JP4071122B2 - 熱型赤外線固体撮像素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、入射赤外線による温度変化を２次元配列された半導体センサで検出する熱型赤外線固体撮像素子に関し、特に、半導体センサからの電気信号を信号処理回路にて積分処理した後に出力する熱型赤外線固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な熱型赤外線固体撮像素子では、断熱構造を有する画素を２次元に配列し、入射した赤外線によって画素の温度が変化することを利用して赤外線像を撮像する。非冷却型の熱型赤外線固体撮像素子の場合、画素を構成する温度センサには、ポリシリコン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素や酸化バナジウム等のボロメータの他、ダイオードやトランジスタ等の半導体素子を用いたものが知られている。ダイオード等の半導体素子は、電気特性や温度依存性のバラツキが固体間で非常に小さいため、各画素の特性を均一にする上で有利である。
【０００３】
ダイオードを画素に用いた熱型赤外線固体撮像素子では、画素は２次元に配列されており、行ごとに駆動線によって接続され、列ごとに信号線によって接続されている。垂直走査回路とスイッチにより各駆動線が順番に選択され、選択された駆動線を介して電源から画素に通電される。画素の出力は信号線を介して積分回路に伝えられ、積分回路で積分及び増幅され、水平走査回路とスイッチによって順次出力端子へ出力される（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
石川等、「従来のシリコンＩＣプロセスを用いた低コスト３２０×２４０非冷却ＩＲＦＰＡ」、Part of the SPIE Conference on infrared Technology and Applications XXV、１９９９年４月発行、Vol.3698、p.556頁から564頁
【０００５】
【解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の熱型赤外線固体撮像素子では以下のような問題があった。
まず、画素のレスポンスには赤外光のレスポンス以外に素子温度変化によるレスポンスも含まれるため、素子温度制御を精密に行わないと、画像信号が素子温度変化とともにドリフトする現象が現れ、安定した画像取得ができない問題がある。即ち、画素を完全に断熱して赤外線による温度変化だけを検出することが理想であるが、実際には、基板の温度変化に伴って画素温度もある程度変化してしまう。このため、検出動作を行っているときに、赤外線撮像装置の環境温度が変化すると、その影響によって画素から読み取られる電圧も変化する。この環境温度の変化による出力信号の変動は、入射赤外線による変化と区別がつかないため、赤外線の測定精度が低下し、安定した画像取得ができない、という問題が生じる。
【０００６】
また、素子の最終的な出力信号が画素を駆動する電源の電圧変動の影響を直接受けるため、出力信号が不安定となり易い。例えば、画素を定電流駆動させて画素の両端電圧の変化を信号として積分回路に読み出す場合、画素を駆動している電源自身の電圧が変動すると読み出される電圧も同じだけ変動するため、最終的に出力される信号の大きさも変動してしまう。
【０００７】
一方、これらの温度ドリフトや電源ドリフトを防止するために、電源の回路構成の変更、画素構造の改良、信号読出し回路への補正回路の追加等、種々の手段をとることが考えられる。しかし、回路構成や画素構造が複雑になると、熱型赤外線固体撮像素子の小型化、高集積化が困難となり、製造コストも増加する。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、簡易な回路構成を有しながら、電源電圧変動や素子温度変動による出力変動が少なく、安定した画像取得が可能な熱型赤外線固体撮像素子提供することも目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
１個のダイオード又は複数の直列接続されたダイオードを有すると共に断熱構造と赤外線吸収構造を備えた画素が、２次元状に配列されて成る画素エリアと、前記画素の陽極を行毎に共通接続した複数の駆動線と、前記画素の陰極を列毎に共通接続すると共に、列毎の終端に第１の定電流化手段を備えた複数の信号線と、前記駆動線を順次選択し、選択した駆動線に画素用電源を接続する垂直走査回路と、前記第１定電流化手段を備えた前記信号線の終端がゲートに接続されたＭＯＳトランジスタと前記ＭＯＳトランジスタのドレインに接続されて周期的にリセットされる容量とから形成されるゲート変調積分回路と、前記ゲート変調積分回路の出力に接続されたサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路の出力を順次選択して外部に出力する水平駆動回路と、を備えた熱型赤外線固体撮像素子であって、
前記ゲート変調積分回路内にある前記ＭＯＳトランジスタは、バイアス線によってソースが列間で共通接続されており、前記バイアス線に、素子全体の温度に応じて変化する参照信号を出力可能な参照信号出力回路が接続され、
前記参照信号出力回路と前記バイアス線の間に低域通過フィルタを備えたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る熱型赤外線固体撮像素子の回路構成を示す回路図である。複数個が直列接続されたダイオードを有し、赤外線吸収構造と断熱構造を備えた画素１が、２次元状に配列されて画素エリアを構成している。画素１の各行ごとに駆動線３が共通して接続されている。また、画素１の各列ごとに信号線１２が共通して接続され、各信号線１２の終端には定電流源２（＝第１の定電流化手段）が接続されている。垂直走査回路４とスイッチ５によって、各行の駆動線３に順次電圧が印加され、画素１が各行毎に順次駆動される。そして、１行分の画素１が駆動されている間に、水平駆動回路８とスイッチ９によって各列の画素が順次選択され、画素１の出力が各列毎に設けられた積分回路７を介して出力端子１０に順次読み出される。
【００１１】
画素１への通電は選択された駆動線３を介して電源６によって行われる。画素１の陰極側に接続された信号線１２の終端には定電流源２が備えられているため、画素１は定電流駆動となる。定電流電源２の両端電圧は、電源６の電圧から画素１の両端の電圧と配線中での電圧降下を引いた値となる。従って、定電流源２の両端電圧を、積分回路７で積分、増幅して出力として読み出すことにより、画素１の両端電圧の変化、即ち、画素１に入射した赤外線量の変化を検出することができる。
【００１２】
図２に、積分回路７の回路構成を示す。ＭＯＳトランジスタ１３は、積分トランジスタでゲートが入力端子になる。積分容量１４は、トランジスタ１５に接続されており、周期的にトランジスタ１５によりリセットされる。バイアス線１１からは積分トランジスタ１３の動作点をきめるバイアス電圧が与えられる。積分トランジスタ１３には、ゲートに入力された定電流源２の両端電圧に応じた電流が流れ、その電流により、トランジスタ１５によって決められた積分時間の間、積分容量１４が充電される。即ち、ＭＯＳトランジスタ１３と積分容量１４とで、ゲート変調積分回路が構成されている。この積分回路の出力は、サンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路１６でサンプリングされ、バッファアンプ１７を介して出力される。
【００１３】
しかし、図２に示す積分回路７によって、定電流源２の両端電圧を単純に積分、増幅すると、素子温度変化や電源電圧の変動とともに画像信号がドリフトする現象が現れ、安定した画像取得ができなくなる。何故なら、画素１の両端電圧の変化には、入射した赤外線量の変化による変化分の他に、素子全体の温度変化による変化分と電源６の電圧変動による変化分が含まれており、これらのドリフト成分も同時に積分、増幅されるからである。
【００１４】
そこで、本実施の形態では、ゲート変調積分回路７を構成する積分トランジスタ１３のソースをバイアス線１１によって共通接続すると共に、バイアス線１１に、バイアス電源回路２１を介して参照信号出力回路１８を接続している。
【００１５】
参照信号出力回路１８は、参照画素１９とその陰極側に直列接続された定電流源２０（＝第２の定電流化手段）から成り、素子全体の温度に応じて変化する参照信号を出力することができるよう構成されている。参照画素１９は、断熱構造と赤外線吸収構造の少なくとも一方を有しないことを除いて画素１と実質的に同一の構造を有し、素子温度の変化のみを検出できるようになっている。また、定電流源２０は、定電流源２と実質的に等しい電流が流れるように構成されている。この参照信号出力回路によって、素子全体の温度変動によるドリフト分を校正するための基準信号を出力することができる。即ち、素子全体の温度変動によって画素と定電流源２の接続点に現れる電圧変動は、参照画素１９と定電流源２０の接続点における電圧変動と略同一となる。
【００１６】
また、バイアス電源回路２１は、レベルシフト回路、低域通過フィルタ、バッファアンプを備えており、参照画素１９の雑音成分を参照信号出力回路１８の出力から除去すると共に、積分トランジスタ１３に適切なバイアス電圧となるように参照信号出力回路１８の出力電圧のレベルを調整する。
【００１７】
こうして、積分トランジスタ１３のソースに接続したバイアス線１１には、素子全体の温度変動によるドリフト分を校正するための基準信号となり、かつ、積分トランジスタ１３の動作点が適切となるような電圧レベルを持ったバイアスが入力される。従って、素子温度変動による画素両端電圧のドリフト分は、積分トランジスタ１３のゲートとソースの両方に入力されることになり、積分トランジスタ１３を流れる電流から、素子温度の変動によるドリフト分を除去することができる。
【００１８】
また、本実施の形態では、参照信号出力回路１８が、画素１を駆動する電源６によって駆動されている。即ち、参照信号出力回路１８中の参照画素１９の陽極が画素１を駆動する電源６に接続されている。このため、バイアス線１１への入力は、電源電圧の変動によるドリフト分を校正するための基準信号ともなる。従って、電源６の電圧変動によるドリフト分も、積分トランジスタ１３のゲートとソースの両方に入力されることになり、積分トランジスタ１３を流れる電流から、電源電圧の変動によるドリフト分も除去することができる。
【００１９】
このように、本実施の形態に係る熱型赤外線固体撮像素子によれば、積分回路７のバイアス線１１を共通接続し、参照信号出力回路１８とバイアス電源回路２１を設けただけの極めて簡易な回路構成により、素子温度と電源電圧の変動によるドリフト成分を除去し、安定した画像取得を行うことができる。
【００２０】
以下、本実施の形態に係る熱型赤外線撮像素子の各構成部分について詳細に説明する。
〔画素１〕
図３（ａ）及び（ｂ）は、画素構造の一例を模式的に示す断面図及び斜視図である。温度センサとなるＰＮ接合ダイオード９０２は、２本の長い支持脚１１０１によってシリコン基板１１０２に設けられた中空部１１０３の上に支持されており、ダイオード９０２の電極配線１１０４が支持脚１１０１に埋め込まれている。中空部１１０３は、ダイオード９０２とシリコン基板１１０２との間の熱抵抗を高めて、断熱構造を形成している。
【００２１】
ダイオード９０２は、基板１１０２と独立した層にする必要があるので、SOI基板を用いてSOI層上に形成されており、SOI層下の埋め込み酸化膜は中空構造を支持する構造体の一部になっている。また、ダイオード部に熱的に接触している赤外線吸収構造１１０６が、図の上方から入射する赤外線を効率良く吸収できるように、支持脚１１０１の上方に張り出した構造となっている。尚、図３(ｂ)では下部の構造を判りやすくするため、図の前方の部分での赤外線吸収構造を除いて描いてある。
【００２２】
画素１に赤外線が入射すると、赤外線吸収構造１１０６を含めた画素１の全体によって吸収され、その吸収によって生じた熱がＰＮ接合ダイオード９０２に伝わる。ＰＮ接合ダイオード９０２の電流電圧特性は温度によって変化するため、ＰＮ接合ダイオードを定電流駆動して両端電圧をモニタすることにより、赤外線吸収量に応じた出力を得ることができる。熱型赤外線固体撮像素子では、画素１が２次元に多数配列されており、それらを順にアクセスしていく構造となっている。
【００２３】
このような素子では画素間の特性均一性が重要である。ダイオードの順方向電圧やその温度依存性は固体間のバラツキが非常に小さく、熱型赤外線撮像素子にとって温度センサにダイオードをもちいることは特性均一性を図る上で特に有効である。ＰＮ接合ダイオードは、感度を高めるために複数個が直列に接続することが好ましい。また、ＰＮ接合ダイオードにボロメータ膜等の適当な感温性の抵抗体を接続することによって感度を高めても良い。
【００２４】
〔参照信号出力回路〕
図１に示すように、参照信号出力回路１８は、画素エリア外に設けられた参照画素１９とそれに定電流を流す定電流源２０が直列接続された構成となっており、定電流源２０の両端電圧の差が出力される。参照画素１９は、赤外線が入射する画素エリアの外であって、画素エリアと実質的に同一基板上に形成されていることが好ましい。また、参照画素１９は、入射する赤外線に関係無く環境等による素子の温度変化だけを検出することができるように赤外線吸収構造あるいは断熱構造の何れか一方または両方を除いた構造となっている。断熱構造を有しない画素を形成するには、例えば、図３（ａ）及び（ｂ）に示した検出器の構造において、基板１１０２に中空部１１０３を形成しないか、あるいは支持脚１１０１の長さを画素１に比べ充分短くすれば良い。また、赤外線吸収構造を有しない画素を形成するには、例えば、図３（ａ）及び（ｂ）の画素１において赤外線吸収構造１１０６の形成を省略すれば良い。また、定電流源２０の電流は画素１に対する定電流源２と実質等しい電流とすることが好ましい。参照信号出力回路１８からは、赤外線吸収によらない素子の温度ドリフトを校正するための基準信号を出力することができる。
【００２５】
〔バイアス電源回路〕
参照信号出力回路１８の出力は、バイアス電源回路２１を介して、バイアス線１１に入力される。図４に、バイアス電源回路２１の構成例を示す。図４の例において、バイアス電源回路２１は、レベルシフト回路２７、第１の低域通過フィルタ２８ａ、バッファアンプ２９、及び第２の低域通過フィルタ２８ｂからなる。このバッファ電源回路２１によって、参照信号出力回路１８の出力は、レベルシフト回路２７で適切な電圧レベルに変換された後、低域通過フィルタ２８ａで雑音除去され、バッファ２９で電流駆動能力を上げ、再び低域通過フィルタ２８ｂで雑音除去されたのち、バイアス線１１に与えられる。
【００２６】
レベルシフト回路２７は、参照信号出力回路１８の出力電圧を、積分トランジスタ１３のバイアス電圧として適切な電圧レベルに変換するためのものである。レベルシフト回路２７の一例を、図５に示す。図５はいわゆるソースフォロワアンプである。図５において、ドライバトランジスタ３２のゲートが入力、ソースが出力になる。電流源３３の電流値によりドライバトランジスタ３２のゲート・ソース間電圧、すなわち入出力間のレベルシフト電圧を決めることが出来る。
【００２７】
２つの低域通過フィルタ２８ａ及び２８ｂは、参照画素１９と定電流源２０の雑音をカットし温度ドリフト成分のみを抽出するためのものである。即ち、低域通過フィルタは、参照信号出力回路１８を設けることによる雑音の増大を防止する役割を果たしている。一般に、高Ｓ／Ｎを目指す赤外線検出器では、電源系の雑音は電源回路で充分低減されており、検出部からの雑音が装置の雑音主成分となる。従って、同一構成の画素１と参照画素１９の出力を積分回路７に入力すると、両者の雑音は無相関であるので、雑音は従来の√2倍になる。一方、環境温度変化による検出部出力変化や、環境温度変化に伴う電源回路特性変動による電源電圧の変化は、その変動が一般に秒オーダ以上の緩やかなものである。したがって、それをモニタするバイアス電圧出力回路の帯域は、赤外線を検出する信号ラインに必要な帯域にくらべて充分狭くてもよい。そこで、参照信号出力回路１８の出力と積分トランジスタ１３の入力端子の間に低域通過フィルタ２８ａ及び２８ｂを入れ、環境温度や電源回路のドリフト等による電圧変動のみを通過するようにすれば、参照信号出力回路１８による雑音増加を抑制することができる。
【００２８】
尚、このような赤外線固体撮像素子の画素にとっての雑音帯域幅の代表的な値は数KHzであるので、その１/100以下にカットオフ周波数をきめておけば良い。電源電圧変動及び温度変動の観点からは、その変動周期は早くて秒オーダであるから数Hzの帯域があれば十分である。また、本実施の形態では低域通過フィルタをバッファ２９の前後に挿入しているが、何れか一方だけでもよい。
【００２９】
低域通過フィルタ２８ａ及び２８ｂの回路構成例を、図６(a)及び(b)に示す。以下に示す構成は、バッファアンプ２９の前後いずれの低域通過フィルタにも用いることができる。図６(a)の低域通過フィルタは、受動素子を用いたもので、抵抗もしくはリアクタンス３０と容量３１から成る。バッファアンプ２９の後側に挿入する低域通過フィルタ２８ｂとしては直流電圧降下がないリアクタンスの方が望ましい。一方、バッファアンプ２９の手前側に設ける低域通過フィルタ２８ａとしては、フィルタとしての特性が得られ易い抵抗を用いる方が望ましい。また、抵抗３０は、電源回路６の内部抵抗あるいはバッファアンプ２９の内部抵抗で代用してもよい。
【００３０】
図６(b)の低域通過フィルタは、能動素子である演算増幅器２９を用いた積分回路であり、この回路構成も低域通過フィルタとして一般的であるので詳細な説明は省略する。
【００３１】
本発明における低域通過フィルタ２８ａ及び２８ｂは、図６（ａ）及び（ｂ）に例示するものに限定されるものではなく、他のフィルタ（例えば、スイッチトキャパシタ回路）を用いることもできる。また、低域通過フィルタは、バッファアンプ２９の前後いずれか一方だけに設けても良いが、その場合はバッファアンプ２９の前側のフィルタ（＝フィルタ２８ａ）を残すことが好ましい。バッファアンプ２９の後側には大きな電流が流れるため、フィルタでの電圧降下がバイアス電圧の変動の原因となるからである。
【００３２】
実施の形態２．
本実施の形態では、参照信号出力回路１８として、図７に示す構成を用いる他は、実施の形態１と同様にして熱型赤外線固体撮像素子を構成する。図７は、参照画素１９を複数個並列にし、その個数分だけ電流をました定電流源２２を直列接続したものである。即ち、N個の参照画素１９を並列に配置した場合には、定電流源２のN倍の電流を定電流源２２によって流すようにする。熱型赤外線固体撮像素子の温度は、有限の大きさをもつ素子領域内で分布をもつことがあるので、複数の参照画素１９を素子領域内に適当に分布設置すれば、その平均温度に反映した出力をとりだすことができる。
【００３３】
実施の形態３．
また、実施の形態２と同様の目的は、参照信号出力回路１８として、図８に示す構成を用いても実現できる。図８では、参照画素１９と定電流源２０が直列接続されたものを一組として、その組み合わせた構成そのものを素子領域内に適当に分布設置し、各々の出力を平均化回路２３で平均化するものである。尚、定電流源２０は、定電流源２と実質的に同一の電流を流すことが好ましい。平均化回路２３は、演算増幅器を用いた周知の回路である加算回路と除算回路の組み合わせで実現できる。
【００３４】
実施の形態４．
本実施の形態では、参照信号出力回路１８として、図９又は図１０に示す構成を用いる他は、実施の形態１から３と同様にして熱型赤外線固体撮像素子を構成する。図９の参照信号出力回路１８は、参照画素１９の代わりに、温度により抵抗が変化するサーミスタ２４を定電流源２５で定電流駆動させた例である。この構成では、バイアス電源回路２１内のバッファアンプ２９の出力電圧が実施の形態１の場合と同様になるように、サーミスタ２４の抵抗、定電流源２５の電流、又はレベルシフト回路２７の電圧値を設定することが好ましい。
【００３５】
また、図１０の参照信号出力回路１８は、図９の構成で定電流源２５の代わりに負荷抵抗２６を用い、サーミスタ２４を定電流駆動させた例である。この例でも、バイアス電源回路２１内のバッファアンプ２９の出力電圧が実施の形態１の場合と同様になるように、サーミスタ２４の抵抗、定電流源２５の電流、又はレベルシフト回路２７の電圧値を設定することが好ましい。
【００３６】
実施の形態５．
図１１は、本発明に係る熱型赤外線固体撮像素子の他の実施形態である。定電流源２及び２０に代えて、負荷抵抗３４及び３５を用いた点を除けば、実施の形態１と同様である。負荷抵抗３４及び３５の抵抗を実質的に同じにしておけば、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の熱型赤外線固体撮像素子によれば、積分トランジスタのソースをバイアス線によって共通接続し、そのバイアス線に素子全体の温度に応じて変化する参照信号を入力するため、簡易な回路構成で素子温度ドリフト成分を除去することができ、安定した画像取得が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の実施の形態１に係る熱型赤外線固体撮像素子を示す回路図である。
【図２】 図２は、本発明の実施の形態１に係る熱型赤外線固体撮像素子の積分回路を示す回路図である。
【図３】 図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る熱型赤外線固体撮像素子の画素構造を示す断面図及び斜視図である。
【図４】 図４は、参照信号出力回路に接続されたバイアス電源回路の一例を示す回路図である。
【図５】 図５は、レベルシフト回路の一例を示す回路図である。
【図６】 図６（ａ）及び（ｂ）は、低域通過フィルタの例を示す回路図である。
【図７】 図７は、実施の形態２で用いる参照信号出力回路を示す回路図である。
【図８】 図８は、実施の形態３で用いる参照信号出力回路を示す回路図である。
【図９】 図９は、実施の形態４で用いる参照信号出力回路を示す回路図である。
【図１０】 図１０は、実施の形態４で用いる参照信号出力回路の別の例を示す回路図である。
【図１１】 本発明の実施の形態５に係る熱型赤外線固体撮像素子を示す回路図である。
【符号の説明】
１ 画素、２、２０ 定電流源、３ 駆動線、４ 垂直走査回路、６ 電源、７積分回路、８ 水平走査回路、９ スイッチ、１０ 出力端子、１１ バイアス線、１２ 信号線、１９ 参照画素、２１ バイアス電源回路。

Claims (7)

1. １個のダイオード又は複数の直列接続されたダイオードを有すると共に断熱構造と赤外線吸収構造を備えた画素が、２次元状に配列されて成る画素エリアと、前記画素の陽極を行毎に共通接続した複数の駆動線と、前記画素の陰極を列毎に共通接続すると共に、列毎の終端に第１の定電流化手段を備えた複数の信号線と、前記駆動線を順次選択し、選択した駆動線に画素用電源を接続する垂直走査回路と、前記第１定電流化手段を備えた前記信号線の終端がゲートに接続されたＭＯＳトランジスタと前記ＭＯＳトランジスタのドレインに接続されて周期的にリセットされる容量とから形成されるゲート変調積分回路と、前記ゲート変調積分回路の出力に接続されたサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路の出力を順次選択して外部に出力する水平駆動回路と、を備えた熱型赤外線固体撮像素子であって、
   前記ゲート変調積分回路内にある前記ＭＯＳトランジスタは、バイアス線によってソースが列間で共通接続されており、前記バイアス線に、素子全体の温度に応じて変化する参照信号を出力可能な参照信号出力回路が接続され、
   前記参照信号出力回路と前記バイアス線の間に低域通過フィルタを備えたことを特徴とする熱型赤外線固体撮像素子。
2. 前記参照信号出力回路が、前記画素用電源によって駆動されていることを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線固体撮像素子。
3. 前記参照信号出力回路が、温度に応じて電流電圧特性又は抵抗が変化する感温素子と、前記感温素子の陰極側に接続された第２の定電流化手段とを有し、前記第２の定電流化手段の両端電圧を参照信号として出力することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱型赤外線固体撮像素子。
4. 前記参照信号出力回路が、Ｎ個（Ｎは自然数）の前記感温素子と、前記Ｎ個の感温素子の陰極側に共通に接続された１つの前記第２の定電流化手段とを有し、前記第２の定電流化手段が前記第１の定電流化手段のＮ倍の電流を流すことを特徴とする請求項３に記載の熱型赤外線固体撮像素子。
5. 前記参照信号出力回路が、Ｎ個（Ｎは自然数）の前記感温素子と、前記感温素子の個々の陰極側に接続されたＮ個の前記第２の定電流化手段と、前記Ｎ個の第２の定電流化手段の両端電圧を平均化して参照信号として出力する平均化回路とを有することを特徴とする請求項３記載の熱型赤外線固体撮像素子。
6. 前記感温素子が、断熱構造と赤外線吸収構造の少なくとも一方を有しないことを除いて前記画素と実質同一構造の参照画素であることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の熱型赤外線固体撮像素子。
7. 前記感温素子が、サーミスタであることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の熱型赤外線固体撮像素子。

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