JP4652179B2

JP4652179B2 - 配線回路基板

Info

Publication number: JP4652179B2
Application number: JP2005257071A
Authority: JP
Inventors: 淳石井; 靖人船田; 恭也大薮
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2005-09-05
Filing date: 2005-09-05
Publication date: 2011-03-16
Anticipated expiration: 2025-09-05
Also published as: EP1761120A1; US7586046B2; CN1929715A; US20070051534A1; JP2007073643A; CN1929715B

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、そのベース絶縁層上に形成される、銅箔などからなる導体層と、ベース絶縁層の上に、その導体層を被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

このような配線回路基板において、銅導体層の表面に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケル薄膜を形成して、銅導体層の表面を被覆して保護することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に記載されるニッケル薄膜は、銅導体層の表面を被覆することにより、銅導体層を形成する銅（金属）がカバー絶縁層に拡散することを防止するバリア層として作用しており、銅導体層の劣化や銅導体層間の短絡を防止している。
特開平１０−１２９８３号公報

しかし、特許文献１に記載されるニッケル薄膜は、無電解ニッケルめっきにより形成されているため、均一な厚みで形成することが困難な場合がある。そうすると、ニッケル薄膜において、厚みが薄い部分では、バリア層としての作用が不十分となり、やはり、銅導体層の劣化や銅導体層間の短絡を生じるおそれがある。
本発明の目的は、導体パターンの劣化や導体パターン間の短絡を有効に防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に、形成される導体パターンと、前記導体パターンを被覆するように、スパッタリングにより形成され、酸化クロム層を有する、厚みが５〜３００ｎｍである酸化金属層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記酸化金属層により被覆される前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板は、前記酸化金属層の表面抵抗値が、１０^１２Ω／□以上であることが好適である。

本発明の配線回路基板によれば、酸化金属層がスパッタリングにより形成されているので、酸化金属層を均一な厚みで形成することができる。そのため、酸化金属層が、導体パターンに対するバリア層として十分に作用して、導体パターンの劣化や導体パターン間の短絡を有効に防止することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターンを被覆する酸化金属層５と、ベース絶縁層３の上に形成され、酸化金属層５により被覆される導体パターン４を被覆するカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持基板２は、平板状をなし、金属箔や金属薄板から形成されている。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に形成されている。ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、配線回路基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、ポリイミド樹脂が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。

導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、互いに間隔を隔てた複数の配線から形成されている。導体パターン４を形成する導体としては、配線回路基板の導体として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。

なお、導体パターン４が、アディティブ法により形成される場合には、ベース絶縁層３と導体パターン４との間には、金属薄膜１１が介在される。金属薄膜１１を形成する金属は、クロムや銅などが好ましく用いられる。
酸化金属層５は、導体パターン４の表面（上面および両側面）を被覆するように形成されている。また、酸化金属層５は、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面をも導体パターン４から連続して被覆するように形成されている。すなわち、酸化金属層５は、導体パターン４とカバー絶縁層６との間、および、ベース絶縁層３とカバー絶縁層６との間に介在するように、形成されている。

酸化金属層５は、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物から形成される。好ましくは、酸化クロムから形成される。酸化クロムは、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を有する酸化金属層５を形成することができる。
なお、酸化金属層５における金属の酸化度合いは、後述する酸化金属層５の形成方法によっても異なるが、厚み方向において均一に酸化されていてもよく、また、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下していてもよい。

カバー絶縁層６は、酸化金属層５により被覆される導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されている。カバー絶縁層６を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
そして、このような回路付サスペンション基板１は、例えば、図２および図３に示す方法よって製造することができる。

まず、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を形成する。
ベース絶縁層３の形成は、上記した合成樹脂を含有する樹脂溶液を、金属支持基板２の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させることにより、形成する。

樹脂溶液の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の方法が用いられる。
なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液を金属支持基板２の上に塗布した後に、露光および現像することにより、ベース絶縁層３をパターンとして形成することもできる。

なお、ベース絶縁層３は、予め加工された合成樹脂のドライフィルムを、金属支持基板２の上に、必要により接着剤層を介して貼着することにより、形成することもできる。
次いで、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。
導体パターン４の形成は、特に制限されることなく、ベース絶縁層３の表面に、導体パターン４を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、形成する。

サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、導体パターン４に対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の表面に、種膜（下地）となる金属薄膜を形成した後、この金属薄膜の表面に、導体パターン４の反転パターンでめっきレジストを形成する。次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、めっきにより、導体パターン４を形成する。その後、めっきレジストを除去して、導体パターン４に対向する部分以外の金属薄膜を除去する。

これらのパターンニング法において、導体パターン４を微細化して、高密度配線を実現するためには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の表面の全面に、種膜（下地）となる金属薄膜１１を形成する。金属薄膜１１の形成は、真空蒸着法、好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。

より具体的には、例えば、ベース絶縁層３の表面の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成する。なお、金属薄膜１１の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åとなるように設定する。
次いで、図２（ｄ）に示すように、金属薄膜１１の上に、めっきレジスト１２を形成する。めっきレジスト１２は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、露光および現像する公知の方法により、導体パターン４と反転するレジストパターンとして形成する。

次いで、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト１２から露出する金属薄膜１１の上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するには、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
次いで、図３（ｆ）に示すように、めっきレジスト１２を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。

次いで、図３（ｇ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１１（つまり、めっきレジスト１２が形成されている部分の金属薄膜１１）を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。

次いで、図３（ｈ）に示すように、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に、スパッタリングにより酸化金属層５を形成する。

酸化金属層５のスパッタリングによる形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。
金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、まず、導体パターン４の表面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の表面とに、金属をターゲットとしてスパッタリングする。

スパッタリングは、例えば、図４に示すスパッタリング装置が用いられる。すなわち、図４において、このスパッタリング装置では、真空チャンバー２１内に、ターゲット２２およびアース電極２３が互いに間隔を隔てて対向配置されている。ターゲット２２には、電源２４が接続されるとともに、プラズマエミッションモニター２５が、ターゲット２２に対してプラズマ発光可能に配置されている。なお、電源２４には、特に制限されず、パルス電源、直流電源（ＤＣ）、交流電源（ＲＦ）などが用いられる。

また、アース電極２３は、接地されるとともに、その表面に基板２６が設置されている。（ここで、基板２６は、図３（ｇ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１であって、導体パターン４側が、ターゲット２２と対向する状態で設置されている。）
ターゲット２２には、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、ジルコニウム、ガリウム、インジウムおよびこれらの合金などが用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。

そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に連続して、スパッタリング皮膜が形成される。

なお、このような金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
（スパッタリング条件１）
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^−３〜４×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
（スパッタリング条件２）
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^−３〜４×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１０〜１３０Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
なお、このようなスパッタリングは、より具体的には、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法あるいはこれらの複合化法などの公知のスパッタリング法が適宜選択される。

次いで、スパッタリング皮膜を、必要に応じて、加熱により酸化するには、特に制限されず、例えば、加熱炉などを用いて、大気中で加熱する。加熱温度は、スパッタリング条件１の場合、例えば、２８０〜３１０℃、好ましくは、約３００℃、スパッタリング条件２の場合、例えば、１１０〜１４０℃、好ましくは、約１２５℃である。加熱時間は、スパッタリング条件１の場合およびスパッタリング条件２の場合ともに、例えば、１分〜１２時間である。これによって、図３（ｈ）に示すように、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に連続して、酸化金属層５が形成される。

また、スパッタリング皮膜が、大気暴露下で自然酸化する場合には、特に加熱しなくてもよく、また、そのような場合でも、安定な酸化金属層を形成するために、加熱してもよい。
なお、この酸化金属層は、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下するように酸化されている。

このようにして形成される酸化金属層５の厚みは、例えば、スパッタリング条件１の場合およびスパッタリング条件２の場合ともに、５〜１００ｎｍである。
反応性スパッタリングする方法では、上記した図４に示すスパッタリング装置において、真空チャンバー２１内に酸素を含む導入ガスを導入する以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。

より具体的には、ターゲット２２として、上記したスパッタリング皮膜を形成するための金属と同様の金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｇ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板金属薄膜１１を配置する。
そして、真空チャンバー２１内に、酸素を必須としてアルゴンや窒素が任意の割合で混合された反応性ガス（例えば、Ａｒ／Ｏ₂混合ガス）を導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。

これによって、図３（ｈ）に示すように、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に連続して、酸化金属層５が形成される。なお、この酸化金属層５は、厚み方向において均一に酸化されている。
なお、このような反応性スパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）Ａｒ：１．２×１０^−３〜４×１０^−３ｍ^３／ｈ
導入ガス流量（酸素）Ｏ_２：６×１０^−５〜３０×１０^−５ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１０〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
このようにして形成される酸化金属層５の厚みは、例えば、５〜２００ｎｍである。

酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、上記した図４に示すスパッタリング装置において、酸化金属をターゲット２２とし、かつ、電源２４として交流電源が用いられる以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法を用いることができる。ターゲット２２となる酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化錫、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。

より具体的には、ターゲット２２として、上記した酸化金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｇ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を配置する。
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、図３（ｈ）に示すように、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に連続して、酸化金属層５が形成される。なお、この酸化金属層５は、厚み方向において均一に酸化されている。

なお、このような酸化金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０^−５〜１．３３×１０^−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０^−３〜４×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０^−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１０〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
このようにして形成される酸化金属層５の厚みは、５〜３００ｎｍである。また、上記により酸化金属層５は、その表面抵抗値が、好ましくは、１０^１２Ω／□以上、さらに好ましくは、１×１０^１３Ω／□以上、通常、１×１０^１５Ω／□以下である。

次いで、図３（ｉ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、酸化金属層５で被覆された導体パターン４を被覆するように、カバー絶縁層６を形成して、回路付サスペンション基板１を得る。
カバー絶縁層６の形成は、上記した合成樹脂を含有する樹脂溶液を、ベース絶縁層３の上（具体的には、ベース絶縁層３の表面に形成される酸化金属層５の上）に、酸化金属層５で被覆された導体パターン４を被覆するように、上記と同様の方法で塗布し、加熱硬化させることにより形成する。なお、樹脂溶液に、公知の感光剤を配合すれば、樹脂溶液をベース絶縁層３の上に、酸化金属層５で被覆された導体パターン４を被覆するように、塗布した後に、露光および現像することにより、カバー絶縁層６をパターンとして形成することもできる。

そして、この回路付サスペンション基板１によれば、酸化金属層５がスパッタリングにより形成されているので、酸化金属層５を均一な厚みで形成することができる。そのため、酸化金属層５が、導体パターン４に対するバリア層として十分に作用して、導体パターン４を形成する金属がカバー絶縁層６に拡散することを防止することができる。その結果、導体パターン４の劣化や導体パターン４間の短絡を有効に防止することができる。

なお、以上の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。
例えば、片面フレキシブル配線回路基板３１は、図５に示すように、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に、スパッタリングにより形成される酸化金属層５と、ベース絶縁層３の上に形成され、酸化金属層５により被覆される導体パターン４を被覆するカバー絶縁層６とを備えている。

また、上記の説明では、導体パターン４の表面およびベース絶縁層３の表面に、酸化金属層５を形成したが、導体パターン４の表面のみに、酸化金属層５を形成してもよい。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限
定されない。
実施例１
厚み２５μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図２（ａ）参照）、金属支持基板の上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の樹脂溶液を塗布し、乾燥後に加熱硬化させて、露光および現像することにより、金属支持基板の上に、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、このベース絶縁層の表面の全面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚み２０００Åの金属薄膜を形成した（図２（ｃ）参照）。
次いで、金属薄膜の上に、ドライフィルムレジストを用いて、露光および現像することにより、導体パターンと反転するレジストパターンを形成した（図２（ｄ）参照）。

次いで、電解銅めっきすることにより、めっきレジストから露出する金属薄膜１１の上に、厚み１０μｍの導体パターンを形成した（図２（ｅ）参照）。
次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去し（図３（ｆ）参照）、続いて、導体パターンから露出する金属薄膜を、同じく、化学エッチングにより除去した（図３（ｇ）参照）。

次いで、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、加熱により酸化することにより、導体パターンの表面およびベース絶縁層の表面に、酸化金属層を形成した。
なお、スパッタリングは、上記と同様の方法において、下記の条件で実施した。
ターゲット：クロム
到達真空度：１．３３×１０^−４Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．１３Ｐａ
アース電極温度：６０℃
電力：ＤＣ１５０Ｗ
スパッタリング時間：５秒
次いで、３００℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる酸化金属層を形成した（図３（ｈ）参照）。この酸化金属層の厚みは、８ｎｍであった。

なお、酸化金属層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この酸化金属
層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐＭＣ
Ｐ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、２．１×１０^１２Ω／□であった。
次いで、ベース絶縁層の表面および導体パターンの表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の樹脂溶液を塗布し、乾燥後に加熱硬化させて、露光および現像することにより、厚み５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成して、回路付サスペンション基板を得た（図３（ｉ）参照）。

実施例２
実施例１における酸化金属層の形成において、スパッタリング条件およびスパッタリング後の加熱酸化条件を下記で実施した以外は、実施例１と同様に操作して、回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：クロム
到達真空度：１．３３×１０^−４Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．１３Ｐａ
アース電極温度：６０℃
電力：ＤＣ１２０Ｗ
スパッタリング時間：５秒
スパッタリング後の加熱温度：１２５℃
スパッタリング後の加熱時間：１２時間
得られた酸化金属層の厚みは、６ｎｍであった。

なお、酸化金属層の形成後、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、８．８×１０^１２Ω／□であった。
実施例３
実施例１における酸化金属層の形成において、スパッタリングを下記の条件で実施し、かつ、加熱後に酸化しなかった以外は、実施例１と同様に操作して、回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：クロム
到達真空度：１．３３×１０^−４Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２×１０^−３ｍ^３／ｈ
導入ガス流量（酸素）：１×１０^−４ｍ^３／ｈ
動作圧：０．１３Ｐａ
アース電極温度：６０℃
電力：ＤＣ３００Ｗ
スパッタリング時間：１５秒
得られた酸化金属層の厚みは、２０ｎｍであった。

なお、酸化金属層の形成後、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１．０×１０^１３Ω／□であった。
実施例４
実施例１における酸化金属層の形成において、スパッタリングを下記の条件で実施し、かつ、加熱後に酸化しなかった以外は、実施例１と同様に操作して、回路付サスペンション基板を得た。
ターゲット：酸化クロム
到達真空度：１．３３×１０^−４Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．１３Ｐａ
アース電極温度：６０℃
電力：ＲＦ４００Ｗ
スパッタリング時間：４０秒
得られた酸化金属層の厚みは、３００ｎｍであった。

なお、酸化金属層の形成後、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１．１×１０^１３Ω／□であった。

本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の断面図である。図１に示す回路付サスペンション基板の製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の表面の全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｄ）は、金属薄膜の上に、めっきレジストを形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、導体パターンを形成する工程を示す。図２に続いて、回路付サスペンション基板の製造工程図であって（ｆ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｇ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を、除去する工程、（ｈ）は、スパッタリングにより酸化金属層を形成する工程、（ｉ）は、導体パターンの表面およびベース絶縁層の表面に形成された酸化金属層の上に、カバー絶縁層を形成する工程を示す。スパッタリング装置の一実施形態を示す概略構成図である。本発明の配線回路基板の他の実施形態としての片面フレキシブル配線回路基板の断面図である。

符号の説明

１回路付サスペンション基板
３ベース絶縁層
４導体パターン
５酸化金属層
６カバー絶縁層
３１片面フレキシブル配線回路基板

Claims

ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、
前記導体パターンを被覆するように、スパッタリングにより形成され、酸化クロム層を有する、厚みが５〜３００ｎｍである酸化金属層と、
前記ベース絶縁層の上に形成され、前記酸化金属層により被覆される前記導体パターンを被覆するカバー絶縁層と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
前記酸化金属層の表面抵抗値が、１０^１２Ω／□以上であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。