JP5110311B2 - 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
このような半導体素子を用いたフォトカプラー等の半導体・電子機器装置の材料のひとつとして、ポリフタルアミド樹脂(PPA)が現在広く使用されている。
「上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコンパクトデイスクの受光素子封止材料あるいは固体撮像素子であるラインセンサー,エリアセンサーの封止材料に好適に用いることができる。そして、このような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、例えば固体撮像素子等の受光素子を樹脂封止してなる光半導体装置は、形成画像に、樹脂の光学むらに起因する縞模様や封止樹脂中の異物に起因する黒点が現れることのない高性能品であり、樹脂封止品でありながら、セラミツクパツケージ品と同等かそれ以上の性能を発揮する。」
旨記載されている。この場合、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂又はビスフェノールF型エポキシ樹脂が主として用いられ、トリグリシジルイソシアネート等を使用し得ることも記載されているが、トリグリシジルイソシアネートは、実施例においてビスフェノール型エポキシ樹脂に少量添加使用されているもので、本発明者らの検討によれば、このBステージ状半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特に高温・長時間の放置で黄変するという問題がある。
また、発光素子封止用エポキシ樹脂組成物におけるトリアジン誘導体エポキシ樹脂の使用については、特開2000−196151号公報(特許文献2)、特開2003−224305号公報(特許文献3)、特開2005−306952号公報(特許文献4)に記載があるが、これらは、いずれもトリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物とを反応させて得られた固形物を用いたものではない。
請求項1:
(A)トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート及びトリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレートから選ばれるトリアジン誘導体エポキシ樹脂のみと(B)酸無水物とを、(C)酸化防止剤の存在下において、エポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させ、得られる反応固形物を粉砕し、この粉砕物を樹脂成分として配合することを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項2:
(A),(B),(C)成分を、予め70〜120℃にて4〜20時間反応して、軟化点が50〜100℃である固形物とし、これを粉砕して配合することを特徴とする請求項1記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項3:
(A)トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート及びトリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレートから選ばれるトリアジン誘導体エポキシ樹脂のみと(B)酸無水物とを、(C)酸化防止剤及び(D)硬化触媒の存在下において、エポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させ、得られる反応固形物を粉砕し、この粉砕物を樹脂成分として配合することを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項4:
(A),(B),(C),(D)成分を、予め30〜80℃にて10〜72時間反応して、軟化点が50〜100℃である固形物とし、これを粉砕して配合することを特徴とする請求項3記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項5:
更に、(C)酸化防止剤及び/又は(D)硬化触媒を配合した請求項1乃至4のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項6:
(D)硬化触媒が、2−エチル−4−メチルイミダゾールである請求項3乃至5のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項7:
(D)硬化触媒が、メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト又は第四級ホスホニウムブロマイドである請求項3乃至5のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項8:
上記固形物が、下記一般式(1)
で示される化合物を含有するものである請求項1乃至7のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項9:
(B)酸無水物が、非芳香族であり、かつ炭素炭素二重結合を有さないものである請求項1乃至8のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項10:
(C)酸化防止剤が、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤から選ばれる1種又は2種以上である請求項1乃至9のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項11:
(C)酸化防止剤が、亜リン酸トリフェニル及び/又は2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾールを含む請求項10記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項12:
(E)二酸化チタンを配合した請求項1乃至11のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項13:
(F)二酸化チタン以外の無機充填剤を配合した請求項1乃至12のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項14:
透明に形成された請求項1乃至13のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
請求項15:
発光素子を除く半導体素子ケース形成用である請求項1乃至14のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
本発明に係る熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、(A)トリアジン誘導体エポキシ樹脂と(B)酸無水物とを、エポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0で配合し、好ましくは(C)酸化防止剤及び/又は(D)硬化触媒の存在下において反応して得られた固形物の粉砕物を樹脂成分として使用する。
本発明で用いられるトリアジン誘導体エポキシ樹脂は、これを酸無水物と特定の割合で反応させて得られる固形物の粉砕物を樹脂成分として含有することにより、熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の黄変を抑制し、かつ経時劣化の少ない半導体発光装置を実現する。かかるトリアジン誘導体エポキシ樹脂としては、1,3,5−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂であることが好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れており、1つのイソシアヌレート環に対して、2価の、より好ましくは3価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレート等を用いることができる。
本発明で用いられる(B)成分の酸無水物は、硬化剤として作用するものであり、耐光性を与えるために非芳香族であり、かつ炭素炭素二重結合を有さないものが好ましく、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが挙げられ、これらの中でもメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。これらの酸無水物系硬化剤は、1種類を単独で使用してもよく、また2種類以上を併用してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物に用いられる(C)成分の酸化防止剤としては、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤を使用でき、酸化防止剤の具体例としては、以下のような酸化防止剤が挙げられる。
この(D)成分の硬化触媒としては、エポキシ樹脂組成物の硬化触媒として公知のものが使用でき、特に限定されないが、第三級アミン類、イミダゾール類、それらの有機カルボン酸塩、有機カルボン酸金属塩、金属−有機キレート化合物、芳香族スルホニウム塩、有機ホスフィン化合物類、ホスホニウム化合物類等のリン系硬化触媒、これらの塩類等の1種又は2種以上を使用することができる。これらの中でも、イミダゾール類、リン系硬化触媒、例えば2−エチル−4−メチルイミダゾール、メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト、第四級ホスホニウムブロマイドが更に好ましい。
また、エポキシ樹脂組成物には、更に下記の成分を配合し得る。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、二酸化チタンを配合することができる。(E)成分の二酸化チタンは、白色着色剤として、白色度を高めるために配合するものであり、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型のどちらでも構わない。また、平均粒径や形状も限定されない。上記二酸化チタンは、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるため、AlやSiなどの含水酸化物等で予め表面処理することができる。
また、白色着色剤として、二酸化チタン以外にチタン酸カリウム、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を併用して使用することができる。これらの平均粒径や形状は特に限定されない。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に二酸化チタン等の上記(E)成分以外の無機充填剤を配合することができる。配合される(F)成分の無機充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を本発明の効果を損なわない範囲で一定量以下併用することができる。このエポキシ樹脂の例として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂等が挙げられる。
また、その他のエポキシ樹脂の軟化点は70〜100℃であることが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の方法としては、予め(A),(B)成分、好ましくは(A),(B),(C)成分の各成分を混合して、70〜120℃、好ましくは80〜110℃の温度範囲にて、又は、予め(A),(B),(D)成分又は(A),(B),(C),(D)成分の各成分を混合して30〜80℃、好ましくは40〜60℃の温度範囲にて、無溶媒の加温可能な反応釜等の装置により均一に溶融混合し、混合物が常温で取扱うのに十分な軟化点、具体的には50〜100℃、より好ましくは60〜90℃になるまで増粘させたものを冷却して、固形化した混合物とする。
(A)エポキシ樹脂
(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂
トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアネート(TEPIC−S:日産化学(株)製商品名、エポキシ当量100)
(A−2)水素添加エポキシ樹脂
ビスフェノールA型水素添加エポキシ樹脂(YL−7170:ジャパンエポキシレジン(株)製商品名、エポキシ当量1,200)
(A−3)その他の芳香族エポキシ樹脂
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(E1004:ジャパンエポキシレジン(株)製商品名、エポキシ当量890)
非炭素炭素二重結合酸無水物;メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(リカシッドMH:新日本理化(株)製商品名)
含炭素炭素二重結合酸無水物;テトラヒドロ無水フタル酸(リカシッドTH:新日本理化(株)製商品名)
(B’)硬化剤
フェノールノボラック樹脂(TD−2131:大日本インキ化学工業(株)製商品名)
(C)酸化防止剤
リン系酸化防止剤;亜リン酸トリフェニル(和光純薬(株)製商品名)
フェノール系酸化防止剤;2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール(BHT:和光純薬(株)製商品名)
リン系硬化触媒;第四級ホスホニウムブロマイド(U−CAT5003:サンアプロ(株)製商品名)
リン系硬化触媒;メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト
(PX−4MP:日本化学(株)製商品名)
イミダゾール系触媒;2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ:四国化成(株)製商品名)
(E)二酸化チタン;ルチル型(R−45M:堺化学工業(株)製商品名)
(F)無機充填剤;破砕溶融シリカ((株)龍森製商品名)
表1に示す成分のうち、(反応)成分を同表に示す条件で溶融混合し、得られた反応固形物を粉砕したものを(後配合)成分と配合し、エポキシ樹脂組成物を得た。
上記反応固形物、及び上記エポキシ樹脂組成物をトランスファー成型機にて硬化して得られた硬化物の特性を下記方法で調べた。結果を表1に併記する。
下記条件で反応固形物をGPC分析した。
(GPC分析条件)
HLC−8120(東ソー社製の装置)を用い、カラム;TSKguardcolumnHXL−L+G4,3,2,2HxL、試料濃度0.2%、注入量50μLを移動相THF100%,流量1.0mL/min、温度40℃の条件下、検出器RIにて測定した。
得られたGPC分析データから、以下のようにしてTEPIC−Sモノマー比、MHモノマー比、中分子量成分比、高分子量成分比を算出した。なお、表1において各成分比の値は質量割合を示す。
・TEPIC−Sモノマー比;37.3±0.5分にピークを持つ1つのエリア
・MHモノマー比;38.3±0.5分にピークを持つ1つのエリア
・中分子量成分比;30.8〜36.8分の範囲のエリア
・高分子量成分比;0〜30.7分の範囲のエリア
組成物のゲル化時間、黄変性、熱重量分析(TG−DTA)、強度について以下のように測定、評価した。
ゲル化時間:175℃の熱板上に試料1.0gを置き、同時にストップウォッチにて測定を開始し、熱板上の試料を削り取り、試料がゲル化開始した時点を測定した。
黄変性:試料10gをアルミシャーレにて180℃,60秒で硬化した場合の黄変性、及び、これを180℃で24時間放置した後の黄変性を評価した。
評価基準 ◎:透明無色
○:薄黄色
△:茶色
×:褐色
TG−DTA:試料を180℃,60秒で成形した底面10mmφ、高さ2mmの円筒試験片を用いて、昇温5℃/minにて室温から500℃まで測定し、得られた温度重量曲線から0.2%減量する場合の温度を求めた。
強度:試料を180℃,60秒で硬化して50×10×0.5mmの試験片を作製し、室温にてテストスピード2mm/秒で3点曲げ強度を測定した。
実施例1の反応固形物
X 51.6
Y 16.2
Z 27.0
実施例2の反応固形物
X 53.8
Y 17.3
Z 20.4
実施例3の反応固形物
X 49.0
Y 16.3
Z 27.2
実施例4の反応固形物
X 23.8
Y 58.3
Z 10.2
表2に示す成分のうち、エポキシ樹脂、酸無水物、酸化防止剤を予め反応釜により、100℃にて3時間反応させ、冷却して固化させた後(軟化点は60℃)、粉砕し、他成分と所定の組成比にて配合し、熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕してフォトカプラー用白色エポキシ樹脂組成物を得た。
《スパイラルフロー値》
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で測定した。
高化式フローテスターを用い、10kgfの加圧下、直径1mmのノズルを用い、温度175℃で粘度を測定した。
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で硬化物を作製し、その曲げ強度をJIS K 6911に基づいて測定した。
175℃、6.9N/mm2、成形時間2分の条件で直径50×3mmの円盤を成形し、180℃で24時間放置し、黄変性を比較した。
2 リードフレーム
3 ボンディングワイヤ
4 半導体素子
5 リードフレーム
6 ボンディングワイヤ
7 透明封止樹脂
8 熱硬化性エポキシ樹脂組成物
Claims (15)
- (A)トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート及びトリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレートから選ばれるトリアジン誘導体エポキシ樹脂のみと(B)酸無水物とを、(C)酸化防止剤の存在下において、エポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させ、得られる反応固形物を粉砕し、この粉砕物を樹脂成分として配合することを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (A),(B),(C)成分を、予め70〜120℃にて4〜20時間反応して、軟化点が50〜100℃である固形物とし、これを粉砕して配合することを特徴とする請求項1記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (A)トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート及びトリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレートから選ばれるトリアジン誘導体エポキシ樹脂のみと(B)酸無水物とを、(C)酸化防止剤及び(D)硬化触媒の存在下において、エポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させ、得られる反応固形物を粉砕し、この粉砕物を樹脂成分として配合することを特徴とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (A),(B),(C),(D)成分を、予め30〜80℃にて10〜72時間反応して、軟化点が50〜100℃である固形物とし、これを粉砕して配合することを特徴とする請求項3記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- 更に、(C)酸化防止剤及び/又は(D)硬化触媒を配合した請求項1乃至4のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (D)硬化触媒が、2−エチル−4−メチルイミダゾールである請求項3乃至5のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (D)硬化触媒が、メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト又は第四級ホスホニウムブロマイドである請求項3乃至5のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (B)酸無水物が、非芳香族であり、かつ炭素炭素二重結合を有さないものである請求項1乃至8のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (C)酸化防止剤が、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤から選ばれる1種又は2種以上である請求項1乃至9のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (C)酸化防止剤が、亜リン酸トリフェニル及び/又は2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾールを含む請求項10記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (E)二酸化チタンを配合した請求項1乃至11のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- (F)二酸化チタン以外の無機充填剤を配合した請求項1乃至12のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- 透明に形成された請求項1乃至13のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
- 発光素子を除く半導体素子ケース形成用である請求項1乃至14のいずれか1項記載の熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008286371A JP5110311B2 (ja) | 2005-08-04 | 2008-11-07 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005226236 | 2005-08-04 | ||
JP2005226236 | 2005-08-04 | ||
JP2008286371A JP5110311B2 (ja) | 2005-08-04 | 2008-11-07 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007529236A Division JP4837664B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009024185A JP2009024185A (ja) | 2009-02-05 |
JP5110311B2 true JP5110311B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=37708707
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007529236A Active JP4837664B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2008286371A Active JP5110311B2 (ja) | 2005-08-04 | 2008-11-07 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007529236A Active JP4837664B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100104794A1 (ja) |
JP (2) | JP4837664B2 (ja) |
KR (1) | KR101318279B1 (ja) |
CN (1) | CN101283016B (ja) |
TW (1) | TWI385209B (ja) |
WO (1) | WO2007015427A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1914811B2 (en) | 2005-08-04 | 2016-01-13 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
JP5298411B2 (ja) * | 2006-08-14 | 2013-09-25 | 三菱化学株式会社 | エポキシ樹脂組成物およびその用途 |
JP2008144127A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
CN102751430B (zh) * | 2006-11-15 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
WO2008081696A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置、パッケージ、発光装置の製造方法、パッケージの製造方法及びパッケージ製造用金型 |
JP5218298B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂−エポキシ樹脂組成物及び当該樹脂で成形したプレモールドパッケージ |
JP5353629B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
JP5182512B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-04-17 | 日亜化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
EP2397507B1 (en) | 2009-02-10 | 2017-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Long chain alkylene group-containing epoxy compound |
JP5488326B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-05-14 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物及びその製造方法並びにプレモールドパッケージ及びled装置 |
JP5246880B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | アンダーフィル材組成物及び光半導体装置 |
WO2012147203A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 三菱電機株式会社 | システムコントローラ及びプログラム |
JP5650097B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP6381446B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2018-08-29 | 日本カーバイド工業株式会社 | 熱硬化性化合物、熱硬化性組成物、光半導体素子パッケージ形成用熱硬化性組成物、樹脂硬化物および光半導体装置 |
WO2014075288A1 (en) * | 2012-11-16 | 2014-05-22 | Dow Global Technologies Llc | Epoxy resin compositions |
JP2015093904A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | 日本カーバイド工業株式会社 | 熱硬化性組成物 |
JP2016079344A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトカプラー一次封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
TWI661037B (zh) * | 2014-12-03 | 2019-06-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 光半導體元件封裝用熱固性環氧樹脂組合物及使用其的光半導體裝置 |
CN104788899B (zh) * | 2015-01-14 | 2017-09-12 | 合复新材料科技(无锡)有限公司 | 一种高耐热抗黄变热固性环氧组合物 |
JP6439616B2 (ja) * | 2015-07-14 | 2018-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
JP6421964B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-11-14 | 日産化学株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
JP2017082027A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-05-18 | 信越化学工業株式会社 | フォトカプラー一次封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
CN105440261B (zh) * | 2015-11-30 | 2017-10-10 | 中南民族大学 | 一种可降解自交联超支化环氧树脂及其制备方法 |
CN116376496A (zh) * | 2023-04-20 | 2023-07-04 | 瑞能半导体科技股份有限公司 | 用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02187421A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-07-23 | Haisoole Japan Kk | 紫外線感光又は透過素子用の紫外線透過性保護又は支持材料 |
JPH04264123A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Nissan Chem Ind Ltd | トリグリシジルイソシアヌレート組成物 |
JPH0797434A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Nissan Chem Ind Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JP2001234032A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP3957944B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2007-08-15 | 京セラケミカル株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2001342326A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP3512732B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2004-03-31 | 京セラケミカル株式会社 | 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
JP3891554B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2007-03-14 | 住友ベークライト株式会社 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP3856425B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2006-12-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US6989412B2 (en) * | 2001-06-06 | 2006-01-24 | Henkel Corporation | Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions |
US6924596B2 (en) * | 2001-11-01 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same |
JP4250949B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2009-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2005306952A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Japan Epoxy Resin Kk | 発光素子封止材用エポキシ樹脂組成物 |
JP2006193570A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Stanley Electric Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード |
-
2006
- 2006-07-28 JP JP2007529236A patent/JP4837664B2/ja active Active
- 2006-07-28 CN CN2006800369607A patent/CN101283016B/zh active Active
- 2006-07-28 WO PCT/JP2006/314971 patent/WO2007015427A1/ja active Application Filing
- 2006-07-28 KR KR1020087005178A patent/KR101318279B1/ko active IP Right Grant
- 2006-07-28 US US11/997,831 patent/US20100104794A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-02 TW TW095128357A patent/TWI385209B/zh active
-
2008
- 2008-11-07 JP JP2008286371A patent/JP5110311B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI385209B (zh) | 2013-02-11 |
US20100104794A1 (en) | 2010-04-29 |
JP4837664B2 (ja) | 2011-12-14 |
KR20080031498A (ko) | 2008-04-08 |
CN101283016B (zh) | 2011-05-11 |
CN101283016A (zh) | 2008-10-08 |
JPWO2007015427A1 (ja) | 2009-02-19 |
TW200716706A (en) | 2007-05-01 |
KR101318279B1 (ko) | 2013-10-15 |
WO2007015427A1 (ja) | 2007-02-08 |
JP2009024185A (ja) | 2009-02-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081107 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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