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JP4183789B2 - 物理現象および／または化学現象の検出装置 - Google Patents

物理現象および／または化学現象の検出装置 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、物理現象および／または化学現象の検出装置に関し、特に、物理現象および／または化学現象を少なくともほぼ同時に検出することができるようにした物理現象および／または化学現象の検出装置に関する。
【０００２】
前記物理現象または化学現象とは、温度、広義の光（可視光、紫外光、赤外光、Ｘ線、電磁波など）、濃度、磁気、圧力、加速度、速度、音波、超音波、酸化還元電位、反応速度など様々な現象を指す。
【０００３】
【従来の技術】
上記物理現象または化学現象は、従来、温度センサ、光センサ、物理センサ、化学センサと呼ばれる素子を用いて、種々の電気信号（電流、電圧、抵抗、容量、電位）に変換され、個別に観測されていた。
【０００４】
例えば、代表的な温度センサである焦電型センサの場合、温度が変化すると、焦電体に電荷が生成され、その電位変化をＦＥＴ（電界効果トランジスタ）などにより増幅して読み取るようにしている。また、代表的な光センサであるフォトダイオードは、光により発生する電荷を電流の形で取り出している。そして、代表的な物理センサであるピエゾ抵抗効果を用いた圧力センサは、圧力による抵抗変化を読み取るようにしている。さらに、代表的な化学センサであるＩＳＦＥＴ（イオン感応性電界効果トランジスタ）を用いたｐＨの測定は、その応答膜に水素イオンが吸着されることによってチャネルコンダクタンスが変化し、ＦＥＴを流れる電流を測定することにより、溶液のｐＨ値を測定している。
【０００５】
さらに、前記各種のセンサを二次元方向に並列的に並べ、その出力分布を同時に取得し、画像化することが試みられている。この代表的なものとして、固体撮像素子が挙げられる。この素子は、フォトダイオードを二次元的に複数個並べ、入射光の強度分布に依存したフォトダイオード内で発生する電荷を一定時間その内部の容量に蓄積し、電荷転送デバイスまたはＭＯＳトランジスタアレイを用いて一定時間間隔で時系列的に信号を外部に出力するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記いずれのセンサや素子においても、同じ時刻の同じ場所における複数の物理現象および／または化学現象の信号または分布を観測することはできなかった。
【０００７】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、同一またはほぼ同一の時刻で、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および／または化学現象を把握することができる物理現象および／または化学現象の検出装置（以下、単に現象検出装置という）を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の請求項１に係る現象検出装置は、半導体基板の一方の面に、３つの拡散領域が間隔をおいて形成され、そのうち一端部側及び中間部の拡散領域間には、障壁部、物理現象および化学現象を検出する現象検出部と読み出し電極が形成されているとともに、他端部側及び中間部の拡散領域間には、中間部の拡散領域の電位を予め一定の電位に固定するためのリセットゲートが形成されており、かつ、前記読み出し電極に電圧を印加して前記現象検出部で検出され蓄積された電荷を一端部側の拡散領域から中間部の拡散領域に流し込むことで変化する中間部の拡散領域の電位変化を読み取ることにより、同一またはほぼ同一の時刻で、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および化学現象の電気的信号のいずれか一方もしくは両信号を同じ出力端子から取り出す回路が設けられていることを特徴としている。
また、この発明の請求項３に係る現象検出装置は、半導体基板の一方の面に、３つの拡散領域が間隔をおいて形成され、そのうち一端部側及び中間部の拡散領域間には、化学現象を検出する化学現象検出部が形成されているとともに、他端部側の拡散領域が物理現象を検出する物理現象検出部に形成され、この他端部側の拡散領域及び中間部の拡散領域の間には、読み出し電極が形成され、また、前記一端部側の拡散領域と接地電位との間には開閉スイッチが介装されており、かつ、前記開閉スイッチをオフにし読み出し電極に電圧を印加して前記物理現象検出部で検出され蓄積された電荷の流れに伴う電気的信号を読み取る一方、前記読み出し電極に電圧を印加しないときに前記開閉スイッチをオンにして前記化学現象検出部で検出された化学現象の電気的信号を読み出すことにより、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および化学現象の電気的信号のいずれか一方もしくは両信号を別の出力端子から交互に取り出す回路が設けられていることを特徴としている。
【０００９】
上記構成の現象検出装置によれば、同一またはほぼ同一の時刻で、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および化学現象の電気的出力信号（電流、電圧、電荷など）のいずれか一方もしくは両信号を取り出すことができ、これまで未知であった物理現象および化学現象の相互作用を知ることができる。そして、物理現象および化学現象を同一の装置で検出することにより、これまでに開発された個別の検出素子では、分からなかった現象を見つけることも可能になる。
【００１０】
しかも、物理現象および／または化学現象検出部の出力は、電荷の流れに伴う電気的出力信号であるから、その出力をある一定時間蓄積して、それぞれの現象検出部の出力を時系列で取り出すことができる。そうすることにより、その出力をテレビ画面やコンピュータに取り込むことが容易になり、特に、前記現象検出部を二次元的に縦横に複数個配置することにより、高感度、高詳細に物理現象および／または化学現象の二次元分布の観察も可能になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。まず、図１および図２は、第１の実施の形態を示す。この実施の形態における現象検出装置は、同じ部位における光強度（物理現象）とイオン濃度（化学現象）を同時に検出することができるようにしたものである。
【００１２】
図１において、１は現象検出装置本体で、次のように構成されている。すなわち、２は半導体基板で、例えばｐ型のシリコン基板である。このシリコン基板２の一方の表面（図示例では上面）側には３つのｎ型の拡散領域３，４，５が適宜の間隔をおいて形成されている。拡散領域３，４間には薄い酸化膜を介して障壁部６、物理現象および／または化学現象を検出する現象検出部としての感応部７および読み出し電極８が形成されている。また、拡散領域４，５間には薄い酸化膜を介してリセットゲート９が形成されている。
【００１３】
前記感応部７は、水素イオンを感ずることができるように、シリコン窒化膜で被覆されている。そして、この感応部７は、光強度も検出できるように構成されており、ｐＨ感応部（化学現象の検出部）兼光感応部（物理現象の検出部）とも称すべき部分である。
【００１４】
また、前記拡散領域３は、インプットダイードとして機能し、正のインプット電圧Ｖinput （図２（Ａ）参照）が常に印加され正電位にバイアスされている。そして、拡散領域４は電気的に浮いた領域で、感応部７で得られるイオン信号電荷または光信号電荷を、読み出し電極８の電位Ｖread （図２（Ｂ）参照）を上げることによって導くように構成されている。
【００１５】
前記拡散領域４の最初の電位は、拡散領域５に対する印加電圧およびリセットゲート９に対する印加電圧Ｖrest （図２（Ｃ）参照）により決定される。そして、この拡散領域４の電荷は、ＭＯＳトランジスタのソースフォロア回路１０を用いてその出力端子１１から取り出すことができる。このＭＯＳトランジスタのソースフォロア回路１０は、ｎ型拡散領域で適宜の電圧（例えば５Ｖ程度）が印加されるドレイン領域１２、ソース領域１３、拡散領域４と電気的に接続されたゲート電極１４および抵抗１５で構成される。
【００１６】
なお、図１において、１６は参照電極で、適宜の電源に接続されている。そして、１７〜２２は電圧印加用端子である。
【００１７】
次に、上記構成の現象検出装置の動作について、タイミングチャートである図２をも参照しながら説明する。現象検出装置本体１を溶液（図示してない）中に設置する。そして、この溶液中に、その電位を決定するために参照電極１６を浸漬する。シリコン基板２は接地される。この状態においては、シリコン基板２の感応部７の下方には、参照電極１６に印加される電圧と溶液中のｐＨ濃度に依存した空乏層２３が広がっている。
【００１８】
まず、光強度の検出について説明すると、今、光がシリコン基板２の上面に対して入射しているものとする。前記空乏層２３に対して光が入ってくると、電子・正孔対が生成され、正孔はシリコン基板２から外部に排出され、電子は空乏層２３内に蓄えられる。拡散領域４は、空乏層２３に蓄えられた電子が流れ込む以前にリセットゲート９に正の電圧を印加してある初期電位に固定しておく。そして、読み出し電極８に正の電圧を矩形波状に印加することにより、前記電子は予め一定の電位に固定されている拡散領域４に流れ込み、この拡散領域４の電位を変える。この電位変化をソースフォロア回路１０で読み取ることにより、光の強度を検出することができる。
【００１９】
次に、溶液のｐＨの検出について説明すると、参照電極１６の電位は固定されているので、感応部７の下方の空乏層２３の電位は、溶液のｐＨ濃度によって変化する。そして、インプットダイオード３は、常に正電圧にバイアスされているが、この電位を障壁部６の電位よりも低くすると、電子は障壁部６を乗り越えて感応部７の下方の空乏層２３に入ってくる。そして、インプットダイオード３の電位を再び障壁部６の電位より高くする（初期状態の電位に戻す）と、感応部７の下方には溶液のｐＨ濃度に依存した電荷が残る。次に、読み出し電極８に、図２（Ｂ）に示すように、正の電圧を矩形波状に印加することにより、前記電子は、リセットされ予め高い電位に固定されている拡散領域４に流れ込み、この拡散領域４の電位を変える。この電位変化をソースフォロア回路１０で読み取ることにより、溶液のｐＨを検出することができる。
【００２０】
上述のように、上記構成の第１の実施の形態における現象検出装置によれば、ほぼ同時刻の同じ場所における光強度とｐＨ濃度を知ることができる。そして、この現象検出装置は、図２（Ｄ）に示すように、光強度に関する電圧信号Ｓ1 およびｐＨに関する電圧信号Ｓ2 を同じ出力端子１１から得ることができる。
【００２１】
図３は、上記第１の実施の形態の現象検出装置の応用例を示すもので、この図に示すものにおいては、感応部７を二次元的に縦横に複数個並べており、読み出し電極８に流れる電荷をＣＣＤ（電荷結合素子）などで転送し、ソースフォロア回路１０で出力端子１１から読み出すことにより、二次元の情報を時系列で取り出せるように構成されている。この図３において、２３は水平ＣＣＤ、２４は垂直ＣＣＤである。
【００２２】
なお、図示は省略するが、感応部７を一次元的に複数個並べるようにしてもよいことは言うまでもない。
【００２３】
次に、図４および図５は、第２の実施の形態を示す。この実施の形態における現象検出装置は、同じ部位における光強度（物理現象）とイオン濃度（化学現象）を同時に検出することができるようにしたものである。
【００２４】
この第２の実施の形態における現象検出装置においては、シリコン基板２に代えて、半導体基板としてＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いるとともに、光強度に関する電圧信号とｐＨに関する電圧信号を別の出力端子から得るようにしている。
【００２５】
すなわち、図４において、２５はＳＯＩ基板で、シリコン基板２６の上面に絶縁物としてのＳｉＯ2 層２７およびｎ型の単結晶のシリコン基板２８を形成してなるものである。そして、このＳＯＩ基板２５は、ｎ型のシリコン基板２８の上半分にｐ型領域２８Ｐ形成し、このｐ型領域２８Ｐに、前記第１の実施の形態と同様構成の感応部７を始めとする各部を形成している。２８Ｎはｎ型のシリコン基板２８の下半分のｎ型領域である。
【００２６】
そして、図４において、２９はソースフォロア回路１０の一構成部材である信号出力端子で、この端子２９にはｐＨに関する電圧信号が出力される。また、３０はｐ型領域２８Ｐに接続された信号出力端子で、この端子３０には光強度に関する電圧信号が出力される。３１はｐ型領域２８Ｐおよびｎ型領域に図４に示すようにバイアス電圧を印加するバイアス電源で、その負極側はソースフォロア回路１０の抵抗１５の接地側と接続されており、正極側は信号出力端子３０に接続されている。
【００２７】
次に、上記構成の第２の実施の形態における現象検出装置の動作について、タイミングチャートである図５をも参照しながら説明する。現象検出装置本体１および参照電極１６を、図示してない溶液中に浸漬した状態で設置する。
【００２８】
まず、光強度の検出について説明すると、感応部７の下方の空乏層２３に対して光が入ってくると、電子・正孔対が生成され、正孔はシリコン基板２から外部に排出され、電子は空乏層２３内に蓄えられる。一定の時間、信号の蓄積を行った後に、バイアス電源３１による基板２８へのバイアス電圧Ｖsub （図５（Ｄ）参照）を大きくすることにより、前記空乏層２３内の電荷をｎ型領域２８Ｎに流すことができ、出力端子３０から光強度に関する電圧信号（図５（Ｆ）参照）を得ることができる。これは、基板２８に対する電圧Ｖsub を大きくすることによって、感応部７と領域２８Ｐとの間にある障壁電位が低くなり、電位勾配ができるためである。
【００２９】
そして、溶液のｐＨの検出については、上記第１の実施の形態と変わるところはなく、図５（Ｅ）に示すような出力信号が出力端子２９から出力される。なお、同図（Ａ）はインプットダイード３に対するインプット電圧Ｖinput を、同図（Ｂ）は読み出し電極に印加される電圧Ｖread を、同図（Ｃ）はリセットゲート９に印加されるリセット電圧Ｖrest を、それぞれ示している。
【００３０】
上記第２の実施の形態における現象検出装置においても、第１の実施の形態と同様に、感応部７を複数個一次元的または二次元的に設けるようにしてもよい。
【００３１】
上述の各実施の形態においては、一つの感応部７がｐＨおよび光の双方を検出するように構成されていたが、ｐＨと光とを別々の感応部で検出するようにしてもよく、これを第３の実施の形態として説明する。
【００３２】
図６および図７は、第３の実施の形態を示すもので、まず、図６において、３，４，３３はｐ型シリコン基板２に適宜の間隔をおいて形成されるｎ型拡散領域である。ここで、拡散領域３３はフォトダイオード構造で、その上面が可視光感応部となる。そして、拡散領域４，３３および読み出し電極３１によって光強度検出部３４が形成される。また、拡散領域３，４の間の部分３５はｐＨに感応するｐＨ感応部に形成されている。この感応部３５の構成は、上記第１実施の形態における感応部７と同様である。そして、このｐＨ感応部３５および拡散領域３，４によってｐＨ検出部３６が形成される。
【００３３】
なお、図６において、３７は拡散領域３と接地電位との間に介装される常開スイッチ、３８は抵抗１５に接続される電源、３９は信号出力端子である。
【００３４】
上記構成の第３の実施の形態における現象検出装置の動作について、タイミングチャートである図７をも参照しながら説明する。現象検出装置本体１および参照電極１６を、図示してない溶液中に浸漬した状態で設置する。
【００３５】
まず、光強度を検出するには、読み出し電極３１にしきい値電圧以上の大きな正の電圧ＶG （図７（Ｂ）参照）を端子２１を介して印加すると、可視光感応部３３には端子３８に印加される電圧ＶD にほぼ等しい逆バイアス電圧が印加され、読み出し電極３１の電圧を接地電位に戻しても、可視光感応部３３には電圧ＶD にほぼ等しい逆バイアス電圧が印加されたままとなり、電気的に浮いた状態になる。
【００３６】
前記状態において可視光感応部３３に光が入射すると、可視光感応部３３に広がっている空乏層の中で電子・正孔対が生成し、可視光感応部３３に存在するｐｎ接合により形成されている容量に電荷が蓄積され、可視光感応部３３に印加されていた逆バイアス電圧が小さくなる。ある一定時間それらの電荷を蓄積した後、読み出し電極３１に電圧ＶG を再び印加すると、前記蓄積されていた電荷は抵抗１５を介して流れ、出力端子３９には光信号に見合った電圧降下が現れる（図７（Ｃ）における符号Ｓ1 ）。このとき、可視光感応部３３の電圧は、電流が流れることで再び電圧ＶD にほぼ等しい初期状態にリセットされる。このようにして、光強度が電圧値として求められる。
【００３７】
次に、溶液のｐＨの検出について説明すると、このｐＨ検出は、前記光信号を蓄積している間に行うことができる。すなわち、読み出し電極３１に電圧ＶG が印加されていないときに、スイッチ３７をオンすることにより、ｐＨ信号を読み出すことができる（図７（Ｃ）における符号Ｓ2 ）。すなわち、ｐＨ感応部３５の下方のシリコンと酸化膜との界面に生ずるチャネルのコンダクタンスは、溶液中のｐＨ濃度に依存するので、前記界面を流れる電流値はｐＨ濃度を反映している。したがって、出力端子３９で観測される電圧は溶液のｐＨ濃度に依存したものとなっている。
【００３８】
上記第３の実施の形態における現象検出装置においては、光強度とｐＨ濃度の信号は、図７（Ｃ）に示すように出力端子３９に交互に現れ、これらを交互に観察することができる。また、スイッチ３７の開閉動作および読み出し電極９への電圧印加動作のいずれか一方をやめることで、光強度またはｐＨ濃度のいずれか一方のみを行うようにすることができる。
【００３９】
図８は、上記第３の実施の形態の現象検出装置の応用例を示すもので、この図に示すものにおいては、光強度検出部３４とｐＨ検出部３６とを二次元的に縦横に複数個並べ、これらをシフトレジスタ４０，４１によって順次駆動することにより、ほぼ同一領域におけるほぼ同時刻の光学像とｐＨ濃度分布像とを観察できるようにしている。
【００４０】
なお、上記において、図示は省略するが、光強度検出部３４とｐＨ検出部３６とを一次元的に複数個並べるようにしてもよいことは言うまでもない。
【００４１】
上述の各実施の形態においては、化学現象としてｐＨ濃度を例示しているが、これ以外の他のイオン濃度を検出するようにしてもよい。
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【発明の効果】
この発明の現象検出装置によれば、同一またはほぼ同一の時刻で、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および／または化学現象の電気的出力信号を得ることができ、これまで未知であった物理現象および化学現象の相互作用を知ることができる。そして、物理現象および化学現象を同一の装置で検出することにより、これまでに開発された単独の検出素子では、分からなかった現象を見つけることも可能になる。
【００５４】
そして、上記現象検出装置を、集積回路技術を用いることにより高密度に集積し、時間的蓄積を行うことにより、高解像度かつ高感度の装置を得ることができ、高感度、高詳細に物理現象および／または化学現象の二次元分布の観察をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態に係る現象検出装置の一例を示す図である。
【図２】 上記装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】 前記装置の応用例を示す図である。
【図４】 第２の実施の形態に係る現象検出装置の一例を示す図である。
【図５】 上記装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】 第３の実施の形態に係る現象検出装置の一例を示す図である。
【図７】 上記装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】 前記装置の応用例を示す図である。
【符号の説明】
２，２５，４２…半導体基板、３，４，５，３３…ｎ型拡散領域、６…障壁部、７，３４，３６，４９，５３，５９…現象検出部、８，３１…読み出し電極、９…リセットゲート。

Claims (4)

  1. 半導体基板の一方の面に、３つの拡散領域が間隔をおいて形成され、そのうち一端部側及び中間部の拡散領域間には、障壁部、物理現象および化学現象を検出する現象検出部と読み出し電極が形成されているとともに、他端部側及び中間部の拡散領域間には、中間部の拡散領域の電位を予め一定の電位に固定するためのリセットゲートが形成されており、かつ、前記読み出し電極に電圧を印加して前記現象検出部で検出され蓄積された電荷を一端部側の拡散領域から中間部の拡散領域に流し込むことで変化する中間部の拡散領域の電位変化を読み取ることにより、同一またはほぼ同一の時刻で、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および化学現象の電気的信号のいずれか一方もしくは両信号を同じ出力端子から取り出す回路が設けられていることを特徴とする物理現象および／または化学現象の検出装置。
  2. 前記物理現象および化学現象を検出する現象検出部が、二次元的に縦横に複数個配置され、それらに共通する読み出し電極に流れる電荷をＣＣＤで転送して前記回路で取り出せるように構成されている請求項１に記載の物理現象および／または化学現象の検出装置。
  3. 半導体基板の一方の面に、３つの拡散領域が間隔をおいて形成され、そのうち一端部側及び中間部の拡散領域間には、化学現象を検出する化学現象検出部が形成されているとともに、他端部側の拡散領域が物理現象を検出する物理現象検出部に形成され、この他端部側の拡散領域及び中間部の拡散領域の間には、読み出し電極が形成され、また、前記一端部側の拡散領域と接地電位との間には開閉スイッチが介装されており、かつ、前記開閉スイッチをオフにし読み出し電極に電圧を印加して前記物理現象検出部で検出され蓄積された電荷の流れに伴う電気的信号を読み取る一方、前記読み出し電極に電圧を印加しないときに前記開閉スイッチをオンにして前記化学現象検出部で検出された化学現象の電気的信号を読み出すことにより、同一またはほぼ同一の場所において生じている物理現象および化学現象の電気的信号のいずれか一方もしくは両信号を別の出力端子から交互に取り出す回路が設けられていることを特徴とする物理現象および／または化学現象の検出装置。
  4. 前記物理現象検出部および化学現象検出部が、二次元的に縦横に複数個配置され、それらに対してシフトレジスタを順次駆動させることにより、物理現象及び化学現象の電気的信号のいずれか一方もしくは両信号を交互に取り出せるように構成されている請求項３に記載の物理現象および／または化学現象の検出装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013008908A1 (ja) 2011-07-14 2013-01-17 国立大学法人豊橋技術科学大学 化学・物理現象検出方法及びその装置
US9482641B2 (en) 2011-08-12 2016-11-01 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Device and method for detecting chemical and physical phenomena

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244454A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Horiba Ltd 分子認識型化学ｃｃｄデバイス
US20030207441A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-06 Eyster Curt R. Devices and methods for analyte concentration determination
US6847451B2 (en) * 2002-05-01 2005-01-25 Lifescan, Inc. Apparatuses and methods for analyte concentration determination
DE10221799A1 (de) * 2002-05-15 2003-11-27 Fujitsu Ltd Silicon-on-Insulator-Biosensor
JP4065855B2 (ja) * 2004-01-21 2008-03-26 株式会社日立製作所 生体および化学試料検査装置
JP4678676B2 (ja) * 2004-12-10 2011-04-27 株式会社堀場製作所 物理現象または化学現象の測定方法または測定装置
KR101269508B1 (ko) * 2005-03-11 2013-05-30 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸 누적형 화학·물리현상 검출장치
JP4641444B2 (ja) * 2005-03-31 2011-03-02 株式会社堀場製作所 物理現象または化学現象に係るポテンシャル測定装置
JP5335415B2 (ja) * 2006-03-20 2013-11-06 国立大学法人豊橋技術科学大学 累積型化学・物理現象検出方法及びその装置
FR2906237B1 (fr) * 2006-09-22 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Composants fluidiques double-face
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
ES2923759T3 (es) 2006-12-14 2022-09-30 Life Technologies Corp Aparato para medir analitos utilizando matrices de FET
US8132465B1 (en) * 2007-08-01 2012-03-13 Silicon Microstructures, Inc. Sensor element placement for package stress compensation
WO2009045090A2 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Mimos Berhad Integrated thermally compensated ph egfet-flow rate sensor
KR101491532B1 (ko) * 2007-12-20 2015-02-09 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 도요하시 기쥬쯔 가가꾸 다이가꾸 복합검출장치
JP5077799B2 (ja) * 2008-03-25 2012-11-21 国立大学法人豊橋技術科学大学 化学・物理現象検出装置及びその制御方法
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
CN103954656A (zh) * 2009-11-25 2014-07-30 出光兴产株式会社 润滑油的劣化度测定装置、以及机械、装置的润滑油监视系统
CN106449632B (zh) 2010-06-30 2019-09-20 生命科技公司 阵列列积分器
US8858782B2 (en) 2010-06-30 2014-10-14 Life Technologies Corporation Ion-sensing charge-accumulation circuits and methods
TWI569025B (zh) 2010-06-30 2017-02-01 生命技術公司 用於測試離子感測場效電晶體（ｉｓｆｅｔ）陣列之裝置及方法
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
CN103168341B (zh) 2010-07-03 2016-10-05 生命科技公司 具有轻度掺杂的排出装置的化学敏感的传感器
EP2617061B1 (en) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
JP5773357B2 (ja) * 2011-07-01 2015-09-02 国立大学法人豊橋技術科学大学 化学・物理現象検出装置及び検出方法
US9448198B2 (en) * 2011-07-05 2016-09-20 Stmicroelectronics Pte Ltd. Microsensor with integrated temperature control
US9518953B2 (en) * 2011-09-07 2016-12-13 Technion Research And Development Foundation Ltd. Ion sensitive detector
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
WO2014149779A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
WO2014149780A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with consistent sensor surface areas
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
KR101610629B1 (ko) * 2014-02-18 2016-04-21 연세대학교 산학협력단 수소 센서
JP6329639B2 (ja) 2014-03-14 2018-05-23 ローズマウント インコーポレイテッド 腐蝕レート計測システム
US10830689B2 (en) 2014-09-30 2020-11-10 Rosemount Inc. Corrosion rate measurement using sacrificial probe
JP6228098B2 (ja) * 2014-10-20 2017-11-08 シャープ株式会社 化学・物理現象検出装置及びその製造方法
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
CN107250784B (zh) 2014-12-18 2020-10-23 生命科技公司 具有发送器配置的高数据率集成电路
US10309922B2 (en) * 2015-03-19 2019-06-04 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Device for detecting chemical/physical phenomenon
US10190968B2 (en) 2015-06-26 2019-01-29 Rosemount Inc. Corrosion rate measurement with multivariable sensor
JP6307058B2 (ja) * 2015-12-03 2018-04-04 シャープ株式会社 イオン濃度センサ、およびイオン濃度測定方法
CN107172551B (zh) * 2017-06-30 2019-06-04 歌尔股份有限公司 发声系统
JP7173731B2 (ja) * 2017-12-15 2022-11-16 株式会社 堀場アドバンスドテクノ 電磁気センサ
CN110940830B (zh) * 2019-12-12 2021-12-07 中北大学 一种基于二维光栅和四象限探测器的两轴加速度计结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500188A (en) 1984-03-01 1996-03-19 Molecular Devices Corporation Device for photoresponsive detection and discrimination
US4608865A (en) * 1984-12-05 1986-09-02 The Regents Of The University Of California Integrated pyroelectric sensor and method
US4668374A (en) * 1986-07-07 1987-05-26 General Motors Corporation Gas sensor and method of fabricating same
JP2521783B2 (ja) * 1987-09-28 1996-08-07 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP0315790B1 (en) * 1987-10-13 1992-04-15 Taiyo Yuden Co., Ltd. Chemical sensors and their divided parts
JP2610294B2 (ja) * 1988-03-31 1997-05-14 株式会社東芝 化学センサ
US5209119A (en) * 1990-12-12 1993-05-11 Regents Of The University Of Minnesota Microdevice for sensing a force
US5536963A (en) * 1994-05-11 1996-07-16 Regents Of The University Of Minnesota Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force
DE4418207C1 (de) * 1994-05-25 1995-06-22 Siemens Ag Thermischer Sensor/Aktuator in Halbleitermaterial
US5731754A (en) * 1994-06-03 1998-03-24 Computer Methods Corporation Transponder and sensor apparatus for sensing and transmitting vehicle tire parameter data
JP3079983B2 (ja) * 1995-12-26 2000-08-21 株式会社日立製作所 半導体型燃焼圧センサ
US5798556A (en) * 1996-03-25 1998-08-25 Motorola, Inc. Sensor and method of fabrication
DE19621996C2 (de) * 1996-05-31 1998-04-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Kombination eines Drucksensors und eines elektrochemischen Sensors
DE19626083C2 (de) * 1996-06-28 2000-03-23 Siemens Ag Sensor-Bauelement

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013008908A1 (ja) 2011-07-14 2013-01-17 国立大学法人豊橋技術科学大学 化学・物理現象検出方法及びその装置
JPWO2013008908A1 (ja) * 2011-07-14 2015-02-23 国立大学法人豊橋技術科学大学 化学・物理現象検出方法及びその装置
US9766202B2 (en) 2011-07-14 2017-09-19 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Method for detecting chemical and physical phenomenon, and device therefor
US9482641B2 (en) 2011-08-12 2016-11-01 National University Corporation Toyohashi University Of Technology Device and method for detecting chemical and physical phenomena

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