JP5585065B2 - 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 - Google Patents
感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5585065B2 JP5585065B2 JP2009279870A JP2009279870A JP5585065B2 JP 5585065 B2 JP5585065 B2 JP 5585065B2 JP 2009279870 A JP2009279870 A JP 2009279870A JP 2009279870 A JP2009279870 A JP 2009279870A JP 5585065 B2 JP5585065 B2 JP 5585065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive
- insulating resin
- compound
- structural unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
[1](A)架橋性単量体由来の構造単位(a1)、及びフェノール性水酸基を有する構造単位(a2)を含有するアルカリ可溶性樹脂と、
(B)架橋剤と、
(C)光感応性化合物と、
(D)溶剤と、
(E)密着助剤と、を含有することを特徴とする感光性絶縁樹脂組成物。
[2]前記架橋性単量体由来の構造単位(a1)が、ジビニルベンゼン由来の構造単位である前記[1]に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[3]前記(A)アルカリ可溶性樹脂のゲルパーミエーションカラムクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、10,000〜300,000である前記[1]又は[2]に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[4]前記構造単位(a1)と前記構造単位(a2)とのモル比[構造単位(a1)/構造単位(a2)]が、0.001〜10である前記[1]乃至[3]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[5]更に、(F)架橋ポリマー粒子を含有する前記[1]乃至[4]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[6]前記光感応性化合物(C)が、光感応性酸発生剤であり、
且つ、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物である前記[1]乃至[5]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[7]前記架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である前記[6]に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[8]前記光感応性化合物(C)が、キノンジアジド基を有する化合物であり、
且つ、ポジ型の感光性絶縁樹脂組成物である前記[1]乃至[5]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[9]前記架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である前記[8]に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[10]前記[1]乃至[9]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなることを特徴とする硬化物。
[11](1)前記[1]乃至[9]のうちのいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
(2)前記塗膜を、マスクを介して露光する工程と、
(3)露光後の塗膜を加熱する工程と、
(4)加熱後の塗膜を現像する工程と、
(5)現像後の塗膜を加熱する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の製造方法。
また、構造単位(a1)がジビニルベンゼン由来の構造単位である場合、反りや伸びをより十分に抑えられる点で好ましい。
更に、構造単位(a1)と構造単位(a2)とのモル比[構造単位(a1)/構造単位(a2)]が0.001〜10である場合は、優れたアルカリ現像性が得られると共に、得られる絶縁膜の応力を十分に低減することができる。
また、(E)密着助剤を含有しているため、基材と絶縁膜等の硬化物との密着性をより向上させることができる。
更に、(F)架橋ポリマー粒子を含有する場合は、硬化物の耐久性及び熱衝撃性等をより向上させることができる。
また、光感応性化合物(C)が、光感応性酸発生剤であり、且つ、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物である場合には、ネガ型のパターンを形成することができ、絶縁膜等を形成する際の基板の反りや伸びを十分に抑えることができる。更には、優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
更に、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物における架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である場合には、解像度及び耐薬品性の点で優れた絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
また、光感応性化合物(C)が、キノンジアジド基を有する化合物であり、且つ、ポジ型の感光性絶縁樹脂組成物である場合には、ポジ型のパターンを形成することができ、優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。更には、絶縁膜を形成する際の基板の反りや伸びを十分に抑えることができる。
更に、ポジ型の感光性絶縁樹脂組成物における架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である場合には、解像度及び耐薬品性の点で優れた絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
本発明の硬化物は、本発明の感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなり、優れた解像性、電気絶縁性等を有する。
本発明の絶縁膜の製造方法によれば、絶縁膜を形成する際における基板(基材)の反りや伸びを十分に抑えることができ、優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜を容易に製造することができる。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、(A)架橋性単量体由来の構造単位(a1)、及びフェノール性水酸基を有する構造単位(a2)を有するアルカリ可溶性樹脂〔以下、「アルカリ可溶性樹脂(A)」又は「樹脂(A)」ともいう。〕と、(B)架橋剤〔以下、「架橋剤(B)」ともいう。〕と、(C)光感応性化合物〔以下、「光感応性化合物(C)」ともいう。〕と、(D)溶剤〔以下、「溶剤(D)」ともいう。〕と、を含有する。
前記樹脂(A)は、アルカリ可溶性の樹脂であり、架橋性単量体由来の構造単位(a1)〔以下、単に「構造単位(a1)」ともいう。〕、及びフェノール性水酸基を有する構造単位(a2)〔以下、単に「構造単位(a2)」ともいう。〕を含有するものである。
尚、「アルカリ可溶性」とは、例えば、2.38質量%のテトラヒドロキアンモニウムハイドロオキサイド水溶液100質量部に対して、樹脂(A)を少なくとも10質量部以上溶解できる場合をいう。
構造単位(a2)を形成し得る単量体としては、例えば、p−イソプロペニルフェノール、m−イソプロペニルフェノール、o−イソプロペニルフェノール、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基含有化合物が挙げられる。これらのなかでも、p−イソプロペニルフェノール、p−ヒドロキシスチレンが好ましい。
前記フェノール性水酸基が保護された単量体としては、例えば、p−1−メトキシエトキシスチレン、p−1−エトキシエトキシスチレン等のアセタール基で保護されたヒドロキシスチレン類、t−ブトキシスチレン、t−ブトキシカルボニルオキシスチレン、アセトキシスチレン等が挙げられる。
尚、樹脂(A)は、構造単位(a2)を1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。
前記構造単位(a3)を形成し得る「その他の単量体」としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、o−メトキシスチレン、m−メトキシスチレン、p−メトキシスチレンなどのスチレン類;
(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、メサコン酸、シトラコン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、無水シトラコン酸等の不飽和カルボン酸あるいはそれらの酸無水物類;
不飽和カルボン酸のメチルエステル、エチルエステル、n−プロピルエステル、i−プロピルエステル、n−ブチルエステル、i−ブチルエステル、sec−ブチルエステル、t−ブチルエステル、n−アミルエステル、n−ヘキシルエステル、シクロヘキシルエステル、2−ヒドロキシエチルエステル、2−ヒドロキシプロピルエステル、3−ヒドロキシプロピルエステル、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロピルエステル、ベンジルエステル、イソボロニルエステル、トリシクロデカニルエステル、1−アダマンチルエステル等のエステル類;
(メタ)アクリロニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル類;
(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド類;
マレイミド、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド類;
ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(ノルボルネン)、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、ジシクロペンタジエン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセンなどの脂環式骨格を有する化合物;
(メタ)アリルアルコール等の不飽和アルコール類、N−ビニルアニリン、ビニルピリジン類、N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、N−ビニルイミダゾール、N−ビニルカルバゾール等が挙げられる。
これらのなかでも、スチレン、p−メトキシスチレンが好ましい。
尚、樹脂(A)は、構造単位(a3)を1種のみ含有していてもよいし、2種以上含有していてもよい。
更に、構造単位(a1)と構造単位(a2)とのモル比[構造単位(a1)/構造単位(a2)]は、0.001〜10であることが好ましく、より好ましくは0.01〜5、更に好ましくは0.01〜1である。このモル比が0.001〜10である場合、優れたアルカリ現像性が得られると共に、得られる絶縁膜の応力を十分に低減することができるため、ウェハの反りを抑えることができる。
また、前記構造単位(a3)の含有割合は、樹脂(A)を構成する全構造単位の合計を100モル%とした場合に、50モル%以下であることが好ましく、より好ましくは0〜40モル%、更に好ましくは0〜10モル%である。この含有割合が50モル%以下である場合、絶縁膜を形成する際の基板の反りや伸びが十分に抑えられ、且つ優れた解像性、感度、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
この重合方法としては、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法、塊状重合法等が挙げられる。これらのなかでも、溶液重合法が好ましい。
この重合溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコールのアルキルエーテル類;エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、ジアセトンアルコール等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、乳酸エチル等のエステル類が挙げられる。
これらのなかでも、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類等が好ましい。
本発明における架橋剤(B)は、熱や酸等の外部刺激により反応し、架橋剤同士や他の成分(例えば樹脂(A))と架橋反応して、3次元架橋構造を形成するものであればよく、特に限定されない。
これらの架橋剤(B)は、組成物の種類(ポジ型又はネガ型)や各成分の配合組成等に応じて適宜選択して用いられる。また、これらの架橋剤(B)は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
感光性絶縁樹脂組成物中に、アミノ基含有化合物(b1)を含有することにより、解像度及び耐薬品性の点で優れた絶縁膜を得られるため好ましい。
感光性絶縁樹脂組成物中に、オキシラン環含有化合物(b2)を含有することにより、解像度及び耐薬品性の点で優れた絶縁膜を得られるため好ましい。
また、前記式(iii)におけるZは、単結合、又は、−CH2−、−C(CH3)2−、−C(CF3)2−若しくは−SO2−で表される2価の基である。
感光性絶縁樹脂組成物中に、オキセタニル環含有化合物(b3)を含有することにより、解像度及び耐薬品性の点で優れた絶縁膜を得られるため好ましい。
本発明における光感応性化合物(C)は、放射線等の照射により酸を発生する化合物(酸発生剤)であればよく、特に限定されない。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物がネガ型の樹脂組成物である場合、光感応性化合物(C)としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられる(以下、これらを「光感応性酸発生剤(C1)」又は「酸発生剤(C1)」ともいう。)。
この光感応性酸発生剤(C1)は、放射線等の照射により酸を発生し、この酸の触媒作用により、架橋剤(B)中のアルキルエーテル基と、樹脂(A)又はフェノール性低分子化合物中のフェノール環とが脱アルコールをともなって反応することにより、ネガ型のパターンが形成される。
尚、本発明の組成物が、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物である場合には、ネガ型のパターンを形成することができ、絶縁膜等を形成する際の基板の反りや伸びを十分に抑えることができる。更には、優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。
前記酸発生剤(C1)としては、オニウム塩化合物が好ましく、ヒドロキシル基含有オニウム塩化合物がより好ましい。
これらの酸発生剤(C1)は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
尚、本発明の組成物が、ポジ型の感光性絶縁樹脂組成物である場合には、ポジ型のパターンを形成することができ、優れた解像性、電気絶縁性等を有する絶縁膜等の硬化物を形成することができる。更には、絶縁膜を形成する際の基板の反りや伸びを十分に抑えることができる。
フェノール性水酸基を少なくとも1個有する化合物は特に限定されないが、下記式(c2−1)〜(c2−5)に記載の構造を有する化合物であることが好ましい。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物においては、前記溶剤(D)を含有させることにより、樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度及び保存安定性を調節したりすることができる。
この溶剤(D)は特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;ブチルカルビトール等のカルビトール類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類;酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;γ−ブチロラクン等のラクトン類等が挙げられる。
これらの溶剤(D)は1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、基材との密着性を向上させるため、密着助剤〔以下、「密着助剤(E)」ともいう。〕を更に含有する。
この密着助剤(E)としては、例えば、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基等の反応性置換基を有する官能性シランカップリング剤等が挙げられる。具体的には、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、1,3,5−N−トリス(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート等が挙げられる。
これらの密着助剤(E)は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物には、硬化物の耐久性及び熱衝撃性等を向上させるため、架橋ポリマー粒子〔以下、「架橋ポリマー粒子(F)」ともいう。〕を更に含有させることができる。
前記架橋ポリマー粒子(F)は、この架橋ポリマー粒子(F)を構成する重合体のガラス転移温度(Tg)が0℃以下であることを除いて、特に限定されない。具体的には、例えば、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性単量体(以下、単に「架橋性単量体」という。)と、架橋ポリマー粒子(F)のTgが0℃以下となるように選択される1種又は2種以上の「他の単量体」とを共重合させた共重合体を用いることが好ましい。特に、他の単量体を2種以上併用し、且つ他の単量体のうちの少なくとも1種が、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシアネート基、ヒドロキシル基等の重合性基以外の官能基を有するものであることがより好ましい。
更に、この架橋ポリマー粒子(F)を20質量%の乳酸エチル溶液としたときの、溶液の曇り価(ヘイズ)は、通常、8%以上である。尚、前述の樹脂(A)の20質量%の乳酸エチル溶液における曇り価は、通常、0.5%以下である。よって、この架橋ポリマー粒子(F)は、曇り価の点において、樹脂(A)とは異なるものである。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物における架橋ポリマー粒子(F)の含有量は、樹脂(A)を100質量部とした場合に、0.5〜50質量部であることが好ましく、より好ましくは1〜30質量部である。架橋ポリマー粒子(F)の含有量が0.5〜50質量部である場合、他の成分との相溶性又は分散性に優れ、形成される絶縁膜等の熱衝撃性及び耐熱性等を向上させることができる。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物には、必要に応じて、他の添加剤を、本発明の特性を損なわない程度に含有させることができる。この他の添加剤としては、フェノール性低分子化合物、無機フィラー、増感剤、熱感応性酸発生剤、クエンチャー、レベリング剤、界面活性剤等が挙げられる。
これらのフェノール性低分子化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記フェノール性低分子化合物の配合量は、前記樹脂(A)を100質量部とした場合に、40質量部以下であることが好ましく、より好ましくは1〜30質量部である。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、公知の方法により製造することができる。また、各々の成分をサンプル瓶に投入し、その後、密栓し、ウェーブローター上で攪拌することによっても製造することができる。
本発明の硬化物は、本発明の感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなる。
本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、解像性、密着性、熱衝撃性、電気絶縁性、パターニング性能、及び伸び等の諸特性に優れているため、その硬化物は、回路基板(半導体素子)、半導体パッケージ等の電子部品の表面保護膜、平坦化膜、層間絶縁膜、高密度実装基板用絶縁膜材料、感光性接着剤、感圧接着剤等として好適に用いることができる。特に、硬化物を、層間絶縁膜又は平坦化膜として備える回路基板とすることができる。
本発明の絶縁膜の製造方法は、(1)感光性絶縁樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程〔以下、「工程(1)」という。〕と、(2)前記塗膜を、マスクを介して露光する工程〔以下、「工程(2)」という。〕と、(3)露光後の塗膜を加熱する工程〔以下、「工程(3)」という。〕と、(4)加熱後の塗膜を現像する工程〔以下、「工程(4)」という。〕と、(5)現像後の塗膜を加熱する工程〔以下、「工程(5)」という。〕と、を備える。
前記工程(1)は、具体的には、感光性絶縁樹脂組成物を基材上に塗布し、乾燥して溶剤等を揮散させて塗膜を形成する工程である。尚、「感光性絶縁樹脂組成物」については、前述の説明をそのまま適用することができる。
前記基材(支持体)としては、樹脂付き銅箔、銅張り積層板並びに金属スパッタ膜を付設したシリコンウエハー及びアルミナ基板等が挙げられる。
また、樹脂組成物を支持体に塗工する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法等の各種の塗布方法を採用することができる。尚、塗布膜の厚さは、塗布手段、樹脂組成物溶液の固形分濃度及び粘度等を調整することにより、適宜制御することができる。
前記工程(2)は、所望のパターンを有するマスクを介して、前記工程(1)で形成された塗膜を露光する工程である。
露光に用いられる放射線としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、g線ステッパー、h線ステッパー、i線ステッパー、KrFステッパー、ArFステッパー、EB露光装置等から照射される、紫外線、電子線、レーザー光線等が挙げられる。
また、露光量は、使用する光源及び樹脂膜厚等によって適宜設定することができ、例えば、高圧水銀灯から照射される紫外線の場合、樹脂膜厚1〜50μmでは、100〜20,000J/m2程度とすることができる。
前記工程(3)は、露光後の塗膜に対して加熱処理(以下、この加熱処理を「PEB」という。)を行う工程である。この工程により、露光によって発生した酸の作用により、樹脂(A)と架橋剤(B)との硬化反応が促進される。
前記PEB条件は、塗膜形成に用いられた樹脂組成物溶液の組成や固形分濃度、及び塗膜の膜厚等によって異なるが、通常、70〜150℃、好ましくは80〜120℃で、1〜60分程度である。
前記工程(4)は、具体的には、アルカリ性現像液により現像して、未露光部又は露光部を溶解、除去することにより、所望のパターンを形成する工程である。
現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。現像条件は、通常、20〜40℃で1〜10分程度である。
また、アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を、1〜10質量%濃度となるように水に溶解させたアルカリ性水溶液が挙げられる。また、アルカリ性水溶液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性の有機溶剤及び界面活性剤等を適量配合することもできる。尚、アルカリ性現像液で現像した後は、水で洗浄し、乾燥させる。
前記工程(5)は、具体的には、現像後の塗膜に対して加熱処理を行い、絶縁膜を形成する工程である。この加熱処理により、絶縁膜としての特性を十分に発現させることができる。更には、加熱処理により現像後の塗膜を十分に硬化させることができる。
このような硬化条件は特に限定されないが、50〜250℃の温度で、30分〜10時間程度加熱し、硬化させることができる。また、硬化を十分に進行させたり、形成されたパターン形状の変形を防止するため、二段階で加熱することもでき、例えば、第一段階では、50〜120℃の温度で、5分〜2時間程度加熱し、更に80〜250℃の温度で、10分〜10時間程度加熱して硬化させることもできる。このような硬化条件であれば、加熱設備として一般的なオーブン及び赤外線炉等を用いることができる。
製造例1〔樹脂(A−1)の合成〕
ジビニルベンゼン(新日鐵化学製、純度57質量%)1質量部と、p−t−ブトキシスチレン60質量部と、スチレン4質量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル4質量部を用いて10時間重合させた。その後、反応溶液に硫酸を加えて反応温度を90℃に保持して10時間反応させ、p−t−ブトキシスチレンを脱保護してp−ヒドロキシスチレンに変換した。得られた共重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、ジビニルベンゼン/p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体(以下、「樹脂(A−1)」という)]を得た。得られた樹脂(A−1)は、13C−NMR分析の結果、ジビニルベンゼンに由来する構造単位(a1−1)の割合が1モル%、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が89モル%、スチレンに由来する構造単位(a3−1)の割合が10モル%のものであった。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は24,000であった。
単量体として、製造例1と同様のジビニルベンゼン2質量部と、p−t−ブトキシスチレン65質量部とを用いたこと以外は、製造例1と同様の手法にて樹脂(A−2)を合成した。樹脂(A−2)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、ジビニルベンゼンに由来する構造単位(a1−1)の割合が2モル%、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が98モル%であった。また、樹脂(A−2)のポリスチレン換算の重量平均分子量は83,000であった。
単量体として、製造例1と同様のジビニルベンゼン6質量部と、p−t−ブトキシスチレン60質量部と、スチレン4質量部とを用いたこと以外は、製造例1と同様の手法にて樹脂(A−3)を合成した。樹脂(A−3)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、ジビニルベンゼンに由来する構造単位(a1−1)の割合が6モル%、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が84モル%、スチレンに由来する構造単位(a3−1)の割合が10モル%であった。また、樹脂(A−3)のポリスチレン換算の重量平均分子量は104,000であった。
単量体として、トリエチレングリコールジビニルエーテル(ISPジャパン社製、商品名「RAPI−CURE DVE−3」)2質量部と、製造例1と同様のp−t−ブトキシスチレン64質量部とを用いた以外は、製造例1と同様の手法にて樹脂(A−4)を合成した。樹脂(A−4)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、トリエチレングリコールジビニルエーテルに由来する構造単位(a1−2)の割合が1モル%、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が99モル%であった。また、樹脂(A−4)のポリスチレン換算の重量平均分子量は92,000であった。
p−t−ブトキシスチレン70質量部と、スチレン10質量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル4質量部を用いて10時間重合させた。その後、反応溶液に硫酸を加えて反応温度を90℃に保持して10時間反応させ、p−t−ブトキシスチレンを脱保護してp−ヒドロキシスチレンに変換した。得られた共重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体(以下、「樹脂(AR−1)」という)]を得た。樹脂(AR−1)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が80モル%、スチレンに由来する構造単位(a3−1)の割合が20モル%であった。また、樹脂(AR−1)のポリスチレン換算の重量平均分子量は32,000であった。
p−t−ブトキシスチレン80質量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル4質量部を用いて10時間重合させた。その後、反応溶液に硫酸を加えて反応温度を90℃に保持して10時間反応させ、p−t−ブトキシスチレンを脱保護してp−ヒドロキシスチレンに変換した。得られた重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、p−ヒドロキシスチレン重合体(以下、「樹脂(AR−2)」という)]を得た。樹脂(AR−2)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、ポリスチレン換算の重量平均分子量は55,000であった。
スチレン70質量部と、ビニル安息香酸25質量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル2質量部を用いて10時間重合させた。得られた共重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、スチレン/ビニル安息香酸共重合体(以下、「樹脂(AR−3)」という)]を得た。樹脂(AR−3)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、スチレンに由来する構造単位(a3−1)の割合が80モル%、ビニル安息香酸に由来する構造単位(a3−2)の割合が20モル%であった。また、樹脂(AR−3)のポリスチレン換算の重量平均分子量は10,000であった。
市販のノボラック樹脂[クレゾールノボラック樹脂〔m−クレゾール:p−クレゾール=55:45(モル比)〕、住友ベークライト(株)製、商品名「スミライトレジン」、ポリスチレン換算の重量平均分子量;6,500]を、樹脂(AR−4)として用いた。
p−t−ブトキシスチレン70質量部と、スチレン10質量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテル150質量部に溶解させ、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、アゾビスイソブチロニトリル4質量部を用いて10時間重合させた。その後、反応溶液に硫酸を加えて反応温度を90℃に保持して10時間反応させ、p−t−ブトキシスチレンを脱保護してp−ヒドロキシスチレンに変換した。得られた共重合体に酢酸エチルを加え、水洗を5回繰り返し、酢酸エチル相を分取し、溶剤を除去して、p−ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体(以下、「樹脂(AR−5)」という)]を得た。樹脂(AR−5)を製造例1の場合と同様にして分析したところ、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位(a2)の割合が80モル%、スチレンに由来する構造単位(a3−1)の割合が20モル%であった。また、樹脂(AR−5)のポリスチレン換算の重量平均分子量は10,000であった。
実施例1
表2のように、樹脂(A−1)を100質量部、架橋剤(B−1)を5質量部、架橋剤(B−9)を15質量部、光感応性化合物(C−2)を1質量部、溶剤(D−1)を120質量部、密着助剤(E−1)を2.5質量部、架橋ポリマー粒子(F−3)を5質量部、及び界面活性剤(G−1)を0.2質量部配合し、各々の成分を溶剤に溶解させて感光性絶縁樹脂組成物を製造した。
表2に記載の樹脂、架橋剤、光感応性化合物、溶剤、密着助剤及び界面活性剤を、表2に記載の質量割合となるように配合し、感光性絶縁樹脂組成物を製造した。
尚、上記の成分の他に、実施例5、比較例8及び比較例9では、フェノール化合物を、表2に記載の質量割合となるように配合した。また、実施例3、実施例4、比較例1〜3、比較例6及び比較例7では、架橋ポリマー粒子を、表2に記載の質量割合となるように配合した。
また、実施例6はポジ型感光性絶縁樹脂組成物であり、実施例1〜5、7及び比較例1〜9は全てネガ型感光性絶縁樹脂組成物である。
(a)フェノール化合物
a−1:4,4’−{1−[4−〔2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−プロピル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール
a−2:4,4’−{1−[4−〔1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル〕フェニル]エチリデン}ビスフェノール(本州化学工業(株)製、商品名「TrisP−PA」)
B−1:トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル[共栄社化学製、商品名「エポライト100MF」]
B−2:ビスフェノールA型エポキシ樹脂[ジャパンエポキシレジン(株)製、商品名「エピコート828」]
B−3:脂肪族エポキシ樹脂(ナガセケムテックス製、商品名「デナコールEX−610U−P」)
B−4:フェノール−ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂[日本化薬(株)製、商品名「XD−1000」]
B−5:1,4−ビス{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}ベンゼン(東亞合成社製、商品名「OXT−121」)
B−6:4,4’−ビス[(3−エチル−3−オキセタニル)メトキシメチル]ビフェニル(宇部興産製、商品名「ETERNACOLL OXBP」)
B−7:o−ヒドロキシベンズアルデヒド
B−8:2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾール
B−9:ヘキサメトキシメチルメラミン[(株)三和ケミカル製、商品名「ニカラックMW−390」]
C−1(光感応性酸発生剤):2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン(三和ケミカル製、商品名「TFE−トリアジン」)
C−2(光感応性酸発生剤):2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン(三和ケミカル製、商品名「TME−トリアジン」)
C−3(光感応性酸発生剤):4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウムトリス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスフェート(サンアプロ社製、商品名「CPI−210S」)
C−4(キノンジアジド基含有化合物):1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−[1−(ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エタンと、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸とをエステル化反応させてなるキノンジアジドスルホン酸エステル(2.0モル縮合物)
(D)溶剤
D−1:乳酸エチル
D−2:2−ヘプタノン
(E)密着助剤
E−1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン[日本ユニカー(株)製、商品名「A−187」]
E−2:1,3,5−N−トリス(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート[GE東芝シリコーン(株)製、商品名「Y−11597」]
F−1:ブタジエン/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン共重合体(モル比;ブタジエン:ヒドロキシブチルメタクリレート:メタクリル酸:ジビニルベンゼン=50:47:2:1)
F−2:ブタジエン/スチレン/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン共重合体(モル比;ブタジエン:スチレン:ヒドロキシブチルメタクリレート:メタクリル酸:ジビニルベンゼン=48:20:24:6:2)
F−3:ブタジエン/アクリロニトリル/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン共重合体(モル比;ブタジエン:アクリロニトリル:ヒドロキシブチルメタクリレート:メタクリル酸:ジビニルベンゼン=48:20:24:6:2)
F−4:ブタジエン/メタクリル酸/ジビニルベンゼン共重合体(モル比;ブタジエン:メタクリル酸:ジビニルベンゼン=78:20:2)
(G)界面活性剤
G−1:フッ素系界面活性剤[(株)ネオス製、商品名「FTX−218」]
G−2:シリコーン系界面活性剤[東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製、商品名「SH−28PA」]
実施例1〜7及び比較例1〜9の感光性絶縁樹脂組成物の特性を、下記の方法に従って評価した。結果は表3のとおりである。
6インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ20μmの均一な樹脂塗膜を作製した。次いで、アライナー(Karl Suss社製、型式「MA−100」)を使用し、パターンマスク[ネガ型感光性絶縁樹脂組成物の場合は、スクエアー状の透光部(それ以外は遮光部)を有するマスク、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物の場合は、スクエアー状の遮光部(それ以外は透光部)を有するマスク]を介して高圧水銀灯から照射される紫外線を、波長365nmにおける露光量が500mJ/cm2となるように露光した。その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱(PEB)し、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬し、現像した。このようにして得られたパターンの最小寸法を解像度とする。
また、現像残りの有無について確認を行い、現像残りがない場合を「○」、現像残りがある場合を「×」と評価した。
6インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ20μmの均一な樹脂塗膜を作製した。次いで、アライナー(Karl Suss社製、型式「MA−100」)を使用し、パターンマスク(5ミクロン×5ミクロンのパターン)を介して高圧水銀灯から照射される紫外線(波長365nm)を露光した。その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱(PEB)し、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬し、現像した。5ミクロン×5ミクロンのパターンが形成される最低露光量を「感度」として評価した。
8インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、厚さ20μmの均一な樹脂塗膜を作製した。次いで、アライナー(Karl Suss社製、型式「MA−100」)を使用し、高圧水銀灯から照射される紫外線を、波長365nmにおける露光量が500mJ/cm2となるように全面露光した(但し、この全面露光は、ネガ型感光性絶縁樹脂組成物を使用した場合のみ行った。即ち、ポジ型感光性絶縁樹脂組成物を使用した場合は、樹脂塗膜作製後、露光を行わずに次工程に移った。)。その後、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱(PEB)し、2.38質量%濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で120秒間、浸漬し、現像した。その後、対流式オーブンを用いて190℃で1時間加熱し、樹脂塗膜を硬化させて絶縁膜を形成した。そして、絶縁膜形成前後の基板の応力差を応力測定装置(TOHOテクノロジー(旧技術所有KLA−Tencor)社製「FLX−2320−s」)にて測定し、応力を評価した。
PETフィルムに感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、対流式オーブンを用いて110℃で10分間加熱した。次いで、対流式オーブンにて200℃で1時間加熱した後、PETフィルムから塗膜を剥離し、50μm厚の硬化フィルムを得た。この硬化フィルムを5mm幅のダンベルで打ち抜き、試験片を作製した。そして、セイコーインスツルメンツ(株)製の熱機械分析装置「TMA/SS6100」を用いて、JIS K7113(プラスチックの引張試験方法)に準じて、試験片の伸びを測定した。
図1のように、基板1上にパターン状の銅箔2(銅箔の膜厚=10μm)を有している絶縁性評価用の基材3に、感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、銅箔2上での厚さが10μmである樹脂塗膜を有する基材を作製した。その後、対流式オーブンを用いて190℃で1時間加熱し、樹脂塗膜を硬化させて絶縁膜を形成した。尚、各電極間の絶縁膜の体積は1.6×10−8cm3である。この基材3をマイグレーション評価システム(タバイエスペック社製、型式「AEI,EHS−221MD」)に投入し、温度121℃、湿度85%、圧力1.2気圧、印加電圧5Vの条件で200時間処理した。次いで、試験基材の抵抗値(Ω)を測定し、絶縁性を評価した。
SiO2をスパッタしたシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で5分間加熱し、10μm厚の均一な樹脂塗膜を作製した。その後、対流式オーブンを用いて200℃で1時間加熱して樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を得た。次いで、この硬化膜をプレッシャークッカー試験装置(タバイエスペック(株)社製「EHS−221MD」で、温度121℃、湿度100%、圧力2.1気圧の条件下で168時間処理した。そして、試験前後での密着性をJIS K5400−5−6に準拠してクロスカット試験(碁盤目テープ法)を行い、評価した。
図2及び図3に示すような、基板5上にパターン状の銅箔4(銅箔の膜厚=10μm)を有している熱衝撃性評価用の基材6に、感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で5分間加熱し、銅箔4上での厚さが10μmである樹脂塗膜を有する基材を作製した。その後、対流式オーブンを用いて190℃で1時間加熱し、樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を得た。この基材6を冷熱衝撃試験器(タバイエスペック(株)社製「TSA−40L」)で、−65℃/30分〜150℃/30分を1サイクルとして耐性試験を行った。この処理の後、顕微鏡を用いて200倍の倍率で観察し、硬化膜にクラック等の欠陥が発生するまでのサイクル数を100サイクル毎に確認した。
2;銅箔
3;絶縁性評価用の基材
4;銅箔
5;基板
6;熱衝撃性評価用の基材
Claims (11)
- (A)架橋性単量体由来の構造単位(a1)、及びフェノール性水酸基を有する構造単位(a2)を含有するアルカリ可溶性樹脂と、
(B)架橋剤と、
(C)光感応性化合物と、
(D)溶剤と、
(E)密着助剤と、を含有することを特徴とする感光性絶縁樹脂組成物。 - 前記架橋性単量体由来の構造単位(a1)が、ジビニルベンゼン由来の構造単位である請求項1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記(A)アルカリ可溶性樹脂のゲルパーミエーションカラムクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の重量平均分子量が、10,000〜300,000である請求項1又は2に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記構造単位(a1)と前記構造単位(a2)とのモル比[構造単位(a1)/構造単位(a2)]が、0.001〜10である請求項1乃至3のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 更に、(F)架橋ポリマー粒子を含有する請求項1乃至4のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記光感応性化合物(C)が、光感応性酸発生剤であり、
且つ、ネガ型の感光性絶縁樹脂組成物である請求項1乃至5のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物。 - 前記架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項6に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 前記光感応性化合物(C)が、キノンジアジド基を有する化合物であり、
且つ、ポジ型の感光性絶縁樹脂組成物である請求項1乃至5のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物。 - 前記架橋剤(B)が、分子中に2個以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を有する化合物(b1)、オキシラン環含有化合物(b2)及びオキセタニル環含有化合物(b3)から選ばれる少なくとも1種の化合物である請求項8に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
- 請求項1乃至9のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物が硬化されてなることを特徴とする硬化物。
- (1)請求項1乃至9のうちのいずれか1項に記載の感光性絶縁樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
(2)前記塗膜を、マスクを介して露光する工程と、
(3)露光後の塗膜を加熱する工程と、
(4)加熱後の塗膜を現像する工程と、
(5)現像後の塗膜を加熱する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009279870A JP5585065B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-12-09 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 |
US12/696,021 US8455173B2 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-28 | Photosensitive insulating resin composition, cured product of the composition, and method of producing insulating film |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009020665 | 2009-01-30 | ||
JP2009020665 | 2009-01-30 | ||
JP2009279870A JP5585065B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-12-09 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013235185A Division JP2014044438A (ja) | 2009-01-30 | 2013-11-13 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010197996A JP2010197996A (ja) | 2010-09-09 |
JP5585065B2 true JP5585065B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=42397990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009279870A Active JP5585065B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-12-09 | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8455173B2 (ja) |
JP (1) | JP5585065B2 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101598240B1 (ko) * | 2008-07-01 | 2016-02-26 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 네가티브형 감방사선성 수지 조성물 |
WO2012081295A1 (ja) | 2010-12-14 | 2012-06-21 | 株式会社カネカ | 新規な感光性樹脂組成物及びその利用 |
JP2012129302A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置用部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2012141210A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 日産化学工業株式会社 | 感光性有機粒子 |
JP6134264B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2017-05-24 | 株式会社カネカ | 新規な感光性樹脂組成物及びその利用 |
JP2013015701A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP5846110B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
CN104067699B (zh) | 2012-01-25 | 2017-03-29 | 株式会社钟化 | 绝缘膜用树脂组合物及其利用 |
CN104081884B (zh) | 2012-01-25 | 2017-12-19 | 株式会社钟化 | 新颖的含颜料绝缘膜用树脂组合物及其利用 |
WO2013122208A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
KR101983423B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2019-09-10 | 린텍 가부시키가이샤 | 경화성 조성물, 경화물 및 경화성 조성물의 사용 방법 |
EP2940527B1 (en) * | 2012-12-27 | 2019-10-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, photosensitive film, and method for forming resist pattern |
JP6123302B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2017-05-10 | 住友ベークライト株式会社 | 化学増幅型のネガ型フォトレジスト用樹脂組成物、硬化物および電子装置 |
EP3026010A4 (en) | 2013-07-24 | 2017-04-12 | JSR Corporation | Microfluidic device and process for producing same, and photosensitive resin composition for forming flow path |
JP6477477B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2019-03-06 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線樹脂組成物および電子部品 |
WO2015046521A1 (ja) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
CN105474097B (zh) * | 2013-09-30 | 2019-09-17 | 日立化成株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性元件、半导体装置和抗蚀剂图案的形成方法 |
CN105934713B (zh) * | 2014-01-30 | 2019-10-22 | 日本化药株式会社 | 活性能量射线固化型树脂组合物以及使用该组合物的显示元件用间隔物和/或滤色片保护膜 |
US10656521B2 (en) | 2014-11-26 | 2020-05-19 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Photosensitive resin composition, photosensitive element, cured product, semiconductor device, method for forming resist pattern, and method for producing circuit substrate |
WO2016158362A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立化成株式会社 | ドライフィルム、硬化物、積層体及びレジストパターンの形成方法 |
WO2016157605A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法 |
JP6631026B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-01-15 | 日立化成株式会社 | ドライフィルム、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
WO2016159160A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法 |
JP6502754B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた光硬化性ドライフィルム |
JP6790461B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2020-11-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 |
WO2018225441A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 互応化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、及びプリント配線板 |
US11969753B2 (en) * | 2017-08-16 | 2024-04-30 | Basf Se | Process for producing matt coatings on sheetlike substrates |
TWI662063B (zh) * | 2018-02-02 | 2019-06-11 | 新應材股份有限公司 | 感光性聚醯亞胺組成物及其所製成之光阻膜 |
KR102275345B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2021-07-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952822B2 (ja) * | 1978-04-14 | 1984-12-21 | 東レ株式会社 | 耐熱性感光材料 |
JPH03186847A (ja) | 1989-12-18 | 1991-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
DE69128187T2 (de) * | 1990-09-28 | 1998-03-26 | Toshiba Kawasaki Kk | Fotoempfindliche Harzzusammensetzung zum Herstellen eines Polyimidfilmmusters und Verfahren zum Herstellen eines Polyimidfilmmusters |
JP3064579B2 (ja) | 1991-01-17 | 2000-07-12 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2826979B2 (ja) | 1995-05-22 | 1998-11-18 | 旭化成工業株式会社 | i線用感光性組成物 |
JP2000098601A (ja) | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Ube Ind Ltd | ポジ型感光性ポリアミド酸組成物およびパタ−ン形成方法 |
JP4648526B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2011-03-09 | 富士通株式会社 | ネガ型レジスト組成物、レジストパターンの形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP3960055B2 (ja) | 2002-01-23 | 2007-08-15 | Jsr株式会社 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
WO2006046687A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Jsr Corporation | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
WO2007102470A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 体積位相型ホログラム記録用感光性樹脂組成物及びそれを用いた光情報記録媒体 |
JP4983798B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-07-25 | Jsr株式会社 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2009098606A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2009251392A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Fujifilm Corp | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2011022509A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Fujifilm Corp | 有機絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、有機絶縁膜、有機el表示装置、及び液晶表示装置 |
-
2009
- 2009-12-09 JP JP2009279870A patent/JP5585065B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-28 US US12/696,021 patent/US8455173B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010197996A (ja) | 2010-09-09 |
US8455173B2 (en) | 2013-06-04 |
US20100196822A1 (en) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5585065B2 (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 | |
JP4983798B2 (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
KR101378692B1 (ko) | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는회로 기판 | |
KR101338716B1 (ko) | 감방사선성 절연 수지 조성물 | |
TWI409589B (zh) | 感光性絕緣樹脂組成物及其硬化物與具備其之電子零件 | |
KR101434010B1 (ko) | 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 | |
JP2013209607A (ja) | 樹脂組成物、重合体、硬化膜および電子部品 | |
JP5673784B2 (ja) | 感光性組成物、硬化膜およびその製造方法ならびに電子部品 | |
JPWO2008117619A1 (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物 | |
JP4765951B2 (ja) | 絶縁膜を有する大型シリコンウエハおよびその製造方法 | |
JP5251424B2 (ja) | ネガ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP5381517B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP4692219B2 (ja) | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP5369420B2 (ja) | 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物 | |
JP4655882B2 (ja) | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP2014044438A (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法 | |
JP5251470B2 (ja) | ネガ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP5251452B2 (ja) | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP5251471B2 (ja) | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
WO2010067665A1 (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物 | |
JP2007056109A (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 | |
JP2007056108A (ja) | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140624 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5585065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |