JP6094617B2 - 蛍光光源装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 202
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 49
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 47
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 27
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 26
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010019332 Heat exhaustion Diseases 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 yttria Chemical class 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
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- C09K11/7774—Aluminates
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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Description
このような蛍光光源装置の或る種のものは、図3に示すように、半導体レーザなどの励起光源11からの励起光によって蛍光を放射する蛍光体を含有し、表面(図3(a)における上面)が励起光入射面とされた蛍光板51と、当該蛍光板51の裏面(図3(a)における下面)側に設けられた放熱基板52とを備えている(例えば、特許文献1参照)。この蛍光光源装置において、蛍光板51は、反射層が設けられることなどによって裏面が反射機能を有するものとされている。この反射層は、高い光反射特性を有する金属からなるものであることが好ましく、反射層を構成する金属としては、アルミニウム(Al)、銀(Ag)等が用いられる。そして、蛍光板51に設けられた反射層と放熱基板52との間には、例えば半田等の金属からなる接合部材層53が介在しており、当該接合部材層53によって蛍光板51が放熱基板52上に接合されている。
反射層の蛍光板からの剥離は、特に反射膜に銀(Ag)、または、銀(Ag)を主体とする銀合金を用いた場合に発生する。
前記蛍光板と、前記反射層の裏面および周側面を覆う封止層と、この封止層を前記反射積層体および当該蛍光板に接着する接着層と、によって前記反射積層体の封止構造が形成されていることを特徴とする。
従って、本発明の蛍光光源装置によれば、反射層が蛍光板から剥離するという不具合が生じることなく、長期間にわたって反射率の低下が防止され高い発光効率を得ることができる。
図1は、本発明の蛍光光源装置の構成の一例の概略を示す説明図であり、図2は、図1の蛍光光源装置における蛍光発光部材および放熱基板の具体的な構成を示す説明用分解図である。
この蛍光光源装置10は、図1に示すように、例えば半導体レーザよりなる励起光源11と、励起光源11から出射される励起光によって励起されて蛍光を放射する蛍光体を含有する蛍光板21を有する蛍光発光部材20とを備え、これらが互いに離間して配設されたものである。また、蛍光光源装置10には、放熱基板22が設けられている。
この図の例において、蛍光発光部材20は、励起光源11に対向するよう、当該励起光源11の光軸に対して傾斜した姿勢で配置されている。
この蛍光発光部材20は、平板状の放熱基板22の表面(図1および図2における上面)に、蛍光板21の裏面(図1および図2における下面)が放熱板22の表面に対向した状態で配置されて接合されている。そして、放熱基板22と蛍光発光部材20との間には、矩形平板状の接合部材層26が形成されている。すなわち、蛍光発光部材20と放熱基板22とは、接合部材層26によって接合されている。
また、蛍光発光部材20は、蛍光板21の表面、励起光源11に対向するように配置されている。
また、蛍光板21が蛍光体と金属酸化物とからなるものであることによれば、蛍光板21の内部に入射した励起光および蛍光の導光が制御されることから、蛍光出射面における発光領域が小さくなり発光輝度が向上する。また、蛍光板21の内部において、或る蛍光体部分に入射したものの吸収されることのなかった励起光の進行方向が当該蛍光体部分と金属酸化物部分との界面において変更される。そして、その或る蛍光体部分に入射したものの吸収されることのなかった励起光の一部は、他の蛍光体部分に向かって進行する。そのため、励起光を蛍光に変換するための光路長が長くなり、励起光が蛍光体部分に吸収される確率が高くなる。その結果、蛍光板21の内部に入射した励起光を有効に利用して、高い効率で蛍光に変換することができる。また、或る蛍光体部分から放射された蛍光の進行方向が他の蛍光体部分と金属酸化物部分との界面において変更されることから、蛍光が蛍光板21の内部に閉じ込められることが抑制される。その結果、蛍光発光部材20においては、蛍光板21の内部において生じた蛍光を有効に利用して、高い効率で外部に出射することができる。
蛍光板21を構成する蛍光体が多結晶の蛍光体であることにより、蛍光板21が高い熱伝導性を有するものとなる。そのため、蛍光板21においては励起光の照射によって発生した熱が効率よく排熱されることから、蛍光板21が高温となることが抑制される。その結果、蛍光発光部材20においては、蛍光体において温度消光が生じることに起因する蛍光光量の低減を抑制することができる。
ここに、蛍光板21を構成する多結晶の蛍光体は、例えば以下のようにして得ることができる。先ず、母材、賦活材、金属酸化物および焼成助剤などの原材料をボールミルなどによって粉砕処理することによって、サブミクロン以下の原材料微粒子を得る。次いで、この原材料微粒子を用い、例えばスリップキャスト法によって成形体を形成して焼結する。その後、得られた焼結体に対して熱間等方圧加圧加工を施すことによって、気孔率が例えば0.5%以下の多結晶の蛍光体が得られる。
また、蛍光体の粒子の粒径(平均粒径)は、例えば1〜10μmである。
蛍光板21の材質の具体例としては、Al2 O3 /YAG:Ce、Al2 O3 /YAG:Pr、Al2 O3 /YAG:Sm、Al2 O3 /LuAG:Ceなどが挙げられる。このような蛍光板21の蛍光体において、希土類元素(賦活材)のドープ量は、0.5mol%程度である。
蛍光板21が光拡散機能を有するものであることにより、蛍光板21の内部において、励起光の進行方向が光散乱体によって変更される。そのため、励起光を蛍光に変換するための光路長が長くなり、励起光が蛍光体部分に吸収される確率が高くなる。その結果、蛍光板21の内部に入射した励起光を有効に利用して、高い効率で蛍光に変換することができる。
また、蛍光板21が蛍光を拡散する機能を有するものである場合には、蛍光板21の内部において、蛍光の進行方向が光散乱体によって変更されることから、蛍光が蛍光板21の内部に閉じ込められることが抑制される。その結果、蛍光発光部材20においては、蛍光板21の内部において生じた蛍光を有効に利用して、高い効率で外部に出射することができる。
しかも、蛍光板21が光拡散機能を有するものであることによれば、励起光の蛍光への変換効率(量子収率)が小さくなるという弊害を生じさせることなく、蛍光板21の厚みを小さくすることができる。そして、蛍光板21の厚みを小さくすることによれば、当該蛍光板21が極めて高い排熱性を有するものとなり、また蛍光板21の外周面から蛍光が外部に出射されることを十分に抑制または防止することができる。
接合部材として用いられるスズを含有する半田の具体例としては、例えば金スズ合金(AuSn,スズ(Sn)の含有割合20質量%,熱伝導率250W/mk)およびスズ−銀−銅合金(Sn−3Ag−0.5Cu(銀(Ag)の含有割合が3質量%、銅(Cu)の含有割合が0.5質量%、スズ(Sn)の含有割合が96.5質量%),熱伝導率55W/mk)などが挙げられる。これらのうちでは、熱伝導率が高く、スズの含有量が少ないため、金スズ合金が好ましい。具体的に説明すると、接合部材として金スズ合金を用いた場合には、熱伝導率が高いことから、接合部材としてスズ−銀−銅合金を用いた場合に比して、励起光の励起パワーが同一であっても、蛍光板21の温度を20deg程低くすることができる。また、スズの含有割合が少ないことから、反射層31の反射率の低下を抑制することができる。
また、接合部材層26の厚みは、例えば30μmである。
この図の例において、接合部材による蛍光発光部材20と放熱基板22との接合方法としては、例えばリフロー炉を用い、フラックスフリー半田シート(接合部材)を、蛍光発光部材20と放熱基板22との間に挟み、蟻酸ガスまたは水素ガスの雰囲気中において加熱を行うリフロー方式が用いられている。このように、蟻酸または水素の還元力を利用してフラックスフリー半田シートの表面酸化膜を除去してリフローを行う接合方法によれば、形成される接合部材層26にボイドが生じることがなく、良好な熱伝導性が得られる。
この放熱基板22は、高熱伝導性を有すると共に、蛍光板21との熱膨張係数の差が小さい材料よりなるものであることが好ましい。
具体的には、放熱基板22の構成材料の熱膨張係数は蛍光板21の構成材料の熱膨張係数以上であり、その熱膨張率の差は9×10-6〔1/K〕以下であることが好ましい。
放熱基板22の構成材料と蛍光板21の構成材料との熱膨張係数の差が9×10-6〔1/K〕以下であることによれば、蛍光板21の動作時温度を150℃以下に設定することにより、蛍光光源装置10の製造工程において、蛍光発光部材20と放熱基板22との接合部材(具体的には、スズを含有する半田)による接合温度が100℃程度となる。そのため、蛍光光源装置10の動作時においては、蛍光板21に圧縮応力が発生した状態となることから、蛍光板21と放熱基板22との間に、熱膨張に起因する剥離が生じることがない。
ここに、放熱基板22の構成材料として用いられる銅の熱膨張係数は16.5×10-6〔1/K〕であり、モリブデンと銅との合金(銅(Cu)の含有割合30質量%)の熱膨張係数は8.6×10-6〔1/K〕である。一方、蛍光板21の構成材料として用いられるYAGの熱膨張係数は8.6×10-6〔1/K〕である。
図の例において、放熱基板22は、銅よりなるものである。
また、放熱基板22の表面の面積は、図1および図2に示されているように、排熱性などの観点から、蛍光板21の裏面の面積よりも大きいことが好ましい。
また、放熱基板22は、放熱フィンの機能を兼ね備えたものであってもよい。
この図の例において、放熱基板22の厚みは2mmである。
この金属膜において、保護膜層23は、例えばワット浴によるめっき法によって形成されたニッケル(Ni)膜よりなり、半田濡れ膜層24は、例えばワット浴によるめっき法によって形成された金(Au)膜よりなる。
この図の例において、放熱基板22は、外表面全面(表面、裏面および周側面)が、保護膜層23および半田濡れ膜層24よりなる金属膜で覆われてなるものである。この金属膜を構成する各層の厚みは、保護膜層23が2.5μm、半田濡れ膜層24が0.03μmである。
また、反射層31の表面(図1および図2における上面)の面積は、励起光および蛍光の有効利用性の観点から、蛍光板21の裏面の面積以下であることが好ましい。
この図の例において、反射層31の表面は、蛍光板21の裏面の寸法よりも僅かに小さな寸法を有しており、その全面が蛍光板21の裏面の中央部に対向している。
金属酸化物多層膜よりなる増反射部32が設けられていることにより、蛍光板21の裏面がより一層優れた高反射機能を有するものとなる。
この図の例において、増反射部32を構成する金属酸化物多層膜は、二酸化ケイ素(SiO2 )層32Aと酸化チタン(TiO2 )層32Bとを有するものである。ここに、増反射部32を構成する金属酸化物多層膜の厚みは、350nmである。この増反射部32を構成する二酸化ケイ素層32Aおよび酸化チタン層32Bを含む積層膜(具体的には、二酸化ケイ素層32A、酸化チタン層32B、反射層31および後述する、反射層31の表面および裏面の各々に密着した状態の接着性改善層35A,35Bよりなる積層膜)は、電子ビーム蒸着法によって作製される。具体的には、露光によってパターニングしたレジストが配設された蛍光板21の面上に、電子ビーム蒸着法によって積層膜を成膜する。その後、レジストをリフトオフによって取り除き作製されたものである。また、増反射部32の表面(図2における上面)は、その全面が蛍光板21の裏面の中央部に対向接触している。
反射層31の表裏面の各々に接着性改善層35A,35Bが設けられていることにより、反射層31と、当該接着性改善層35A,35Bを介して反射層31に積層される蛍光発光部材20の構成部材との間に高い密着性が得られる。
この図の例において、上面側接着性改善層35Aの上面(図2における上面)には、増反射部32が密着した状態で配設されている。すなわち、上面側接着性改善層35Aと蛍光板21との間においては、増反射部32が、上面側接着性改善層35Aおよび蛍光板21の各々に密着した状態とされている。そして、反射積層体30は、反射層31と接着性改善層35A,35Bと増反射部32とによって構成されている。
接着性改善層35A,35Bの厚みが1μmを超える場合には、接着性改善層35A,35Bが熱伝導性の低いものとなり、蛍光光源装置10の動作時における蛍光板21の温度が高くなる。そのため、蛍光体において温度消光が生じることに起因して十分な蛍光光量を得ることができなくなる。
この図の例において、上面側接着性改善層35Aの厚みは50nmであり、下面側接着性改善層35Bの厚みは50nmである。
また、反射積層体30と封止層37との間、および蛍光板21の裏面の周縁と封止層37との間には、封止層37を、反射積層体30および蛍光板21に接着するための接着層38が設けられている。すなわち、接着層38は、反射層31の周側面と、下面側接着性改善層35Bにおける裏面および周側面と、蛍光板21の裏面の周縁と、封止層37とに密着した状態で設けられている。
このようにして、蛍光板21の裏面において、封止層37が接着層38を介して反射積層体30に密着して設けられており、この封止層37と接着層38と蛍光板21とにより、反射積層体30の封止構造が形成されている。
この図の例において、封止層37と接着層38とは、反射積層体30の全体を覆うように設けられており、増反射部32を構成する金属酸化物多層膜の周側面の全面には接着層38が密着した状態とされている。
また、封止層37の裏面(図2における下面)には、チタン(Ti)層41A,41Bと白金(Pt)層42A,42Bとを有する多層膜よりなる応力緩和層41と金層43とがこの順に設けられている。ここに、封止層37に接触しているチタン層(以下、「第1チタン層」ともいう。)41Aの厚みは50nmであり、その第1チタン層41Aに接触している白金層(以下、「第1白金層」ともいう。)42Aの厚みは150nmである。また、第1白金層42Aに接触しているチタン層(以下、「第2チタン層」ともいう。)41Bの厚みは100nmであり、その第2チタン層41Bに接触している白金層(以下、「第2白金層」ともいう。)42Bの厚みは200nmである。また、金層43の厚みは500nmである。この応力緩和層41を構成するチタン層41A,41Bおよび白金層42A,42B、並びに金層43は、各々、スパッタ蒸着法によって作製されたものである。このような多層膜によって応力緩和層41が構成されていることによれば、チタンの熱膨張係数(8.5×10-6〔1/K〕)および白金の熱膨張係数(8.9×10-6〔1/K〕)が、蛍光板21の構成材料として用いられるYAGの熱膨張係数(8.6×10-6〔1/K〕)に近似しているため、封止層37で発生する応力緩和が可能となる。また、白金層42A,42Bは、接合部材層26を構成する金属(具体的には、例えばスズ)の拡散防止機能を発揮する。すなわち、白金層42A,42Bは、後述する拡散防止層45と共に拡散防止層としても機能する。
具体的に説明すると、封止層37が、金属酸化物(具体的には、酸化アルミニウム(Al2 O3 ))が露出している蛍光板21に接着層38を介して設けられていることから、当該接着層38と蛍光板21との接着性が、蛍光板21と反射積層体30(具体的には、増反射部32の二酸化ケイ素層32A)との接着性よりも強固となる。そのため、蛍光板21の裏面の周縁と封止層37(接着層38)との間に十分な密着性が得られる。
そして、蛍光板21と封止層37と接着層38とによって反射積層体30の封止構造が形成されていることにより、反射積層体30における構成層の剥がれが防止され、また、蛍光光源装置10の動作時において、反射積層体30が動作環境雰囲気にさらされることを防止できることから、蛍光発光部材20が優れた耐候性および耐湿性を有するものとなる。その結果、反射層31の蛍光板21からの剥離、並びに反射層31の酸化および硫化による表面劣化を防止することができる。
しかも、蛍光板21と接着層38との接着性が強固であるため、封止層37の裏面側(図1および図2における下面側)に厚みが1〜4μmの拡散防止層45を形成したとしても、反射層31の剥れ等が発生しない構造となる。
また、反射積層体30の封止構造が形成されていることによれば、反射積層体30が、蛍光発光部材20の構成部材(具体的には、蛍光板21、反射積層体30、接着層38および封止層37以外の構成部材)の形成過程、および蛍光発光部材20と放熱基板22との接合過程などの蛍光光源装置10の製造工程における製造環境雰囲気にさらされることを防止できる。そのため、蛍光光源装置10において、反射積層体30が所期の反射機能を有するものとなる。
また、封止層37は、その厚みが、例えば0.5μm以下とされる。
この封止層37は、スパッタ蒸着法などによって形成される。
この図の例において、封止層37は、ニッケルからなるものであり、当該封止層37の厚みは110nmである。
この接着層38は、反射積層体30と封止層37との間および蛍光板21と封止層37との間の各々において、例えば50nmの厚みを有するものである。
また、接着層38は、スパッタ蒸着法などによって形成される。
この図の例において、接着層38は、クロムよりなるものである。また、蛍光板21の裏面における接着層38が密着した領域、すなわち蛍光板21の裏面の周縁は、金属よりなる接着層38が密着して設けられることにより、反射機能を有するものとされている。すなわち、蛍光板21の裏面は、中央部が高反射機能を有し、周縁が反射機能を有するものとされている。このことによって、蛍光板21の裏面の周縁における蛍光の吸収が少なくなる。そのため、蛍光発光部材20においては、蛍光板21で発生した蛍光を効率よく取り出すことができる。
尚、本実施例では、クロムを用いたい場合について説明したが、クロムに代えてチタン、シリコン、タンタル、アルミニウム、及び、それらの酸化物の少なくとも一つを用いたものでも良い。
この拡散防止層45は、拡散防止機能の観点から、1μm以上の厚みを有するものとされる。また、拡散防止層45の厚みは、反射層31の剥離防止の観点から、4μm以下であることが好ましい。
従って、蛍光光源装置10によれば、反射層31が蛍光板21から剥離するという不具合が生じることなく、長期間にわたって反射率の低下が防止され高い発光効率を得ることができる。
しかも、銀反射膜よりなる反射層31は、密着性が弱く、酸化および硫化されやすいものであるものの、反射積層体30の封止構造が形成されていることから、反射層31における剥離並びに酸化および硫化などによる表面劣化に起因する反射率の低下が生じることがない。
従って、銀反射膜よりなる反射層31が金属酸化物多層膜を介して蛍光板21の裏面側に形成された蛍光光源装置10においては、長期間にわたってより一層高い発光効率が得られる。
例えば、蛍光板は、当該蛍光板の表面に、複数の凸部が周期的に配列されてなる周期構造が形成されたものであってもよい。ここに、蛍光板の表面の周期構造は、例えば略錐形状(具体的には、錐状または錐台状)の凸部が密集した状態で二次元周期的に配列されてなるものである。また、蛍光板が表面に周期構造を有するものである場合には、その蛍光板は、製造容易性の観点から、蛍光部材と、励起光および蛍光に対する光透過性を有する周期構造体層とからなるものであってもよい。
11 励起光源
20 蛍光発光部材
21 蛍光板
22 放熱基板
23 保護膜層
24 半田濡れ膜層
26 接合部材層
30 反射積層体
31 反射層
32 増反射部
32A 二酸化ケイ素層
32B 酸化チタン層
35A,35B 接着性改善層
37 封止層
38 接着層
41 応力緩和層
41A,41B チタン層
42A,42B 白金層
43 金層
45 拡散防止層
46 半田濡れ膜層
51 蛍光板
52 放熱基板
53 接合部材層
Claims (2)
- 励起光により蛍光を発する蛍光体と金属酸化物とからなる、表面が励起光入射面とされた蛍光板と、当該蛍光板の裏面側に配置された反射層を有する反射積層体と、放熱基板とを具備した蛍光光源装置において、
前記蛍光板と、前記反射層の裏面および周側面を覆う封止層と、この封止層を前記反射積層体および当該蛍光板に接着する接着層と、によって前記反射積層体の封止構造が形成されていることを特徴とする蛍光光源装置。 - 前記反射層は、金属酸化物多層膜を介して前記蛍光板の裏面側に形成された銀反射膜よりなることを特徴とする請求項1に記載の蛍光光源装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015071276A JP6094617B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 蛍光光源装置 |
PCT/JP2016/055162 WO2016158088A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-02-23 | 蛍光光源装置 |
CN201680015707.7A CN107407479B (zh) | 2015-03-31 | 2016-02-23 | 荧光光源装置 |
US15/561,550 US10203071B2 (en) | 2015-03-31 | 2016-02-23 | Reflection type fluorescence light source apparatus |
KR1020177029899A KR101809430B1 (ko) | 2015-03-31 | 2016-02-23 | 형광 광원 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015071276A JP6094617B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 蛍光光源装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016192295A JP2016192295A (ja) | 2016-11-10 |
JP2016192295A5 JP2016192295A5 (ja) | 2016-12-22 |
JP6094617B2 true JP6094617B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=57006992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015071276A Active JP6094617B2 (ja) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 蛍光光源装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10203071B2 (ja) |
JP (1) | JP6094617B2 (ja) |
KR (1) | KR101809430B1 (ja) |
CN (1) | CN107407479B (ja) |
WO (1) | WO2016158088A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6365656B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-08-01 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置およびその製造方法 |
JP6361995B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-25 | ウシオ電機株式会社 | 発光素子、蛍光光源装置 |
JP6981086B2 (ja) | 2017-08-03 | 2021-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
US10859899B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-12-08 | Seiko Epson Corporation | Wavelength conversion element, method for producing wavelength conversion element, light source device, and projector |
CN109681846B (zh) * | 2017-10-18 | 2021-01-05 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 波长转换装置及其制备方法 |
JP6888546B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2021-06-16 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光プレート |
JP7224579B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2023-02-20 | 株式会社タムラ製作所 | 波長変換部材 |
JP7178074B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2022-11-25 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 波長変換部材及び波長変換素子、並びに波長変換部材の製造方法 |
JP2019164258A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、光源装置及びプロジェクター |
KR20200144142A (ko) * | 2018-06-18 | 2020-12-28 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 광 파장 변환 부재 및 광 파장 변환 장치 그리고 발광 장치 |
KR102544296B1 (ko) * | 2018-09-13 | 2023-06-16 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치 |
US20220347781A1 (en) * | 2019-07-16 | 2022-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Wavelength conversion member for soldering, wavelength conversion device, and light source device |
JP7295778B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2023-06-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材、および、波長変換装置 |
JP7498054B2 (ja) | 2020-07-31 | 2024-06-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材、波長変換装置、および、光源装置 |
TWI854471B (zh) * | 2022-10-28 | 2024-09-01 | 台達電子工業股份有限公司 | 光波長轉換結構 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4685245B2 (ja) | 2001-01-09 | 2011-05-18 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
JP2003279654A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Canon Inc | 蛍光板 |
US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US7375349B2 (en) * | 2003-11-19 | 2008-05-20 | Fujifilm Corporation | Radiation-image conversion panel and process of producing the same |
JP5530165B2 (ja) | 2009-12-17 | 2014-06-25 | スタンレー電気株式会社 | 光源装置および照明装置 |
US20130334956A1 (en) * | 2010-05-05 | 2013-12-19 | Next Lighting Coro. | Remote phosphor tape lighting units |
JP5741811B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-07-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 発光素子向け増反射透明膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 |
JP5741810B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-07-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 発光素子向け反射膜用組成物、発光素子、および発光素子の製造方法 |
US8587019B2 (en) | 2011-10-11 | 2013-11-19 | Ledengin, Inc. | Grooved plate for improved solder bonding |
US20130255870A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Sunpower Corporation | Combined edge sealing and edge protection of multi-layered reflectors |
JP6164221B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2017-07-19 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
JP5971172B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-08-17 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
WO2014123145A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
JP2014179231A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 光源装置及び照明装置 |
JP5812520B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2015-11-17 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
JP2015050124A (ja) | 2013-09-03 | 2015-03-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2014060164A (ja) | 2013-10-28 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 発光装置、および照明装置 |
-
2015
- 2015-03-31 JP JP2015071276A patent/JP6094617B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-23 CN CN201680015707.7A patent/CN107407479B/zh active Active
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055162 patent/WO2016158088A1/ja active Application Filing
- 2016-02-23 US US15/561,550 patent/US10203071B2/en active Active
- 2016-02-23 KR KR1020177029899A patent/KR101809430B1/ko active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107407479A (zh) | 2017-11-28 |
KR101809430B1 (ko) | 2017-12-14 |
WO2016158088A1 (ja) | 2016-10-06 |
JP2016192295A (ja) | 2016-11-10 |
US20180080615A1 (en) | 2018-03-22 |
CN107407479B (zh) | 2018-09-28 |
US10203071B2 (en) | 2019-02-12 |
KR20170123342A (ko) | 2017-11-07 |
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