JP4844641B2 - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置、及び、係る表示装置の駆動方法に関する。

電流駆動型の発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する場合がある）を利用した有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えた表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と略称する場合がある）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。

液晶表示装置と同様に、例えば、有機ＥＬ表示素子を備えた表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する場合がある）においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。

有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する場合がある）を駆動するための回路として、２つのトランジスタと１つの容量部から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００７−３１０３１１号公報（特許文献１）から周知である。この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図２に示すように、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ₂を構成し、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は第１ノードＮＤ₁を構成する。

そして、図５にタイミングチャートを示すように、［期間−ＴＰ（２）₁］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）を第１ノードＮＤ₁に印加する。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofsとなる。また、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-L（例えば、−１０ボルト）を第２ノードＮＤ₂に印加する。これにより、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_CC-Lとなる。駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を電圧Ｖ_th（例えば、３ボルト）と表す。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ソース領域と呼ぶ場合がある）との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態となる。

次いで、［期間−ＴＰ（２）₂］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、電源部１００の電圧を第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lから駆動電圧Ｖ_CC-H（例えば、２０ボルト）に切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）である。

その後、［期間−ＴＰ（２）₃］において、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。そして、データ線ＤＴＬの電圧を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_{Sig_m}］とする。

次いで、［期間−ＴＰ（２）₄］において、書込み処理を行う。具体的には、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、映像信号Ｖ_{Sig_m}へと上昇する。

ここで、容量部Ｃ₁の値を値ｃ₁とし、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの値を値ｃ_ELとする。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量の値をｃ_gsとする。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_{Sig_m}（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、容量部Ｃ₁の両端の電位（換言すれば、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、容量部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃ_ELが、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの値ｃ_ELは、容量部Ｃ₁の値ｃ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の値ｃ_gsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図５に示した駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮せずに示した。

上述した動作にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。この電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）については後述する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_gとし、他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇量ΔＶを考慮しなければ、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と、ソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（Ａ）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_{Sig_m}
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （Ａ）

即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

次いで、移動度補正処理について簡単に説明する。上述した動作にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲ_Dの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）を変化させる移動度補正処理が併せて行われる。

上述したように、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。ここで、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （Ｂ）

後述するように、定性的には、Ｖ_{Sig_m}の値が小さくなる程、［期間−ＴＰ（２）₄］が長くなるように制御することが好ましい。特開２００８−９１９８号公報（特許文献２）には、走査信号の立ち下がりを傾斜した形状とすることにより、映像信号の値に応じて期間の長さを制御する構成が開示されている。

以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（２）₅］の始期において、走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とする。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ドレイン領域と呼ぶ場合がある）は、電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsである。駆動トランジスタＴＲ_Dが飽和領域において理想的に動作するとすれば、ドレイン電流Ｉ_dsは、以下の式（Ｃ）で表すことができる。発光部ＥＬＰはドレイン電流Ｉ_dsの値に応じた輝度で発光する。尚、係数ｋについては後述する。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）²
＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （Ｃ）

上述の式（Ｃ）より、ドレイン電流Ｉ_dsは移動度μに比例する。一方、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲ_Dほど、電位補正値ΔＶが大きくなり、式（Ｃ）における（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる。これにより、駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因するドレイン電流Ｉ_dsのばらつきを補正することができる。

以上に概要を説明した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作についても、後に詳しく説明する。

特開２００７−３１０３１１号公報 特開２００８−９１９８号公報

最適な電位補正値ΔＶを得るための［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀の長さは、映像信号Ｖ_Sigの値によって左右される。最適なｔ₀の値は、後程導出する式（１３）で与えられる。

ｔ₀＝Ｃ_S／（ｋ・μ・Ｖ_{Sig_m}） （１３）
但し、Ｃ_Sの容量の値＝ｃ₁＋ｃ_EL

式（１３）からも明らかなように、Ｖ_{Sig_m}の値が小さくなる程、［期間−ＴＰ（２）₄］が長くなるように制御することが好ましい。しかしながら、このような制御を行うためには、走査回路の構成が複雑になるといった問題がある。また、有機ＥＬ表示装置の高精度化等に伴い走査期間を短く設定せざるを得ない場合には、［期間−ＴＰ（２）₄］を充分長く確保することが困難となる。これにより、電位補正値ΔＶが不充分な値となり、有機ＥＬ表示装置の輝度の均一性が低下するといった問題が生ずる。

従って、本発明の目的は、最適な電位補正値ΔＶを得るための［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀の長さを調整することができ、また、走査期間を短く設定せざるを得ない場合であっても、移動度補正処理が良好に行われ、輝度の均一性の低下を軽減することができる表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明に係る表示装置、及び、上記の目的を達成するための本発明に係る表示装置の駆動方法に用いられる表示装置は、
（１）走査回路、
（２）信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが電流駆動型の発光部、及び、駆動回路を備えている表示素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（５）信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
（６）電源部、
を備え、
前記駆動回路は、書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部を備えており、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
表示装置に関する。

本発明に係る表示装置の駆動方法は、補助映像信号をデータ線に印加し、次いで、補助映像信号に替えて映像信号をデータ線に印加すると共に、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線からの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から補助映像信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とを第１ノードに印加する書込み処理工程を行う。

本発明に係る表示装置は、補助映像信号がデータ線に印加され、次いで、補助映像信号に替えて映像信号がデータ線に印加されると共に、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線からの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から補助映像信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とが第１ノードに印加される。

本発明に係る表示装置の駆動方法にあっては、データ線から補助映像信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とを第１ノードに印加する。例えば、補助映像信号の値を映像信号の値よりも高く設定すれば、書込み処理工程における第２ノードの電位変化が加速される。一方、補助映像信号の値を映像信号の値よりも低く設定すれば、書込み処理工程における第２ノードの電位変化が減速される。このように、補助映像信号の値の設定を変えることによって、最適な電位補正値ΔＶを得るための［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀の長さを調整することができ、映像信号の変化に伴う好適な全時間ｔ₀の変化の幅を狭めることができる。また、書込み処理工程における第２ノードの電位変化を加速することができるので、走査期間を短く設定せざるを得ない場合であっても、移動度補正処理が良好に行われ、輝度の均一性の低下を軽減することができる。本発明に係る表示装置にあっては、輝度の均一性に優れた画像を表示することができる。

図１は、表示装置の概念図である。 図２は、駆動回路を含む表示素子の等価回路図である。 図３は、表示装置の一部分の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例１に係る表示素子の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図５は、参考例に係る表示素子の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図６の（Ａ）乃至（Ｆ）は、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図７の（Ａ）は、第２ノードの電位変化を説明するための駆動回路の模式図である。図７の（Ｂ）は、第２ノードにドレイン電流が流れ込むことによる電荷の変化を説明するための模式的な回路図である。 図８の（Ａ）は、映像信号の値と最適な時間ｔ₀の値との関係を説明するためのグラフである。図８の（Ｂ）は、電位補正値ΔＶと時間ｔ₀との関係を、映像信号の値毎に示したグラフである。 図９は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₄］を含む水平走査期間Ｈ_mにおけるデータ線の電位、走査線の電位、駆動トランジスタの状態、第１ノードの電位、及び、第２ノードの電位の関係を説明するための模式図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₄］における、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。図１０の（Ｃ）は、図９に示す電位補正値ΔＶ_Sigと時間ｔ_Sigとの関係を説明するための模式的なグラフである。 図１１は、走査回路の構成を説明するための模式的な回路図である。 図１２は、データ線の電位変化の波形の鈍りを考慮した走査信号の設定を説明するための模式図である。 図１３は、実施例２における、白表示のときのデータ線の電位と、グレー表示のときのデータ線の電位と、黒表示のときのデータ線の電位を説明するための模式図である。 図１４は、駆動回路を含む表示素子の等価回路図である。 図１５は、駆動回路を含む表示素子の等価回路図である。 図１６は、駆動回路を含む表示素子の等価回路図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動方法についてのより詳しい説明
２．各実施例において用いられる表示装置の概要の説明
３．実施例１ （２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
４．実施例２ （２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）

〈本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動方法についてのより詳しい説明〉
本発明に係る表示装置及び表示装置の駆動方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、補助映像信号の値は、基本的には表示装置の設計に応じて決定すればよい。補助映像信号は映像信号の最小値よりも高い一定値の信号である構成は、映像信号の値が低いときに第２ノードの電位変化を加速でき、データ線に信号を印加する信号出力回路等の構成を簡便なものとすることができる点で好ましい。特に、補助映像信号は映像信号の最大値と同じ値の信号である構成は、電圧の共通化といった点で好ましい。

あるいは又、本発明にあっては、補助映像信号の値は映像信号の値に応じて設定される構成とすることができる。例えば、白表示のときの映像信号に対して好適な補助映像信号の値と、黒表示のときの映像信号に対して好適な補助映像信号の値とが異なるような場合には、映像信号の値に基づいて補助映像信号の値を設定することにより、より好適に移動度補正処理を行うことができる。映像信号の値と補助映像信号の値とを格納したテーブル等を参照して補助映像信号の値を設定する構成や、映像信号の値を補助映像信号の値を引数とする関数で与える構成を例示することができる。映像信号の値の取り得る範囲を複数に分割し、各範囲に対応して補助映像信号の値を設定する構成とすることもできる。表示装置の画質調整の観点からは、映像信号の値と補助映像信号の値との対応関係が必要に応じて可変できる構成とすることが望ましい。

上述した各種の好ましい構成を含む本発明にあっては、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を超え、且つ、第２ノードと発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が発光部の閾値電圧を超えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、前記書込み処理工程を行い、次いで、走査線からの走査信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を発光部に流すことによって発光部を駆動する構成とすることができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本発明にあっては、表示素子を構成する発光部として、電流を流すことにより発光する電流駆動型の発光部を広く用いることができる。発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、無機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザ発光部等を挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。カラー表示の平面表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。有機エレクトロルミネッセンス発光部は、所謂上面発光型であってもよいし、下面発光型であってもよい。

表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。例えば、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素の３つの副画素から構成されている、カラー表示の構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

表示装置にあっては、走査回路、信号出力回路等の各種の回路、走査線、データ線等の各種の配線、電源部、発光部の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。例えば、発光部を有機エレクトロルミネッセンス発光部から構成する場合には、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。

駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができる。駆動回路を構成するトランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。ｎチャネル型のトランジスタにあってはＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造）が形成されていてもよい。場合によっては、ＬＤＤ構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域側となる一方のソース／ドレイン領域側にのみＬＤＤ構造を形成した構成とすることもできる。尚、例えば、書込みトランジスタ等にｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。

駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成する上述したトランジスタ及び容量部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、各実施例において用いられる表示装置の概要を説明する。

〈各実施例において用いられる表示装置の概要〉
各実施例での使用に適した表示装置は、複数の画素を備えた表示装置である。１つの画素は複数の副画素（各実施例にあっては、３つの副画素である赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素）から構成されている。発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。各副画素は、駆動回路１１と、この駆動回路１１に接続された発光部（発光部ＥＬＰ）とが積層された構造を有する表示素子１０から構成されている。

実施例１及び実施例２に係る表示装置の概念図を図１に示す。

図２には、２トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）を示す。

ここで、各実施例における表示装置は、
（１）走査回路１０１、
（２）信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路１１を備えている表示素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（６）電源部１００、
を備えている。図１においては、３×３個の表示素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。尚、便宜のため、図１においては、図２等に示す給電線ＰＳ２の図示を省略した。

発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から成る周知の構成、構造を有する。走査回路１０１、信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電源部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

駆動回路１１の最小構成要素を説明する。駆動回路１１は、少なくとも、駆動トランジスタＴＲ_D、書込みトランジスタＴＲ_W、及び、一対の電極を備えた容量部Ｃ₁から構成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dは、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。また、書込みトランジスタＴＲ_Wも、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、書込みトランジスタＴＲ_Wがｐチャネル型のＴＦＴから成る構成であってもよい。尚、駆動回路１１が、更に別のトランジスタを備えていてもよい。

ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部１００に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部Ｃ₁の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ₁の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

また、書込みトランジスタＴＲ_Wにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

図３に表示装置の一部分の模式的な一部断面図を示す。駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ₁は支持体２０上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ₁の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図３においては、駆動トランジスタＴＲ_Dのみを図示する。その他のトランジスタは隠れて見えない。

より具体的には、駆動トランジスタＴＲ_Dは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５，３５、及び、ソース／ドレイン領域３５，３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、容量部Ｃ₁は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部Ｃ₁を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_D及び容量部Ｃ₁等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。

図３等に示す表示装置の製造方法を説明する。先ず、支持体２０上に、走査線ＳＣＬ等の各種配線、容量部Ｃ₁を構成する電極、半導体層から成るトランジスタ、層間絶縁層、コンタクトホール等を、周知の方法により適宜形成する。次いで、周知の方法により成膜及びパターニングを行い、マトリクス状に配列された発光部ＥＬＰを形成する。そして、上記工程を経た支持体２０と基板２１を対向させ周囲を封止した後、例えば外部の回路との結線を行い、表示装置を得ることができる。

各実施例における表示装置は、複数の表示素子１０（例えば、Ｎ×Ｍ＝１９２０×４８０）を備えている、カラー表示の表示装置である。各表示素子１０は副画素を構成すると共に、複数の副画素から成る群によって１画素を構成し、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、２次元マトリクス状に画素が配列されている。１画素は、走査線ＳＣＬの延びる方向に並んだ、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。

表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されている。各画素を構成する表示素子１０は線順次走査され、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・，Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素（Ｎ個の副画素）のそれぞれを構成する表示素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各表示素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、表示装置の構成に応じて適宜選択すればよい。

上述したように、第１行目乃至第Ｍ行目の表示素子１０は線順次走査される。説明の便宜上、各行の表示素子１０を走査するために割り当てられた期間を水平走査期間と表す。後述する各実施例において、各水平走査期間には、信号出力回路１０２から第１ノード初期化電圧をデータ線ＤＴＬに印加する期間（以下、初期化期間と呼ぶ）、次いで、信号出力回路１０２から補助映像信号（後述するＶ_Pre）と映像信号Ｖ_Sigをデータ線ＤＴＬに印加する期間（以下、映像信号期間）とが存在する。

ここで、原則として、第ｍ行、第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２，３・・・，Ｎ）に位置する表示素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る表示素子１０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子１０あるいは第（ｎ，ｍ）番目の副画素と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各表示素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。

そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各表示素子１０を構成する発光部ＥＬＰを発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部ＥＬＰを発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部ＥＬＰを発光させてもよい。この所定の期間は、表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部ＥＬＰを発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各表示素子１０を構成する発光部ＥＬＰの発光状態は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各表示素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各表示素子１０を構成する発光部ＥＬＰの発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において書込み処理や移動度補正処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各表示素子１０を構成する発光部ＥＬＰは、原則として非発光状態を維持する。上述した非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。但し、各副画素（表示素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを超える場合、超えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源側に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。

以下、実施例に基づき、本発明を説明する。

実施例１は、本発明の表示装置及び表示装置の駆動方法に関する。実施例１にあっては、駆動回路１１は２トランジスタ／１容量部から構成されている。駆動回路１１を含む表示素子１０の等価回路図を図２に示す。

先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。

この駆動回路１１は、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１を介して、電源部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、
［１］発光部ＥＬＰのアノード電極、及び、
［２］容量部Ｃ₁の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。また、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は、
［１］書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域、及び、
［２］容量部Ｃ₁の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。尚、電源部１００からは、後述するように、電圧Ｖ_CC-H、及び、電圧Ｖ_CC-Lが供給される。

ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dは、表示素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。表示素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが表示素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、表示素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、表示素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続されている。一方、書込みトランジスタＴＲ_Wの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。また、データ線ＤＴＬを介して、補助映像信号Ｖ_Pre、後述する第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsも、一方のソース／ドレイン領域に供給される。書込みトランジスタＴＲ_Wのオン／オフ動作は、書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬからの走査信号、具体的には、走査回路１０１からの走査信号によって制御される。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極は、電圧Ｖ_Catが印加される給電線ＰＳ２に接続されている。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

次いで、実施例１の表示装置及びその駆動方法について説明する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・１ボルト（黒表示）〜８ボルト（白表示）
Ｖ_Pre ：補助映像信号
・・・８ボルト
Ｖ_CC-H ：発光部ＥＬＰに電流を流すための駆動電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_CC-L ：第２ノード初期化電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ₁の電位）を初期
化するための第１ノード初期化電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト

表示装置においては、補助映像信号Ｖ_Preがデータ線ＤＴＬに印加され、次いで、補助映像信号Ｖ_Preに替えて映像信号Ｖ_Sigがデータ線ＤＴＬに印加されると共に、電源部１００から所定の駆動電圧Ｖ_CC-Hが駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_Preに基づく電圧と映像信号Ｖ_Sigに基づく電圧とが第１ノードＮＤ₁に印加される。

各実施例における表示装置の駆動方法（以下、単に、駆動方法と略称する）は、補助映像信号Ｖ_Preをデータ線ＤＴＬに印加し、次いで、補助映像信号Ｖ_Preに替えて映像信号Ｖ_Sigをデータ線ＤＴＬに印加すると共に、電源部１００から所定の駆動電圧Ｖ_CC-Hが駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_Preに基づく電圧と映像信号Ｖ_Sigに基づく電圧とを第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理工程を備えている。

先ず、発明の理解を助けるために、実施例１に係る表示装置を用いて、補助映像信号Ｖ_Preをデータ線ＤＴＬに印加しない場合の駆動方法の動作を、参考例の駆動方法として説明する。実施例１に係る表示素子１０の駆動のタイミングチャートを模式的に図４に示し、参考例に係る表示素子１０の駆動のタイミングチャートを模式的に図５に示す。そして、参考例の動作における、表示素子１０の各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図６の（Ａ）乃至（Ｆ）に示す。

図５及び図６の（Ａ）乃至（Ｆ）を参照して、参考例の駆動方法を説明する。参考例における駆動方法は、
（ａ）第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを超え、且つ、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを超えないように、第１ノードＮＤ₁の電位及び第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態で、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）映像信号Ｖ_Sigをデータ線ＤＴＬに印加すると共に、電源部１００から所定の駆動電圧Ｖ_CC-Hが駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_Sigに基づく電圧を第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とし、電源部１００から所定の駆動電圧Ｖ_CC-Hが駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する、
工程を備えている。

図５に示す［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₃］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（２）₄］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₃］において、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子１０は原則として非発光状態にある。図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］及び［期間−ＴＰ（２）₅］の他、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］は第ｍ番目の水平走査期間Ｈ_mに包含される。

説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₁］の始期は、第ｍ番目の水平走査期間Ｈ_mにおける初期化期間（図５において、データ線ＤＴＬの電位がＶ_Ofsである期間であり、他の水平走査期間においても同様）の始期に一致するとする。同様に、［期間−ＴＰ（２）₂］の終期は、水平走査期間Ｈ_mにおける初期化期間の終期に一致するとする。また、［期間−ＴＰ（２）₃］の始期は、水平走査期間Ｈ_mにおける映像信号期間（図５において、データ線ＤＴＬの電位が後述するＶ_{Sig_m}である期間）の始期に一致するとする。

以下、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₊₆］の各期間について説明する。尚、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］の各期間の長さは、表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（２）₀］（図５、図６の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（２）₀］は、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間Ｈ_m+m'の始期から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間Ｈ_m-1までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（２）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子１０は、非発光状態にある。［期間−ＴＰ（２）₀］の始期（図示せず）において、電源部１００から供給される電圧が駆動電圧Ｖ_CC-Hから第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lに切り替えられる。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

上述したように、各水平走査期間において、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを印加し、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに替えて映像信号Ｖ_Sigを印加する。より具体的には、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間Ｈ_mに対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに替えて第（ｎ，ｍ）番目の副画素に対応する映像信号（便宜のため、Ｖ_{Sig_m}と表す。他の映像信号においても同様である。）が印加される。同様に、第（ｍ＋１）番目の水平走査期間Ｈ_m+1に対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに替えて第（ｎ，ｍ＋１）番目の副画素に対応する映像信号Ｖ_{Sig_m+1}が印加される。図５においては記載を省略したが、水平走査期間Ｈ_m，Ｈ_m+1，Ｈ_m+m'以外の各水平走査期間においても、データ線ＤＴＬには第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsと映像信号Ｖ_Sigとが印加される。

［期間−ＴＰ（２）₁］（図５、図６の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間Ｈ_mが開始する。この［期間−ＴＰ（２）₁］において、上記の工程（ａ）を行う。

具体的には、［期間−ＴＰ（２）₁］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに印加される電圧はＶ_Ofsである。（初期化期間）。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる。電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを第２ノードＮＤ₂に印加しているので、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-L（−１０ボルト）を保持する。

第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差は１０ボルトであり、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thは３ボルトであるので、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。尚、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを超えない。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位及び第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する前処理が完了する。

［期間−ＴＰ（２）₂］（図５、図６の（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₂］において、上記の工程（ｂ）を行う。

即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、電源部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₂］の長さは、第２ノードＮＤ₂の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。

この［期間−ＴＰ（２）₂］が充分長ければ、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶ_thに達し、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態となる。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２）

この［期間−ＴＰ（２）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（２）₃］（図５、図６の（Ｄ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₃］の始期において、走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わる（映像信号期間）。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない。尚、閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達していない場合には、［期間−ＴＰ（２）₃］においてブートストラップ動作が生じ、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は多少上昇する。

［期間−ＴＰ（２）₄］（図５、図６の（Ｅ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｃ）を行う。走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_{Sig_m}を第１ノードＮＤ₁に印加する。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Sig_m}へと上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。尚、場合によっては、［期間−ＴＰ（２）₃］において書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を保った構成とすることもできる。この構成にあっては、［期間−ＴＰ（２）₃］においてデータ線ＤＴＬの電圧が第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わると直ちに書込み処理が開始される。

ここで、容量部Ｃ₁の容量は値ｃ₁であり、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量は値ｃ_ELとする。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量を値ｃ_gsとする。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_{Sig_m}（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、容量部Ｃ₁の両端の電位（第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、容量部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃ_ELが、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量の値ｃ_ELは、容量部Ｃ₁の容量の値ｃ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の値ｃ_gsよりも大きい。従って、上述した説明においては、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮していない。また、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の実施例においても同様である。尚、駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮せずに示した。

上述した書込み処理にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。この電位の上昇量（図５に示すΔＶ）については後述する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_g、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇を考慮しなければ、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（３）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_{Sig_m}
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （３）

即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

次いで、上述した［期間−ＴＰ（２）₄］における第２ノードＮＤ₂の電位の上昇について説明する。上述した参考例の駆動方法にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲ_Dの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）を上昇させる移動度補正処理が併せて行われる。

駆動トランジスタＴＲ_Dをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生ずることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に同じ値の映像信号Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生ずると、表示装置の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

上述した参考例の駆動方法にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなる。逆に、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （４）

尚、書込み処理を実行するための所定の時間（図５においては、［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間（ｔ₀）については後述する。また、このときの駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀は決定されているとする。［期間−ＴＰ（２）₄］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２’）

［期間−ＴＰ（２）₅］（図５、及び、図６の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、工程（ａ）乃至工程（ｃ）が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（２）₅］において、上記の工程（ｄ）を行う。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とする。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ₁が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（４）の値を保持する。

また、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を超えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）にように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （５）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}の値から、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μに起因した電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子１０の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲ_Dほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因するドレイン電流Ｉ_dsのばらつきを補正することができる。これにより、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部ＥＬＰの輝度のばらつきを補正することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間の終期は、［期間−ＴＰ（２）₆］の終期に相当する。ここで、「ｍ’」は、１＜ｍ’＜Ｍの関係を満たし、表示装置において所定の値である。換言すれば、発光部ＥＬＰは、［期間−ＴＰ（２）₅］の始期から第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間Ｈ_m+m'の直前まで駆動され、この期間が発光期間となる。

［期間−ＴＰ（２）₇］（図４参照）
次いで、発光部ＥＬＰを非発光状態とする。具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）₇］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間Ｈ_m+m'の始期）において、電源部１００から供給される電圧を、電圧Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

そして、上述した非発光状態を、次のフレームにおける第ｍ番目の水平走査期間Ｈ_mの直前まで継続する。この時点は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₊₁］の始期の直前に相当する。このように、非発光期間を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。例えば、ｍ’＝Ｍ／２と設定すれば、発光期間及び非発光期間の時間長は、それぞれ、１表示フレーム期間の略半分の時間長となる。

以上によって、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する表示素子１０の発光の動作が完了する。

そして、［期間−ＴＰ（２）₊₁］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（２）₁］乃至［期間−ＴＰ（２）₇］において説明したと同様の工程をくり返して行う。即ち、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₇］は、次の［期間−ＴＰ（２）₀］に該当する。

参考例に係る駆動方法の動作について説明した。ここで、［期間−ＴＰ（２）₄］の最適な全時間ｔ₀の長さは、映像信号Ｖ_Sigの値によって左右される。定性的には、Ｖ_{Sig_m}の値が小さくなる程、［期間−ＴＰ（２）₄］が長くなるように制御することが好ましい。映像信号Ｖ_{Sig_m}と最適な全時間ｔ₀との関係について説明する。

図７の（Ａ）に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において、第２ノードＮＤ₂にドレイン電流Ｉ_dsが流れ込むことにより、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。ここで、第２ノードＮＤ₂の電位を変数Ｖで表す。［期間−ＴＰ（２）₄］における駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（６）で表される。

Ｖ_gs＝Ｖ_{Sig_m}−Ｖ （６）

そして、［期間−ＴＰ（２）₄］におけるドレイン電流Ｉ_dsは、上述の式（１）及び上述の式（６）に基づいて、以下の式（７）で表される。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_th−Ｖ）² （７）

上述の式（７）に基づく電流が流れ込むことにより、容量部Ｃ₁及び発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの電荷が増加する。ここで、図７の（Ｂ）に示すように、容量部Ｃ₁及び容量Ｃ_ELはそれぞれ一端が固定された電位にある。従って、容量部Ｃ₁の電荷と容量Ｃ_ELの電荷の総量を変数Ｑとして表し、容量部Ｃ₁と容量Ｃ_ELとを合わせた容量をＣ_Sと表せば（Ｃ_Sの容量の値＝ｃ₁＋ｃ_EL）、以下の式（８）が成り立つ。そして、式（８）に基づいて、以下の式（９）を得る。

Ｉ_ds＝ｄＱ／ｄｔ＝Ｃ_S・ｄＶ／ｄｔ （８）

ｄＶ／ｄｔ＝（１／Ｃ_S）・Ｉ_ds （９）

上述の式（９）、及び、上述の式（７）に基づいて、以下の式（１０）を得る。

［期間−ＴＰ（２）₄］の始期において、第２ノードＮＤ₂の電位は「Ｖ_Ofs−Ｖ_th」である。従って、式（１０）の左辺における積分期間を[０，ｔ₀］とするとき、式（１０）の右辺における積分期間は［Ｖ_Ofs−Ｖ_th，Ｖ］となる。更には、Ｖ_Ofsを０ボルトとしたので、式（１０）の右辺における積分期間は［−Ｖ_th，Ｖ］である。式（１０）の両辺を上述した積分区間について積分し、整理して、以下の式（１１）を得る。そして、式（１１）と上述の式（７）に基づいて、以下の式（１２）を得る。

ここで、移動度μが変化してもドレイン電流Ｉ_dsが変化しないという条件を満たす時間ｔ₀が、好適な時間ｔ₀である。従って、移動度μを変数として上述の式（１２）を微分し、その値が０となるときの時間ｔ₀が最適な時間ｔ₀である。ｄＩ_ds／ｄμ＝０として時間ｔ₀を求めると、以下の式（１３）を得る。また、式（１３）を式（１２）に代入して整理すると、式（１４）を得る。

ｔ₀＝Ｃ_S／（ｋ・μ・Ｖ_{Sig_m}） （１３）

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}／２）² （１４）

上述の式（１３）から明らかなように、定性的には、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値が小さくなる程、［期間−ＴＰ（２）₄］が長くなるように制御することが好ましい。ここで、例えば、
Ｃ_S ＝ １．４ ［単位：ｐＦ］
μ ＝ ４０ ［単位：ｃｍ²／（Ｖ・ｓ）］
ｋ ＝ ５．９×１０^-17 ［単位：Ｆ／μｍ²］
であるとした場合における、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値と最適な時間ｔ₀との関係を図８の（Ａ）に示す。また、図８の（Ｂ）に、電位補正値ΔＶと時間ｔ₀との関係を、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値毎に示す。

Ｖ_Ofsを０ボルトとしたので、上述の式（５）においてＶ_Ofsは０であり、Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−ΔＶ）²となる。この式と上述の式（１４）とを対比すると、最適なΔＶの値とはＶ_{Sig_m}／２であることが分かる。換言すれば、移動度補正処理によって、第２ノードＮＤ₂の電位をＶ_{Sig_m}／２上昇させることが最も好ましい。図８の（Ｂ）に示す破線の曲線は、図８の（Ａ）のグラフに対応する曲線であって、電位補正値ΔＶがＶ_{Sig_m}／２となる点を繋いだものである。

例えば、映像信号Ｖ_{Sig_m}が８ボルト（白表示）である場合には、時間ｔ₀の最適値は約０．６×１０^-6（秒）である。これに対し、映像信号Ｖ_{Sig_m}が１ボルト（黒表示）である場合には、時間ｔ₀の最適値は約５×１０^-6（秒）である。このように、参考例の駆動方法にあっては、最適な時間ｔ₀の値は、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値により大きく変化する。映像信号Ｖ_{Sig_m}の値に応じて、図４における［期間−ＴＰ（２）₄］の長さを変えるように書込みトランジスタＴＲ_Wを駆動することができれば、良好に移動度補正を行うことが可能である。後述するように、書込み処理工程において書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に印加される走査信号の立下りを傾斜した形状とすることにより、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値に応じて、［期間−ＴＰ（２）₄］の長さを変えることができる。

しかしながら、表示装置の大型化や高精細度化、あるいは画質改善のための倍速駆動化等に伴い、水平走査期間は短縮される。そして、［期間−ＴＰ（２）₄］は、１水平走査期間内の期間である。従って、水平走査期間が短く設定された表示装置であって、［期間−ＴＰ（２）₄］の最大長さが、例えば設計上約１×１０^-6（秒）程度に制限されるといった場合においては、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値が３ボルト以下であるときに良好に移動度補正を行うことはできない。このように、参考例の駆動方法にあっては、水平走査期間が短く設定された表示装置において良好に移動度補正を行うことが困難となるといった課題が生ずる。

上述したように、参考例の駆動方法にあっては、［期間−ＴＰ（２）₄］においてデータ線ＤＴＬに映像信号Ｖ_{Sig_m}のみを印加する。これに対し、実施例１の駆動方法にあっては、［期間−ＴＰ（２）₄］において、先ず、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}をデータ線ＤＴＬに印加し、その後、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}に替えて映像信号Ｖ_{Sig_m}を印加する。実施例１の駆動方法は、参考例の駆動方法に対し、以上の点が主に相違する。尚、便宜のため、第（ｎ，ｍ）番目の副画素に対応する補助映像信号をＶ_{Pre_m}と表す。他の補助映像信号においても同様である。

実施例１の駆動方法にあっては、［期間−ＴＰ（２）₄］において、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_Preに基づく電圧と映像信号Ｖ_Sigに基づく電圧とを第１ノードＮＤ₁に印加する。

図９に、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₄］を含む水平走査期間Ｈ_mにおけるデータ線ＤＴＬの電位、走査線ＳＣＬの電位、駆動トランジスタＴＲ_Dの状態、第１ノードＮＤ₁の電位、及び、第２ノードＮＤ₂の電位の関係を模式的に示す。図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₄］における、表示素子１０の駆動回路１１を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す。図１０の（Ｃ）に、図９に示す電位補正値ΔＶ_{Sig_m}と時間ｔ_Sigとの関係を説明するためのグラフを示す。以下、図４、図９、及び、図１０の（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して、実施例１の駆動方法について説明する。

実施例１においては、補助映像信号Ｖ_Preは映像信号Ｖ_Sigの最小値（１ボルト）よりも高い一定値の信号である。具体的には、補助映像信号Ｖ_Preは映像信号Ｖ_Sigの最大値と同じ値（８ボルト）の信号である。

実施例１の駆動方法は、上述した参考例において説明した工程（ａ）乃至工程（ｄ）における工程（ｃ）を置き換えた構成である。即ち、参考例における工程（ｃ）の替わりに、補助映像信号Ｖ_Preをデータ線ＤＴＬに印加し、次いで、補助映像信号Ｖ_Preに替えて映像信号Ｖ_Sigをデータ線ＤＴＬに印加すると共に、電源部１００から所定の駆動電圧Ｖ_CC-Hが駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、走査線ＳＣＬからの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_Preに基づく電圧と映像信号Ｖ_Sigに基づく電圧とを第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理工程を行う。［期間−ＴＰ（２）₄］を除いた他の期間における実施例１の駆動方法の動作は、基本的には、参考例の駆動方法における動作と同様である。

［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］（図４、図９参照）
これらの期間の動作は、参考例の［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］における動作と同様であるので、説明を省略する。

［期間−ＴＰ（２）₃］（図４、図９参照）
この［期間−ＴＰ（２）₃］の始期において、走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから補助映像信号Ｖ_{Pre_m}に切り替わる（映像信号期間）。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない。尚、閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達していない場合には、［期間−ＴＰ（２）₃］においてブートストラップ動作が生じ、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は多少上昇する。表示素子１０の駆動回路１１を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等は、図６の（Ｄ）において、Ｖ_{Sig_m}をＶ_{Pre_m}と読み替えたものである。

［期間−ＴＰ（２）₄］（図４、図９、図１０の（Ａ）及び（Ｂ）参照）
この期間内に、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_{Pre_m}に基づく電圧と映像信号Ｖ_{Sig_m}に基づく電圧とを第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理工程を行う。

走査線ＳＣＬからの走査信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから補助映像信号Ｖ_{Pre_m}を第１ノードＮＤ₁に印加する（図１０の（Ａ）参照）。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Pre_m}へ向かって上昇する（図９参照）。また、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。このときの第１ノードＮＤ₁の電位の上昇分を、電位補正値ΔＶ_{Pre_m}と表す。

［期間−ＴＰ（２）₄］の始期と終期との間に、データ線ＤＴＬに印加する信号が補助映像信号Ｖ_{Pre_m}から映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わる（図１０の（Ｂ）参照）。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Sig_m}へ向かって変化する。第１ノードＮＤ₁の電位は引き続き上昇する。このときの第１ノードＮＤ₁の電位の上昇分を、電位補正値ΔＶ_{Sig_m}と表す。

図９に示すように、実施例１の駆動方法における電位補正値ΔＶは、電位補正値ΔＶ_{Pre_m}と電位補正値ΔＶ_{Sig_m}との和で表される。以下、電位補正値ΔＶ_{Pre_m}の値が、例えば設計上０．３ボルトに設定されているとして説明する。補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値は８ボルトであるから、図８の（Ｂ）に示すＶ_{Sig_m}＝８ボルトの曲線から見積もると、０．１×１０^-6秒程度の間第１ノードＮＤ₁に補助映像信号Ｖ_{Pre_m}に基づく電圧が印加されればよいことが分かる。図９における符号ｔ_Preは、第１ノードＮＤ₁に補助映像信号Ｖ_{Pre_m}に基づく電圧が印加される時間の長さを示す。

実施例１の駆動方法にあっては、ΔＶ＝ΔＶ_Pre＋ΔＶ_Sigである。また、上述したように、最適なΔＶ＝Ｖ_{Sig_m}／２といった関係にある。従って、最適なΔＶ_Sigの値は、Ｖ_{Sig_m}／２−０．３（ボルト）となる。

従って、例えばＶ_{Sig_m}が１ボルトである場合には、最適なΔＶ_Sigは０．２ボルトである。図８の（Ｂ）に示すＶ_{Sig_m}＝１ボルトであるときの曲線から見積もると、１×１０^-6秒程度の間第１ノードＮＤ₁に映像信号Ｖ_{Sig_m}に基づく電圧が印加されればよいことが分かる。図９における時間ｔ_Sigは、第１ノードＮＤ₁に映像信号Ｖ_{Sig_m}に基づく電圧が印加される期間の長さを示す。図１０の（Ｃ）に破線で示す曲線は、電位補正値ΔＶ_{Pre_m}の値が設計上０．３ボルトに設定されているときの、最適な電位補正値ΔＶ_{Sig_m}を得るのに必要な時間ｔ_Sigを示す。

そして、書込み処理工程を行う時間ｔ₀については、ｔ₀＝ｔ_Pre＋ｔ_Sigといった関係がある。従って、実施例１の駆動方法にあっては、［期間−ＴＰ（２）₄］の最大長さが、例えば設計上約１×１０^-6（秒）程度に制限されていても良好に移動度補正処理を行うことができる。

書込みトランジスタＴＲ_Wの閾値電圧をＶ_{th_TRw}と表すとき、［期間−ＴＰ（２）₄］の終期は、走査線ＳＣＬの電位が、Ｖ_{Sig_m}＋Ｖ_{th_TRw}を下回るときである。図９に示すように、書込み処理工程において書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に印加される走査信号の立下りは傾斜した形状であり、書込み処理工程においてデータ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_{Sig_m}に基づく電圧を第１ノードＮＤ₁に印加する期間の終期は、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値が低い程遅くなるように調整される。例えば、図１１に示すように、走査回路１０１を構成するシフトレジスタ部１０１Ａからの信号をレベルシフト回路１０１Ｂに入力する。そして、レベルシフト回路１０１Ｂに接続された電圧変調回路１０１Ｃによってレベルシフト回路１０１Ｂに供給される電圧を変調することにより、走査信号の立下りを傾斜した形状とすることができる。

図１０の（Ｃ）に破線に示すように、映像信号Ｖ_{Sig_m}が８ボルトであるときの最適な時間ｔ_Sigの値と、映像信号Ｖ_{Sig_m}が１ボルトであるときの最適な時間ｔ_Sigの値との差分Δｔ_Sigは、約０．５×１０^-6（秒）に過ぎない。従って、参考例の駆動方法に対して、実施例１の駆動方法にあっては、走査信号の立下りの傾斜をより急峻な形状とすることができる。この程度の走査信号の立下りの傾斜は、例えば、矩形波状の走査信号が走査線ＳＣＬを伝搬する際に起きる波形の鈍りを利用して形成することができる。従って、図１１に示す電圧変調回路１０１Ｃ等を省略することができる。

以上、実施例１の駆動方法について説明した。尚、データ線ＤＴＬを伝搬する信号においては、図１２に示すように、実際には波形の立ち上がりや立ち下がりに鈍りが生ずる。走査信号とデータ線ＤＴＬの信号とのタイミングは、これらの波形の鈍りを考慮した上で、表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。補助映像信号から映像信号に遷移するときの信号をデータ線ＤＴＬから第１ノードに印加することも、データ線ＤＴＬから補助信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とを第１ノードに印加することに該当する。

実施例２も、本発明の表示装置及びその駆動方法に関する。実施例２は、実施例１の変形である。実施例１に対し、実施例２にあっては、補助映像信号の値は映像信号の値に応じて設定される点が相違する。

実施例２において用いられる表示装置の構成は、実施例１において説明した表示装置の構成と同様であり、各種の電圧あるいは電位の値も、補助映像信号の値を除き、実施例１において説明した値と同様である。これらについても説明は省略する。実施例２における表示装置の駆動方法における動作のタイミングチャートは、補助映像信号の値を映像信号の値に基づいて設定する点が相違する他、図４と同様である。

実施例１において、補助映像信号Ｖ_Preの値を８ボルトに固定した場合、映像信号Ｖ_{Sig_m}が８ボルトであるときの最適な時間ｔ_Sigの値と、映像信号Ｖ_{Sig_m}が１ボルトであるときの最適な時間ｔ_Sigの値との差分Δｔ_Sigは、約０．５×１０^-6（秒）であることを説明した。

実施例１で参照した図１０の（Ｃ）から分かるように、例えば映像信号Ｖ_{Sig_m}が８ボルトであるときに最適なΔＶ_Sigの値が相対的に高くなり、映像信号Ｖ_{Sig_m}が１ボルトであるときに最適なΔＶ_Sigの値が相対的に低くなるようにすれば、上述した差分Δｔ_Sigは、より減少する。ここで、実施例１において説明したように、最適なΔＶ_Sigの値は、ΔＶ_Sig＝Ｖ_{Sig_m}／２−ΔＶ_Preである。

従って、補助映像信号Ｖ_Preの値を映像信号Ｖ_Sigの値に応じて設定することにより、差分Δｔ_Sigをより減少させることができる。具体的には、図１３に示すように、白表示状態においては、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値を映像信号Ｖ_{Sig_m}の値より低くし、黒表示状態においては、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値を映像信号Ｖ_{Sig_m}の値より高くするように、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値を設定すればよい。グレー表示状態においても、適宜バランスを取るように、補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値を設定すればよい。これにより、［期間−ＴＰ（２）₄］の最適な長さを、映像信号Ｖ_{Sig_m}の値に係わらずほぼ一定に設定することができる。映像信号Ｖ_{Sig_m}の値と補助映像信号Ｖ_{Pre_m}の値との対応関係は、表示装置の設計等に応じて適宜設定すればよい。

以上、好ましい実施例に基づき本発明を説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。実施例における表示装置や表示素子の構成、構造、表示装置の駆動方法の工程は例示であり、適宜変更することができる。

例えば、図１４に示すように、表示素子１０を構成する駆動回路１１が、第２ノードＮＤ₂に接続されたトランジスタ（第１トランジスタＴＲ₁）を備えている構成であってもよい。第１トランジスタＴＲ₁においては、一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧Ｖ_SSが印加され、他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードＮＤ₂に接続されている。第１トランジスタ制御線ＡＺ１を介して第１トランジスタ制御回路１０３からの信号が第１トランジスタＴＲ₁のゲート電極に印加され、第１トランジスタＴＲ₁のオン／オフ状態を制御する。これにより、第２ノードＮＤ₂の電位を設定することができる。

あるいは又、図１５に示すように、表示素子１０を構成する駆動回路１１が、第１ノードＮＤ₁に接続されたトランジスタ（第２トランジスタＴＲ₂）を備えている構成であってもよい。第２トランジスタＴＲ₂においては、一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードＮＤ₁に接続されている。第２トランジスタ制御線ＡＺ２を介して第２トランジスタ制御回路１０４からの信号が第２トランジスタＴＲ₂のゲート電極に印加され、第２トランジスタＴＲ₂のオン／オフ状態を制御する。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位を設定することができる。

更には、図１６に示すように、表示素子１０を構成する駆動回路１１が、上述した第１トランジスタＴＲ₁と第２トランジスタＴＲ₂とを共に備えている構成であってもよい。また、これに加えて、別のトランジスタを備えている構成とすることもできる。

ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、ＴＲ₁・・・第１トランジスタ、ＴＲ₂・・・第２トランジスタ、Ｃ₁・・・容量部、ＥＬＰ・・・発光部、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＮＤ₁・・・第１ノード、ＮＤ₂・・・第２ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＡＺ１・・・第１トランジスタ制御線、ＡＺ２・・・第２トランジスタ制御線、ＣＬ・・・制御線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・給電線、１０・・・表示素子、１１・・・駆動回路、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５，３５・・・ソース／ドレイン領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８・・・配線、３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電源部、１０１・・・走査回路、１０１Ａ・・・シフトレジスタ部、１０１Ｂ・・・レベルシフト回路、１０１Ｃ・・・電圧変調回路、１０２・・・信号出力回路、１０３・・・第１トランジスタ制御回路、１０４・・・第２電源部、１０５・・・第２トランジスタ制御回路、１０６・・・第３トランジスタ制御回路

Claims (5)

1. （１）走査回路、
   （２）信号出力回路、
   （３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが電流駆動型の発光部、及び、駆動回路を備えている表示素子、
   （４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （５）信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （６）電源部、
   を備え、
   前記駆動回路は、書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部を備えており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   表示装置を用いて、
   映像信号の最小値よりも高い一定値の信号であって映像信号の最大値と同じ値の信号である補助映像信号をデータ線に印加し、次いで、補助映像信号に替えて映像信号をデータ線に印加すると共に、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で走査線からの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介してデータ線から補助映像信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とを第１ノードに印加する書込み処理工程を行うことによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を上昇させる移動度補正処理を行う表示装置の駆動方法。
2. 補助映像信号は白表示のときの映像信号と同じ値の信号である請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
3. 第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を超え、且つ、第２ノードと発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が発光部の閾値電圧を超えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、
   第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、
   その後、前記書込み処理工程を行い、
   次いで、走査線からの走査信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で、駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を発光部に流すことによって発光部を駆動する請求項１に記載の表示装置の駆動方法。
4. 発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の駆動方法。
5. （１）走査回路、
   （２）信号出力回路、
   （３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが電流駆動型の発光部、及び、駆動回路を備えている表示素子、
   （４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （５）信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （６）電源部、
   を備え、
   前記駆動回路は、書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部を備えており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されており、
   映像信号の最小値よりも高い一定値の信号であって映像信号の最大値と同じ値の信号である補助映像信号がデータ線に印加され、次いで、補助映像信号に替えて映像信号がデータ線に印加されると共に、電源部から所定の駆動電圧が駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加されている状態で走査線からの走査信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介してデータ線から補助映像信号に基づく電圧と映像信号に基づく電圧とが第１ノードに印加されることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を上昇させる移動度補正処理が行われる表示装置。

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