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JP4156154B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

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    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD(Charge-Coupled Device )等の固体撮像素子をプラスチック又はセラミックス等の容器(パッケージ)内に収納して形成された固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図10は従来の固体撮像装置を示す上面図、図11(a)は図10のD−D線による断面図、図11(b)は図10のE−E線による断面図である。
固体撮像素子31はシリコン半導体により形成されており、その一方の面には複数の受光部がマトリクス状に配置されている。以下、固体撮像素子31の受光部が配置されている部分を受光エリアという。
【0003】
固体撮像素子31の厚さは、一般的に約250μm程度である。この固体撮像素子31は、プラスチック又はセラミックス等により形成されたパッケージ32の凹部33内に収納されている。パッケージ32の上部には透明カバーガラス34が取り付けられており、パッケージ32の内部空間の気密性が確保されるようになっている。但し、光は、カバーガラス34を通して固体撮像素子31の受光エリアに到達することができる。
【0004】
パッケージ32の下側には複数本の金属製リード35が突き出しており、パッケージ32の内側にはこれらのリード35とそれぞれ電気的に接続された電極36が形成されている。固体撮像素子31は、これらの電極36とボンディングワイヤ37により電気的に接続されている。
図12は、上記の固体撮像装置を使用したデジタルカメラの模式図である。映像は、撮像レンズ41及び絞り45を介して固体撮像素子31の受光エリアに投影されて電気信号に変換される。この場合、受光エリアの中央部と縁部とでは撮像レンズ41までの距離が異なるため、映像の歪みが生じる。これを収差という。従来、デジタルカメラに使用される固体撮像素子では、収差の影響を小さくするために、マイクロレンズの位置をずらす、いわゆるレンズずらしといわれる手法が採られる。
【0005】
図13はレンズずらしを説明する模式図である。この図13に示すように、固体撮像素子の受光エリアには、各受光部43に対応してそれぞれマイクロレンズ42といわれる微小なレンズが形成されている。固体撮像素子の中央部では受光部43のすぐ上にマイクロレンズ42を配置するが、縁部ではマイクロレンズ42の中心を受光部43の中心からずらすことにより、収差の影響を少なくしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のレンズずらしによる収差低減方法は、以下に示す問題点がある。
(1)撮像レンズに応じてマイクロレンズのずれ量を調整する必要がある。このため、マイクロレンズ形成用フォトマスクの種類が多くなり、製造コスト上昇の原因となる。
【0007】
(2)撮像レンズを変更するたびに固体撮像素子を作り直す必要がある。
(3)レンズずらしによる撮像レンズ収差の補正は不完全である。
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、レンズずらしによらず簡単に収差を補正することができ、製造コストを低減することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、円筒状又は球面状の曲面を有する凹部が設けられたパッケージと、湾曲した状態で前記パッケージ内に収納された固体撮像素子とを有し、前記パッケージには、前記凹部の部分に前記固体撮像素子を吸着するための孔が設けられていることを特徴とする固体撮像装置により解決する。
本発明においては、固体撮像素子が円筒状又は球面状に湾曲した状態でパッケージ内に収納されている。このため、固体撮像素子の各受光部から撮像レンズまでの距離が均一化され、収差を低減することができる。また、各受光部の中心軸が撮像レンズの方向に傾くため、レンズずらしの手法を採る必要がない。このため、マイクロレンズ形成用フォトマスクの設計が容易であり、製造コストを低減することができる。
【0009】
固体撮像素子を円筒状又は球面状に湾曲させるためには、例えばパッケージに円筒状又は球面状の底面を有する凹部を設け、その凹部の底面に沿って固体撮像素子を湾曲させればよい。また、パッケージの凹部の縁部に段差部(小さな突起)を設けその段差部に固体撮像素子の縁部を接合して、固体撮像素子を湾曲させるようにしてもよい。固体撮像素子を湾曲させるためには、固体撮像素子を例えば30μm以下の厚さとし、可撓性を付与することが必要である。固体撮像素子を30μm以下の厚さにする方法としては、例えば化学的機械研磨がある。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置を示す上面図、図2(a)は図1のA−A線による断面図、図2(b)は図1のB−B線による断面図である。
【0011】
固体撮像素子11は複数の受光部がマトリクス状に配列されてなる受光エリアを有している。この固体撮像素子11は、従来の固体撮像素子の厚さが250μm程度であるのに対し約30μmと薄いことを除けば、基本的に従来の固体撮像素子と同様の構造を有している。固体撮像素子の構造の一例としては、例えば本願出願人による特開平10−136391号公報等に記載されている。但し、本発明においては、上記公報に記載の固体撮像素子の構造に限定されるものではない。
【0012】
パッケージ12はプラスチックにより形成されており、図2(a),(b)に示すように、固体撮像素子11を収納するための凹部13が設けられている。凹部13の底面は、この図2(a),(b)に示すように円筒状に湾曲している。固体撮像素子11は、この円筒状の底面に沿って湾曲した状態でパッケージ12内に収納されている。固体撮像素子11の受光エリアが長方形の場合、受光エリアの長辺側が湾曲するように配置される。
【0013】
パッケージ12の上には透明カバーガラス14が取り付けられており、パッケージ12の内部空間の気密性が確保されるようになっている。また、パッケージ12の下側には複数本の金属製リード15が突き出しており、パッケージ12の内側にはこれらのリード15と電気的に接続された電極16が設けられている。固体撮像素子11は、ボンディングワイヤ17によりパッケージ12内の電極16と電気的に接続されている。また、パッケージ12の底部中央には、直径が1mm程度の吸引孔16が設けられている。
【0014】
以下、本実施の形態の固体撮像装置の製造方法について説明する。
まず、公知技術を使用し、従来と同様の方法により、半導体ウエハに複数の固体撮像素子を形成する。
その後、ウエハの裏面側を化学的機械研磨し、ウエハの厚さを約30μmとしてウエハに可撓性を付与する。化学的機械研磨装置としては、例えば東京精密社製の「ケミカルメカニカルグラインダー」を使用することができる。このような装置を使用することにより、細かい傷に起因するウエハ(又はチップ)の破損を防止しつつ、ウエハを約30μmの厚さにまで研磨することができる。なお、ウエハの研磨方法は特に限定されるものではないが、ウエハを破損することなく可撓性を有する厚さまで研磨できることが必要である。
【0015】
次いで、裏面研磨後のウエハを切断し、各チップ(固体撮像素子11)を相互に分離する。
一方、パッケージ12を用意する。パッケージ12は、例えばプラスチックの金型成形により形成する。この場合、図2に示すように、パッケージ12には凹部13と孔18とを設けておく。凹部13の底面の曲率は固体半導体素子11の受光エリアの大きさや撮像レンズまでの距離に応じて設定する。例えば、固体撮像素子11の受光エリアの大きさが10mm×10mmであり、固体撮像素子11と撮像レンズとの距離が5cmであるとすると、受光エリアの中央部と端部との高さの差aが約100μmとなるように曲率を設定する。また、この例では孔18の直径を1mmとしているが、これに限定するものではなく、後述するように孔18を介して固体撮像素子11を吸引できる大きさであればよい。
【0016】
次に、固体撮像素子11の裏面側又は凹部13の底面に接着剤を塗布し、孔18を吸引装置(排気装置)に接続して、固体半導体素子11を凹部13の底面に吸引し、固体半導体素子11をパッケージ12に接合する。その後、ワイヤボンディング装置を使用し、固体半導体素子11の電極とパッケージ12内の電極16とをワイヤ17で電気的に接続する。次いで、パッケージ12の上部にカバーガラス14を取り付け、固体半導体素子11を密封する。これにより、固体撮像素子の製造が完了する。
【0017】
なお、固体半導体素子11をパッケージ12に接合した後、孔18を樹脂等で塞いでもよい。
本実施の形態においては、固体撮像素子11を化学的機械研磨により極めて薄く研磨し、それによって固体撮像素子11に可撓性を付与する。そして、この可撓性を付与した固体撮像素子11を円筒状の曲面に沿って配置するので、図3に示すように、撮像レンズ21から固体撮像素子の各受光部23までの距離が均一化される。これにより、収差の影響を低減することができ、歪の少ない画像を得ることができる。
【0018】
なお、図3において、22はマイクロレンズを示す。本実施の形態においては、固体撮像素子11を湾曲させて配置するので、マイクロレンズ22はその中心軸を各受光部23の中心軸にあわせて形成すればよい。すなわち、本実施の形態では、上記の方法により収差を低減することができるので、レンズずらしの手法を採用する必要がない。このため、マイクロレンズを形成するためのフォトマスクの設計が容易であり、製造コストを低減することができる。
【0019】
また、本実施の形態においては、パッケージ12の凹部底面の曲率を変更するだけで、撮像レンズの変更に対応することができる。
(第1の実施の形態の変形例)
図4は第1の実施の形態の変形例を示す図である。なお、図4(a)は図1のA−A線による断面図、図4(b)は図1のB−B線による断面図である。図4において、図1,2と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【0020】
この例では、パッケージ12の凹部13の底面を球面状に湾曲させている。従って、固体撮像素子11は、球面に沿って湾曲して配置される。
このように固体撮像素子11を球面に沿って湾曲させて配置することにより、映像の水平方向の収差だけでなく、垂直方向の収差を低減することができる。
(第2の実施の形態)
図5(a),(b)はいずれも本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の断面図である。本実施の形態の固体撮像装置の上面図は図1に示す第1の実施の形態の上面図と同様であるので、ここでは図1も参照して説明する。また、図5(a)は図1のA−A線による断面を示し、図5(b)は図1のB−B線による断面を示している。図5(a),(b)において、図1,図2と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【0021】
本実施の形態においては、第1の実施の形態と同様にパッケージ12の凹部13の底面が円筒状又は球面状に湾曲しているが、パッケージ12には孔が設けられていない。固体撮像素子11は約30μmの厚さに形成されており、凹部13の曲面に沿って湾曲した状態でパッケージ12に固定されている。なお、図5(b)では凹部13の底面が球面状の場合を示しているが、凹部13の底面が円筒状の場合は、孔18がないことを除けば、図2(b)に示す断面と同様の断面となる。
【0022】
本実施の形態の固体撮像装置は、第1の実施の形態で説明した方法により固体撮像素子11を形成した後、図6に示すように固体撮像素子11の上側から圧縮空気を吹き付けて、固体撮像素子11を凹部13の曲面に沿った形状に湾曲させてパッケージ12と接合する。そして、固体撮像素子11の電極とパッケージ12の電極とをボンディングワイヤ17で電気的に接続した後、パッケージ12にカバーガラス14を取り付けて、パッケージ12内の空間を封止する。
【0023】
本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
(第3の実施の形態)
図7(a),(b)はいずれも本発明の第3の実施の形態の固体撮像装置の断面図である。本実施の形態の固体撮像装置の上面図は図1に示す第1の実施の形態の上面図と同様であるので、ここでは図1も参照して説明する。また、図7(a)は図1のA−A線による断面を示し、図7(b)は図1のB−B線による断面を示している。図7(a),(b)において、図1,図2と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【0024】
本実施の形態においては、パッケージ12の凹部13の縁部に段差部(突起)13aが形成されている。この段差部13aには傾斜面が設けられており、この傾斜面に固体撮像素子11の縁部が接合され、固体撮像素子11が円筒状又は球面状に湾曲して、パッケージ12に接合されている。
本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様に、パッケージ12に設けられた孔18から固体撮像素子11を吸引して、固体撮像素子11を円筒状又は球面に沿った形状に湾曲させて、パッケージ12に接合する。
【0025】
本実施の形態においても、第1及び第2の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、パッケージ12内に曲面を形成する必要がないので、パッケージ12の製造が容易であるという利点がある。
(第4の実施の形態)
図8は本発明の第4の実施の形態の固体撮像装置の上面図、図9は図8のC−C線による断面図である。なお、図8,図9において、図1,図2と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【0026】
本実施の形態においては、パッケージ12内の四隅に段差部13bが設けられており、固体撮像素子11はその四隅の部分が段差部13bに接合されて、パッケージ12内に球面状(又は,円筒状)に湾曲した状態で固定されている。18は吸引孔であり、第1の実施の形態と同様に、固体撮像素子11をパッケージ12内に固定するときに、孔18から固体撮像素子11を吸引することにより、球面状に湾曲させる。
【0027】
本実施の形態においても、第1及び第2の実施の形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、パッケージ12内に曲面を形成する必要がないので、パッケージ12の製造が容易であるという利点がある。
なお、上記の実施の形態ではいずれもパッケージ12がプラスチックにより形成されている場合について説明したが、これによりパッケージ12の材質が限定されるものではなく、パッケージ12は例えばセラミックスにより形成されていてもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、固体撮像素子を円筒状又は球面状に湾曲した状態でパッケージ内に収納しているので、撮像レンズから各受光部までの距離が均一化される。これにより、収差の影響が少ない高品質の映像を得ることができる。また、レンズずらしの手法を使用しなくても収差を低減できるので、マイクロレンズを形成するためのフォトマスクの設計が容易であり、製造コストを低減できるという効果もある。更に、固体半導体素子の曲率を変更するだけで、撮像レンズの変更に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置を示す上面図である。
【図2】図2(a)は図1のA−A線による断面図、図2(b)は図1のB−B線による断面図である。
【図3】図3は第1の実施の形態の効果を示す模式図である。
【図4】図4は第1の実施の形態の変形例を示す断面図であり、図4(a)は図1のA−A線による断面、図4(b)は図1のB−B線による断面を示す。
【図5】図5(a),(b)は本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の断面図である。
【図6】図6は第2の実施の形態における固体撮像素子とパッケージとの密着方法を示す模式図である。
【図7】図7(a),(b)は本発明の第3の実施の形態の固体撮像装置の断面図である。
【図8】図8は本発明の第4の実施の形態の固体撮像装置の上面図である。
【図9】図9は図8のC−C線による断面図である。
【図10】図10は従来の固体撮像装置を示す上面図である。
【図11】図11(a)は図10のD−D線による断面図、図11(b)は図10のE−E線による断面図である。
【図12】図12は、従来の固体撮像装置を使用したデジタルカメラの模式図である。
【図13】図13はレンズずらしを説明する模式図である。
【符号の説明】
11,31 固体撮像素子、
12,32 パッケージ、
13,33 凹部、
13a,13b 段差部、
14,34 カバーガラス、
15,35 リード、
16,36 電極、
17,37 ボンディングワイヤ、
18 孔、
21,41 撮像レンズ、
22,42 マイクロレンズ、
23,43 受光部。

Claims (2)

  1. 円筒状又は球面状の曲面を有する凹部が設けられたパッケージと、
    湾曲した状態で前記パッケージ内に収納された固体撮像素子とを有し、
    前記パッケージには、前記凹部の部分に前記固体撮像素子を吸着するための孔が設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記パッケージは、前記固体撮像素子を収納する前記凹部と、前記凹部の縁部に設けられた段差部とを有し、前記固体撮像素子の縁部又は四隅の部分は前記段差部に固定されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4604307B2 (ja) * 2000-01-27 2011-01-05 ソニー株式会社 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム
JP4178890B2 (ja) * 2002-09-05 2008-11-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4543605B2 (ja) * 2002-09-26 2010-09-15 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2005278133A (ja) 2003-07-03 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置および光学機器
JP4315833B2 (ja) * 2004-02-18 2009-08-19 三洋電機株式会社 回路装置
JP2006039265A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Seiko Epson Corp マイクロレンズアレイ板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器
JP2007109848A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Fujifilm Corp 固体撮像装置及びその製造方法並びにその製造装置
US8120168B2 (en) 2006-03-21 2012-02-21 Promerus Llc Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding
JP5618537B2 (ja) * 2006-03-21 2014-11-05 プロメラス,エルエルシー チップ積層並びにチップ・ウェハ接合に有用な方法及び材料
JP2007266380A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体撮像装置およびその製造方法
JP2008092532A (ja) 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置とその製造方法および携帯電話装置
JP5004669B2 (ja) * 2007-05-28 2012-08-22 京セラ株式会社 撮像部品および撮像ユニット、ならびにこれらの製造方法
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
JP2012515436A (ja) * 2009-01-12 2012-07-05 エムシー10 インコーポレイテッド 非平面撮像アレイの方法及び応用
JP5676171B2 (ja) * 2010-07-26 2015-02-25 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP5705140B2 (ja) 2011-09-27 2015-04-22 株式会社東芝 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP2013084880A (ja) * 2011-09-27 2013-05-09 Toshiba Corp 固体撮像装置、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
JPWO2014073685A1 (ja) * 2012-11-12 2016-09-08 コニカミノルタ株式会社 撮像レンズ、撮像装置及び携帯端末
JP6135109B2 (ja) * 2012-12-07 2017-05-31 ソニー株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器
JPWO2016076124A1 (ja) * 2014-11-11 2017-08-17 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法、半導体モジュール、並びに電子機器
EP3258837A4 (en) 2015-02-20 2018-10-10 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
JP6525687B2 (ja) 2015-04-03 2019-06-05 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP6324343B2 (ja) * 2015-04-08 2018-05-16 キヤノン株式会社 撮像装置及びカメラ
US11154235B2 (en) 2016-04-19 2021-10-26 Medidata Solutions, Inc. Method and system for measuring perspiration
JP6621951B1 (ja) * 2018-12-28 2019-12-18 長瀬産業株式会社 半導体装置の製造方法
US12211864B2 (en) 2019-08-01 2025-01-28 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module, and photosensitive assembly and manufacturing method therefor

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