JP5717326B2 - 液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置および電子機器ならびに液晶装置の製造方法に関するものである。

液晶装置の視野角を広げる手段として、基板に対して面内方向（横方向）の電界を発生
させ、この横方向の電界で液晶分子を基板に並行な面内で回転させることで透過光を制御
する、いわゆる横電界方式のＩＰＳ（In-Plane Switching）方式が実用化されている。更
に、このＩＰＳ方式を改良したＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式が提案されている
。

このような横電界方式の液晶装置は、ＴＦＴ等の駆動素子が形成された素子基板に共通
電極、画素電極といった電極、または配線といった導電性の部材を配置し、表示面側であ
る対向基板には導電部材を設けない構成を有する。そのため、静電気などに代表される対
向基板側の外部からの外部電界の影響を受けやすく、液晶表示に乱れが生じやすいという
問題がある。これを解決するために、対向基板側に透明導電膜を形成し、透明導電膜で静
電気を捕捉することで表示乱れを防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）
。

特許文献１には、対向基板が備えるガラス基板の外側（液晶層とは反対側）に透明導電
膜を備える構成と、ガラス基板の内側（液晶層側）に透明導電膜を備える構成と、が挙げ
られている。これらを比較すると、内側に透明導電膜を備える対向基板は、同じく内側に
設けられる配向膜などの部材と積層して形成することで、ガラス基板の上下反転操作等が
不要となるため製造が容易であるという利点を有する。

特開２００１−５１２６３号公報

しかし、上記特許文献１では、ガラス基板の内側に透明導電膜を備える対向基板の構成
として、透明導電膜が対向基板側の配向膜の裏面に形成される構造が示されている。この
ような位置に透明導電膜を設けた場合には、透明導電膜と液晶層との間には配向膜しか存
在しないため両者の距離が近い。そのため、静電気を捕捉する透明導電膜と、素子基板に
設けられた画素電極または共通電極との間に縦電界が発生し、横電界方式の駆動を乱すお
それがあるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の液晶装置は、第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持され、前記第１基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって前記液晶層が駆動される液晶装置であって、前記第２基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して遮光層が形成され、前記画素電極と対向する位置に着色層が形成され、前記遮光層および前記着色層を覆って静電遮蔽層が形成され、前記静電遮蔽層を覆って表面が平坦化されると共に、当該表面上に配向膜を設けてなるオーバーコート層が形成され、前記遮光層と前記着色層との境界部には段差が形成され、前記静電遮蔽層の表面には、前記段差を反映した凹凸が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、絶縁層が無いものと比べて、静電遮蔽層と液晶層とが少なくとも絶縁層の厚み分さらに離間するため電圧降下が生じ、静電遮蔽層で捕捉した静電気が液晶層に作用する力（クーロン力）が弱まる。そのため、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置を提供することができる。
また、この構成によれば、カラーフィルターを構成する部材である着色層またはオーバーコート層を絶縁層として用いるため、静電遮蔽層と液晶層との離間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無く、静電気に起因する表示乱れを防ぐことが可能なフルカラー表示の液晶装置を提供できる。
さらに、この構成によれば、少なくともオーバーコート層の厚み分離間するため、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置を提供することができる。また、静電遮蔽層が遮光層および着色層を覆うので、静電遮蔽層に対して液晶層に近い側に遮光層や着色層を設ける場合に比べて、遮光層や着色層から不純物が液晶層に拡散することをさらに抑制できる。
さらにまた、この構成によれば、静電遮蔽層の表面に形成された凹凸部分は、外部静電気に対して避雷針の役割を果たし、静電遮蔽層が平坦面を呈する場合と比べて、外部静電気を捕捉しやすくなる。そのため、外部静電気を上手に逃がすシールド効果が高い静電遮蔽層となり、静電気の影響による画像乱れを抑制した液晶装置を提供することができる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記オーバーコート層の層厚が１μｍ〜５μｍであることが望ましい。
この構成によれば、オーバーコート層を着色層（カラーフィルター）の平坦化層として機能させると共に、光透過性を維持して見栄えのよい液晶装置を提供することができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記第２基板は、少なくとも１辺部に沿った外縁側において前記静電遮蔽層が設けられていない領域を有することが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層が第２基板の外縁の端部まで設けられている場合に比べて、外部静電気が容易に第２基板に侵入して帯電することを抑制することができる。言い換えれば、むやみに外部静電気を誘引することがない。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、前記遮光層は樹脂製であって、前記第２基板は、少なくとも１辺部に沿った外縁側において前記遮光層が設けられていない領域を有することが望ましい。
この構成によれば、例えばマザー基板に多面付けされた第２基板を外形基準で切断して取り出そうとする際に、切断応力が加わる第２基板の外縁部分には樹脂製の遮光層が配置されていないので、該応力による遮光層の剥がれなどを防止することができる。
［適用例５］上記適用例の液晶装置において、前記第２基板の端部が前記オーバーコート層で覆われていることが望ましい。

［適用例６］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、前記引き回し配線と前記静電遮蔽層とが、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されることが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層に捕捉される静電気の電荷が所定電位に保たれるため、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することなく、静電気の影響による画像乱れが抑制された液晶装置を提供することができる。また、静電遮蔽層は、駆動回路と接続された引き回し配線と接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出することができる。

［適用例７］上記適用例の液晶装置において、前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御されることが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層と共通電極との間に電位差がなくなるため、第１基板と第２基板との間に縦方向の電界が発生し難くなり、画像乱れを抑制することができる。

［適用例８］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、前記静電遮蔽層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通していることが望ましい。
この構成によれば、引き回し配線の酸化を防ぎ、且つ良好な導通が得られるため、効果的に静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出し、良好な表示が可能な液晶装置を提供することができる。特に、引き回し配線の形成材料がアルミニウム等の卑金属である場合には、良好に表面酸化を防ぎ、導通を確保することができる。

［適用例９］上記適用例の液晶装置において、前記導電膜は、導電性金属酸化物からなることが望ましい。
この構成によれば、コンタクトホールの底部に露出する引き回し配線の酸化を良好に防ぐことができる。

［適用例１０］上記適用例の液晶装置において、前記第１基板には、前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に絶縁膜を介して設けられ、前記共通電極は、互いに間隔をおいて配置された複数の帯状電極部を有することを特徴とする。
この構成によれば、静電気を捕捉する静電遮蔽層と画素電極との間がより離れたものとなる。そのため、画素電極と静電遮蔽層との間に発生する縦方向の電界を微弱に抑えることができ、画像乱れがより抑制されたＦＦＳ方式の液晶装置を提供することができる。

［適用例１１］上記適用例の液晶装置において、対向配置された前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された前記液晶層を封止するシール材が設けられ、前記シール材によって囲まれた領域の内側に、複数の前記画素電極を有する表示領域が設けられ、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間に非表示領域が設けられ、前記第１基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、前記静電遮蔽層の少なくとも一部が前記静電保護部材と平面的に重なって設けられていることが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層が非表示領域に配置された静電保護部材を合わせて保護するため、良好に表示領域を保護することができ、画像乱れの抑制と静電破壊の防止とを良好に実現した液晶装置を提供することができる。

［適用例１２］上記適用例の液晶装置において、前記静電遮蔽層の層厚が２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層の静電シールド効果を確保しつつ、液晶層を透過した光が静電遮蔽層と着色層とを透過しても所望の色表現が可能な液晶装置を提供することができる。

［適用例１３］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、外部環境からの静電気による表示乱れが無い液晶装置を備え、高品質な画像表示が可能な電子機器を提供することができる。

［適用例１４］本適用例の液晶装置の製造方法は、対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板の前記液晶層側の面に設けられた画素電極および共通電極とを備え、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって前記液晶層が駆動される液晶装置の製造方法であって、前記液晶層に面する前記第２基板の一方の面に樹脂製の遮光材料を塗布して遮光材料層を形成する第１の工程と、前記遮光材料層をパターニングして、平面視で前記画素電極を含む領域に対応する開口部とアライメントマークとを有する遮光層を形成する第２の工程と、前記一方の面に成膜用マスクを対向配置し、前記アライメントマークを用いて前記第２基板と前記成膜用マスクとを位置合わせする第３の工程と、前記成膜マスクを介して前記一方の面に少なくとも前記遮光層を覆うように透明導電膜からなる静電遮蔽層を形成する第４の工程と、を含むことを特徴とする。

この方法によれば、第２基板の一方の面上に任意の平面形状（平面視での形状）の静電
遮蔽層を位置精度よく形成できる。つまり、静電気の影響で表示が乱れることなく、高い
表示品質で画像表示が可能な液晶装置を歩留まりよく製造することができる。

［適用例１５］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記成膜用マスクは、前記静電遮光層の形成領域に対応した開口を有し、前記開口は、平面的に前記第２基板の外形よりも一回り小さいことを特徴とする。
この方法によれば、静電遮蔽層は平面的に第２基板の外形よりも内側の領域に形成される。したがって、第２基板の外縁部に亘って静電遮光層を形成する場合に比べて、外部静電気がむやみに第２基板に誘引されない液晶装置を製造することができる。

第１実施形態に係る液晶装置の等価回路図。 第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態に係る液晶装置の要部概略平面図。 第１実施形態に係る液晶装置の要部拡大平面図。 第１実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図。 第２実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図。 第３実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図。 実施例１〜実施例６の静電シールド層とＯＶＣ層の層厚を示す表。 実施例１〜実施例６の液晶装置におけるＣＩＥｘｙ色度図。 第４実施形態に係る液晶装置の導通材の周辺部を示す概略平面図。 第４実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図。 マザー基板を示す概略平面図。 成膜用マスクとしての蒸着マスクを示す概略平面図。 第５実施形態に係る液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 第６実施形態に係る電子機器としての携帯型電話機を示す概略斜視図。

［第１実施形態］
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について説明
する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚
や寸法の比率などは適宜異ならせてある。

＜液晶装置＞
本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を
制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、ＦＦＳ方式や、ＩＰＳ方
式等が知られている。以下、ＦＦＳ方式の駆動方式を採用した液晶装置のうちフルカラー
表示が可能なものに基づいて説明するが、本発明はＩＰＳ方式の液晶装置にも適用可能で
ある。

図１は、本実施形態の液晶装置１の等価回路図である。液晶装置１の画像表示領域を構
成するマトリクス状に配置された複数のサブ画素Ｐの領域には、画素電極９と画素電極９
をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０とが設けられてい
る。画素電極９と共通電極１９との間には液晶層５０が介在している。共通電極１９は走
査線駆動回路２０４から延びる共通線３ｂと電気的に接続されており、複数のサブ画素Ｐ
において共通の電位に保持されるようになっている。

データ線駆動回路２０５から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースと電気的に接続
されている。データ線駆動回路２０５は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを、データ線６
ａを介して各サブ画素Ｐに供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても
構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するように
してもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路２０４から延びる走査線３ａが電気的に接続
されている。走査線駆動回路２０４から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給
される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加さ
れるようになっている。

画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とさ
れることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが所定のタイミ
ングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶層５０に書
き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極９と液晶層５０を介
して対向する共通電極１９との間で一定期間保持される。

図２〜図４は、本実施形態の液晶装置１について、対向基板（第２基板）側から見た平
面図であり、図３は図２の一部を拡大した図、図４は図３の一部をさらに拡大した図であ
る。

図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、素子基板（第１基板）１０と対向基板
２０とが平面的に重なる部分の周縁部においてシール材５２によって貼り合わされ、この
シール材５２によって区画された領域（表示領域Ａ）内に液晶分子が封入、保持されてい
る。シール材５２には、製造時において素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後
に液晶分子を注入するための液晶注入口５５が形成されており、液晶注入口５５は液晶注
入後に封止材５４により封止されている。素子基板１０の内面側であって表示領域Ａと平
面的に重なる領域には、図示略の画素電極および共通電極が形成されており、素子基板１
０の内面側であってシール材５２と平面的に重なる領域には、引き回し配線１８が設けら
れている。

素子基板１０の一端側の、素子基板１０と対向基板２０との重なり部分から張り出した
部分（基板張出部１０ａ）には、液晶装置１を駆動する駆動信号を処理し適宜供給するた
めの駆動用ＩＣ２０１が実装されており、端部には入力用端子２０２が設けられている。
入力用端子２０２には、例えば異方性導電膜２０３を介して、配線が形成されたＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板等が実装されており、外部電源や種々の外部機器と接
続している。
なお、駆動用ＩＣ２０１は、前述した走査線駆動回路２０４とデータ線駆動回路２０５
とを含むものである。

また、対向基板２０の内面側には、後述の静電シールド層（静電遮蔽層）４０が設けら
れており、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に配設された導通材４３を介し
て、素子基板１０の引き回し配線１８と電気的に導通している。本実施形態の液晶装置１
では、素子基板１０の他端側（駆動用ＩＣ２０１側の辺と対向する側）の辺の両端部に２
箇所、導通材４３が設けられている。液晶装置１においては、その他必要応じて位相差板
、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。

図３は、図２において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ１の拡大図である。ここでは、主とし
て素子基板１０側の構成を示している。

図３に示すように、表示領域Ａには、平面視略矩形の複数のサブ画素Ｐがマトリクス状
に縦横に配置されている。また、シール材５２の内側であって表示領域Ａの周辺は、非表
示領域Ｍとなっている。非表示領域Ｍには、引き回し配線１８から浸入する静電気を放電
し、表示領域Ａに配置されたサブ画素Ｐを保護するための静電保護領域ＳＡと、静電保護
領域ＳＡで放電仕切れなかった静電気によるサブ画素Ｐの破壊を自ら破壊されることで代
行するダミー画素（静電保護部材）ＤＰが配置されたダミー領域ＤＡが設けられている。

素子基板１０における表示領域Ａの周囲には、シール材５２と重なって、共通電極１９
に共通電位を供給する引き回し配線１８が形成されており、引き回し配線１８が折れ曲が
る角には外側（液晶層５０とは反対側）に突出する接続部１８ａが形成されている。

一方、不図示の対向基板が備える静電シールド層４０の角部にも外側に突出する接続部
４０ａが形成されている。接続部４０ａと接続部１８ａとは平面的に重なっていると共に
、いずれもシール材５２の外側にまで延在して形成されており、各々の端部において導通
材４３を介して電気的に接続されている。したがって、静電シールド層４０の電位は、共
通電極１９に与えられる共通電位と同電位に保たれている。

図４は、図３において二点鎖線で囲んだ領域ＡＲ２の拡大図である。

図４に示す様に、非表示領域Ｍには、サブ画素Ｐの周辺に配置された複数のダミー画素
ＤＰを有するダミー領域ＤＡと、ダミー領域ＤＡとシール材５２との間の領域に配置され
たショートリング（静電保護部材）２１１や抵抗素子（静電保護部材）２１２を有する静
電保護領域ＳＡと、が設けられている。静電保護領域ＳＡのショートリング２１１および
抵抗素子２１２は、主に製造工程中に発生する静電気からサブ画素Ｐごとに配置されたＴ
ＦＴ３０を保護するために設けられる。

製造工程中に発生する静電気は、表示領域Ａの周辺からサブ画素Ｐに侵入する。そのた
め、発生する静電気を静電保護領域ＳＡの機能にて放電すると共に、放電仕切れなかった
静電気をダミー領域ＤＡに配置されたダミー画素ＤＰが破壊されることで、サブ画素Ｐが
破壊されることを防いでいる。

抵抗素子２１２は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰが配列する行列に対応して、各行
列の端部に設けられている。図４では、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの行に対して１
行おき（上端の行から数えて偶数行）に設けられ、各々の行の走査線３ａと接続している
。また、図示は省略するが、図４に示す右辺と対向する側の左辺には、残る行（奇数行）
に対応する抵抗素子２１２が設けられている。また、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰの
列の上端部にも、列毎に抵抗素子２１２が設けられている。

また、共通電極１９は、サブ画素Ｐおよびダミー画素ＤＰを覆って形成されており、抵
抗素子２１２が設けられた側の端部には、ショートリング２１１と接続するための張出部
２１３が設けられている。張出部２１３は、抵抗素子２１２と重ならない位置に設けられ
ており、張出部２１３を介して共通電極１９とショートリング２１１とが接続している。

また、共通電極１９の上端の角部分に設けられた張出部２１３には、引き回し配線１８
と接続するために平面視略矩形の接続部１９ｂが設けられており、引き回し配線１８と接
続部１９ｂとは複数のコンタクトホール２１４を介して互いに接続している。また、接続
部１９ｂは、複数のコンタクトホール２１５を介して、ショートリング２１１とも接続し
ている。これら静電保護領域ＳＡに設けられた部材により、サブ画素Ｐに設けられたＴＦ
Ｔ３０の静電破壊を防止している。

また、静電シールド層４０は、これらダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成と平
面的に重なって設けられている。静電シールド層４０は、後述するように外部からの静電
気を捕捉する機能を有しており、静電気によりダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構
成が破壊されることを防いでいる。そのため、ダミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡでは、
良好にサブ画素Ｐが破壊されることを防ぐことができる。また、静電シールド層４０とダ
ミー領域ＤＡや静電保護領域ＳＡの各構成とは電気的に接続されているため、互いに協働
して静電気を拡散させることができる。

図５は、本実施形態の液晶装置１の要部の構造を示す概略断面図である。詳しくは、シ
ール材５２及び導通材４３周辺の概略断面図である。ここでは、図を見やすくするために
、非表示領域Ｍ（図３、図４参照）における構成を省略して図示している。

図５に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された対
向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、を備えて
構成されている。また、液晶装置１には、素子基板１０と対向基板２０とが対向する領域
の縁端に沿ってシール材５２が設けられ、液晶層５０を構成する液晶分子が封止されてい
る。この液晶装置１は、素子基板１０側から照明光が照射され、表示される画像を対向基
板２０側から観察する透過型の構成となっている。

素子基板１０は、透光性を備えた基板本体１１を備えている。基板本体１１を形成する
材料には、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等の有機高分子化合物（樹脂）を用いることができる。また、透光性を備
えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもでき
る。

基板本体１１の液晶層５０側の面上には、アルミニウムや銅等の導電性材料からなる走
査線３ａと不図示のデータ線が形成されている。また、シール材５２と平面的に重なる領
域には、同様の導電性材料からなる引き回し配線１８が形成されている。これらは同じ材
料を用いることとしてもよく、また異なる材料を用いて形成しても良い。これらは、例え
ば導電性材料の薄膜を成膜した後に、パターニングされることにより得られる。本実施形
態では形成材料としてアルミニウムを用いる。

また基板本体１１上には、走査線３ａ、データ線、引き回し配線１８を覆うようにゲー
ト絶縁膜１２が形成されている。ゲート絶縁膜１２は、窒化シリコンや酸化シリコンなど
のような絶縁性を有する透光性材料で構成されている。

ゲート絶縁膜１２上には、半導体層３２、半導体層３２の一端に接続されているソース
電極３３、半導体層３２の他端に接続されているドレイン電極３４が形成されており、こ
れら半導体層３２、ソース電極３３、ドレイン電極３４および走査線３ａによってボトム
ゲート型のＴＦＴ３０を構成している。また、ＴＦＴ３０を覆うように層間絶縁膜１３が
形成されている。層間絶縁膜１３は、ゲート絶縁膜１２と同様に、窒化シリコンや酸化シ
リコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。

層間絶縁膜１３上には、画素電極９が形成されており、コンタクトホール１６を介して
ＴＦＴ３０のドレイン電極３４と電気的に接続している。画素電極９は、ＩＴＯ（Indium
Tin Oxide:インジウム錫酸化物）や錫酸化物（ＳｎＯ₂）等の透光性を備えた導電性材料
にて形成されている。本実施形態ではＩＴＯを用いている。

また、層間絶縁膜１３上には、画素電極９を覆って電極間絶縁膜１４が形成されている
。電極間絶縁膜１４は、ゲート絶縁膜１２や層間絶縁膜１３と同様に、窒化シリコンや酸
化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されており、層間絶縁膜１３上に形成
された画素電極９を被覆している。

電極間絶縁膜１４上には、平面視では帯状電極部１９ａを有する梯子状の共通電極１９
が形成されている。画素電極９と共通電極１９とは、電極間絶縁膜１４を介して配置され
ており、ＦＦＳ方式の電極構造を構成している。また共通電極１９は、ゲート絶縁膜１２
、層間絶縁膜１３、電極間絶縁膜１４を連通するコンタクトホール１７を介して引き回し
配線１８と接続されている。共通電極１９は、ＩＴＯ等の透光性の導電性材料にて形成さ
れており、本実施形態では共通電極１９の材料にＩＴＯを用いている。

また、電極間絶縁膜１４上には、共通電極１９を覆って配向膜１５が形成されている。
配向膜１５は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成
されている。本実施形態の配向膜１５は、ポリイミドの膜形成材料を塗布してこれを乾燥
・硬化させた後、その上面を所定の方向にラビング（擦る）するラビング処理が施されて
いる。

一方、対向基板２０は透光性を備えた基板本体２１を備えている。基板本体２１を形成
する材料には基板本体１１と同様の材料を用いることができる。

基板本体２１の液晶層５０側の面上には、図３で示す表示領域Ａとダミー領域ＤＡと静
電保護領域ＳＡとの全面を覆って、静電シールド層４０が形成されている。静電シールド
層４０は、外部からの静電気を捕捉し、捉えた静電気を後述の導通材４３を介して逃がす
ことで、対向基板２０と素子基板１０との間に不測の縦電界を生じることを防止するため
に設けられる。静電シールド層４０は、ＩＴＯやＳｎＯ₂等の透光性を有する導電材料を
用いて形成されており、本実施形態ではＩＴＯを形成材料としている。

静電シールド層４０の液晶層５０側の面上には、着色層２２ａおよびブラックマトリク
ス（遮光層）２２ｂを備えたカラーフィルター層２２が形成されている。カラーフィルタ
ー層２２は、例えば、黒色顔料を混合したアクリル樹脂などを用い、通常知られた方法を
用いて格子状にパターニングしたブラックマトリクス２２ｂを形成し、パターニングによ
り設けられた開口部２２ｃに液滴吐出法などの湿式塗布法を用いて着色層２２ａの形成材
料を配置して形成する。

本実施形態では各層の層厚を、着色層２２ａは２μｍ、ブラックマトリクス２２ｂは１
．５μｍとした。カラーフィルター層２２で、素子基板１０側から入射して対向基板２０
側に出射する光を赤色、緑色、青色に変調し、各色の光を混色することでフルカラー表示
が可能となる。

カラーフィルター層２２上には、オーバーコート層（絶縁層）２４が形成されている。
オーバーコート（ＯＶＣ）層２４は、カラーフィルター層２２を物理的または化学的に保
護する機能を備える。また、形成された着色層２２ａやブラックマトリクス２２ｂから、
各々の形成材料に含まれる硬化剤の反応残渣などの低分子量物質やイオン性の不純物が液
晶層５０へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐ。ＯＶＣ層２４は、例えばアクリル樹脂
やエポキシ樹脂などの透光性を備えた硬化性樹脂を用いて形成する。本実施形態ではアク
リル樹脂を用い、層厚がおよそ３μｍとなるように形成している。

ＯＶＣ層２４上には、配向膜１５と同様の材料を用いて配向膜２５が形成されている。
本実施形態の配向膜２５は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後
、その上面を所定の方向にラビング（擦る）するラビング処理が施されている。ラビング
による配向膜２５の配向方向は、配向膜１５の配向方向と平面視では同じであるが、互い
に逆向きにラビング処理が施されている。

また、液晶層５０と重なる領域のＯＶＣ層２４上には、ブラックマトリクス２２ｂと重
なる領域に、スペーサー５６が形成されている。スペーサー５６は、素子基板１０と対向
基板２０との離間距離を一定以下にならないように保持するためのものである。例えば、
対向基板２０側から応力が加わった場合に、液晶層５０の厚さがスペーサー５６の高さ未
満とならないため、表示乱れを防ぐことができる。

素子基板１０に設けられた引き回し配線１８と、対向基板２０に設けられた静電シール
ド層４０とは、液晶層５０の周囲を囲むシール材５２の外側（液晶層５０とは反対側）の
領域において、導通材４３を介して導通している。導通材４３は、導電性を有する微粒子
を混合した硬化性樹脂や、銀ペーストなどを用いることができる。導電性を有する微粒子
には、例えばＡｕやＡｇなどの金属微粒子や、金属などの導電性を有する材料で導電性を
有さない微粒子の表面をコートしたものなどが挙げられる。

素子基板１０側の導通材４３を配置する領域には、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１３
、電極間絶縁膜１４を貫通して互いに連通するコンタクトホール４１が形成されており、
底部には引き回し配線１８が一部露出している。

本実施形態の引き回し配線１８は、形成材料として卑金属であるアルミニウムを用いて
いるため、コンタクトホール４１を形成して露出させると、表面が酸化して酸化膜を形成
し、導通を取ることができないおそれがある。また、コンタクトホール４１の底部には引
き回し配線１８の一部のみが露出するのみであり、導通材４３との導通面積が小さい。そ
のため、引き回し配線１８の表面酸化を防ぎ、また、導通材４３との導通を確実なものと
するため、コンタクトホール４１を覆ってＩＴＯやＳｎＯ₂を形成材料とする導電膜４４
が形成されていることが望ましい。

また、対向基板２０側の導通材４３を配置する領域には、ブラックマトリクス２２ｂ、
ＯＶＣ層２４を貫通して互いに連通するコンタクトホール４２が形成されている。
本実施形態の液晶装置１は、以上のような構成となっている。

以上のような構成の液晶装置１では、静電シールド層４０と配向膜２５との間には、着
色層２２ａおよびＯＶＣ層２４が設けられており、これらの層の厚み分、静電シールド層
４０と液晶層５０とが離間している。そのため、配向膜２５と接して静電シールド層４０
を形成する場合と比べると、静電シールド層４０で捕捉した静電気によるクーロン力が弱
まり、液晶層５０に影響を与えにくくなる。また、フルカラー表示可能な液晶装置１にお
いて、着色層２２ａおよびＯＶＣ層２４を用いて離間距離を稼ぐ構成であることから、離
間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無い。これらのことから、静電気に起因
する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置１が実現されている。

また、本実施形態では、引き回し配線１８と静電シールド層４０とが、導通材４３を介
して平面的に重なる位置で電気的に接続されており、静電シールド層４０の電位が駆動回
路によって制御された共通電極１９の共通電位と同じ電位に制御されることとしている。
そのため、静電シールド層４０に捕捉される静電気の電荷が共通電位と等しく保たれるた
め、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することがない。また、静電シールド層４０は
、引き回し配線１８と接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電
シールド層４０に蓄積する電荷を放出することができる。更に、静電シールド層４０と共
通電極１９との間に電位差がなくなるため、基板間に縦方向の電界が発生し難くなり、こ
れらのことから、画像乱れを抑制した液晶装置１とすることができる。

また、本実施形態では、画素電極９は、共通電極１９を挟んで液晶層５０と反対側に設
けられることとしている。そのため、静電気を捕捉する静電シールド層４０と画素電極９
との間がより離れたものとなって、画素電極９と静電シールド層４０との間に発生する電
界をより微弱に抑えることができ、画像乱れを抑制した液晶装置１とすることができる。

なお、本実施形態においては、静電シールド層４０は引き回し配線１８と電気的に接続
することとしたが、静電シールド層４０は、電気的に孤立したフローティング状態であっ
ても構わない。フローティング状態とは、周囲の配線や電極などの導電部材と接続してい
ない状態で形成されていることを示す。

また、本実施形態においては、静電シールド層４０は引き回し配線１８と電気的に接続
することとしたがこれに限らない。例えば、共通電極１９をシール材５２の外側にまで延
在して形成しておき、静電シールド層４０と共通電極１９との間で導通させることとして
も良い。また、静電シールド層４０に帯電する静電気を放電するための導通部材を別途設
けることとしても構わない。

また、本実施形態においては、静電シールド層４０を共通電極１９と接続し、共通電位
に制御することとしたが、これに限らない。例えば、ＧＮＤ電位に保たれた配線を別途形
成し、当該配線と静電シールド層４０とを接続することで、静電シールド層４０をＧＮＤ
電位に保つこととしても良い。

また、画素電極９は、共通電極１９よりも液晶層５０側に配置することもできる。その
場合には、液晶層５０に近い側に配置される画素電極９を、梯子状電極とする。

［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶装置は、第１実施形態と一部共通している。異なるのは、静電シールド
層４０が、カラーフィルター層２２の一部に含まれ、基板本体２１と、カラーフィルター
層２２のブラックマトリクス２２ｂと、を覆って形成されていることである。したがって
、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細
な説明は省略する。

本実施形態の液晶装置２が有する静電シールド層４０は、基板本体２１およびブラック
マトリクス２２ｂの表面を覆って形成され、着色層２２ａは、形成された静電シールド層
４０を一部覆って設けられている。

このような静電シールド層４０の表面は、下地となるブラックマトリクス２２ｂの形状
を反映した凹凸形状を備えており、着色層２２ａの周縁部と重なる部分（図中破線で丸く
囲む部分）が凹凸部４６となっている。

対向基板２０側には、ＯＶＣ層２４を貫通するコンタクトホール４２が形成されており
、コンタクトホール４２内で静電シールド層４０と導通材４３とが電気的に接続されてい
る。

以上のような構成の液晶装置２では、画素電極９と平面的に重なる領域では、静電シー
ルド層４０と液晶層５０とが、着色層２２ａおよびオーバーコート層２４の厚み分だけ離
間するため、静電気に起因する表示乱れを防ぐ。また、静電シールド層４０の表面に形成
された凹凸部４６は、外部静電気に対して避雷針の役割を果たし、静電シールド層４０が
平坦面を呈する場合と比べて、外部静電気を捕捉しやすくなる。そのため、シールド効果
が高い静電シールド層４０となり、静電気の影響による画像乱れを抑制した液晶装置２と
することができる。

［第３実施形態］
図７は、本発明の第３実施形態に係る液晶装置の要部の構造を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶装置は、第１実施形態と一部共通している。異なるのは、静電シールド
層４０がカラーフィルター層２２を覆って形成されていることである。したがって、本実
施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明
は省略する。

本実施形態の液晶装置３が有するカラーフィルター層２２は、着色層２２ａが、ブラッ
クマトリクス２２ｂよりも厚く形成されており、周縁の一部が隣接するブラックマトリク
ス２２ｂと重なって形成されている。隣り合う着色層２２ａの間にはブラックマトリクス
２２ｂが一部露出している。静電シールド層４０は、カラーフィルター層２２の表面を覆
って形成されている。静電シールド層４０の表面は、下地となるカラーフィルター層２２
の形状を反映した凹凸形状を備えており、着色層２２ａの周縁部と重なる部分（図中破線
で丸く囲む部分）が凹凸部４６となっている。

以上のような構成の液晶装置３では、凹凸部４６が外部静電気に対する避雷針の役割を
果たすことにより、静電気を捕捉しやすくシールド効果が高い静電シールド層４０とする
ことができる。したがって、静電気の影響による画像乱れを抑制した液晶装置３とするこ
とができる。
また、静電シールド層４０によって樹脂製の着色層２２ａとブラックマトリクス２２ｂ
とを覆っているので、第１実施形態や第２実施形態に比べて着色層２２ａやブラックマト
リクス２２ｂに含まれる不純物が液晶層５０側に拡散することをさらに抑制することがで
きる。

なお、本実施形態の液晶装置３では、ブラックマトリクス２２ｂよりも着色層２２ａの
ほうが厚いカラーフィルター層２２を示したが、例えば着色層２２ａを層厚１．１μｍ程
度に形成し、ブラックマトリクス２２ｂのほうが厚いカラーフィルター層２２としても適
用可能である。

次に、液晶装置３における静電シールド層４０とＯＶＣ層２４について具体的な実施例
を挙げて説明する。図８は実施例１〜実施例６の静電シールド層とＯＶＣ層の層厚を示す
表、図９は実施例１〜実施例６の液晶装置におけるＣＩＥｘｙ色度図である。

なお、図９のＣＩＥｘｙ色度図は、以下のような実施例における液晶装置３の製造条件
を前提として、光学的なシミュレーションにより求めたものである。

実施例１〜実施例６において、液晶装置３における液晶層５０は、正の誘電異方性を有
する液晶分子で構成され、その複屈折率Δｎは０．１２〜０．１５、比誘電率Δεが８．
０〜１６．０、厚みは２．５μｍ〜４．０μｍとしている。
着色層２２ａの厚みは各色ともほぼ同一で、およそ１μｍ〜２．５μｍとしている。
静電シールド層４０は、透明導電膜としてスパッタ法または蒸着法で成膜されたＩＴＯ
膜を用いる。
ＯＶＣ層２４は、透明なアクリル系の樹脂からなり、１ｋＨｚにおける比誘電率をおよ
そ２．５としている。

図８に示すように、実施例１〜実施例６では、対向基板２０側の静電シールド層４０と
ＯＶＣ層２４との形成条件を異ならせた組み合わせとしている。

具体的には、実施例１〜実施例５では、静電シールド層４０の厚みをおよそ１５０ｎｍ
として、ＯＶＣ層２４の厚みを１．０μ〜５．０μｍの間で異ならせた。実施例６では、
ＯＶＣ層２４の厚みを先の変動範囲の中央値である３．０μｍとして、静電シールド層４
０の厚みを実施例１〜実施例５に比べて薄い３０ｎｍとした。

図９のＣＩＥｘｙ色度図と図８の実施例１〜実施例５のｘ座標値、ｙ座標値に示すよう
に、ＯＶＣ層２４の厚みを５μｍから順に薄くしてゆくと液晶装置３の表示における色相
を矢印の方向、すなわち青側にシフトさせる効果を奏する。黄色に対して補色である青側
にシフトさせることにより、液晶装置３における表示色の色相を調整することが可能とな
る。つまり、表示におけるホワイトバランス（白表示がより白く表示される）を適正化す
ることができる。

ＯＶＣ層２４の層厚は、およそ５μｍを超えると液晶装置３が黄色味を帯び始めること
から、表示色の色相を調整する点で上限をおよそ５．０μｍとすることが妥当である。
一方、ＯＶＣ層２４の厚みは薄いほど色相を青側にシフトさせる効果が期待できるが、
ＯＶＣ層２４における平坦化層としての機能や、液晶層５０から静電シールド層４０を遠
ざけて静電シールド層４０と画素電極９との間の縦電界の強度を弱くする効果を考慮する
と、下限値はおよそ１．０μｍが妥当である。すなわち、ＯＶＣ層２４の厚みは１．０μ
ｍ〜５．０μｍが望ましく、さらに上述した効果をバランスさせる観点から２．０μ〜４
．０μｍがより好ましい。

静電シールド層４０の層厚は、実施例１〜実施例６の色度図におけるｘ，ｙ座標値の結
果を参照すれば、薄いほうが色相を青側にシフトさせる効果がある。けれども、静電シー
ルド層４０を設けることによるシールド効果が期待できる実質的な電気抵抗を有すること
、透明導電膜として屈折率ｎがおよそ１．７のＩＴＯ膜を用いた場合には、層厚が２００
ｎｍを越えると静電シールド層４０自体が可視光領域において長波長側の光を吸収し易く
なり赤みを帯びることなどから、静電シールド層４０の層厚としてはおよそ２０ｎｍ〜２
００ｎｍの範囲が望ましい。

また、静電シールド層４０は対向基板２０において着色層２２ａおよびブラックマトリ
クス２２ｂを覆って設けられるので、カラーフィルター層２２の表面における段差をきち
んと被覆できること、樹脂製の着色層２２ａやブラックマトリクス２２ｂからイオン成分
などの不純物が液晶層５０に拡散することを防止できることなどの観点で、層厚はおよそ
５０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましい。

このような静電シールド層４０とＯＶＣ層２４の層厚に対する設定の仕方は、本実施形
態に限られるものではなく、上記第１実施形態や上記第２実施形態、この後に説明する第
４実施形態にも適用可能である。

［第４実施形態］
次に本発明の第４実施形態に係る液晶装置について、図１０および図１１を参照して説
明する。図１０は第４実施形態の液晶装置における導通材の周辺部を示す概略平面図、図
１１は図１０のＣ−Ｃ’線で切った液晶装置の要部概略断面図である。なお、第１実施形
態と同じ構成については同じ符号を付して、詳細の説明は省略する。

図１０に示すように、本実施形態の液晶装置４は、第３実施形態の液晶装置３に対して
、次に記載する点が異なっている。静電シールド層４０の接続部４０ａと引き回し配線１
８の接続部１８ａとをシール材５２の角部の外側において電気的に導通させる導通材４３
が設けられた部分では、導通材４３と平面的に重ならないようにブラックマトリクス２２
ｂが切り欠かれている。詳しくは、ＯＶＣ層２４に設けられたコンタクトホール２４ａの
円周に沿うと共に、対向基板２０の辺部と平行となるようにブラックマトリクス２２ｂの
一部が対向基板２０の角部で切り欠かれている。

また、ブラックマトリクス２２ｂは、対向基板２０において平面的に辺部の外縁端部ま
で形成されておらず、辺部の外縁との間に隙間が設けられている。言い換えれば、辺部の
外縁にはブラックマトリクス２２ｂが設けられていない領域が辺部に沿って延在している
。

また、図１１に示すように、静電シールド層４０の接続部４０ａは、基板本体２１の端
部まで延在しておらず、ＯＶＣ層２４によって覆われている。言い換えれば、ブラックマ
トリクス２２ｂと同様に、基板本体２１の辺部の外縁には静電シールド層４０が設けられ
ていない領域が辺部に沿って延在している。

このような構成の液晶装置４によれば、複数の対向基板２０が面付けされたマザー基板
から対向基板２０の外形に沿って切断して液晶装置４を取り出す場合、導通材４３が設け
られる部分および外形に沿った部分には、樹脂製のブラックマトリクス２２ｂが存在しな
い。つまり、切断時に応力が集中する基板本体２１の外縁には基板本体２１との密着性が
比較的低いブラックマトリクス２２ｂが存在しないので、切断時の応力に起因するブラッ
クマトリクス２２ｂの浮きや剥がれが発生しない。それゆえに、静電シールド層４０と引
き回し配線１８との高い接続信頼性と、シール材５２を介した素子基板１０と対向基板２
０との高い接着性とが確保される。すなわち、高い信頼性品質を有する液晶装置４が実現
される。

また、基板本体２１の端部にまで静電シールド層４０の接続部４０ａが延在していない
ので、外部から静電気が基板本体２１に侵入し難い。言い換えれば、静電気が外部から容
易には誘引されない構造となっている。すなわち、外部静電気によって液晶装置４が電気
的に破損したり、表示が乱されることが抑制される。さらには、水分などが介在して透明
導電膜が還元され、ひどいときには溶けてしまう電蝕にも強い構造となっている。

［第５実施形態］
＜液晶装置の製造方法＞
次に、本発明の第５実施形態としての、液晶装置２の製造方法について図１２〜図１４
を参照して説明する。図１２はマザー基板を示す概略平面図、図１３は成膜用マスクとし
ての蒸着マスクを示す概略平面図、図１４（ａ）〜（ｄ）は本発明の第５実施形態に係る
液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。
本実施形態の液晶装置２の製造方法は静電遮蔽層としての静電シールド層４０の形成に
関する工程である。そこで、対向基板２０における基板本体２１等の本実施形態に必要な
構成要素のみを図示し、他の構成要素の図示は省略する。
なお、本実施形態の液晶装置２の製造方法は、大型（大面積）のマザー基板を用いて複
数個の液晶装置２を同時に形成する場合について示している。

図１２に示すように、対向基板２０は、マザー基板Ｗ２においてマトリクス状に複数（
１２個）面付けされている。図中に破線で示された部分は、対向基板２０の外形を示して
いる。実際の液晶装置２の製造においては、素子基板１０が面付けされて各構成が形成さ
れた大型のマザー基板Ｗ１と、対向基板２０が面付けされて同じく各構成が形成された上
記マザー基板Ｗ２とを対向配置して所定の位置でシール材５２を介して接合する工程を有
している。
なお、マザー基板Ｗ２の大きさとこれに面付けされる対向基板２０の数は、これに限定
されるものではない。

図１３に示すように、静電シールド層４０の形成に用いられる成膜用マスクとしての蒸
着マスク６４は、マザー基板Ｗ２に面付けされた複数の対向基板２０の配置に対応して設
けられた複数の開口６４ａと、アライメント（位置合わせ）用の複数の孔６４ｂとを有し
ている。

開口６４ａは、対向基板２０の外形よりも一回り小さい大きさとなっており、詳細な図
示は省略したが、図３に示したように開口６４ａの短辺側の角部２箇所には、静電シール
ド層４０の接続部４０ａに対応した形状となっている。すなわち、先端がとがった接続部
４０ａに対応した切り欠きが設けられている。

孔６４ｂは、等間隔で並んだ４つの開口６４ａの両端側にそれぞれ１つずつ設けられて
いる。

このような蒸着マスク６４は、例えばマスク材料としてＮｉ（ニッケル）とＦｅ（鉄）
の合金であるインバーなどが用いられ、前述したマザー基板Ｗ２に対して対向配置され、
開口６４ａの形状に対応したパターンでの成膜を可能としている。以下、工程ごとに説明
する。

まず、図１４（ａ）に示すように、基板本体２１上の全面に遮光材料層６２を形成する
。遮光性材料とは上述したように黒色顔料を混合したアクリル樹脂等である。

次に、図１４（ｂ）に示すように、遮光材料層６２をパターニングして遮光層としての
ブラックマトリクス２２ｂを形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー法で行う
ことが好ましい。上述したように、基板本体２１は大型のマザー基板Ｗ２に面付けされて
おり、該マザー基板Ｗ２を用いて複数の液晶装置２が同時に形成される。したがって、本
図においては個々のブラックマトリクス２２ｂが液晶装置２の１つ分のブラックマトリク
ス２２ｂに対応している。すなわち、本図に示す個々のブラックマトリクス２２ｂは図示
しない格子状のパターンを有している。該格子状のパターンに囲まれた領域が開口部（不
図示）となる。そして、かかるパターニング時に表示領域Ａ（図２参照）の外側にアライ
メントマーク６０を形成する。フォトリソグラフィー法であれば、かかる精細なパターニ
ングの形成が可能である。

次に、図１４（ｃ）に示すように、マザー基板Ｗ２（基板本体２１）に成膜用マスクと
しての蒸着マスク６４を対向配置して、上述のアライメントマーク６０と孔６４ｂとを用
いてアライメント（位置合わせ）する。図では、マザー基板Ｗ２（基板本体２１）と蒸着
マスク６４とは若干の間隔を有しているが、密着させてもよい。

次に、図１４（ｄ）に示すように、マザー基板Ｗ２（基板本体２１）を図示しない熱源
等を備えた坩堝６６と対向させる。そして蒸着マスク６４越しに透明導電材料粒子として
のＩＴＯ粒子６８を飛翔させて、ブラックマトリクス２２ｂを覆うように静電シールド層
４０を形成する。

図示するように、マザー基板Ｗ２上に互いに間隔を持って複数個の静電シールド層４０
が形成される。上述の間隔が、基板本体２１を分割して個々の液晶装置２とする際の分割
位置（分割線となる位置）である。そして、かかる間隔のため、分割後の液晶装置２にお
いて基板本体２１の端面と静電シールド層４０の端面とが面一になることが回避される。
そして、かかる態様により、静電シールド層４０の電蝕あるいは静電気の侵入が抑制され
る。したがって、本実施形態の製造方法によれば、表示品質のみならず信頼性も向上した
液晶装置２を得ることができる。

このように成膜用マスクとしての蒸着マスク６４を用いて静電シールド層４０を形成す
る液晶装置２の製造方法は、上記実施形態の液晶装置１、液晶装置３、液晶装置４に対し
ても適用可能なことは言うまでもない。例えば、液晶装置３，４の場合には、着色層２２
ａとブラックマトリクス２２ｂが形成されたマザー基板Ｗ２（基板本体２１）と蒸着マス
ク６４とを対向配置して透明導電膜（ＩＴＯ）の成膜を行えばよい。

［第６実施形態］
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について説明する。図１５は、本発明に係る電子機器の一
例を示す携帯型電話機の斜視図である。図１５に示すように、本実施形態の電子機器とし
ての携帯型電話機１３００は、上記実施形態の液晶装置１〜液晶装置４のいずれかを小サ
イズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送
話口１３０４を備えて構成されている。これにより、静電気による表示乱れが抑制され、
高い表示品質と信頼性品質とを兼ね備えた携帯型電話機１３００を提供することができる
。

上記実施形態の液晶装置１〜液晶装置４のいずれかが搭載される電子機器は、上記携帯
型電話機１３００に限らず、電子ブック、プロジェクター、パーソナルコンピューター、
ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダー型あるいはモニター
直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電
卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル
を備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすること
で、静電気による画像乱れが少なく、高い表示品質を有する表示部を備えた電子機器を提
供できる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成
部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
設計要求等に基づき種々変更可能である。

１，２，３，４…液晶装置、９…画素電極、１８…引き回し配線、１９…共通電極、１
９ａ…帯状電極部、２０…対向基板、２２ａ…着色層、２２ｂ…遮光層としてのブラック
マトリクス、２４…オーバーコート層、２５…配向膜、４０…静電遮蔽層としての静電シ
ールド層、４１…コンタクトホール、４３…導通材、４４…導電膜、５０…液晶層、５２
…シール材、６０…アライメントマーク、６２…遮光材料層、６４…成膜用マスクとして
の蒸着マスク、６４ａ…開口、２１１…静電保護部材としてのショートリング、２１２…
静電保護部材としての抵抗素子、１３００…電子機器としての携帯型電話機、Ａ…表示領
域、Ｍ…非表示領域、ＳＡ…静電保護領域。

Claims (13)

1. 第１基板と第２基板との間に液晶層が挟持され、前記第１基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって前記液晶層が駆動される液晶装置であって、
   前記第２基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して遮光層が形成され、前記画素電極と対向する位置に着色層が形成され、前記遮光層および前記着色層を覆って静電遮蔽層が形成され、前記静電遮蔽層を覆って表面が平坦化されると共に、当該表面上に配向膜を設けてなるオーバーコート層が形成され、前記遮光層と前記着色層との境界部には段差が形成され、前記静電遮蔽層の表面には、前記段差を反映した凹凸が形成されていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記オーバーコート層の層厚が１μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第２基板は、少なくとも１辺部に沿った外縁側において前記静電遮蔽層が設けられていない領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記遮光層は樹脂製であって、
   前記第２基板は、少なくとも１辺部に沿った外縁側において前記遮光層が設けられていない領域を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記第２基板の端部が前記オーバーコート層で覆われていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
6. 前記第１基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、
   前記引き回し配線と前記静電遮蔽層とが、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、
   前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御されることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
8. 前記第１基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、
   前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、
   前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、
   前記静電遮蔽層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通していることを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置。
9. 前記導電膜は、導電性金属酸化物からなることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
10. 前記第１基板には、前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に絶縁膜を介して設けられ、
    前記共通電極は、互いに間隔をおいて配置された複数の帯状電極部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置。
11. 対向配置された前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された前記液晶層を封止するシール材が設けられ、
    前記シール材によって囲まれた領域の内側に、複数の前記画素電極を有する表示領域が設けられ、
    前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間に非表示領域が設けられ、
    前記第１基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、
    前記静電遮蔽層の少なくとも一部が前記静電保護部材と平面的に重なって設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置。
12. 前記静電遮蔽層の層厚が２０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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