ縞の像を検出する）。換言すれば、検出光学系３は、投影光学系４１を介して、モールド７と基板８との相対位置やモールド７とアライメント基板１２との相対位置などを検出する。

照射部２は、ダイクロイックミラー４２に対して、投影光学系４１の側方から紫外線を照射する。ダイクロイックミラー４２で反射した紫外線は、投影光学系４１を通って、所定の形状で均一にモールド７の凹凸パターン７ａを照射する。従って、投影光学系４１において、ダイクロイックミラー４２とモールド７との間に配置される光学部材は、紫外線を透過する石英などで構成されている。

このような構成によって、本実施形態では、モールド７及び基板８に対して光軸が垂直になるように配置された検出光学系３を用いても、照射部２から紫外線を照射する際に、検出光学系３を退避させる必要がなくなる。これにより、基板８の上の樹脂９を硬化させる際に、検出光学系３の退避に要する時間が必要なくなるため、インプリント装置１のスループットを向上させることができる。

なお、ダイクロイックミラー４２は、基板８の上の樹脂９を硬化させる光（紫外光）を透過し、アライメントマーク１０、１１及び１３に対するアライメント光１５（可視光又は赤外線）を反射するように構成されていてもよい。この場合、投影光学系４１の光路はダイクロイックミラー４２によって折り曲げられ、図１１に示す照射部２と検出光学系３との位置関係が逆となる。換言すれば、照射部２がモールド７の上方に配置されることになる。

また、本実施形態では、折り曲げミラー４８が投影光学系４１の投影面の近傍に配置されている。折り曲げミラー４８によって、検出光学系３からの光とアライメントマーク１０、１１及び１３からの回折光とは、その光束径が小さい位置でＸＹ平面に平行な方向に折り曲げられる。従って、検出波長範囲の拡大や照明光量を増加させるために、投影光学系４１や検出光学系３開口数を拡大して投影光学系４１の径が大きくなった場合にも、検出光学系３をＸ軸方向及びＹ軸方向に近接して配置することができる。これにより、アライメントマーク１０、１１及び１３の配置の自由度を高くすることができる。

投影光学系４１が構成されていない場合、検出光学系３は、モールドステージ４に構成されたモールド駆動機構やモールド倍率補正部との干渉を回避するために、モールド７から離れた位置に配置するか、或いは、その径を小さくする必要がある。検出光学系３をモールド７から離れた位置に配置すると、その光束径が拡がるため、検出光学系３が大型化し、検出光学系３のコストが増加するとともに、アライメントマーク１０、１１及び１３の配置の制限も厳しくなってしまう。一方、検出光学系３の径を小さくすると、検出光学系３の開口数が小さくなるため、アライメントマークを照明する照明光量の減少や検出波長の狭帯域化を招いて、アライメントマーク１０、１１及び１３の検出精度を低下させてしまう。

本実施形態では、投影光学系４１を構成することによって、検出光学系３とモールド駆動機構やモールド倍率補正部との干渉やアライメントマーク１０、１１及び１３の配置の制限を回避し、検出光学系３の開口数を拡大することができる。従って、本実施形態では、検出光学系３の検出波長範囲の拡大や照明光量を増加させ、アライメントマーク１０、１１及び１３を高精度に検出することができる。

図１１に示すインプリント装置においても、第１の実施形態（図８参照）と同様に、モールド７とアライメント基板１２との位置合わせを高精度に行うことができる。ここで、モールド７のオフメサ領域を透過したアライメントマーク１３からの光を検出する際のモールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔について説明する。検出光学系３の開口数ＮＡｏが十分に小さい場合、アライメント光１５の広がり量は、上述したように、式（１）で与えられる。例えば、ＮＡｏを０．１とし、モールド７のメサ領域３２とアライメント基板１２との間隔を２００μｍとすると、アライメント光１５の広がり量は、式（１）から、２３μｍとなる。従って、モールド７のエッジ領域のエッジ中心とアライメントマーク１３とのＸ軸方向の間隔を２３μｍ以上離せば、モールド７のエッジ領域による拡散の影響をアライメント光１５が受けないため、アライメントマーク１３の像性能の低下を回避することができる。

但し、この際、検出光学系３における検出系２１と照明系２２との共通光路の有効径を、アライメントマーク１３の位置に応じて拡大する必要がある。図１２を参照するに、モールド７のメサ領域よりも内側を透過するアライメントマーク１３からの光（アライメント光１５）を検出する場合、アライメント光１５が投影光学系４１を通過する際の幅は、模式的に幅４３で示される。また、モールド７のオフメサ領域を透過するアライメントマーク１３からの光を検出する場合、アライメント光１５が投影光学系４１を通過する際の幅は、模式的に幅４４で示される。従って、モールド７のオフメサ領域を透過するアライメントマーク１３からの光を検出するためには、モールド７のエッジ領域のエッジ中心とアライメントマーク１３との間隔だけ投影光学系４１の有効径を拡大する必要がある。投影光学系４１の有効径を拡大させる量は、アライメントマーク１３の位置及び式（１）で与えられるアライメント光１５の広がり量に応じて決定される。

図１３は、第２検出処理におけるモールド７に設けられたアライメントマーク１０とアライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３との位置関係をＺ軸方向から示す図である。図１３には、モールド７に設けられたアライメントマーク１０、アライメント基板１２に設けられたアライメントマーク１３、投影光学系４１の有効径４５、モールド７のメサ領域とオフメサ領域との段差（エッジ）４６、検出光学系３の視野４７が示されている。
図１３を参照するに、アライメントマーク１０及び１３のそれぞれは、モールド７のエッジ４６の周囲に配置されている。アライメントマーク１０及び１３のそれぞれがモールド７のエッジ４６の四隅に配置される場合、検出光学系３の視野４７が投影光学系４１の有効径４５に入らずに、検出光学系３で検出されない可能性がある。このような範囲にアライメントマーク１３が配置されると、アライメントマーク１３を検出すことができない。そこで、図１３に示すように、検出光学系３で検出可能な範囲にアライメントマーク１３を配置する（位置させる）ことによって、アライメントマーク１３を検出することが可能となる。このように、検出光学系３の視野４７に対するアライメントマーク１０及び１３の位置は、アライメントマーク１０の位置に応じて変更可能である。

また、インプリント装置１が２つ以上の検出光学系３を有する場合、検出光学系３のそれぞれの視野において、対応するアライメントマーク１０及び１３を検出することができる。モールド７とアライメント基板１２との間隔を２箇所以上の位置で検出することによって、モールド７の形状を求めることができる。この際、モールド７とアライメント基板１２との間隔の計測箇所が多いほど、モールド７の形状を高精度に求めることができる。このようにして求められたモールド７の形状に基づいて、モールド倍率補正部は、モールド７の形状を所定の形状に補正する。

＜第３の実施形態＞
本実施形態では、第１の実施形態及び第２の実施形態におけるアライメントマーク１３を検出する際の誤差（検出誤差）について説明する。図８（ｂ）に示す第２検出処理において、モールド７を退避した際に、モールド７に傾きが生じると、アライメントマーク１３の検出誤差となる。例えば、図１４に示すように、モールド７が水平方向に対して角度５３だけ傾くと、アライメントマーク１３からの光５１は、モールド７で屈折して間隔５２だけシフトする。従って、モールド７とアライメント基板１２との位置合わせにおいて、アライメントマーク１３を検出する際に、間隔５２に対応する量の検出誤差が生じる。そのため、モールド７を退避したとき（即ち、モールド７をＺ軸方向に移動させたとき）に、モールド７の傾き角度（傾き量）を小さい角度に抑えることが可能なモールドステージ４が必要となる。

モールド７の傾き角度をθ１、モールド７の厚さをｔ、モールド７の屈折率をｎ、モールド７への入射光の屈折角度をθ２とすると、アライメントマーク１３からの光５１のシフト量は、以下の式（２）で与えられる。
シフト量＝ｔ×ｓｉｎ（θ１−θ２）／ｃｏｓθ２ ・・・（２）
また、スネルの法則（ｓｉｎθ１＝ｎ×ｓｉｎθ２）を考慮して、例えば、θ１を１分、ｔを１ｍｍ、ｎを１．４５とすると、アライメントマーク１３からの光５１のシフト量は、式（２）から、９０ｎｍと求まる。アライメントマーク１３からの光５１のシフト量は、モールド７とアライメント基板１２との高精度な位置合わせの妨げ（位置合わせ誤差）となるため、必要な位置合わせ精度に応じてモールド７の傾き角度を抑える必要がある。

＜第４の実施形態＞
本実施形態では、物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成するステップを含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を加工するステップを更に含む。当該加工ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (12)

1. モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記モールドを保持して移動可能なモールドステージと、
   基準マークを設けられ且つ前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
   前記モールドに設けられたモールド側マークと前記基準マークと前記基板に設けられたアライメントマークとを検出する検出光学系と、
   前記モールドと前記基板とのアライメントのために前記モールドステージ及び前記基板ステージの位置決めと前記検出光学系による検出とを含む検出処理を制御する制御部と、
   を有し、
   前記検出処理は、
   前記モールド側マークと前記アライメントマークとが互いに離れた第１状態で、前記モールド側マークと前記アライメントマークとからの回折光が形成するパターンを前記検出光学系に検出させ、
   前記モールド側マークと前記基準マークとを検出する処理は、前記基準マークが前記検出光学系の視野外に位置するように前記基板ステージを位置決めし、且つ前記検出光学系のフォーカス面に前記モールド側マークが位置するように前記モールドステージを位置決めした第２状態で前記モールド側マークを前記検出光学系に検出させる第１検出処理と、前記モールド側マークが前記フォーカス面から前記第１状態の場合より離れたデフォーカスした状態になるように前記モールドステージを位置決めし、且つ前記基準マークが前記検出光学系の視野内における前記フォーカス面に位置するように前記基板ステージを位置決めした第３状態で前記基準マークを前記検出光学系に検出させる第２検出処理とを含む
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記モールドは、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されたメサ領域と、前記メサ領域の周囲のオフメサ領域とを含み、
   前記制御部は、前記第２検出処理を行うのに、前記基準マークからの光が前記メサ領域と、前記メサ領域と前記オフメサ領域との境界を含む領域とを除く前記モールドの領域を透過するように前記基板ステージを位置決めすることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記モールドは、前記基板に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されたメサ領域を含み、
   前記制御部は、前記第２検出処理を行うのに、前記基準マークからの光が前記メサ領域のうち前記凹凸パターンのピッチが前記基準マークからの光の波長以下の領域を透過するように前記基板ステージを位置決めすることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、前記検出処理を行う検出モードとして、前記第１検出処理を行ってから前記第２検出処理を行うモードと、前記第２検出処理を行ってから前記第１検出処理を行うモードとのうちいずれか一方を選択することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記検出光学系は、前記第１検出処理と前記第２検出処理とで同一位置に固定されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記インプリント装置は、前記検出光学系を複数有し、
   前記複数の検出光学系のそれぞれは、前記モールドに設けられた複数のモールド側マークのうち対応するモールド側マーク及び前記基板ステージに配置された複数の基準マークのうち対応する基準マークを検出することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記複数の検出光学系によってそれぞれ検出された前記複数のモールド側マーク及び前記複数の基準マークに基づいて、前記モールドの形状を求め、
   前記インプリント装置は、前記制御部によって求められた前記モールドの形状に基づいて前記モールドの形状を補正する補正部を更に有することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
8. 前記検出光学系における検出系の開口数を変更する第１変更部と、
   前記検出光学系における照明系の瞳面の光強度分布を変更する第２変更部と、
   を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記基板上のインプリント材を硬化させるための光を照射する照射部と、
   前記モールドと前記検出光学系との間に配置され、前記照射部からの光を前記基板上に投影する投影光学系と、を更に有し、
   前記検出光学系は、前記投影光学系を介して、前記モールド側マーク及び前記基準マークを検出することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 前記モールド側マークと前記基準マークと前記アライメントマークとのそれぞれは、粗アライメントのためのマークを含むことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 検出光学系とモールドとを用いて基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
    前記モールドを保持するモールドステージの位置決めと、基準マークを設けられ且つ前記基板を保持する基板ステージの位置決めと、前記検出光学系による検出とを含む検出処理を行う工程を有し、
    前記検出処理は、
    前記モールドに設けられたモールド側マークと前記基準マークと前記基板に設けられたアライメントマークとを前記検出光学系に検出させ、
    前記モールド側マークと前記アライメントマークとが互いに離れた第１状態で、前記モールド側マークと前記アライメントマークとからの回折光が形成するパターンを前記検出光学系に検出させ、
    前記モールド側マークと前記基準マークとを検出する処理は、前記基準マークが前記検出光学系の視野外に位置するように前記基板ステージを位置決めし、且つ前記検出光学系のフォーカス面に前記モールド側マークが位置するように前記モールドステージを位置決めした第２状態で前記モールド側マークを前記検出光学系に検出させる第１検出処理と、前記モールド側マークが前記フォーカス面から前記第１状態の場合より離れたデフォーカスした状態になるように前記モールドステージを位置決めし、且つ前記基準マークが前記検出光学系の視野内における前記フォーカス面に位置するように前記基板ステージを位置決めした第３状態で前記基準マークを前記検出光学系に検出させる第２検出処理とを含む
    ことを特徴とするインプリント方法。
12. 請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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