JP5194328B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この技術は、素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置及びその製造方法に関し、特に、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制する新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化が進展し、シリコン基板とＭＯＳトランジスタ間に絶縁体を設けることで、基板と接合部（ジャンクション）との間の接合容量を低減して、消費電力を下げるようにしたＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造が注目されている。こうしたＳＯＩ型半導体装置では、シリコン酸化膜を絶縁膜とする素子間の分離が行われるため、集積度の高いＳＯＩ型半導体装置でも容易にソフトエラー及びラッチアップが抑制され、高い信頼性が確保できる。また、ＳＯＩ構造の集積回路装置では、素子領域における不純物拡散層での接合容量を減らすことができるので、スイッチングに伴う充放電電流が少なくなって、高速化、低消費電力化を図るうえでも有利となる。
【０００３】
ＳＯＩ型半導体装置では、素子領域にトランジスタを形成する際、ゲート構造及び配線工程等には、通常のバルクシリコンウエーハにトランジスタを形成するのと同様のプロセスが適用できる。しかし、従来からよく知られているＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を適用して、ＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を行う場合には、フィールド酸化速度にパターン依存性があるために、通常のバルクシリコンウエーハに適用されるプロセスを用いると、次のような問題があった。
【０００４】
以下に、従来の素子分離法について図面を参照しながら説明する。
図６は、ＬＯＣＯＳ法による従来のＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。ＬＯＣＯＳ酸化膜１１１は、パターン化された窒化膜をマスクに選択酸化によって形成される。狭い素子分離領域でＬＯＣＯＳ酸化膜が埋め込み酸化膜に到達し、素子間が完全に分離するまで酸化を進めると、図６に示すように、広い素子分離領域のＬＯＣＯＳ酸化膜１１１では、ＳＯＩ層１１２が埋め込み酸化膜１１３からの廻り込みによる酸化の影響を受けて、素子分離領域に接する部分１１４でバーズビーク状に変形する。１１５はシリコン基板である。ＳＯＩ層１１２が変形すると、変形部分１１４からの応力ひずみ（ストレス）が助長され、ＳＯＩ層１１２の素子領域に結晶欠陥が形成され、ソース、ドレイン間のリークをもたらすという問題があった。また、回路の微細化に伴い、通常のバルクシリコンウエーハと同様に、ＬＯＣＯＳ端部での寸法変換差も問題になる。
【０００５】
そこで、ＬＯＣＯＳ法におけるストレスの問題、或いは寸法変換差の問題を軽減するＳＯＩ型半導体装置の素子分離方法として、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法、及びＭｅｓａ型分離技術による素子間分離の方法が有力視されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図７は、ＳＴＩ分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。ＳＴＩ分離法では、ＳＯＩ層１１２を加工して島状の素子形成領域を形成した後、素子分離領域をＳＴＩ絶縁膜１１６で埋め込んでから化学機械研磨（ＣＭＰ）によって表面を平坦化する。その後、素子分離マスクを除去する。１１７はゲート酸化膜、１１８はゲート電極である。このＳＴＩ分離法は、ＳＯＩ層１１２が５０ｎｍ以上に厚く形成されたＳＯＩ型半導体装置に適用されることが多い。
【０００７】
図８は、Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。Ｍｅｓａ型分離技術では、ＳＯＩ層１１２を加工してシリコンの島を形成し、側壁を酸化した後、素子分離マスクを除去する。その後、不純物を導入し、ゲート酸化を行い、さらにゲート電極１１８の形成工程に進む。Ｍｅｓａ型分離は、ＳＯＩ層１１２を選択的に分離加工するだけで素子領域の分離が可能であり、ＳＯＩ層１１２が薄いＳＯＩ型半導体装置に適用される。
【０００８】
しかし、図７、図８に示すいずれの分離方法を適用した場合でも、ＳＯＩ層１１２内に拡散された不純物がその下の埋め込み酸化膜１１３中にも拡散する影響で、ＳＯＩ活性層での不純物濃度が低下する。また、熱酸化膜を介してゲート電極がＳＯＩ層と接している部分１１２ａでは、横方向や斜め方向での拡散も生じるために、活性層の濃度プロファイルが変わって不均一になり、そこに閾値電圧の低い寄生ＭＯＳＦＥＴが形成される。その結果、トランジスタ全体のサブスレッシュホールド特性にハンプが発生し、優れたターンオフ特性が得られないという問題があった。
【０００９】
この発明の目的は、Ｍｅｓａ型分離技術、或いはＳＴＩ分離法を適用して、ＭＯＳＦＥＴを形成する場合、ＳＯＩ活性層での濃度低下を防止するとともに、寄生ＭＯＳＦＥＴが形成されないように改良されたＳＯＩ構造の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置が提供される。この半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上の素子領域に形成された、シリコンを含む半導体層と、前記半導体層の側壁面を覆うように、前記絶縁基板上の前記素子分離領域に形成された絶縁層とを備え、前記半導体層の前記側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜が形成されて、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子が導入されている。
【００１１】
また、絶縁基板上の素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置の製造方法を提供することができる。
この半導体装置の製造方法は、前記絶縁基板上のシリコンを含む半導体層のうち前記素子分離領域から半導体層を除去する素子分離用マスクを形成するマスク工程と、前記素子分離用マスクを用いて前記素子分離領域から前記半導体層を除去する除去工程と、前記絶縁基板に対して窒化酸化処理を行って、前記素子領域の半導体層の前記素子分離領域側の側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成すると共に、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子を導入する窒素導入工程と、前記素子領域の前記半導体層に不純物を導入し活性層領域を形成する素子形成工程と、前記素子領域に酸化膜及び電極を形成するゲート作成工程とから構成される。
【００１２】
この技術によれば、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この技術の実施形態について、図面を参照して説明する。
（第一の実施形態）
第一の実施形態では、ＳＴＩ法によって複数の素子領域が分離形成される。この素子分離工程においては、まず窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）と酸化膜（ＳｉＯ2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層側壁面にＳｉＯＮ膜が形成される。その後、ＳＴＩ法で素子分離を行って、最後に酸化膜及び電極を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００１４】
図１乃至図３は、第一の実施形態を説明する工程図である。
（ａ）素子分離工程（図１）
最初に、シリコン基板１上に埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）２を絶縁基板とするＳＯＩ層３を所望の厚さ、例えば１５０ｎｍまで薄膜化する。その後、ＳＯＩ層３の表面に熱酸化膜（ＳｉＯ2）４を６ｎｍの厚さで形成し、その上に減圧化学的気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）法によって、例えば１５０ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）５を成膜する。
【００１５】
ＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉ3Ｎ4成膜の条件は、以下の通りである。
ガス：ＳｉＨ2Ｃl2／ＮＨ3／Ｎ2（＝５０／２００／２００ｓｃｃｍ）
圧力：７０Ｐａ
基板加熱温度：７６０°Ｃ
つぎに、リソグラフィとドライエッチング工程によって、素子分離領域６の窒化膜５と熱酸化膜４とをエッチング除去して、ＳＯＩ層３を露出させる。Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2積層膜のエッチング条件は、以下の通りである。
【００１６】
ガス：ＣＦ4／Ａｒ（＝１００／９００ｓｃｃｍ）
圧力：１０５Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：６００Ｗ
その後、フォトレジストは除去される。さらに、窒化膜５をマスクとするエッチングにより素子分離領域６のＳＯＩ層３を除去する。ＳＯＩ層のエッチング条件は、以下の通りである。
【００１７】
ガス：Ｃ4Ｆ8／Ｏ2／Ａｒ（＝５／４／１００ｓｃｃｍ）
圧力：５．３Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：４００Ｗ
（ｂ）窒素導入工程（図２）
窒化酸化処理によりＳＯＩ層３の側壁面にＳｉＯＮ膜７を４ｎｍの厚さに成膜する。このとき、ＳＯＩ層３の周辺部に接する埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）２中にも窒素が導入される（図では×印で示す）。ここで、ＳｉＯＮ膜７の成膜条件は、以下の通りである。
【００１８】
第１ステップ（Ｐｙｒｏ Ｏｘ．）
温度：８００°Ｃ
第２ステップ（窒化）
ガス：ＮＯ／Ｎ2（＝２００／３８００ｓｃｃｍ）
温度：９００°Ｃ
（ｃ）絶縁層埋め込み工程（図３）
素子分離領域６を含めた全面にＬＰ−ＣＶＤ法による酸化膜（ＳｉＯ2）を、例えば３００ｎｍ成膜してアニールする。これにより、ＳＯＩ層３が除去された素子分離領域がＳＴＩ絶縁層８で埋め込まれ、素子分離領域以外のＣＶＤ酸化膜は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）によって除去される。つぎに、ＨＯＴリン酸によるウェットエッチング処理によって、素子領域のＬＰ−ＣＶＤによる窒化膜５を除去する。ＬＰ−ＣＶＤによるＳｉＯ2成膜の条件は、以下の通りである。
【００１９】
ガス：ＳｉＨ4／Ｏ2／Ｎ2（＝２５０／２５０／１００ｓｃｃｍ）
圧力：１３．３Ｐａ
基板加熱温度：５２０°Ｃ
また、ＳｉＯ2のアニール条件は、以下の通りである。
【００２０】
アニール温度：１０００°Ｃ
アニール時間：３０ｍｉｎ
さらに、ＳｉＯ2のＣＭＰ条件は、以下の通りである。
【００２１】
研磨圧力：３００ｇ／ｃｍ2
定盤回転数：３０ｒｐｍ
研磨ヘッド回転数：３０ｒｐｍ
研磨パッド：ＩＣ−１００（商品名）
スラリー：ＮＨ4ＯＨベース（ヒュームドシリカ含有）
流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ
温度：２５〜３０°Ｃ
（ｄ）Ｖｔｈ調整工程（図３）
素子領域のＳＯＩ層３に各種の不純物を導入して、ＭＯＳＦＥＴボディ部でのしきい値電圧Ｖｔｈの調整が行われる。その後に希弗酸処理を行い、ＳＯＩ活性層領域に残された熱酸化膜４を除去する。
【００２２】
（ｅ）ゲート作成工程（図３）
素子領域のＳＯＩ層３に、所定パターンでゲート酸化膜９を形成した後、ポリシリコンを成膜し、さらにエッチング加工によって所定形状のゲート電極１０を形成する。その後に必要な不純物を導入し、ソース、ドレインが形成されてＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴが完成する。ポリシリコンの成膜条件は、以下の通りである。
【００２３】
ガス：ＳｉＨ4／Ｎ2／Ｈｅ（＝１００／２００／４００ｓｃｃｍ）
圧力：７０Ｐａ
基板加熱温度：６１０°Ｃ
また、ポリシリコンのエッチング条件は、以下の通りである。
【００２４】
ガス：Ｃ2Ｃl3Ｆ3／ＳＦ6（＝６０／１０ｓｃｃｍ）
圧力：１．３Ｐａ
基板温度：２０°Ｃ
ＲＦパワー：１５０Ｗ
以上のような工程（ａ）乃至（ｅ）からなる第一の実施形態では、１５０ｎｍ程度の厚いＳＯＩ層３にＳＴＩ素子分離技術を適用した場合に、ＳＯＩ層３の側壁面に接する部分、及びＳＯＩ層３周辺に接する埋め込み酸化膜２に窒素を導入してＳｉＯＮ膜７を形成したので、ゲート電極１０がＳＯＩ活性層領域から素子分離領域にかかる境界領域で、ＳＯＩ活性層端部における不純物が埋め込み酸化膜２中に拡散することを回避できる。そのため、不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳを抑制できる。
【００２５】
（第二の実施形態）
第二の実施形態では、Ｍｅｓａ型分離法で素子分離を行って、複数の素子領域が分離形成される。この素子分離工程においては、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）と酸化膜（ＳｉＯ2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去して、Ｍｅｓａ型に分離する。つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層側壁面にＳｉＯＮ膜が形成される。最後に酸化膜及び電極を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００２６】
図４は、Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
（ａ）素子分離工程（図４）
最初に、シリコン基板１１上に埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）１２を絶縁基板とするＳＯＩ層１３を所望の厚さ、例えば３０ｎｍまで薄膜化する。その後、ＳＯＩ層１３の表面に熱酸化膜（ＳｉＯ2）を６ｎｍの厚さで形成し、その上に減圧化学的気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）法によって、例えば１００ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する。ＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉ3Ｎ4成膜の条件は、第一の実施形態の場合と同じである。
【００２７】
さらに、ＳＴＩ法の場合と同様に、素子分離領域６の窒化膜５と熱酸化膜４とをエッチング除去して、ＳＯＩ層３を露出させ、素子分離領域６のＳＯＩ層３を除去する。
【００２８】
（ｂ）窒素導入工程（図４）
窒化酸化処理によりＳＯＩ層１３の側壁面にＳｉＯＮ膜１４を４ｎｍの厚さに成膜する。このとき、ＳＯＩ層１３の周辺部に接する埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）１２中にも窒素が導入される（図では×印で示す）。ここで、ＳｉＯＮ膜１４の成膜条件は、第１ステップ、第２ステップとも、第一の実施形態の場合と同じである。その後、素子領域のＳｉＯＮ膜１４は、ＨＯＴリン酸によるウェットエッチング処理によって除去される。
【００２９】
（ｃ）Ｖｔｈ調整工程（図４）
素子領域のＳＯＩ層１３に各種の不純物を導入して、ＭＯＳＦＥＴボディ部でのしきい値電圧Ｖｔｈの調整が行われる。その後に希弗酸処理を行い、ＳＯＩ活性層領域に残された熱酸化膜を除去する。
【００３０】
（ｄ）ゲート作成工程（図４）
素子領域のＳＯＩ層１３に、所定パターンでゲート酸化膜１５を形成した後、ポリシリコンを成膜し、さらにエッチング加工によって所定形状のゲート電極１６を形成する。その後に必要な不純物を導入し、ソース、ドレインが形成されてＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴが完成する。ポリシリコンの成膜条件、及びエッチング条件は、第一の実施形態と同じである。
【００３１】
図５は、素子分離マスクの除去前に、ＳＯＩ層の側壁面にＳｉ3Ｎ4によるサイドウォールを形成したものを示す。
ここでは、上述した（ｂ）窒素導入工程後において、ＬＰ−ＣＶＤ法によって５０ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜して、エッチバック処理を施す。これにより、ＳＯＩ層１３の側壁面のＳｉＯＮ膜１４を覆うようにＳｉ3Ｎ4サイドウォール１７が形成される。ここで、Ｓｉ3Ｎ4膜のエッチバック条件は、以下の通りである。
【００３２】
ガス：ＣＦ4／Ａｒ（＝５０／９５０ｓｃｃｍ）
圧力：１０５Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：２００Ｗ
以上のような工程（ａ）乃至（ｄ）からなる第二の実施形態では、薄いＳＯＩ層にＭｅｓａ型素子分離技術を適用した場合でも、ＳＯＩ層１３の側壁面に接する部分、及びＳＯＩ層周辺に接する埋め込み酸化膜１２に窒素を導入してＳｉＯＮ膜１４を形成したので、ゲート電極１６がＳＯＩ活性層領域から素子分離領域にかかる境界領域で、ＳＯＩ活性層端部における不純物が埋め込み酸化膜中に拡散することを回避できる。そのため、不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳを抑制できる。
【００３３】
なお、ＳＯＩ型半導体装置の基板、素子分離マスク、各種絶縁層等は、上述した実施形態で説明した材料に限定されない。例えば基板には、上述した実施形態で用いたシリコン基板に限らず、各種の半導体基板を用いることができる。また、ＳＯＩ構造の絶縁基板を構成する絶縁層として、ここではＳｉＯ2による埋め込み酸化膜を用いているが、Ｓｉ3Ｎ4、ＳIＮ、或いはこれらの積層膜、さらにはＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ等の化合物である絶縁材料を付加した積層膜を用いることもできる。
【００３４】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の半導体装置の製造方法によれば、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制できるので、トランジスタエッジ部での不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳの発生を抑制することにより、トランジスタ全体のサブスレッシュホールド特性が改善され、ターンオフ特性の優れた半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の実施形態における素子分離工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図２】第一の実施形態における窒素導入工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図３】第一の実施形態における絶縁層埋め込み工程、素子形成工程、及びゲート作成工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図４】Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
【図５】ＳＯＩ層の側壁面にＳｉ3Ｎ4によるサイドウォールが形成されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
【図６】ＬＯＣＯＳ法による従来のＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【図７】従来のＳＴＩ型分離法によるＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【図８】従来のＭｅｓａ型分離法によるＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１，１１…シリコン基板、２，１２…埋め込み酸化膜、３，１３…ＳＯＩ層、４…熱酸化膜（ＳｉＯ2）、５…窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、６…素子分離領域、７…ＳｉＯＮ膜、８…ＳＴＩ絶縁層、９，１５…ゲート酸化膜、１０，１６…ゲート電極
【発明の属する技術分野】
この技術は、素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置及びその製造方法に関し、特に、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制する新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化が進展し、シリコン基板とＭＯＳトランジスタ間に絶縁体を設けることで、基板と接合部（ジャンクション）との間の接合容量を低減して、消費電力を下げるようにしたＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造が注目されている。こうしたＳＯＩ型半導体装置では、シリコン酸化膜を絶縁膜とする素子間の分離が行われるため、集積度の高いＳＯＩ型半導体装置でも容易にソフトエラー及びラッチアップが抑制され、高い信頼性が確保できる。また、ＳＯＩ構造の集積回路装置では、素子領域における不純物拡散層での接合容量を減らすことができるので、スイッチングに伴う充放電電流が少なくなって、高速化、低消費電力化を図るうえでも有利となる。
【０００３】
ＳＯＩ型半導体装置では、素子領域にトランジスタを形成する際、ゲート構造及び配線工程等には、通常のバルクシリコンウエーハにトランジスタを形成するのと同様のプロセスが適用できる。しかし、従来からよく知られているＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法を適用して、ＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を行う場合には、フィールド酸化速度にパターン依存性があるために、通常のバルクシリコンウエーハに適用されるプロセスを用いると、次のような問題があった。
【０００４】
以下に、従来の素子分離法について図面を参照しながら説明する。
図６は、ＬＯＣＯＳ法による従来のＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。ＬＯＣＯＳ酸化膜１１１は、パターン化された窒化膜をマスクに選択酸化によって形成される。狭い素子分離領域でＬＯＣＯＳ酸化膜が埋め込み酸化膜に到達し、素子間が完全に分離するまで酸化を進めると、図６に示すように、広い素子分離領域のＬＯＣＯＳ酸化膜１１１では、ＳＯＩ層１１２が埋め込み酸化膜１１３からの廻り込みによる酸化の影響を受けて、素子分離領域に接する部分１１４でバーズビーク状に変形する。１１５はシリコン基板である。ＳＯＩ層１１２が変形すると、変形部分１１４からの応力ひずみ（ストレス）が助長され、ＳＯＩ層１１２の素子領域に結晶欠陥が形成され、ソース、ドレイン間のリークをもたらすという問題があった。また、回路の微細化に伴い、通常のバルクシリコンウエーハと同様に、ＬＯＣＯＳ端部での寸法変換差も問題になる。
【０００５】
そこで、ＬＯＣＯＳ法におけるストレスの問題、或いは寸法変換差の問題を軽減するＳＯＩ型半導体装置の素子分離方法として、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法、及びＭｅｓａ型分離技術による素子間分離の方法が有力視されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図７は、ＳＴＩ分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。ＳＴＩ分離法では、ＳＯＩ層１１２を加工して島状の素子形成領域を形成した後、素子分離領域をＳＴＩ絶縁膜１１６で埋め込んでから化学機械研磨（ＣＭＰ）によって表面を平坦化する。その後、素子分離マスクを除去する。１１７はゲート酸化膜、１１８はゲート電極である。このＳＴＩ分離法は、ＳＯＩ層１１２が５０ｎｍ以上に厚く形成されたＳＯＩ型半導体装置に適用されることが多い。
【０００７】
図８は、Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。Ｍｅｓａ型分離技術では、ＳＯＩ層１１２を加工してシリコンの島を形成し、側壁を酸化した後、素子分離マスクを除去する。その後、不純物を導入し、ゲート酸化を行い、さらにゲート電極１１８の形成工程に進む。Ｍｅｓａ型分離は、ＳＯＩ層１１２を選択的に分離加工するだけで素子領域の分離が可能であり、ＳＯＩ層１１２が薄いＳＯＩ型半導体装置に適用される。
【０００８】
しかし、図７、図８に示すいずれの分離方法を適用した場合でも、ＳＯＩ層１１２内に拡散された不純物がその下の埋め込み酸化膜１１３中にも拡散する影響で、ＳＯＩ活性層での不純物濃度が低下する。また、熱酸化膜を介してゲート電極がＳＯＩ層と接している部分１１２ａでは、横方向や斜め方向での拡散も生じるために、活性層の濃度プロファイルが変わって不均一になり、そこに閾値電圧の低い寄生ＭＯＳＦＥＴが形成される。その結果、トランジスタ全体のサブスレッシュホールド特性にハンプが発生し、優れたターンオフ特性が得られないという問題があった。
【０００９】
この発明の目的は、Ｍｅｓａ型分離技術、或いはＳＴＩ分離法を適用して、ＭＯＳＦＥＴを形成する場合、ＳＯＩ活性層での濃度低下を防止するとともに、寄生ＭＯＳＦＥＴが形成されないように改良されたＳＯＩ構造の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置が提供される。この半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上の素子領域に形成された、シリコンを含む半導体層と、前記半導体層の側壁面を覆うように、前記絶縁基板上の前記素子分離領域に形成された絶縁層とを備え、前記半導体層の前記側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜が形成されて、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子が導入されている。
【００１１】
また、絶縁基板上の素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置の製造方法を提供することができる。
この半導体装置の製造方法は、前記絶縁基板上のシリコンを含む半導体層のうち前記素子分離領域から半導体層を除去する素子分離用マスクを形成するマスク工程と、前記素子分離用マスクを用いて前記素子分離領域から前記半導体層を除去する除去工程と、前記絶縁基板に対して窒化酸化処理を行って、前記素子領域の半導体層の前記素子分離領域側の側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成すると共に、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子を導入する窒素導入工程と、前記素子領域の前記半導体層に不純物を導入し活性層領域を形成する素子形成工程と、前記素子領域に酸化膜及び電極を形成するゲート作成工程とから構成される。
【００１２】
この技術によれば、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、この技術の実施形態について、図面を参照して説明する。
（第一の実施形態）
第一の実施形態では、ＳＴＩ法によって複数の素子領域が分離形成される。この素子分離工程においては、まず窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）と酸化膜（ＳｉＯ2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去する。つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層側壁面にＳｉＯＮ膜が形成される。その後、ＳＴＩ法で素子分離を行って、最後に酸化膜及び電極を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００１４】
図１乃至図３は、第一の実施形態を説明する工程図である。
（ａ）素子分離工程（図１）
最初に、シリコン基板１上に埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）２を絶縁基板とするＳＯＩ層３を所望の厚さ、例えば１５０ｎｍまで薄膜化する。その後、ＳＯＩ層３の表面に熱酸化膜（ＳｉＯ2）４を６ｎｍの厚さで形成し、その上に減圧化学的気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）法によって、例えば１５０ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）５を成膜する。
【００１５】
ＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉ3Ｎ4成膜の条件は、以下の通りである。
ガス：ＳｉＨ2Ｃl2／ＮＨ3／Ｎ2（＝５０／２００／２００ｓｃｃｍ）
圧力：７０Ｐａ
基板加熱温度：７６０°Ｃ
つぎに、リソグラフィとドライエッチング工程によって、素子分離領域６の窒化膜５と熱酸化膜４とをエッチング除去して、ＳＯＩ層３を露出させる。Ｓｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2積層膜のエッチング条件は、以下の通りである。
【００１６】
ガス：ＣＦ4／Ａｒ（＝１００／９００ｓｃｃｍ）
圧力：１０５Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：６００Ｗ
その後、フォトレジストは除去される。さらに、窒化膜５をマスクとするエッチングにより素子分離領域６のＳＯＩ層３を除去する。ＳＯＩ層のエッチング条件は、以下の通りである。
【００１７】
ガス：Ｃ4Ｆ8／Ｏ2／Ａｒ（＝５／４／１００ｓｃｃｍ）
圧力：５．３Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：４００Ｗ
（ｂ）窒素導入工程（図２）
窒化酸化処理によりＳＯＩ層３の側壁面にＳｉＯＮ膜７を４ｎｍの厚さに成膜する。このとき、ＳＯＩ層３の周辺部に接する埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）２中にも窒素が導入される（図では×印で示す）。ここで、ＳｉＯＮ膜７の成膜条件は、以下の通りである。
【００１８】
第１ステップ（Ｐｙｒｏ Ｏｘ．）
温度：８００°Ｃ
第２ステップ（窒化）
ガス：ＮＯ／Ｎ2（＝２００／３８００ｓｃｃｍ）
温度：９００°Ｃ
（ｃ）絶縁層埋め込み工程（図３）
素子分離領域６を含めた全面にＬＰ−ＣＶＤ法による酸化膜（ＳｉＯ2）を、例えば３００ｎｍ成膜してアニールする。これにより、ＳＯＩ層３が除去された素子分離領域がＳＴＩ絶縁層８で埋め込まれ、素子分離領域以外のＣＶＤ酸化膜は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）によって除去される。つぎに、ＨＯＴリン酸によるウェットエッチング処理によって、素子領域のＬＰ−ＣＶＤによる窒化膜５を除去する。ＬＰ−ＣＶＤによるＳｉＯ2成膜の条件は、以下の通りである。
【００１９】
ガス：ＳｉＨ4／Ｏ2／Ｎ2（＝２５０／２５０／１００ｓｃｃｍ）
圧力：１３．３Ｐａ
基板加熱温度：５２０°Ｃ
また、ＳｉＯ2のアニール条件は、以下の通りである。
【００２０】
アニール温度：１０００°Ｃ
アニール時間：３０ｍｉｎ
さらに、ＳｉＯ2のＣＭＰ条件は、以下の通りである。
【００２１】
研磨圧力：３００ｇ／ｃｍ2
定盤回転数：３０ｒｐｍ
研磨ヘッド回転数：３０ｒｐｍ
研磨パッド：ＩＣ−１００（商品名）
スラリー：ＮＨ4ＯＨベース（ヒュームドシリカ含有）
流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ
温度：２５〜３０°Ｃ
（ｄ）Ｖｔｈ調整工程（図３）
素子領域のＳＯＩ層３に各種の不純物を導入して、ＭＯＳＦＥＴボディ部でのしきい値電圧Ｖｔｈの調整が行われる。その後に希弗酸処理を行い、ＳＯＩ活性層領域に残された熱酸化膜４を除去する。
【００２２】
（ｅ）ゲート作成工程（図３）
素子領域のＳＯＩ層３に、所定パターンでゲート酸化膜９を形成した後、ポリシリコンを成膜し、さらにエッチング加工によって所定形状のゲート電極１０を形成する。その後に必要な不純物を導入し、ソース、ドレインが形成されてＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴが完成する。ポリシリコンの成膜条件は、以下の通りである。
【００２３】
ガス：ＳｉＨ4／Ｎ2／Ｈｅ（＝１００／２００／４００ｓｃｃｍ）
圧力：７０Ｐａ
基板加熱温度：６１０°Ｃ
また、ポリシリコンのエッチング条件は、以下の通りである。
【００２４】
ガス：Ｃ2Ｃl3Ｆ3／ＳＦ6（＝６０／１０ｓｃｃｍ）
圧力：１．３Ｐａ
基板温度：２０°Ｃ
ＲＦパワー：１５０Ｗ
以上のような工程（ａ）乃至（ｅ）からなる第一の実施形態では、１５０ｎｍ程度の厚いＳＯＩ層３にＳＴＩ素子分離技術を適用した場合に、ＳＯＩ層３の側壁面に接する部分、及びＳＯＩ層３周辺に接する埋め込み酸化膜２に窒素を導入してＳｉＯＮ膜７を形成したので、ゲート電極１０がＳＯＩ活性層領域から素子分離領域にかかる境界領域で、ＳＯＩ活性層端部における不純物が埋め込み酸化膜２中に拡散することを回避できる。そのため、不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳを抑制できる。
【００２５】
（第二の実施形態）
第二の実施形態では、Ｍｅｓａ型分離法で素子分離を行って、複数の素子領域が分離形成される。この素子分離工程においては、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）と酸化膜（ＳｉＯ2）との積層膜を素子分離マスクとして、素子分離領域から半導体層（ＳＯＩ層）をエッチングにより除去して、Ｍｅｓａ型に分離する。つぎに、窒化酸化処理によりＳＯＩ層側壁面にＳｉＯＮ膜が形成される。最後に酸化膜及び電極を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００２６】
図４は、Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
（ａ）素子分離工程（図４）
最初に、シリコン基板１１上に埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）１２を絶縁基板とするＳＯＩ層１３を所望の厚さ、例えば３０ｎｍまで薄膜化する。その後、ＳＯＩ層１３の表面に熱酸化膜（ＳｉＯ2）を６ｎｍの厚さで形成し、その上に減圧化学的気相成長（ＬＰ−ＣＶＤ）法によって、例えば１００ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜する。ＬＰ−ＣＶＤ法によるＳｉ3Ｎ4成膜の条件は、第一の実施形態の場合と同じである。
【００２７】
さらに、ＳＴＩ法の場合と同様に、素子分離領域６の窒化膜５と熱酸化膜４とをエッチング除去して、ＳＯＩ層３を露出させ、素子分離領域６のＳＯＩ層３を除去する。
【００２８】
（ｂ）窒素導入工程（図４）
窒化酸化処理によりＳＯＩ層１３の側壁面にＳｉＯＮ膜１４を４ｎｍの厚さに成膜する。このとき、ＳＯＩ層１３の周辺部に接する埋め込み酸化膜（ＳｉＯ2）１２中にも窒素が導入される（図では×印で示す）。ここで、ＳｉＯＮ膜１４の成膜条件は、第１ステップ、第２ステップとも、第一の実施形態の場合と同じである。その後、素子領域のＳｉＯＮ膜１４は、ＨＯＴリン酸によるウェットエッチング処理によって除去される。
【００２９】
（ｃ）Ｖｔｈ調整工程（図４）
素子領域のＳＯＩ層１３に各種の不純物を導入して、ＭＯＳＦＥＴボディ部でのしきい値電圧Ｖｔｈの調整が行われる。その後に希弗酸処理を行い、ＳＯＩ活性層領域に残された熱酸化膜を除去する。
【００３０】
（ｄ）ゲート作成工程（図４）
素子領域のＳＯＩ層１３に、所定パターンでゲート酸化膜１５を形成した後、ポリシリコンを成膜し、さらにエッチング加工によって所定形状のゲート電極１６を形成する。その後に必要な不純物を導入し、ソース、ドレインが形成されてＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴが完成する。ポリシリコンの成膜条件、及びエッチング条件は、第一の実施形態と同じである。
【００３１】
図５は、素子分離マスクの除去前に、ＳＯＩ層の側壁面にＳｉ3Ｎ4によるサイドウォールを形成したものを示す。
ここでは、上述した（ｂ）窒素導入工程後において、ＬＰ−ＣＶＤ法によって５０ｎｍの窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を成膜して、エッチバック処理を施す。これにより、ＳＯＩ層１３の側壁面のＳｉＯＮ膜１４を覆うようにＳｉ3Ｎ4サイドウォール１７が形成される。ここで、Ｓｉ3Ｎ4膜のエッチバック条件は、以下の通りである。
【００３２】
ガス：ＣＦ4／Ａｒ（＝５０／９５０ｓｃｃｍ）
圧力：１０５Ｐａ
基板温度：１０°Ｃ
ＲＦパワー：２００Ｗ
以上のような工程（ａ）乃至（ｄ）からなる第二の実施形態では、薄いＳＯＩ層にＭｅｓａ型素子分離技術を適用した場合でも、ＳＯＩ層１３の側壁面に接する部分、及びＳＯＩ層周辺に接する埋め込み酸化膜１２に窒素を導入してＳｉＯＮ膜１４を形成したので、ゲート電極１６がＳＯＩ活性層領域から素子分離領域にかかる境界領域で、ＳＯＩ活性層端部における不純物が埋め込み酸化膜中に拡散することを回避できる。そのため、不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳを抑制できる。
【００３３】
なお、ＳＯＩ型半導体装置の基板、素子分離マスク、各種絶縁層等は、上述した実施形態で説明した材料に限定されない。例えば基板には、上述した実施形態で用いたシリコン基板に限らず、各種の半導体基板を用いることができる。また、ＳＯＩ構造の絶縁基板を構成する絶縁層として、ここではＳｉＯ2による埋め込み酸化膜を用いているが、Ｓｉ3Ｎ4、ＳIＮ、或いはこれらの積層膜、さらにはＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ等の化合物である絶縁材料を付加した積層膜を用いることもできる。
【００３４】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明の半導体装置の製造方法によれば、ＳＯＩ型半導体装置でＳＯＩ活性層の端部における絶縁基板に対する不純物拡散を抑制できるので、トランジスタエッジ部での不純物濃度の低下による閾値電圧の低い寄生ＭＯＳの発生を抑制することにより、トランジスタ全体のサブスレッシュホールド特性が改善され、ターンオフ特性の優れた半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の実施形態における素子分離工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図２】第一の実施形態における窒素導入工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図３】第一の実施形態における絶縁層埋め込み工程、素子形成工程、及びゲート作成工程を説明する半導体装置の断面図である。
【図４】Ｍｅｓａ型分離されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
【図５】ＳＯＩ層の側壁面にＳｉ3Ｎ4によるサイドウォールが形成されたＳＯＩ型半導体装置の断面構造を示す図である。
【図６】ＬＯＣＯＳ法による従来のＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【図７】従来のＳＴＩ型分離法によるＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【図８】従来のＭｅｓａ型分離法によるＳＯＩ型半導体装置の素子間分離を説明する半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１，１１…シリコン基板、２，１２…埋め込み酸化膜、３，１３…ＳＯＩ層、４…熱酸化膜（ＳｉＯ2）、５…窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、６…素子分離領域、７…ＳｉＯＮ膜、８…ＳＴＩ絶縁層、９，１５…ゲート酸化膜、１０，１６…ゲート電極
Claims (6)
- 素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置において、
絶縁基板と、
前記絶縁基板上の素子領域に形成された、シリコンを含む半導体層と、
前記半導体層の側壁面を覆うように、前記絶縁基板上の前記素子分離領域に形成された絶縁層とを備え、
前記半導体層の前記側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜が形成されて、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子が導入されている半導体装置。 - 前記絶縁基板は、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜である請求項１に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層にはシリコン酸化膜が含まれている請求項１に記載の半導体装置。
- 絶縁基板上の素子分離領域によって区分された素子領域にＭＯＳトランジスタを形成する半導体装置の製造方法において、
前記絶縁基板上のシリコンを含む半導体層のうち前記素子分離領域から半導体層を除去する素子分離用マスクを形成するマスク工程と、
前記素子分離用マスクを用いて前記素子分離領域から前記半導体層を除去する除去工程と、
前記絶縁基板に対して窒化酸化処理を行って、前記素子領域の半導体層の前記素子分離領域側の側壁面に厚さが４ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成すると共に、前記絶縁基板の、前記半導体層の前記素子分離領域側の部分と接している部分に窒素原子を導入する窒素導入工程と、
前記素子領域の前記半導体層に不純物を導入し活性層領域を形成する素子形成工程と、
前記素子領域に酸化膜及び電極を形成するゲート作成工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記窒素導入工程の後に、前記半導体層が除去された前記素子分離領域を絶縁層で埋め込んで平坦化処理を施す請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒素導入工程の後に、前記素子分離用マスクを除去してＭｅｓａ型素子分離を行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
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