JP5581216B2 - 還元性ガス中で使用するための高性能多層電極 - Google Patents
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連邦政府支援研究に関する陳述
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マイクロフィッシュ・アペンディクスの参照
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FlexCellもHybridCellも共に、薄い電解質膜層(10〜40ミクロン)を特徴とし、この薄い電解質膜層は、より低い作動温度において電解質のオーム損失を最小限に抑える。したがって、これらの電池により実現されるSOFC性能レベルを、アノード支持電池のSOFC性能レベルと同等にすることができる。
FlexCellおよびHybridCellの全厚は、電極の堆積後には200ミクロン未満であり、この全厚を、600〜1000ミクロンを超える従来のアノード支持電池の厚さと比較する。これにより、全スタック重量および体積に対する電池の寸法および重量の寄与が大幅に減少する。したがって、高電力密度SOFCスタックを構築することができる。
電池のメッシュ支持体要素として部分安定化ジルコニア(イットリアまたはスカンジアをドープ)を使用すると、機械的強度が高くなり、これによりスタック作製作業時の電池の取り扱いがより容易となる。このことは、スタック作業時に必要とされる加圧量も削減する。これは、気密封止を維持するため、また電池を平坦に保たないようにするため(アノード支持電池を用いる場合のように)だけに圧力が必要とされるからである。
FlexCellおよびHybridCell構造の緻密な電解質周囲は、封止を補助する。封止表面は、多孔質ではなく緻密で、比較的反応性の電極材料ではなく比較的不活性な電解質材料で作製される。
FlexCellおよびHybridCell構造に固有の薄いアノード層により、レドックスにも熱サイクルにも耐性のある電池を製造することがはるかに容易となる。したがって、SOFCスタックの過渡作動時にアノードをその完全に還元された状態で維持するための過剰な方策を必要としない。
FlexCell設計の具体的な利点は、別々の作製作業でアノードを堆積させることである。これにより、より優れた機能性を提供する新しいアノード材料(例えば、硫黄不純物に対して耐性を有するアノード)を取り込むことが容易となる。
アノード劣化の第1段階は、燃料への硫黄導入時の電池性能の急激な低下を特徴とし、ほぼ瞬間的である。段階I劣化は、硫黄汚染物質を除去すると概ね回復可能である。段階I劣化工程は、活性ニッケル部位(三相境界領域における)の硫化物による被覆率に関係していると理論化されている。Ni/YSZアノードで起こる反応を以下に示す。
(2)3Ni+2H2S<=>Ni3S2+2H2 750℃におけるΔG=−68kJ/mol
第2段階は、電池性能のよりゆっくりとした劣化を特徴とし、この劣化は回復不可能である。一部の研究者が、より長時間におけるカスケード効果を報告している。この劣化の機構は、表面再配列およびニッケル粒子の焼結によるニッケル表面積の損失によるものと理論化されている。硫化ニッケル(Ni3S2)の融点は787℃であり、したがって硫化物形成はニッケル焼結の大きな原因となる可能性がある。
−セラミック電解質膜;
−該セラミック電解質膜の片側に配置された耐硫黄性アノード、ただし、該アノードは、セラミック電解質膜上の第1のサーメットアノード層と、前記第1のサーメットアノード層上の第2のサーメットアノード層とを含み、
前記第1のサーメットの金属成分がコバルト−ニッケル合金を含み、前記第1のサーメットのセラミック成分がセラミック電解質材料を含み、
前記第2のサーメットの金属成分がコバルト−ニッケル合金またはニッケルを含み、前記第2のサーメットのセラミック成分がセラミック電解質材料を含み、前記第2のサーメットが、前記第1のサーメット層よりも粗い微細構造を有し、金属含有量が多いものである;及び
−該電解質膜の反対側に配置されたカソード;
を含む固体酸化物燃料電池が提供される。
本発明のこれらの、またさらなる目的は、以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。
本明細書中に開示されている高性能多層アノード系は、4つの主な実施形態(1)電解質/アノード界面で混合電子伝導およびイオン伝導性の酸化セリウムをベースとする界面層、(2)電気化学的活性、ガス輸送および電流収集機能を分離し最適化するための二重層アノード構造、(3)電解質材料が混合伝導性のセリアをベースとする電解質材料を含むサーメットアノード、ならびに(4)金属成分がコバルト−ニッケル合金を含むサーメットアノードを包含する。これら4つの実施形態を組み合わせると、従来のNi/YSZサーメットアノードと比較して優れた電気化学的性能を有するSOFCアノードがもたらされる(図6参照)。さらに、この多層アノード系は、高度な耐硫黄性を示す。多層アノード系の構造は図7に示し、また以下で詳細に説明する。
混合電子およびイオン伝導性を有し、適合した微細構造を有するセリアをベースとする電解質材料の界面層を、アノード/電解質界面に堆積させる。この界面層は2つのステップで堆積させる。第1のステップでは、電解質膜表面上に薄い緻密なセリア層を設け、第2のステップでは、意図的にざらつきを設けた表面を有する多孔質セリア膜を、薄い緻密セリア膜上に設ける。全セリア中間層厚は、約2〜3ミクロンである。これら2つのセリア界面層コーティングの、アニーリング時の緻密性および接着性を、コバルトをドープすることによって高める。層の緻密な部分は電解質表面の性質を変化させ、活性電極領域を広げる一方で電解質とアノードとの間に混合伝導性界面のみを残す。界面層の多孔質部分は、アノード/電解質界面における三相境界領域の体積を増大させ、したがって酸素輸送に対する耐性が低下するが、後に堆積させるアノードコーティングの優れた接着性をもたらす粗面を提供する。活性アノード領域における表面ニッケル部位の硫化(sulfidation)の防止には、高レベルの酸素イオン伝導性が不可欠である。硫化ニッケルのSOxへの酸化は、硫黄の存在下で高いアノード活性を維持するために不可欠な反応である。表1は、他のアノード反応に対する硫化物酸化の温度への高い依存性を示し、耐硫黄性の向上と温度の上昇との周知の関係を説明している。
二重層サーメットアノード構造により、アノード系の電気化学的および通電性能が最適化される。このサーメットの金属段階は、ニッケル、ニッケルおよび銅を含有する合金、ニッケル組成物と銅組成物の混合物のうちの少なくとも1つを含むことができる。電気化学的活性層(セリア界面層上に堆積させる)は細かい微細構造を有し、セラミック相としてセリアをベースとする電解質材料を、また金属相としてコバルト−ニッケル合金とを組み込む。電流収集アノード層は、電流に対する抵抗を下げるために、ベースメタル(ニッケルおよびコバルト)の含有量がより多い、より粗い微細構造を有する。電流収集サーメットアノード層中のセラミック電解質材料の組成は、活性アノード層中のセラミック電解質材料の組成と同じである必要はなく、実際には、電池内の構造支持材料(すなわち、ドープジルコニアセラミック電解質材料)との熱膨張の不一致を低減させるために、通電層中の電解質材料がジルコニア電解質材料であることが好ましいことがある。活性アノード層および通電アノード層はそれぞれ、厚さ約15ミクロンである。
サーメットアノード中の、混合伝導性のセリアをベースとする電解質は、電気化学的性能を高めるだけでなく、耐硫黄性に対しても重要である。混合伝導性サーメットは、硫黄酸化により活性な部位を提供し、セリア界面層について上で説明したのと同じ理由で硫化ニッケルの酸化をより容易にする。混合伝導性電解質材料は、ドープセリア電解質材料、ドープジルコニア電解質材料、ランタン・ストロンチウム・マグネシウム・ガリウム酸化物(LSGM)、別の酸素イオン伝導性セラミック電解質材料、およびこれらの混合物でもよい。ドープセリア電解質材料は、ガドリニウムドープセリア(GDC)、サマリウムドープセリア(SDC)、ジルコニウムドープセリア、スカンジウムドープセリア、イットリウムドープセリア、カルシウムドープセリア、ストロンチウムドープセリア、希土類およびアルカリ土類元素から選択される少なくとも1種の元素をドープした酸化セリウム、およびこれらの組合せでもよく、ドープジルコニア電解質材料は、イットリウムドープジルコニア(YSZ)、スカンジウムドープジルコニア(ScSZ)、カルシウムドープジルコニア、希土類およびアルカリ土類元素から選択される少なくとも1種の元素をドープした酸化ジルコニウム、およびこれらの組合せでもよい。例えば、耐硫黄性アノード材料において有用なサーメットは、ガドリニウムをドープしたセリアおよびサマリウムをドープしたセリアから選択されるセラミック電解質材料を20〜80wt%含むことができる。これらのセラミック電解質材料は、電解質の機能を妨げない限り、他のドーパントを含むことができる。
サーメットアノードの金属相としての二成分Co−Ni合金は、高性能および耐硫黄性の実現に不可欠である。Ni−Co合金のより高い溶融温度および硫化コバルトのはるかに高い溶融温度は、硫黄の存在下における作動時の定常状態の劣化を大幅に低減するように思われる。硫黄にさらされると、二成分合金サーメットアノード(Ni−Co/GDC)を有する電解質支持SOFCが、従来からの(Ni/GDC)アノードを有するSOFCとは正反対に、段階II(定常状態)の劣化の大幅な低減を示す(図10参照)。この観測結果は、Ni/Co合金の硫化形は硫化ニッケルよりも高い融点を有するという仮説によって説明することができる。ニッケルおよびコバルトの酸化物および硫化物の一部の融点を表2に示す。汚染されたニッケルアノードにおいて検出される種であるNi3S2の融点は、787℃にすぎない。対照的に、硫化コバルトははるかに高い融点を有する。したがって、純ニッケルと比較してNi−Co合金の硫化物により融点が引き上げられることが、また容易には焼結しないであろうことが期待される。Ni−Coをベースとするアノードは水素酸化における律速電荷移動段階に対してより小さい抵抗を示すため、Ni−Coをベースとするアノードにより水素酸化反応についての電気化学的性能が向上することも考えられる。拡大解釈すれば、耐硫黄性についての重要な特徴と特定されている硫黄含有種の触媒酸化に、コバルトも寄与すると予想することは理にかなっている。
上で述べたとおり、硫黄の存在下におけるSOFCアノード内のニッケル金属粒子の焼結は、ニッケル金属と比較して硫化ニッケルの溶融温度がより低いことによる段階II失活についての機構である推定される。硫黄の不存在下でさえも、固体酸化物燃料電池の定常状態および/または過渡作動時の鍵となる劣化機構は、サーメットアノード(純ニッケル、あるいはコバルト、鉄および/または銅を含有するニッケル合金のいずれか)中のベースメタル粒子の焼結であり、ニッケルまたはニッケル合金の焼結および粒子成長は、熱サイクルおよび/または酸化還元(レドックス)サイクル時に特に問題となる。本発明は、ニッケル金属またはニッケル合金粒子内に存在するナノスケールセラミック電解質粒子を設けてSOFC作動時の粗大化を低減することによってこの問題を解決する。これは、例えば、アノード合成ステップ時の追加の電解質粉末との混合前に、NiO粉末に(または他の混合ベースメタル酸化物粉末混合物に)少量のナノスケールセラミック電解質材料(ジルコニアまたはセリアをベースとする電解質材料のいずれか)を分散させることによって実現することができる。この手法は、従来のアノード支持電池、従来のカソード支持電池、従来の電解質支持電池およびFlexCellおよびHybridCell設計の平面型電池を含めた大部分の固体酸化物燃料電池に適用可能である。
カソード/電解質界面層:
混合電子およびイオン伝導性を有し、適合した微細構造を有するセリアをベースとする電解質材料の界面層を、カソード/電解質界面に堆積させる。この界面層は2つのステップで堆積させる。第1のステップでは、電解質膜表面上に薄い緻密なセリア層を設け、第2のステップでは、意図的にざらつきを設けた表面を有する多孔質セリア膜を、薄い緻密セリア膜上に設ける。全セリア中間層厚は、約2〜3ミクロンである。これら2つのセリア界面層コーティングの、アニーリング時の緻密性および接着性を、コバルトをドープすることにより高める。層の緻密な部分は電解質表面の性質を変化させ、活性電極領域を広げる一方で電解質とカソードとの間に混合伝導性界面のみを残す。界面層の多孔質部分は、カソード/電解質界面における三相境界領域の体積を増大させ、酸素輸送に対する耐性が低下させる。このセリア界面層はまた、最終的なアニーリングステップ時に、電解質材料(ジルコニアまたはランタンガレートをベースとする)とペロブスカイト構造のマンガナイト、フェライトおよび輝コバルト鉱をベースとするカソード材料との間の有害な反応を防ぐため、重要である。これにより、より高いアニーリング温度を使用することが可能となり、このことは、高い温度におけるSOFC動作時に変化しない熱的に安定なカソード微細構造の実現に役立つ。
酸素還元反応用SOFCにおける従来のランタン・ストロンチウム・マンガナイト(LSM)カソード材料の電気化学的性能は、約800℃を下回る温度ではかなり限られる。ランタンストロンチウム亜鉛フェライト、ランタンストロンチウムマンガナイト、ランタンストロンチウムフェライト(LSF)、ランタンストロンチウム輝コバルト鉱、ランタンストロンチウムコバルトフェライト、バリウムストロンチウムコバルトフェライト、ランタンストロンチウムニッケレート、サマリウムストロンチウム輝コバルト鉱(SSC)、当業者には公知の他のカソード材料、これらの混合物など、より高性能の電極材料を活性カソード層において使用することが有利となるはずである。しかしながら、これらのより高性能の材料は、それら材料の作動条件下(特に揮発したクロムの存在下)における安定性を数千時間を超えて維持することができる場合にのみ使用することができる。本発明の多層カソード系にとって特に興味深いのは、米国特許第6,946,213号に記載されている、亜鉛をドープしたランタンストロンチウムフェライト(LSZF)である。しかしながら、この開示の教示は、SOFCカソードとして使用することができる任意のセラミック電極材料に当てはまるはずである。上で述べたように、セリア界面層を使用すると、これら進歩したカソード材料の使用がより実用的になる。
二重層カソード構造により、カソード系の電気化学的および通電性能が最適化される。電気化学的活性層(セリア界面層上に堆積させる)は、セラミック電極材料(例えば、LSM、LSF、LSCF,LSZF等)とセリアをベースとする電解質材料(例えば、SDC、GDC等)との複合混合物であり、細かい多孔質微細構造を有するが、電流収集カソード層は、電流およびガス流に対する抵抗を最小限に抑えるよう粗い微細構造およびより大規模な多孔性を有する単一相セラミック電極である。活性および通電カソード層はそれぞれ、厚さ約15ミクロンである。通電層に使用するセラミック電極材料の組成は、活性(複合材料)カソード層中の電極材料の組成と同じである必要はない。例えば、電気化学的活性用の複合材料層中のセラミック電極材料の組成と、電気伝導性用の通電セラミック電極材料の組成とを最適化することができる。
カソード性能の向上に加えて、複合材料カソードにおいてセリアをベースとする電解質材料でYSZ電解質材料を置換すると、活性(複合材料)カソード層へのより反応性の高い(かつより電気化学的活性の高い)電極材料(例えば、フェライト、輝コバルト鉱およびニッケレート)の取込みに関連して、より高いアニーリング温度を使用することも可能となる。
クロム蒸発の有害な影響に対してカソード性能を安定化させるための新規の手法は、カソード材料に少量のパラジウムをドープすることを含む。パラジウム含有カソード層は、スクリーン印刷、噴霧、塗装など従来の方法を用いて堆積させ、その後アニールする。この手法を実証するために、活性面積が28cm2であるHybridCell構造の平面型電池を作製し、セリア中間層(上述のような)と、(La0.60Sr0.40)(Fe0.90Zn0.10)O3−x(LSZF)とガドリニウムをドープしたセリア(GDC)との複合材料である活性アノード層と、純粋LSZFの通電カソード層とを備える多層カソードを塗布した。活性カソード層に対しては1重量パーセントのパラジウム添加を行い、電流収集カソード層に対しては2重量パーセントの添加を行った。ニッケル−クロム合金(Inconel−601)製のマニホルドを用いて、このHybridCellを試験した。電池のアノード側に加湿水素燃料ガス(350cc/分のH2)を供給し、カソード側に空気(1500cc/分)を供給し、この電池を750℃で約1年間(8,500)作動させた。図13に示すように、0.71A/cm2の定電流を電池に印加すると、約150時間の初期「調整(conditioning)」期間の後電圧の低下はなかった(これは、アノード微細構造の安定化に起因する)。パラジウム添加なしでは、クロムによるカソードの被毒のために電池性能が劣化すると予想される。
米国特許出願第11/349,773号(2007年8月9日公開)に教示されている噴霧堆積法に従って、コバルトをドープしたSDC界面層コーティングを調製した。組成(Ce0.80Sm0.20)O1.90のサマリウムをドープしたセリア粉末(SDC−20)を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製した。このインクは、テルピネオールをベースとするインクビヒクルにSDC−20粉末を分散させることによって調製した。このインク中のSDC−20粉末は、4種類の異なる表面積を有し、30パーセントが6.0m2/グラムの表面積を、40パーセントが9.3m2/グラムの表面積を、20パーセントが27m2/グラムの表面積を、10パーセントが45m2/グラムの表面積を有する。コバルトの添加は、インク中のSDC−20粉末の総量に対して約1パーセントのコバルト金属に対応する量のインクに2,4−ペンタンジオナトコバルト(III)を添加することによって行った。このコバルトをドープしたSDC界面層インクをその後、2つの別個の噴霧溶液とした。第1の溶液は、SDC/Coインクの一部をアセトンで希釈することによって調製し、第2の溶液は、SDC/Coインクの一部をアセトンで希釈し、2.5wt%の黒鉛(固形分基準)を添加することによって調製した。これらの溶液を、FlexCell基板の両面に噴霧した。FlexCell基板の片面に、第1のコバルトをドープしたコーティング(黒鉛なし)を噴霧堆積させ、乾燥させ、その後第1のコーティング上に、SDC/Co/Cコーティング(黒鉛あり)を同様にして噴霧堆積させ、乾燥させた。この手順を繰り返して、FlexCell基板の反対側に2層のセリア界面層を堆積させた。界面層をコーティングしたFlexCell基板をその後、炉内で1300℃まで1時間加熱して、界面層コーティングを焼結させ、FlexCell基板に付着させた。全界面層厚が約2〜3ミクロン、界面層の各成分層が厚さ約1〜2ミクロンとなるように、噴霧堆積パラメータを制御した。
実施例2で説明したように調製したNiO−CoO/SDCアノード前駆体粉末を使用して、以下のように電気化学的に活性なアノードインクを調製した。組成(Ce0.90Sm0.10)O1.95(SDC−10)の、異なる表面積を有するサマリウムをドープしたセリア粉末を調製した。粗いNiO−CoO/SDC前駆体粉末30グラムと、細かいNiO−CoO/SDC前駆体30グラムと、表面積6.0m2/グラムのSDC−10粉末35グラムと、表面積45m2/グラムのSDC−10粉末5グラムとを含有する混合物を調製した。この粉末混合物をその後、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、乾燥させた。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、電気化学的に活性なアノードインクを調製した。
実施例1で説明したように調製したNiO−CoOアノード前駆体粉末を使用して、以下のように通電アノードインクを調製した。その後、粗いNiO−CoO前駆体粉末50グラムと、細かいNiO−CoO前駆体50グラムと、スカンジア安定化ジルコニア粉末(ScSZ、10モルパーセントのSc2O3、粒径3〜5ミクロン)25グラムとを含有する混合物を調製した。この粉末混合物をその後、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、NiO−CoO/ScSZ通電アノードインクを調製した。
上で調製した界面層をコーティングしたFlexCellのアノード面に、2層アノードを塗布した。第1の電気的に活性な(NiO−CoO/SDC)アノード層を、焼結した界面層上にスポンジはけを用いて塗ることによって塗布し、その後乾燥させた。第2の通電(NiO−CoO/ScSZ)アノード層を、乾燥させた電気化学的に活性なアノードコーティング上にスポンジはけを用いて塗ることによって塗布し、その後乾燥させた。アノードをコーティングしたFlexCell基板をその後、炉内で1300℃まで加熱して、アノード層を焼結させ、セリア界面層に付着させた。全アノード厚が約30ミクロン、二重層アノードの各成分層が厚さ約15ミクロンとなるように、堆積させるアノードコーティングの量を制御した。
組成(Ce0.90Gd0.10)O1.95(GDC−10)の、異なる表面積を有するガドリニウムをドープしたセリア粉末を調製した。組成(La0.60Sr0.40)(Zn0.10Fe0.90)O3−x(LSZF)の、異なる表面積を有する亜鉛をドープしたランタンストロンチウムフェライトの粉末を調製した。表面積1.6m2/グラムのLSZF粉末125グラムと、表面積4.2m2/グラムのLSZF粉末125グラムと、表面積2.9m2/グラムのGDC−10粉末50グラムと、表面積8.3m2/グラムのGDC−10粉末5グラムとを含有する混合物を調製した。この粉末混合物をその後、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、0.35wt%(インク中の全固形物に対して)のパラジウムを製造するために十分な量の2/4ペンタンジオナトパラジウムと共にインクビヒクルに分散させて、電気化学的に活性なカソードインクの調製を完了した。
組成(La0.60Sr0.40)(Zn0.10Fe0.90)O3−x(LSZF)の、2種の異なる表面積を有する亜鉛をドープしたランタンストロンチウムフェライトの粉末を調製した。表面積2.2m2/グラムのLSZF粉末375グラムと、表面積4.8m2/グラムのLSZF粉末125グラムとを含有する混合物を調製した。この粉末混合物をその後、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、0.70wt%(インク中の全固形物に対して)のパラジウムを製造するために十分な量の2/4ペンタンジオナトパラジウムと共にインクビヒクルに分散させて、通電カソードインクの調製を完了した。
上で調製した界面層をコーティングしたFlexCellのカソード面に、2層カソードを塗布した(アノード堆積および焼結の後)。第1の電気的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソード層を、焼結した界面層上にスポンジはけを用いて塗ることによって塗布し、その後乾燥させた。第2の通電(LSZF/Pd)カソード層を、乾燥させた電気化学的に活性なカソードコーティング上にスポンジはけを用いて塗ることによって塗布し、その後乾燥させた。カソードをコーティングしたFlexCell基板をその後、炉内で1125℃まで加熱して、カソード層を焼結させ、セリア界面層に付着させた。全カソード厚が約30ミクロン、二重層カソードの各成分層が厚さ約15ミクロンとなるように、堆積させるカソードコーティングの量を制御した。
実施例6で説明した材料および方法と同じ材料および方法を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のカソード面に二重層界面層を塗布した。
ジルコニア粉砕媒体を用いたアセトン中における酸化ニッケル粉末(NiO、Novamet社製の標準型)の振動ミル粉砕によって、細かいNiOアノード前駆体粉末を作製し、その後乾燥させた。粉砕していない酸化ニッケル粉末(NiO、Novamet社製の標準型)50グラムと、細かいNiO前駆体50グラムと、イットリア安定化ジルコニア粉末(YSZ、8モルパーセントY2O3、粒径3〜5ミクロン)25グラムとを含有する混合物を調製した。この混合物を、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、NiO/YSZアノードインクを調製した。
上で調製したFlexCellの界面層コーティングなしのアノード面に、NiO/YSZアノードを塗布した。このコーティングは、基板上にスポンジはけを用いて直接塗ることによって塗布し、その後乾燥させた。このアノードをコーティングしたFlexCell基板をその後、炉内で1300℃まで1時間加熱して、FlexCell基板のカソード面に先に塗布した、コバルトをドープしたセリア界面層を焼結および付着させ、またアノード層を焼結および付着させた。全アノード厚が約20ミクロンとなるように、塗布するアノードコーティングの量を制御した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCellのカソード面上のセリア界面層上にカソードコーティングを堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のアノード面とカソード面との両方に、界面層を塗布した。
ジルコニア粉砕媒体を用いたアセトン中における酸化ニッケル(NiO、Novamet社製の標準型)の振動ミル粉砕によって、細かいNiOアノード前駆体粉末を作製し、その後乾燥させた。粉砕していない酸化ニッケル粉末(NiO、Novamet社製の標準型)50グラムと、細かいNiO前駆体50グラムと、スカンジア安定化ジルコニア粉末(ScSZ、10モルパーセントSc2O3、粒径3〜5ミクロン)25グラムとを含有する混合物を調製した。この混合物を、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、NiO/ScSZ通電アノードインクを調製した。
実施例6で説明したように調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/SDC)アノードインクと、上で調製した通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、FlexCell基板のアノード面上のコバルトをドープしたセリア界面層のアノード面に、二層アノードを塗布した。これらのアノードコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCell基板のカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上にカソードコーティングを堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のアノード面とカソード面との両方に、界面層を塗布した。
実施例3で説明したように調製したNiO−CoO/SDC/ZDCアノード前駆体粉末を使用して、以下のように電気化学的に活性なアノードインクを調製した。異なる表面積を有するSDC−10およびZDC−50粉末を調製した。粗いNiO−CoO/ZDC/SDC前駆体粉末30グラムと、細かいNiO−CoO/ZDC/SDC前駆体粉末30グラムと、表面積6.0m2/グラムのSDC−10粉末17.5グラムと、表面積7.2m2/グラムのZDC−50粉末17.5グラムと、表面積45m2/グラムのSDC−10粉末5グラムとを含有する混合物を調製した。この混合物をその後、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、NiO−CoO/SDC/ZDC電気化学的に活性なアノードインクを調製した。
上で調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/ZDC/SDC)アノードインクと、実施例8で説明したように調製した通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、界面層をコーティングしたFlexCellのアノード面に、二層アノードを塗布した。これらのコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCell基板のカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上にカソードコーティングを堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のカソード面に、二重層界面層を塗布した。
実施例6で説明したように調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/SDC)アノードインクと、実施例8で説明したように調製した通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、界面層をコーティングしていないFlexCell基板のアノード面に、二重層アノードを塗布した。これらのコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCell基板のカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上にカソードコーティングを堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のアノード面とカソード面との両方に、界面層を塗布した。
細かいNiO−CoOアノード前駆体粉末を、実施例1で説明したように作製した。組成(Ce0.90Gd0.10)O1.95(GDC−10)の、異なる表面積を有するガドリニウムをドープしたセリア粉末を調製した。粉砕していない酸化ニッケル粉末(NiO、Alfa Aesar)30グラムと、細かいNiO−CoO前駆体30グラムと、表面積6.6m2/グラムのGDC−10粉末35グラムと、表面積44m2/グラムのSDC−10粉末5グラムとを含有する混合物を調製した。この混合物を、ジルコニア粉砕媒体を用いてアセトン中でボールミル粉砕し、得られたスラリーを乾燥させて粉末とした。この粉末の一部を、テルピネオールをベースとするインクビヒクルに分散させて、電気化学的に活性なNiO−CoO/GDCアノードインクを調製した。
上で調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/GDC)アノードインクと、実施例8で説明したような通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、界面層をコーティングしたFlexCell基板のアノード面に、二層アノードを塗布した。これらのコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
インクの調製時にパラジウムを添加しなかったこと以外は実施例6で説明したのと同じようにして、電気化学的に活性なLSZF/GDCカソードインクを調製した。
インクの調製時にパラジウムを添加しなかったこと以外は実施例6で説明したのと同じようにして、通電LSZFカソードインクを調製した。
実施例6で説明した方法および熱処理と同じ方法および熱処理を用いて、上で調製した電気化学的に活性な(LSZF/GDC)カソードインクおよび通電(LSZF)カソードインクを、FlexCellのカソード面上のコバルトをドープしたSDC界面層上に堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、HybridCell基板のカソード面に、二重層界面層を塗布した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、HybridCellのカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上にカソードコーティングを堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のアノード面とカソード面との両方に、界面層を塗布した。
実施例12で説明したように調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/GDC)アノードインクと、実施例8で説明したような通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、界面層をコーティングしたFlexCellのアノード面に、二層アノードを塗布した。これらのコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCell基板のカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上に堆積させた。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、コバルトをドープしたSDC界面層インクを調製し、FlexCell基板のアノード面とカソード面との両方に、界面層を塗布した。
実施例6で説明したように調製した電気化学的に活性な(NiO−CoO/SDC)アノードインクと、実施例8で説明したような通電(NiO/ScSZ)アノードインクとを用いて、界面層をコーティングしたFlexCellのアノード面に、二層アノードを塗布した。これらのコーティングは、実施例6で説明したように堆積させ熱処理した。
実施例6で説明した材料、方法および熱処理と同じ材料、方法および熱処理を用いて、電気化学的に活性な(LSZF/GDC/Pd)カソードインクおよび通電(LSZF/Pd)カソードインクを調製し、FlexCell基板のカソード面上のコバルトをドープしたセリア界面層上に堆積させた。
Claims (21)
- 硫黄含有燃料で作動可能な固体酸化物燃料電池であって、該固体酸化物燃料電池が、
−セラミック電解質膜;
−該セラミック電解質膜の片側に配置された耐硫黄性アノード、ただし、該アノードは、セラミック電解質膜上の第1のサーメットアノード層と、前記第1のサーメットアノード層上の第2のサーメットアノード層とを含み、
前記第1のサーメットの金属成分がコバルト−ニッケル合金を含み、前記第1のサーメットのセラミック成分がセラミック電解質材料を含み、
前記第2のサーメットの金属成分がコバルト−ニッケル合金またはニッケルを含み、前記第2のサーメットのセラミック成分がセラミック電解質材料を含み、前記第2のサーメットが、前記第1のサーメット層よりも粗い微細構造を有し、金属含有量が多いものである;及び
−該電解質膜の反対側に配置されたカソード;
を含む固体酸化物燃料電池。 - さらに、少なくとも20ppmの硫黄を有する炭化水素及び水素含有燃料を含む請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記第1のサーメットアノード層であるセラミック電解質材料が、ドープセリア電解質材料である請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記第1のサーメットアノード層のドープセリア電解質材料が、ガドリニウムドープセリア、サマリウムドープセリア、ジルコニウムドープセリア、スカンジウムドープセリア、イットリウムドープセリア、カルシウムドープセリア、ストロンチウムドープセリア、希土類およびアルカリ土類元素から選択される少なくとも1種の元素をドープした酸化セリウム、およびこれらの組合せから選択される、請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記サーメットアノード層のどれもが、セラミック電解質材料を20〜80重量パーセント含む、請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。
- さらに、少なくとも一つのサーメットアノード層の金属成分の粒子内に存在するセラミック材料のナノスケール微粒子を含む、請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記ナノスケールセラミック材料が、ドープジルコニア電解質材料、ドープセリア電解質材料、およびこれらの組合せから選択される、請求項6に記載の固体酸化物燃料電池。
- 金属成分の粒子内に存在するセラミック材料のナノスケール微粒子を含む前記少なくとも一つのサーメットアノード層が、
粉末状アノード前駆体として、酸化ニッケル又は、酸化ニッケルと酸化コバルトとを含む粉末状アノード前駆体を選択し、
前記粉末状アノード前駆体をナノスケールセラミック材料と組み合わせて粉末状アノード前駆体/ナノスケールセラミック材料の組合せを生成し、
前記粉末アノード前駆体/ナノスケールセラミック材料の組合せを焼成し、
前記焼成した粉末状アノード前駆体/ナノスケールセラミック材料の組合せをセラミック電解質粉末と混合し、
基板上に前記混合物を堆積させ、
前記堆積させた材料を焼結し、
水素または還元性ガス混合物の存在下、前記焼結した材料を還元する、
方法によって作製される請求項6に記載の固体酸化物燃料電池。 - 金属成分の粒子内に存在するセラミック材料のナノスケール微粒子を含む前記少なくとも一つのサーメットアノード層が、ドープジルコニア電解質材料およびドープセリア電解質材料から前記ナノスケールセラミック材料を選択するステップをさらに含む方法によって作製される、請求項8に記載の固体酸化物燃料電池。
- 金属成分の粒子内に存在するセラミック材料のナノスケール微粒子とを含む前記少なくとも一つのサーメットアノード層が、ドープジルコニア電解質材料、ドープセリア電解質材料、およびこれらの組合せから前記セラミック電解質粉末を選択するステップをさらに含む方法によって作製される、請求項8に記載の固体酸化物燃料電池。
- さらに、電解質膜と第1のサーメットアノードとの間の二重層アノード/電解質界面層を含み、
前記二重層アノード/電解質界面層が、セラミック電解質膜の表面上の第1の薄い緻密セリア層と、前記緻密セリア層上の第2の薄い多孔質セリア層とを備える、請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。 - 前記薄い緻密セリア層がドープセリア電解質材料を含み、前記薄い多孔質セリア層がドープセリア電解質材料を含む、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記セラミック電解質膜がドープジルコニア電解質材料を含む、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記第1の緻密セリア層および前記第2の多孔質セリア層の少なくとも一方に、コバルトがドープされている、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記第2のサーメット層中の前記セラミック電解質材料が、ドープジルコニア電解質材料、ドープセリア電解質材料、およびこれらの組合せから選択される、請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記アノード/電解質界面層の少なくとも一方がドープセリア電解質材料を含む、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記アノード/電解質界面層の少なくとも一方が、コバルトをドープしたセリア電解質材料を含む、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- セラミック材料のナノスケール微粒子が、前記サーメット層の少なくとも一方の前記金属成分の粒子内に存在し、前記ナノスケールセラミック材料が、ドープセリア電解質材料、ドープジルコニア電解質材料およびこれらの組合せから選択される、請求項11に記載の固体酸化物燃料電池。
- 硫黄含有還元性ガスと共に使用するための固体酸化物燃料電池であって、
セラミック電解質膜と、
前記セラミック電解質膜の表面上の薄い緻密なセリア層および前記薄い緻密なセリア層上の多孔質セリア層を備える電解質/アノード界面層と、
前記多孔質電解質/アノード界面層上の第1のアノード層および前記第1のアノード層上の第2のアノード層を備える二重層アノードと、
前記セラミック電解質膜の反対側の第1の薄い緻密なセリア層および前記薄い緻密なセリア層上の第2の薄い多孔質セリア層を備える電解質/カソード界面層と、
前記多孔質電解質/カソード界面層上の第1のカソード層および前記第1のカソード層上の第2のカソード層を備える二重層カソードとを備え、
前記第1のアノード層は、金属成分がコバルト−ニッケル合金を含み、セラミック成分が混合伝導性のセリアをベースとする電解質材料を含むサーメットを含み、かつ細かい微細構造を有し、前記第2のアノード層は、金属成分がコバルト−ニッケル合金またはニッケルを含み、セラミック成分がセラミック電解質材料を含むサーメットを含み、かつ前記第1のアノード層よりも粗い微細構造を有しニッケル含有量が多く、セラミック電解質材料のナノスケール微粒子が、前記アノード層の少なくとも一方の前記金属成分の粒子内に存在し、
前記第1のカソード層が、混合伝導性のセリアをベースとする電解質材料とセラミック電極材料との複合材料を含み、かつ細かい微細構造および小規模な多孔性を有し、前記第2のカソード層が、単一相セラミック電極材料を含み、かつ前記第1のカソード層よりも粗い微細構造および大規模な多孔性を有する請求項1に記載の固体酸化物燃料電池。 - 前記電解質/アノード界面層の少なくとも一方にコバルトがドープされている、請求項19に記載の固体酸化物燃料電池。
- 前記電解質/カソード界面層の少なくとも一方にコバルトがドープされ、前記第1のカソード層の複合材料が、さらに、固体酸化物燃料電池の作動時に前記カソードを使用した場合にクロム被毒に対する耐性を提供するように十分な量でパラジウムドーパントを含む、請求項19に記載の固体酸化物燃料電池。
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