JP4175221B2 - 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 - Google Patents
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Description
エポキシ基を有するビニル単量体、オキセタニル基を有するビニル単量体および芳香族ビニル化合物のみからなる単量体成分を共重合してなる共重合体(A)と、
光感応性酸発生剤(B)とを含有することを特徴としている。
単量体成分に含まれるエポキシ基を有するビニル単量体およびオキセタニル基を有するビニル単量体の含有量の合計が、単量体成分100重量部に対して20重量部以上であることが望ましい。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、共重合体(A)と光感応性酸発生剤(B)とから構成される。また、本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、必要に応じ、各種添加剤などを含有することもできる。
本発明において用いられる共重合体(A)は、エポキシ基を有するビニル単量体、オキセタニル基を有するビニル単量体および芳香族ビニル化合物のみからなる単量体成分を共重合してなる。
20重量部以上、好ましくは30重量部以上である。この含有量が20重量部未満であると、十分な解像性が得られないことがある。また、エポキシ基を有するビニル単量体およびオキセタニル基を有するビニル単量体の各々の含有量は、単量体成分100重量部に対して1重量部以上、好ましくは5重量部以上である。
本発明において用いられる光感応性酸発生剤(B)は、放射線などの照射により酸を発生する化合物であり、この酸の触媒作用により共重合体(A)中のエポキシ基およびオキセタニル基が開環重合反応を起こして硬化するため、本発明に係る感光性絶縁樹脂組成物を使用すると、ネガ型のパターンを形成することができる。
、4−メトキシフェニル-ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジン、スチリル-ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−S−トリアジンなどのS−トリアジン誘導体を挙げることができる。
化合物およびこれらの化合物のα−ジアゾ化合物を挙げることができる。好ましいスルホン化合物の具体例としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホ
ン、ビス(フェナシルスルホニル)メタンなどを挙げることができる。
本発明においては、これらの光感応性酸発生剤(B)を1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。また、光感応性酸発生剤(B)の配合量は、本発明の樹脂組成物の感度、解像度およびパターン形状などを確保する観点から、共重合体(A)100重量部に対して0.1〜20重量部、好ましくは0.5〜10重量部である。光感応性酸発生剤(B)の配合量が0.1重量部未満であると、硬化が不十分になり、耐熱性が低下することがあり、20重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下し、パターン形状の劣化を招くことがある。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物には、必要に応じて各種添加剤を配合することができる。添加剤の具体例としては、ポリイミド、アクリルポリマー、ポリオレフィン系エラストマー、スチレンブタジエンエラストマー、シリコンエラストマー、トリレンジイソシアネートなどのジイソシアネート化合物またはそのブロック化物、フェノール性水酸基を有する樹脂、エポキシ樹脂、オキセタニル基を有する樹脂;高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、脂肪族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、(変性)ポリカルボジイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、変性ポリフェニレンオキシドなどの熱可塑性または熱硬化性の樹脂などが挙げられる。さらに、密着助剤、増感剤、レベリング剤、無機フィラーなどを含有させることもできる。このような添加剤は、1種単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
本発明に係る感光性絶縁樹脂組成物は、エポキシ基を有するビニル単量体、オキセタニル基を有するビニル単量体および芳香族ビニル化合物のみからなる単量体成分を共重合してなる共重合体(A)、光感応性酸発生剤(B)、および必要に応じて各種添加剤を含有し、比較的低温で硬化させることが可能であり、解像性に優れているとともに、その硬化物は電気絶縁性、熱衝撃性、耐熱性、耐薬品性に優れている。
きる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。なお、硬化物の各特性については、下記の要領で実施した。
6インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレー
トで110℃で3分間加熱し、10μm厚の均一な塗膜を作製した。その後、アライナー(Karl Suss社製 MA−150)を用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2とな
るように露光した。次いで、ホットプレートで110℃で3分間加熱(PEB)し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて23℃で60秒間、浸漬現像した。得られたパターンの最小寸法を解像度とした。
樹脂組成物をSUS基板に塗布し、ホットプレートで110℃で3分間加熱し、10μm厚の均一な樹脂塗膜を作製した。その後、アライナーを用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃で3分間加熱(PEB)
した後、再度高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2となるように露光し、対流式オーブンで120℃で2時間加熱して硬
化膜を得た。この得られた硬化膜を、プレッシャークッカー試験装置(タバイエスペック(株)社製)で、温度:121℃、湿度:100%、圧力:2.1気圧の条件下で168
時間処理した。試験前後での層間の体積抵抗率を測定し、耐性を確認した。
図1および図2に示すような基板2上にパターン状の銅箔3を有している熱衝撃用の評価用基材1に、感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートで110℃で3分間加熱し、導体上で10μm厚の樹脂塗膜を作製した。その後、アライナーを用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が5,000J/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃で3分間加熱(PEB)
した後、高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2となるように露光し、対流式オーブンで120℃で2時間加熱して硬化膜
を得た。この評価用基材を冷熱衝撃試験器(タバイエスペック(株)社製)で−55℃/30分〜150℃/30分を1サイクルとして耐性試験を行った。硬化膜にクラックなどの欠陥が発生するまでのサイクル数を確認した。
6インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレートで110℃で3分間加熱し、10μm厚の均一な塗膜を作製した。その後、アライナーを用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が5,000J/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃で
3分間加熱(PEB)した後、高圧水銀灯からの紫外線を、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2となるように露光し、対流式オーブンで120℃で
2時間加熱して硬化膜を得た。得られた基板をイソプロピルアルコール中、60℃で10分間浸漬し、硬化膜表面を光学顕微鏡で観察した。
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 195g、グリシジルメタクリレート 133g、アクリル酸(3−エチル−3−オキセタニル)メチル 172g、2,2’−アゾビス
イソブチロニトリル(重合開始剤、以下、「AIBN」という) 15gおよびプロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」という) 350gを
加え攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした。次いで、反応液を70℃に昇温して3時間攪
拌後、AIBN 10gを加え、同温度でさらに1時間攪拌を続けた。次いで、反応液を
100℃に昇温し、3時間攪拌を続けた後、加熱を止めて反応を完結させ、固形分49重量%の共重合体(A−1)の溶液を得た。
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 171g、グリシジルメタクリレート 78g、メタアクリル酸(3−エチル−3−オキセタニル)メチル 101g、AIBN 15gおよび2−ヘプタノン 350gを加え攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした。次いで、反
応液を70℃に昇温して3時間攪拌後、AIBN 10gを加え、同温度でさらに1時間
攪拌を続けた。次いで、反応液を100℃に昇温し、3時間攪拌を続けた後、加熱を止めて反応を完結させ、固形分49重量%の共重合体(A−2)の溶液を得た。
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 108g、グリシジルメタクリレート 110g、アクリル酸(3−エチル−3−オキセタニル)メチル 132g、AIBN 15gおよびPGMEA 350gを加え攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした。次いで、反応液を
70℃に昇温して3時間攪拌後、AIBN 10gを加え、同温度でさらに1時間攪拌を
続けた。次いで、反応液を100℃に昇温し、3時間攪拌を続けた後、加熱を止めて反応を完結させ、固形分49重量%の共重合体(A−3)の溶液を得た。
表1に示すとおり、固形分が100重量部となる共重合体(A−1)の溶液と、酸発生剤(B−1)5重量部とを混合して感光性絶縁樹脂組成物を調製した。この組成物の特性を前記評価方法にしたがって測定した。得られた結果を表2に示す。
実施例1と同様にして、表1に示した組成の感光性絶縁樹脂組成物を調製し、これらの特性を実施例1と同様に測定した。得られた結果を表2に示す。
実施例1と同様にして、表1に示した組成の感光性絶縁樹脂組成物を調製し、これらの特性を実施例1と同様に測定した。得られた結果を表2に示す。
(B)光感応性酸発生剤
B−1:(4−フェニルチオ)フェニルジフェニルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート
B−2:(4−フェニルチオ)フェニルジフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート
(C)エポキシ樹脂、オキセタン化合物
C−1:エポキシ樹脂 NC−7000L(日本化薬製 商品名)
C−2:オキセタン化合物 XDO(東亞合成製 商品名)
2 基板
3 銅箔
Claims (8)
- エポキシ基を有するビニル単量体、オキセタニル基を有するビニル単量体および芳香族ビニル化合物のみからなる単量体成分を共重合してなる共重合体(A)と、
光感応性酸発生剤(B)とを含有することを特徴とする有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。 - 前記芳香族ビニル化合物がスチレンであることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記共重合体(A)100重量部に対し、前記光感応性酸発生剤(B)を0.1〜20重量部の量で含有することを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記単量体成分に含まれるエポキシ基を有するビニル単量体およびオキセタニル基を有するビニル単量体の含有量の合計が、単量体成分100重量部に対して20重量部以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記エポキシ基を有するビニル単量体がグリシジル(メタ)アクリレートであることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記オキセタニル基を有するビニル単量体が(メタ)アクリル酸(3−エチル−3−オキセタニル)メチルであることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記光感応性酸発生剤(B)がオニウム塩化合物であることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の有機半導体素子用感光性絶縁樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317112A JP4175221B2 (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
PCT/JP2004/012562 WO2005026841A1 (ja) | 2003-09-09 | 2004-08-31 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
EP04772518.9A EP1666969B1 (en) | 2003-09-09 | 2004-08-31 | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
KR1020067004719A KR101095711B1 (ko) | 2003-09-09 | 2004-08-31 | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 |
US10/571,108 US20070027231A1 (en) | 2003-09-09 | 2004-08-31 | Photosensitive insulating resin composition and cured product thereof |
TW093127169A TW200510930A (en) | 2003-09-09 | 2004-09-08 | Photosensitive insulating resin composition and its hardened product |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003317112A JP4175221B2 (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005084415A JP2005084415A (ja) | 2005-03-31 |
JP4175221B2 true JP4175221B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=34308474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003317112A Expired - Fee Related JP4175221B2 (ja) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070027231A1 (ja) |
EP (1) | EP1666969B1 (ja) |
JP (1) | JP4175221B2 (ja) |
KR (1) | KR101095711B1 (ja) |
TW (1) | TW200510930A (ja) |
WO (1) | WO2005026841A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101510883B1 (ko) | 2008-06-05 | 2015-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터와 그 제조방법 |
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WO2015105163A1 (ja) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | 三菱化学株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、それを用いて形成した硬化部材及びオーバーコート層、それを備えた偏光素子並びに画像表示装置 |
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TWI519560B (zh) | 2014-11-24 | 2016-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 含氧雜環丁烷基與環氧基之樹脂與樹脂組成物 |
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-
2003
- 2003-09-09 JP JP2003317112A patent/JP4175221B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-31 EP EP04772518.9A patent/EP1666969B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-31 WO PCT/JP2004/012562 patent/WO2005026841A1/ja active Application Filing
- 2004-08-31 US US10/571,108 patent/US20070027231A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-31 KR KR1020067004719A patent/KR101095711B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-08 TW TW093127169A patent/TW200510930A/zh unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP1666969A1 (en) | 2006-06-07 |
KR20060082076A (ko) | 2006-07-14 |
WO2005026841A1 (ja) | 2005-03-24 |
EP1666969B1 (en) | 2018-01-10 |
KR101095711B1 (ko) | 2011-12-20 |
US20070027231A1 (en) | 2007-02-01 |
JP2005084415A (ja) | 2005-03-31 |
EP1666969A4 (en) | 2007-06-13 |
TW200510930A (en) | 2005-03-16 |
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