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JP4218042B2 - 銅または銅基合金の製造方法 - Google Patents

銅または銅基合金の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅または銅基合金の製造法に関し、更に詳しくは、例えば自動車の電気配線などに使用される多ピンコネクタの表面のように挿抜に際しての磨耗や摩擦係数を小さくすることを要求される表面や、電気自動車の充電ソケットのように挿抜回数が多いものや、モーターのブラシのように回転体として接して耐磨耗性を要求される表面や、バッテリー端子のように耐磨耗性・耐腐食性が要求される表面を有する銅または銅基合金の製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年のエレクトロニクスの発達により、種々の機械の電気配線は複雑化、高集積化が進み、それに伴いコネクタの多ピン化も進んできている。従来のSnめっきしたコネクタでは抜き差しに際し、摩擦力が大きくなり、コネクタの挿入が困難になるという問題が生じている。
また、現在の電気自動車では1日1回以上の充電を必要としており、充電用ソケット部品の耐磨耗性の確保が必要である。その上、10A以上の大電流が流れるため発熱が大きく、従来のSnめっき等の方法では、該めっきが剥離してしまう等の問題も生じている。
【0003】
多ピン化したSnめっき付き端子の挿入力の低減策あるいは上記充電用ソケット等の電気部品の耐磨耗性や密着性の確保のため、従来はSnめっきの下地に硬質なNiめっき等を施したり、Cu−Sn拡散層を設け、その上にSnめっきを施して、見かけ上の硬さを向上する案が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、Niめっきは高価であり、また加工性が悪い欠点がある。Cu−Sn拡散層を設け、その上にSnめっきをする案は、Snめっき後に熱拡散させCu−Sn層とし、さらにSnめっきするという極めて複雑な工程を必要とし、コスト面および表面のSnめっきの密着性、加工性に劣り現実的でない。
【0005】
上記のような問題に対し、従来の表面処理方法では対応しきれないことが明らかになってきており、また本発明が提案する銅または銅基合金をめっきした後、表面熱処理により素地金属めっき層に熱拡散させる技術も従来から存在したが、従来の技術は表面処理層と素材との拡散により、単に加工または熱的な影響等による表面処理層の剥離を防止するだけのものであったため、やはり上記の問題には対応できなかった。
【0006】
本発明は、上記問題点を解決すべく、表面の硬さ,接触抵抗,曲げ加工性,密着性及び端子挿抜力に優れた銅または銅基合金の製造方法の提供するもので、特に近年自動車電装品等の電気部品の高密度化に対応できるコネクタ材、その他の耐磨耗性や耐食性が要求される電気部品の製造方法の提供を目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような問題点を解決したもので、銅または銅基合金素材表面にSnまたはSn合金を被覆した後に熱処理を施し、素材の表面処理層に極めて硬いCu−Sn系金属間化合物(Cu3Sn、Cu4Sn、Cu6Sn5等のCu−Sn金属間化合物層や銅基合金中に含まれる添加元素Xを含んだCu−Sn−X等の化合物層)およびその表面に厚さが規制された酸化皮膜層を適正に形成させることにより、例えばコネクタや電気自動車の充電ソケット等に好適な表面の摩擦係数が小さく、しかも耐磨耗性に優れた表面を有する銅または銅基合金の製造方法とそれらを利用した電気部品の製造方法を提供するものである。
【0008】
本発明は、銅または銅基合金に被覆するSnの膜厚と熱処理条件を限定することにより、表面硬さや接触抵抗に優れたCu−Sn系金属間化合物(Cu3Sn、Cu4Sn、Cu6Sn5等)および厚さが制御された酸化皮膜を積極的に形成させることによって、表面硬さをHV250以上、好ましくはHV300以上とすることができ、Snめっきの表面硬さ(HV60〜120)、母材の硬さ(HV80〜250)に較べて硬さを向上させることができ、更に適度な厚さの酸化皮膜を有することによって優れたすべり性を得るとの知見を得て開発された技術であって、自動車のコネクタや電気自動車の充電用ソケット等に好適な電気、加工特性を有した上に表面の摩擦係数の小さい、耐磨耗性に優れた銅または銅基合金の製造法を提供するものである。
【0009】
すなわち、本発明は、第1に、銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法;
第2に、銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法;
第3に、銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5%体積以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法;
第4に、銅または銅基合金にSnを被覆した後、酸素濃度が5%体積以下の雰囲気中で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法;
第5に、前記Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理温度が100〜700℃、時間が1分〜24時間であることを特徴とする請求項4記載の銅または銅基合金の製造方法;
第6に、上記したSnの被覆方法がそれぞれ電気めっきである銅または銅基合金の製造方法;
第7に、上記したSnの被覆方法がそれぞれ電気めっき後にリフローすることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法;
第8に、銅または銅合金にSnを被覆した後に、電気部品としての端子を成形する途中若しくは成形後に酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成することを特徴とする端子の製造方法;
第9に、銅または銅合金にSnを被覆した後に、電気部品としての端子を成形する途中若しくは成形後に、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成することを特徴とする端子の製造方法;
を提供するものである。
【0010】
銅または銅合金の素地表面に電気めっき手段によりSnめっき層を施し、リフロー処理を施しまたは施すことなく、好ましくは酸素濃度を制御した雰囲気下で熱処理することにより、めっき層表面に所望の厚さの酸化皮膜を形成させると共に、素地からのCuまたはさらにその添加元素とめっき層のSnとの相互拡散によってCu−Sn系金属間化合物を形成させることができる。
【0011】
【作用】
次に、本発明の内容を具体的に説明すると共に、本発明の範囲限定理由を述べる。まず、皮膜の厚さであるが、熱処理前のSnの皮膜の厚さが0.1μm未満であると、熱拡散を行った後でも耐食性が低下する。特に、H2SやSO2による腐食や水分の存在下におけるNH3ガスによる腐食が問題となる。また、Snの皮膜の厚さが10μmを超えると拡散層の厚さが厚くなりすぎ、加工時に割れるなどの成形加工性の低下が認められ、更に疲労特性の低下や経済的にも不利になる等の問題が生じる。従って、Snの皮膜の厚さは、0.1〜10μmの範囲とする。更に、好ましい範囲としては、0.3〜5μmの範囲とする。
【0012】
また、Snの被覆の下地として、Cuめっき等の処理を施しても良い。下地のCuは、Cu−Sn系の金属間化合物の形成に役立ち、また銅合金の添加元素の過度の拡散を効果的に防止する。ただし、Cu下地厚さが厚すぎると拡散層が厚くなりすぎ、加工性が低下する。従って、好ましいCu下地厚さは10μm以下、更に好ましくは3μm以下とする。このCu下地めっきを用いると、素材を鉄鋼材料やステンレス、アルミ合金等の銅合金以外にも応用できるが、電気部品に必要な特性等を考慮すると、素材は銅または銅基合金が好ましい。このような素材を利用し、本発明による方法によって耐磨耗層を形成することにより、電気部品として有用な接触抵抗値が60mΩ以下のものを容易に得ることができる。
【0013】
なお、銅基合金においては、強度、弾性、電気伝導性、加工性、耐食性などの面から好ましい添加元素の範囲としてZn:0.01〜40wt%、Sn:0.1〜10wt%、Fe:0.01〜5wt%、Ni:0.01〜10wt%、Co:0.01〜5wt%、Ti:0.01〜5wt%、Mg:0.01〜3wt%、Zr:0.01〜3wt%、Ca:0.01〜1wt%、Si:0.01〜3wt%、Mn:0.01〜10wt%、Cd:0.01〜5wt%、Al:0.01〜10wt%、Pb:0.01〜5wt%、Bi:0.01〜5wt%、Be:0.01〜3wt%、Te:0.01〜1wt%、Y:0.01〜5wt%、La:0.01〜5wt%、Cr:0.01〜5wt%、Ce:0.01〜5wt%、Au:0.01〜5wt%、Ag:0.01〜5wt%、P:0.005〜0.5wt%のうち少なくとも1種以上の元素を含み、その総量が0.01〜40wt%であることが好ましい。
【0014】
Sn皮膜の形成の仕方は、皮膜の密着性や均一性から、電気めっきや溶融浸漬法が経済的である。ただし、薄く均一に被覆するには、電気めっきがより好ましい。また、被覆するSnについては、Snの含有量が5%以上のSn−Pb合金に対しても有効である。Pbの含有量が95%を超えると、熱拡散後に表層に存在するPbのために期待する硬さ、すべり性および小さい挿入力が得られにくい。また、Snを被覆後にリフロー処理を施すと、熱拡散後の表面の平滑性、均一性が増すので、より好ましい処理である。
【0015】
また、最表面の酸化皮膜厚さは10〜1000nmとする。酸化皮膜厚さが10nmより薄いとすべり性が低下し、凝着磨耗を生じやすくなり、端子挿入力が増大する。表面の酸化皮膜厚さが1000nmを超えると接触抵抗が増加し、または極めて不安定となり電気性能が劣化する。しかも、酸化皮膜の密着性が低下し、その後の加工で剥離する場合がある。さらに、酸化皮膜厚さは、15〜300nmであるとなお好ましい。酸化皮膜は、酸化錫、Cu−Sn−O、Cu−Sn−X−O、またはX−Oの化合物(ただしXは、銅基合金中に含まれる添加元素である)のいずれでも良く、組成は問わない。
【0016】
以上の皮膜は、電気部品のオス、メス端子に応用する場合において、オス側、メス側のいずれかもしくはその両方に適用できる。さらに、必要な部分のみに適用しても差し支えない。これらの酸化皮膜は、硬質なCu−Sn系の拡散層の表面に形成させることが重要であり、単にSn表面に形成させた酸化皮膜ではこのような効果は極めて得られにくい。
【0017】
熱処理時の雰囲気は、酸素濃度を5体積%以下とする。5体積%を超える酸素濃度雰囲気中で加熱すると、拡散時に形成された最表面の酸化皮膜厚さを所望の厚さに均一に制御しにくい。更に、酸素濃度を1体積%以下とすると、形成される酸化皮膜の厚さや緻密性および均一性が増し、なお好ましい。
【0018】
拡散時に酸化皮膜を所望の厚さにする場合は、酸素濃度を規定できれば、その他の雰囲気成分はいずれを利用しても構わず、例えば、還元雰囲気では、H2、COガス等を含んだ雰囲気、不活性雰囲気ではN2、Ar、CO2ガス等を主体とした雰囲気で、容易にかつ安価に入手できるものが好ましい。ただし、還元雰囲気を利用する場合は、高温では酸化皮膜が還元される場合があるため、温度や時間だけでなく、使用するガスの種類や分圧にも留意する必要がある。
【0019】
また、熱拡散前に形成されている酸化皮膜や皮膜内部に取り込まれていた酸素または雰囲気中の水分の相互作用によって形成される酸化皮膜を利用する場合には、熱拡散時に完全な不活性雰囲気とすることもできる。この場合は、N2、Arガスが経済的にも有利である。
【0020】
さらに拡散後に経時変化として形成される酸化皮膜を利用することも可能であるが、全長、全面を均一にかつ所望するとする厚さに形成、制御することは難しい。従って、前述したように、拡散と同時に行うのが望ましい。
【0021】
拡散時の熱処理において、室温から温度100℃までを酸素濃度5体積%以上の雰囲気で、100℃以上の温度域を酸素濃度5%以下の雰囲気で熱処理するとさらに好ましい。100℃以下の温度で形成された酸化皮膜は、緻密で均一に成り易い。ただし、酸素濃度が5体積%未満であると所望の酸化皮膜を得るための時間が長くなりすぎ、経済的ではない。よって、100℃までは酸素濃度5体積%以上が望ましい。100℃以上の温度域は前述したように、酸素濃度が5体積%を超えると急激に酸化皮膜が厚く成長し、均一な厚さでかつ緻密な皮膜を得るのが難しい。従って、100℃以上では酸素濃度は、5体積%以下、さらに好ましくは1体積%以下とする。
【0022】
次に、熱処理条件について示す。所望のCu−Sn拡散層および表面の酸化皮膜を得る熱処理は、100〜700℃の温度で1分〜24時間行うものとする。100℃未満の温度では拡散に要する時間があまりにも長時間となり経済的でなく、700℃を超える温度ではCu−Sn拡散層を形成させる温度プロファイルを得るのが難しい。具体的には、Snの融点が232℃であり、緩い昇温曲線を用いないとSnが溶融し、表面が不均一となるからである。しかしながら、高温で行うと、拡散に必要な時間を短縮することができる経済的に有利であるので、上限を700℃と規定する。
【0023】
また、端子などの電気部品を成形する途中、あるいは成形後に、熱処理し、Cu−Sn拡散層および表面の酸化皮膜を得ることも可能である。この場合、成形前に処理したものよりも金型磨耗の点で有利となり、また成形加工後に熱処理することによって、素材のばね性も向上させることができるという利点もある。次に,本発明の実施の形態を実施例により説明する。
【0024】
【発明の実施の形態】
実施例1
銅合金(Cu−1Ni−0.9Sn−0.05P)の母材(厚さ0.25mm)にSnを被覆(硫酸浴を用いた電気めっきによる)し、Cu−Sn拡散のための熱処理を行った。
【0025】
表1にCu−Sn拡散の熱処理条件(雰囲気、温度、時間)を示した。ただし、Sn被覆厚さを種々に準備した表面をリフローし、かつCu−Sn拡散の熱処理条件を制御して最表面に種々厚さの酸化皮膜を形成させた。ここで、No.9の方法は、Cu−Sn拡散の熱処理を行わなかった従来のSnリフロー処理を行ったものである。また、酸化皮膜厚さの測定はAES、ESCAの分析装置を用いた。
【0026】
【表1】
Figure 0004218042
【0027】
以上のようにして得られた試験材の硬度、接触抵抗、曲げ試験を行った。硬度の試験方法はJIS−Z−2244にしたがって行った。接触抵抗の試験は、低電流低電圧測定装置を用い、4端子法により測定を行った。Au接触子の最大加重は0〜20gfまで変化させ、抵抗値を測定した。曲げ加工性は、90°W曲げ試験(CES−M−0002−6、R=0.2mm、圧延方向および垂直方向)を行ったのちテープによるピーリングを行い、加工性と密着性を調査した。曲げ試験後、試料中央部の山表面に割れ、剥離の発生しなかったものを〇印、シワの深いものを△、割れ、剥離の発生したものを×印として評価した。
【0028】
【表2】
Figure 0004218042
【0029】
【表3】
Figure 0004218042
【0030】
以上の測定結果は、表2に記載した。更に、比較方法No.10として実施例1のNo.1と同じ条件の熱拡散処理を行い、リフロー処理を行わなかった方法を取り上げ、熱処理後の表面粗さについて調査を行った。この測定結果を、表3に記載した。
【0031】
表2の結果から、本発明法のNo.1〜6によって製造した銅または銅基合金は、表面の硬度が著しく改善され、かつ接触抵抗、曲げ加工性及び密着性に優れていることが分る。従って、コネクタ、充電ソケット等の用途に非常に優れた特性を有する合金である。また更に、表3からSnめっき後リフロー処理を施したNo.1の方が、Snめっき後リフロー処理を施さないNo.10に比べ、熱拡散処理後の表面粗さに優れている。従って、Snめっき後のリフロー処理は施す方がより好ましいといえる。
【0032】
これに対して、大気中で加熱し、酸化皮膜が厚くなるNo.7〜8は、接触抵抗の増大や曲げ加工性、密着性の低下が起り、電気部品等の材料としては不適である。
【0033】
実施例2
端子としての評価のため、図1および図2に示す端子に成形し、表1に示すNo.1の熱処理を施した。なお、熱処理は端子加工後に行った。図1はバネ部2を備えたメス端子の一例を示す側面図、図2はタブ部4を備えたオス端子3を示す側面図である。
【0034】
比較例として、端子成形後に何も熱処理を施さない端子(表1の比較例のNo.9の方法に相当)を用いた。そして、本発明の狙いである端子の挿入力および端子の電気特性の評価を行った。この時の端子表面のSn皮膜厚さおよび酸化皮膜の厚さを、表4に示す。
【0035】
【表4】
Figure 0004218042
【0036】
挿入力の測定は、メス端子1に、図2に示すオス端子を毎分10mmの速度で挿入し、ロードセルにより挿入力を測定した。
【0037】
測定結果を表5および図3に示す。表5および図3により、Snめっきリフローに本発明の熱処理を行うと、端子の挿入力が従来品比べて低減され、バラツキも少なくなっていることが分る。更に、挿抜の繰返しによる挿入力の変化が小さく、安定しているため耐磨耗性に優れているといえる。
【0038】
10回挿抜後の低電圧低電流抵抗の測定を、JIS−C−5402に従って行った。その測定結果を表6に示す。表6より、本発明法によって得られた端子と従来品は、初期、耐久後共に低電圧低電流抵抗値が同等であるといえる。
【0039】
以上より、本発明方法によって得られた端子は、抵抗の増加を招くことなく挿入力を大幅に低減させることができ、耐磨耗性に優れた特性をもつ端子といえる。
【0040】
【表5】
Figure 0004218042
【0041】
【表6】
Figure 0004218042
【0042】
実施例3
実施例1に示すNo.1と同じ組成、Sn被覆方法、熱処理を行った後、表面の酸化皮膜を除去した比較方法No.11によって得られた試験材に対し、実施例2と同様に挿入力を測定した。
【0043】
その測定結果を表7に示す。表7により本発明において規定されている酸化皮膜厚さを得ることにより、すべり性が向上し、端子の挿入力が低減されることが分る。
【0044】
【表7】
Figure 0004218042
【0045】
【発明の効果】
以上の実施例から明らかなように、本発明法によって得られたSnを被覆した銅または銅基合金は、表面硬さ、接触抵抗、曲げ加工性、密着性及び挿入力に優れており、近年の自動車電装品等の高密度化に対応できるコネクタ材ならびに耐磨耗性や耐食性が要求される電気部品用材料として優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係るバネ部を備えたメス端子の1例を示す側面図である。
【図2】 本発明に係るタブ部を備えたオス端子の1例を示す側面図である。
【図3】 本発明に係る端子挿入力特性(挿入回数と挿入力との関係)を示す図である。
【符号の説明】
1−メス端子
2−バネ部
3−オス端子
4−タブ部

Claims (9)

  1. 銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法。
  2. 銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法。
  3. 銅または銅基合金にSnを被覆した後、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5%体積以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法。
  4. 銅または銅基合金にSnを被覆した後、酸素濃度が5%体積以下の雰囲気中で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成させることを特徴とする銅または銅基合金の製造方法。
  5. 前記Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理温度が100〜700℃、時間が1分〜24時間であることを特徴とする請求項4記載の銅または銅基合金の製造方法。
  6. 前記Snの被覆方法が電気めっきである請求項1〜5のいずれかに記載の銅または銅基合金の製造方法。
  7. 前記Snの被覆方法が電気めっき後にリフローすることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の銅または銅基合金の製造方法。
  8. 銅または銅合金にSnを被覆した後に、電気部品としての端子を成形する途中若しくは成形後に酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側に厚さが0.1〜10μmのCu−Sn系金属間化合物層を形成することを特徴とする端子の製造方法。
  9. 銅または銅合金にSnを被覆した後に、電気部品としての端子を成形する途中若しくは成形後に、Cu−Sn系金属間化合物層を形成させる熱処理において、100℃までの温度域を酸素濃度が5体積%以上の雰囲気中で熱処理し、100℃以上の温度域を酸素濃度が5体積%以下の雰囲気中で熱処理温度100〜700℃、時間が1分〜24時間で熱処理することによって、最表面に厚さが10〜1000nmの酸化皮膜とその内側にCu−Sn系金属間化合物層を形成することを特徴とする端子の製造方法。
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