JP2004317726A - 電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】モザイク配列の解像度が高いという特長を生かし、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することのできる電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応するサブ画素はｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、左斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、これらｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して右斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されている。
【選択図】 図７

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なる３色に対応するサブ画素がマトリクス状に配列された電気光学装置、およびこの電気光学装置を有する電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、小型コンピュータや、デジタルカメラ、携帯電話機等といった電子機器には、液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。液晶装置は、一般に、液晶を挟んで互いに対向する一対の基板と、これらの基板の対向面にそれぞれ形成された電極とを有する。さらに、これらの両電極と、電極間に挟まれる液晶とによってドット状の画素が形成されており、このような画素は、行方向（横方向）および列方向（縦方向）に多数、マトリクス状に配列している。ここで、画素を形成する電極間に電圧が選択的に印加されると、液晶の配向が変化し、液晶を通過する光量が制御されて、ドット表示が行われることとなる。
【０００３】
このような液晶装置においてカラー表示を行う場合、１画素がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色にそれぞれ対応するサブ画素に分割され、これらのサブ画素が所定のパターンにてマトリクス状に配列される。なお、液晶装置の場合、サブ画素における着色は、一方の基板に形成されたカラーフィルタによって行われる。
【０００４】
ここで、サブ画素の色配列、すなわち、カラーフィルタにおける着色層の配列としては、ＲＧＢストライプ配列や、図１３に示すようなＲＧＢモザイク配列が知られており、これらの色配列のうち、ＲＧＢモザイク配列は、ＲＧＢストライプ配列と比較して解像度が高いという利点がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−７８５９０号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＲＧＢモザイク配列では、図１３に矢印Ｌ１１で示すように、同一色に対応する画素が斜め下方に向けて一直線に整列しているため、斜め線が目立つという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かし、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することのできる電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、異なる３色にそれぞれ対応する多数のサブ画素が行方向（横方向）および列方向（縦方向）にマトリクス状に配列された電気光学装置において、ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、前記３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、斜め下方に並ぶｎ個の第１のサブ画素と、該ｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、同一色に対応するサブ画素が斜め方向に並んでいるとともに、その途中で折り返した色配列になっている。このため、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かすことができる。また、同一色に対応するサブ画素が折り返しているので、斜め線が目立つという問題を回避できる。
【００１０】
本発明において、ｎおよびｍは、例えば、下式
ｎ−１＝ｍ
を満たしている構成を採用することができる。このように構成すると、行方向（横方向）においてサブ画素、ｎ個分の範囲で、同一色に対応するサブ画素がジグザグに配列された構成となる。
【００１１】
本発明において、ｎおよびｍは下式
ｎ−１≠ｍ
を満たしている構成であってもよい。このように構成すると、同一色に対応するサブ画素は、途中で折り返しながらも、全体として斜め下方に並んだ構成となる。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置をアクティブマトリクス型の電気光学装置とする場合には、行方向で隣接するサブ画素列の間に、列方向に延びる共用のデータ線が通し、当該データ線に対して、アクティブ素子を介してサブ画素の画素電極を電気的に接続させる。ここで、前記アクティブ素子としては、導電体、絶縁体及び導電体からなる薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ／Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることができる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明が適用される電気光学装置（液晶表示装置）の電気的構成を示すブロック図である。図２および図３はそれぞれ、電気光学装置の構成を示す斜視図、および断面図である。図４は、電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図５は、そのＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。
【００１６】
図１に示すように、本形態の電気光学装置１００では、複数本の走査線３１２が行（Ｘ）方向に延在して形成され、また、複数本のデータ線２１２が列（Ｙ）方向に延在して形成されるとともに、走査線３１２とデータ線２１２との各交差において画素１１６が形成されている。さらに、各画素１１６は、液晶表示要素（液晶層）１１８と二端子型アクティブ素子たるＴＦＤ素子２２０との直列接続からなり、液晶層１１８が走査線３１２の側に、ＴＦＤ素子２２０がデータ線２１２の側に、それぞれ接続されている。また、各走査線３１２は、走査線駆動回路３５０によって駆動される一方、各データ線２１２は、データ線駆動回路２５０によって駆動される構成となっている。
【００１７】
このような電気光学装置１００は、図２に示すように、一対の透光性基板２００、３００を有する。このうち、基板２００は、アクティブ素子が形成される素子側基板であり、他方、基板３００は、素子側基板２００に対向する対向基板である。
【００１８】
このうち、素子側基板２００の内側表面には、図３に示されるように、複数本のデータ線２１２と、それらのデータ線２１２に接続される複数のＴＦＤ２２０と、それらのＴＦＤ２２０と１対１に接続される画素電極２３４とが形成されている。ここで、各データ線２１２は、図３において紙面に対して垂直方向に延在して形成される一方、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、ドットマトリクス状に配列している。そして、画素電極２３４などの表面には、一軸配向処理、例えばラビング処理が施された配向膜２１４が形成されている。
【００１９】
一方、対向基板３００の内側表面には、カラーフィルタ３０８が形成されて、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の３色の着色層を構成している。なお、これら３色の着色層の隙間には、ブラックマトリクス３０９が形成されて、着色層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。カラーフィルタ３０８およびブラックマトリクス３０９の表面にはオーバーコート層３１０が形成され、さらに、その表面には、走査線として機能する対向電極３１２が、データ線２１２と直交する方向に形成されている。なお、オーバーコート層３１０は、カラーフィルタ３０８およびブラックマトリクス３０９の平滑性を高めて、対向電極３１２の断線を防止する目的などのために設けられる。さらに、対向電極３１２の表面には、ラビング処理が施された配向膜３１４が形成されている。なお、配向膜２１４、３１４は、一般にポリイミド等から形成される。
【００２０】
素子側基板２００と対向基板３００とは、スペーサ（図示省略）を含むシール材１０４によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶１０５が封入された構成となっている。また、素子側基板２００の外側表面には、配向膜２１４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板３１７が貼着されている。同様に、対向基板３００の外側表面には、配向膜３１４へのラビング方向に対応した光軸を有する偏光板２１７が貼着されている。
【００２１】
また、電気光学装置１００は、図２に示すように、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）技術が適用されて、素子側基板２００の表面に直接、液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）２５０が実装されている。この結果、液晶駆動用ＩＣ２５０の各出力端子が、データ線２１２のそれぞれに接続されている。同様に、対向基板３００の表面にも直接、液晶駆動用３５０が実装されて、液晶駆動用ＩＣ３５０の各出力端子が、走査線たる対向電極２１２のそれぞれに接続されている。
【００２２】
なお、ＣＯＧ技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ＩＣチップと液晶装置とが接続された構成としても良い。例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の上にＩＣチップがボンディングされたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップをハード基板にボンディングするＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）技術を用いても良い。
【００２３】
図４および図５において、ＴＦＤ素子２２０は、第１のＴＦＤ素子２２０ａおよび第２のＴＦＤ素子２２０ｂからなり、素子基板２００の表面に形成された絶縁膜２０１上において、第１金属膜２２２と、この第１金属膜２２２の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜２２４と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜２２６ａ、２２６ｂとから構成されている。また、第２金属膜２２６ａは、そのままデータ線２１２となる一方、第２金属膜２２６ｂは、画素電極２３４に接続されている。
【００２４】
ここで、第１のＴＦＤ素子２２０ａは、データ線２１２の側からみると順番に、第２金属膜２２６ａ／酸化膜２２４／第１金属膜２２２となって、金属（導電体）／絶縁体／金属（導電体）のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第２のＴＦＤ素子２２０ｂは、データ線２１２の側からみると順番に、第１金属膜２２２／酸化膜２２４／第２金属膜２２６ｂとなって、第１のＴＦＤ素子２２０ａとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。したがって、ＴＦＤ素子２２０は、２つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、１つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、１つのＴＦＤ素子のみを用いても良い。
【００２５】
一方、第２金属膜２２６ｂに接続される画素電極２３４は、透過型として用いられる場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明性金属膜から形成される一方、反射型として用いられる場合には、アルミニウムや銀などの反射率の大きな反射性金属膜から形成される。なお、画素電極２３４は、反射型であってもＩＴＯなどの透明性金属から形成される場合もある。この場合には、反射層としての反射性金属が形成された後に、層間絶縁膜を介して、透明性金属からなる画素電極２３４が形成される。一方、半透過・半反射型として用いられる場合には、反射層を極く薄く形成して半透過鏡とするか、あるいは、スリットが設けられる構成となる。
【００２６】
また、素子基板２００自体は、例えば、石英やガラスなどの絶縁性を有するものが用いられる。なお、透過型として用いる場合には、透明であることも素子基板２００の要件となるが、反射型として用いる場合には、透明であることが要件にならない。また、図５において、素子基板２００の表面に絶縁膜２０１が設けられる理由は、熱処理により、第１金属膜２２２が下地から剥離しないようにするとともに、第１金属膜２２２に不純物が拡散しないようにするためである。したがって、これが問題とならない場合には、絶縁膜２０１は省略可能である。
【００２７】
なお、ＴＦＤ素子２２０は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）バリスタや、ＭＳＩ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
【００２８】
［サブ画素の色配列パターン］
図６は、図１に示す電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【００２９】
本形態の電気光学装置１００において、素子側基板２００の内側表面において、ＴＦＤ２２０および画素電極２３４は、図４および図６に示すようにドットマトリクス状に配列されている。これに対して、対向基板３００の表面内側に形成された対向電極３１２は、素子側基板２００に形成される画素電極２３４の１行分と対向する位置関係にあり、さらに、対向基板３００に形成されるカラーフィルタ３０８のうち、１色分の着色層は、画素電極２３４と対向電極３１２との交差領域に対応して設けられている。従って、１つのサブ画素は、画素電極２３４と、対向電極３１２と、この間に挟持された液晶１０５と、カラーフィルタ３０８における１色分の着色層とから構成されることとなる。
【００３０】
ここで、各画素電極２３４に付された「Ｒ」は、これと対向する対向基板３００に形成されるカラーフィルタ３０８において、赤色光を透過する着色層が配置していることを示している。同様に「Ｇ」は、緑色光を透過する着色層が配置していることを示し、「Ｂ」は、青色光を透過する着色層が配置していることを示しており、異なる３色、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する多数のサブ画素は、行方向および列方向に配列されている。
【００３１】
このように構成した電気光学装置１００において、本形態では、ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、左斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、これらｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して右斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されている。
【００３２】
ここで、ｎおよびｍは下式
ｎ−１＝ｍ
を満たしており、本形態では、
ｎ＝２
ｍ＝１
である。
【００３３】
また、配線パターンとして、本形態では、行方向で隣接するサブ画素列の間には、データ線２１２（共用配線）が列方向に直線的に延びており、これらのデータ線２１２には、データ線２１２の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。
【００３４】
このように構成した電気光学装置１００では、矢印Ｌ１で示すように、行方向（横方向）において２個分の範囲で、同一色に対応するサブ画素がジグザグに配列された構成となる。このため、本形態では、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かすことができ、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することができる。
【００３５】
［実施の形態２］
図７は、本形態の電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。なお、本形態、および後述する各形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分については、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３６】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、左斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、これらｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して右斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されている。
【００３７】
ここで、ｎおよびｍは下式
ｎ−１＝ｍ
を満たしており、本形態では、
ｎ＝３
ｍ＝２
である。
【００３８】
また、配線パターンとして、本形態では、行方向で隣接するサブ画素列の間には、データ線２１２（共用配線）が直線的に延びており、これらのデータ線２１２には、データ線２１２の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。
【００３９】
このように構成した電気光学装置１００では、矢印Ｌ２で示すように、行方向（横方向）において３個分の範囲で、同一色に対応するサブ画素がジグザグに配列された構成となる。このため、本形態では、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かすことができ、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することができる。
【００４０】
［実施の形態３］
図８は、本形態の電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【００４１】
図８に示すように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、左斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、これらｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して右斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されている。
【００４２】
ここで、ｎおよびｍは下式
ｎ−１＝ｍ
を満たしており、本形態では、
ｎ＝４
ｍ＝３
である。
【００４３】
また、配線パターンとして、本形態では、行方向で隣接するサブ画素列の間には、データ線２１２（共用配線）が直線的に延びており、これらのデータ線２１２には、データ線２１２の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。このため、１本のデータ線２１２に対しては、３色に対応するサブ画素の画素電極２３４が均等に電気的に接続している。
【００４４】
このように構成した電気光学装置１００では、矢印Ｌ３で示すように、行方向（横方向）において４個分の範囲で、同一色に対応するサブ画素がジグザグに配列された構成となる。このため、本形態では、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かすことができ、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することができる。
【００４５】
［実施の形態４］
図９は、本形態の電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【００４６】
図９に示すように、本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、左斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、これらｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して右斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されている。
【００４７】
但し、本形態では、ｎおよびｍは下式
ｎ−１≠ｍ
を満たしており、本形態では、
ｎ＝４
ｍ＝２
である。
【００４８】
また、配線パターンとして、本形態では、行方向で隣接するサブ画素列の間には、データ線２１２（共用配線）が直線的に延びており、これらのデータ線２１２には、データ線２１２の両側に位置するサブ画素のうち、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している。
【００４９】
このように構成した電気光学装置１００では、矢印Ｌ４で示すように、同一色に対応するサブ画素は、途中で折り返しながらも、全体として斜め下方に並んだ構成となる。このため、本形態では、モザイク配列の解像度が高いという特長を生かすことができ、かつ、モザイク配列で斜め線が目立つという問題を回避することができる。
【００５０】
［その他の実施の形態］
実施の形態１ないし４では、行方向で隣接するサブ画素列の間で直線的に延びるデータ線２１２に対して、一方側のサブ画素の画素電極２３４のみがＴＦＤ素子を介して電気的に接続している構成であったが、実施の形態１を例に挙げると、図１０に示すように、行方向で隣接するサブ画素列の間で直線的に延びるデータ線２１２に対して、列方向で隣接するサブ画素の画素電極２３４を左右交互に電気的に接続させて、同一色に対応するサブ画素の画素電極２３４のみが電気的に接続している構成を採用してもよい。
【００５１】
また、実施の形態１の色配列において、図１１に示すように、行方向で隣接するサブ画素列の間で直線的に延びるデータ線２１２に対して、列方向で隣接するサブ画素の画素電極２３４を２個、１個、１個、２個の順に左右反対の方から接続させて、１本のデータ線２１２に対して、３色に対応するサブ画素の画素電極２３４が均等に電気的に接続している構成を採用してもよい。
【００５２】
なお、実施の形態２、３、４に関しても、サブ画素の画素電極２３４とデータ線２１２とが接続する方向の切り替え、あるいはデータ線２１２を列方向の途中で行方向に屈曲させることにより、１本のデータ線２１２に対して、同一色に対応するサブ画素の画素電極２３４のみが電気的に接続している構成、あるいは、３色に対応するサブ画素の画素電極２３４が均等に電気的に接続している構成を採用することができる。
【００５３】
［その他の実施の形態］
上記形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ素子を用いた例であったが、アクティブ素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた電気光学装置に本発明を適用してよい。また、パッシブマトリクス型の電気光学装置に本発明を適用してよい。さらには、電気光学物質として液晶以外の電気光学物質、例えば、有機エレクトロルミネッセンス材料を用いた電気光学装置（エレクトロルミネッセンス型表示装置）、プラズマディスプレイ装置、電気泳動装置（ＥＰＤ）、電子放出装置（ＦＥＤ）に本発明の画素配列を適用してもよい。
【００５４】
［電子機器への搭載例］
図１２は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。
【００５５】
図１２において、携帯電話１４００は、複数の操作ボタン１４０２のほか、受話口１４０４、送話口１４０６とともに、電気光学装置１００を備えるものである。この電気光学装置１００にも、必要に応じてその背面にバックライトが設けられる。
【００５６】
なお、本形態の電気光学装置を搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】図１に示す電気光学装置の構成を示す断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置において、ＴＦＤ素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿って示す断面図である。
【図６】図１に示す電気光学装置におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置（液晶装置）におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置（液晶装置）におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置（液晶装置）におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図１０】本発明の別の電気光学装置（液晶装置）におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図１１】本発明のさらに別の電気光学装置（液晶装置）におけるサブ画素の色配列、およびサブ画素とデータ線との対応関係を示す説明図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を搭載した電子機器の一例たる携帯電話機の説明図である。
【図１３】従来のＲＧＢモザイク配列を示す説明図である。
【符号の説明】
１００ 電気光学装置、１１６ 画素、１１８ 液晶、２００ 素子側基板、２１２ データ線、２２０ ＴＦＤ素子、２３４ 画素電極、３００ 対向基板、３０８ カラーフィルタ、３１２ 走査線、Ｒ 赤のサブ画素、Ｇ 緑のサブ画素、Ｂ 青のサブ画素

Claims (6)

1. 異なる３色にそれぞれ対応する多数のサブ画素が行方向および列方向にマトリクス状に配列された電気光学装置において、
   ｎを２以上の正の整数とし、ｍを１以上の正の整数としたとき、前記３色に対応するサブ画素のうち、同一色に対応するサブ画素は、斜め下方に並ぶｎ個のサブ画素と、該ｎ個の画素の最下部の画素で反対側に折り返して斜め下方に並ぶｍ個のサブ画素とを１周期として繰り返し配列されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、ｎおよびｍは下式
   ｎ−１＝ｍ
   を満たしていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１において、ｎおよびｍは下式
   ｎ−１≠ｍ
   を満たしていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、行方向で隣接するサブ画素列の間には、列方向に延びる共用のデータ線が通っており、当該データ線には、アクティブ素子を介してサブ画素の画素電極が電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４において、前記アクティブ素子は、導電体、絶縁体及び導電体からなる薄膜ダイオード素子であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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