JP4089123B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリックス状に形成された複数の画素電極を有し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を使用する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＦＴ等のスイッチング素子を使用したマトリックス型液晶表示装置は２枚の偏光子に挟持された液晶セルを備えており、そのような液晶セル自体は、対向して配置された一対の透明ガラス基板と、一方の透明ガラス基板の対向面に設けられ且つ配向膜で覆われた透明な共通電極と、他方の透明ガラス基板の対向面にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の透明な画素電極と、各画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴと、対向する配向膜間に封入されたＴＮ液晶とから少なくとも構成されている。このような液晶セルは一般にＴＮ−ＬＣＤと称されている。
【０００３】
ところで、マトリックス状に配置された画素電極に電圧を印加する場合、表示品質の向上のために各行毎に印加電圧を反転させるライン反転駆動方式や、各列毎に印加電圧を反転させるカラム反転駆動方式が広く採用されている。これらの駆動方式においては、隣接する画素電極間で印加電圧を反転させるので、図６に示すように、元来液晶に与えられたプレチルトの方向と逆のチルト方向を持つリバースチルトドメイン６１が各画素電極６２に対応した画素部内に生ずるという問題がある（特許第２９３４８７５号、段落０００５〜０００６参照）。特にノーマリーホワイトモードの液晶表示では、正常な領域との境界のディスクリネーションライン６３が白抜けをおこしコントラストを低下させる。このため、リバースチルトドメイン６１を小さくするためにチルト角を大きくすることが行われているが、製造時の歩留まりが低下するという問題がある。また、リバースチルトドメイン６１の発生位置に応じて、遮光材を設けることにより光漏れを低減させるようにしているが、開口率が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、ＴＮ−ＬＣＤにおいてコントラスト比を上げる手法のひとつとして、対向する共通電極と画素電極との間に印加される実効電圧を高くする（即ち、ダイナミックレンジを広くする）という手法が有力視されている。このように、対向する共通電極と画素電極との間に印加される実効電圧を高くした場合には、液晶分子の配向がより垂直となるだけでなく、ディスクリネーションライン６３の発生位置が画素部内の周縁方向（外側）へ移動するので、コントラスト比を向上させることが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる実効電圧を高くすると、一部の画素でリバースチルトドメインが消失し、この消失状態が準安定状態となるので、Ｖ（電圧）−Ｔ（光透過強度）特性にヒステリシスを生じ（図７）、黒表示から中間調表示にした際に、減点状の画質不良や、特にリバースチルトドメインの表示不良が隣接するリバースチルトドメインに伝播して滅線状の重大な画質不良が生ずる。このため、対向する共通電極と画素電極との間にある値以上の電圧（実効電圧）を印加することができず、所期のコントラスト比を実現できないという問題がある。この問題は、高精細で高開口率の液晶表示素子を実現するために、隣接する画素電極間距離を短縮した場合に著しく生ずる。従って、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型液晶表示装置においては、高開口率と高コントラスト比とを両立させることが困難である。
【０００６】
本発明は、以上の従来の技術の問題を解決しようとするものであり、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型の液晶表示装置において、Ｖ−Ｔ特性にヒステリシスを生じさせずに実効電圧を増大させること、即ち、表示不良が発生し始める印加電圧の値を高めることにより、高開口率と高コントラスト比とを両立させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型の液晶表示装置において高開口率と高コントラスト比とを両立させるためには、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の相互作用を低減することが有効であり、具体的には互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を最短電極間隔よりも広げることにより隣接するリバースチルトドメイン同士を物理的に引き離せばよいこと、あるいは互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域の液晶セル厚（即ち、対向する配向膜間距離）を、画素部の液晶セル厚よりも狭くすることにより隣接するリバースチルトドメインの厚み方向の断面積の重なりの程度を小さくすればよいことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、画素電極のリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有し、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなっていることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【０００９】
互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるためには、好ましくはリバースチルトドメインの長手方向に対応した画素電極幅を、リバースチルトドメインが形成されていない部分の画素電極幅よりも狭くすればよい。これにより、隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に引き離すことができる。また、画素電極を千鳥格子状に配列してもよい。これにより、隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に対し直交する方向に引き離すことができる。
【００１０】
また、隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くするためには、隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部を形成すればよい。例えば、画素電極を作成する前に一般に形成される平坦化膜にコンタクトホールを作成する際に、そのような障壁部を形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００１１】
また、本発明は、本発明の液晶表示装置のスイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：（ａ） 基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ） 第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ） 反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成する工程；
（ｄ） コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；
及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上に、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなるようにリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
本発明の液晶表示素子は、２枚の偏光子に挟持された液晶セルを備えており、そのような液晶セル自体は、図１に示すように、対向して配置された一対の透明ガラス基板（上基板１、下基板２）と、上基板１の下面（対向面）に設けられ且つ配向膜３で覆われた透明な共通電極４と、下基板２の上面（対向面）にマトリックス状に配置され且つ配向膜５で覆われた複数の透明な画素電極６と、各画素電極６毎にそれぞれ接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（図示せず）と、配向膜３及び５の間に封入され且つそれら間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶７とから少なくとも構成されている。
【００１４】
このような液晶セルにおいては、下基板２の上面（対向面）にマトリックス状に走査線及び信号線（図示せず）が形成されており、画素電極６は、対応するＴＦＴを介して走査線及び信号線とそれぞれ接続されている。このような液晶セルにおいては、配向処理方向と電圧駆動方式（ライン反転駆動方式又はカラム反転駆動方式）により一意的に、ディスクリネーションライン９を境にリバースチルトドメイン８が形成される。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の相互作用を低減させることにより高開口率と高コントラスト比とを両立させるために、互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるか、あるいは互いに隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚（即ち、対向する配向膜間距離）を画素部の液晶セル厚よりも狭くしている。
【００１６】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔ｌａを画素電極の最短電極間隔ｌｂよりも広げる具体的な手法としては、互いに隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に引き離すために、遮光領域１３に囲まれた画素電極１４のリバースチルトドメイン８の長手方向に対応した画素電極幅(リバースチルトドメイン領域の幅)Ｌａを、リバースチルトドメイン８が形成されていない部分の画素電極幅（ノーマルチルトドメイン領域の幅）Ｌｂよりも狭くする手法が挙げられる。また、長手方向に直交する方向に引き離すために、図２（ｃ）に示すように、画素電極１４を千鳥格子状に配置する手法が挙げられる。図２（ｃ）の態様の場合には、隣接するリバースチルトドメイン８の対向する端部断面積の重なりも小さくなり、隣接するリバースチルトドメイン間の相互作用を低下させる効果が期待できる。
【００１７】
更に、本発明らの知見によれば、対向する共通電極と画素電極との間に印可可能な実効電圧と、リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向における画素電極間隔との間にも密接な関係があり、その間隔を広げると実効電圧を増大させ得ることがわかった。但し、間隔を単に広げると遮光領域の面積が広くなり、高開口率を実現できない。従って、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した態様を、それぞれ図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向において、隣接する画素電極間の間隔の一部を広くすることが好ましい。このとき、間隔を広げる部分としては、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、リバースチルトドメイン８の断面積の小さいその端部方向の画素電極部分を広げることが、高開口率の維持及びリバースチルトドメインの非対称的な発生の点から好ましいが、リバースチルトドメインの中程を切断するように広げてもよい。また、広げる大きさ（深さ）や幅については、開口率等を考慮して適宜決定することができる。
【００１８】
また、互いに隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くする具体的な手法としては、互いに隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部を形成すればよい（図示せず）。障壁部としては、ＴＦＴ素子などのスイッチング素子を形成する際に、基板に凸部を作り込んでもよく、あるいは配向膜を形成した後に印刷法やディスペンス法などにより、障壁部となるような構造物を形成してもよい。
【００１９】
液晶としては、液晶分子長軸が対向する配向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶を使用することが好ましい。また、液晶セルには、各画素部の周縁の少なくとも一部を遮光するためのブラックマトリックスを設けることが好ましい。画素部における液晶セル厚は、４μｍ以下が好ましい。また、画素電極の大きさは５μｍ〜５０μｍ四方が好ましい。
【００２０】
【実施例】
以下、本発明の実施例（画素電極のリバースチルトドメイン領域の幅をノーマルチルトドメイン領域の幅よりも狭くした例）を図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２１】
図４（ａ）は、本発明の液晶表示装置のＴＮ−ＬＣＤ部分を上から見た平面図の一例であるが、但し、ＴＦＴと信号線及び走査線については図示していない。なお、図４（ａ）のＡＢ断面図は、図１と同一の構造となる。
【００２２】
図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、下基板及び上基板の配向処理方向（即ち、ラビング方向）は、それぞれ矢印１１及び矢印１２の方向とした。遮光領域１３には、信号線、走査線、補助容量電極、ＴＦＴを設置し、また、下基板の画素電極１４に対応して開口部１５を形成した。画素電極１４は、遮光領域１３内の信号線及び走査線にＴＦＴを介して接続した。画素電極１４への電圧印加方式としては、各行毎に反転駆動をするライン反転駆動方式を採用した。
【００２３】
また、画素電極１４に対応する画素部における液晶セル厚（即ち、画素部における対向する配向膜間の距離）を３．５μｍに設定し、下基板及び上基板の間に左旋性のネマティック液晶を封入した。使用した液晶の屈折率異方性Δｎは約０．１３であり、誘電率異方性Δεは約１０であった。
【００２４】
また、配向膜としては、プレチルト角がそれぞれ約５°のポリイミド膜を使用した。
【００２５】
図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、画素のピッチ▲１▼を２０μｍ、縦方向の画素電極間隔▲３▼を１．５μｍ、横方向の画素電極の最短電極間隔▲４▼を１．５μｍに設定した。そして、リバースチルトドメイン８の領域における縦方向に拡大した電極間隔▲５▼及び横方向に拡大した電極間隔▲６▼のそれぞれと、表示不良の発生する駆動電圧との関係を調べた。ここで、電極間隔▲６▼を０．５μｍとしたときの電極間隔▲５▼と表示不良の発生する駆動電圧との関係図を図５（ａ）に示し、電極間隔▲５▼を３．５μｍとしたときの電極間隔▲６▼と表示不良の発生する駆動電圧の関係図を図５（ｂ）に示した。
【００２６】
図５（ｂ）から、電極間隔▲６▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。また、図５（ａ）から、電極間隔▲５▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。この場合、電極間隔▲５▼は、必要以上に拡げる必要はなく、３．５μｍまで拡げれば十分である。この液晶セルのディスクリネーションライン９の位置を観測したところ、リバースチルトドメイン幅▲２▼が３．０μｍであった。従って、電極間隔▲５▼がリバースチルトドメイン幅▲２▼より広がった場合には、表示不良が起こらない駆動電圧が飽和することがわかる。
【００２７】
以上のように、高開口率を実現するために、隣接する画素電極間の距離を短く設計したＴＮ−ＬＣＤにおいても、本発明で提案したような画素電極形状を採用することによって、大きな駆動電圧をかけることができる。具体的には、この実施例では、電極間隔▲５▼を３．５μｍとし、電極間隔▲６▼を０．５μｍとしたとき、表示不良が起こらない駆動電圧は４．５Ｖから６．６Ｖへ改善され、高コントラストを実現することが可能となる。
【００２８】
また、電極間隔▲４▼を１．５μｍとし、電極間隔▲５▼及び▲６▼を０μｍとしたとき（画素電極が正方形の場合）に、電極間隔▲３▼と表示不良の発生する駆動電圧の関係図を図５（ｃ）に示した。図５（ｃ）から、電極間隔▲３▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。具体的には、図４（ｂ）に示すように、電極間隔▲３▼を１．５μｍとし、電極間隔▲４▼を０．５μｍとしたときに、電極間隔▲３▼の一部を幅２．５μｍで０．５μｍ拡げると、表示不良が起こらない駆動電圧は５．０Ｖから５．５Ｖへ改善され、高コントラストを実現することが可能となる。このことからも、リバースチルトドメイン部分の画素電極の形状を、横方向だけでなく縦方向にも切り込みを入れたような形状に加工することが好ましいことがわかる。
【００２９】
なお、本発明の液晶表示装置は、スイッチング素子としてＴＦＴに代えてＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）等の非線形素子を用いることができる。また、配向処理としてのラビング処理方向や液晶の捩れ角は特に限定されない。また、カラー表示または白黒表示の透過型、反射型ＴＮ−ＬＣＤにも適用することができる。更に、配向膜のプレチルト角も５°に限定されるものではない。
【００３０】
以下に、本発明の液晶表示装置で使用するＴＦＴ基板の製造例を図８（概略工程図）を参照しながら説明する。
【００３１】
工程（ａ）（図８（ａ））
まず、ガラス基板等の絶縁性透明基板８０の表面に、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学的気相成長法）にてｐｏｌｙ−Ｓｉを５０ｎｍ成膜しその上にＷＳｉを２００ｎｍ成膜しパターニングし遮光膜８１を形成する。
【００３２】
その上に、層間絶縁膜８２としてＳｉＯ2をＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学的気相成長法）により６００ｎｍ成膜する。その後トランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層をＬＰ−ＣＶＤにより７５ｎｍ成膜し、熱処理等により結晶粒を成長させ、パターニングしてＳｉ層８３を形成する。その後、Ｓｉ層８３の表面を酸化して酸化被膜８４を形成し、全面にｐ型不純物（Ｂ）を低濃度イオン注入する。
【００３３】
次に、トランジスタ部を隠すようにマスクしＣｓ（蓄積容量）部のみにｎ型不純物（Ａｓ）を高濃度イオン注入し電極を形成し、更にその上にＬＰ−ＣＶＤによってゲート電極またはＣｓ電極となる第２のＳｉ層を成膜し、ＰＯＣｌ3等のガス中で熱処理をする事によりリン原子を拡散させ低比抵抗化した後にパターニングしてゲート電極８５とＣｓ電極８６とを形成する。
【００３４】
次に、ｎ−ＭＯＳ形成の為、ｐ−ＭＯＳ形成部を隠すようにマスクしｎ型不純物（Ａｓ）を高濃度イオン注入し、引き続きｎ−ＭＯＳ形成の為、画素トランジスタ及び回路内のｎ−ＭＯＳ部を隠すようにマスクしｐ型不純物（Ｂ）を高濃度イオン注入する。そして、ＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間絶縁層８７を６００ｎｍ成膜し、熱処理によりイオン注入部の結晶性を回復させる。
【００３５】
工程（ｂ）（図８（ｂ））
次に、層間絶縁層８７の全面にスパッタリング法により反射防止の為のＴｉＯＮ層８８を３５ｎｍ成膜する。
【００３６】
工程（ｃ）（図８（ｃ））
次に、コンタクトホール以外の部分をフォトリソグラフィーによりマスキングし、コンタクトホール部分のＴｉＯＮ層８８及び層間絶縁層８７をエッチングしてコンタクトホールＣｈを形成する。
【００３７】
工程（ｄ）（図８（ｄ））
次に、５００ｎｍ厚のＡｌ−１％Ｓｉ層８９と、その上に６０ｎｍ厚のＴｉＯＮ層９０を連続的にスパッタリング成膜し、配線部分をフォトリソグラフィーでマスキング後ＴｉＯＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮの３層構造配線をドライエッチングによりパターニングし配線層９１を形成する。
【００３８】
３５ｎｍ厚の下側のＴｉＯＮ層８８は波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光を効果的に吸収し、６０ｎｍ厚の上側のＴｉＯＮ層９０は、後のコンタクトホールエッチングのストッパーとしても機能する。
【００３９】
工程（ｅ）（図８（ｅ））
続いてＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間絶縁層９２を４００ｎｍ、更にパッシベーションとしてプラズマＣＶＤにより２００ｎｍ厚のＳｉＮ膜９３を成膜する。ＳｉＮ膜９３をコンタクトホール部、画素開口部及びＰＡＤ部についてエッチングした後、４００ｎｍ厚の層間絶縁層をコンタクトホール部、ＰＡＤ部について開口する。その後、工程（ｄ）と同様の方法でＴｉＯＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮ構造の金属膜を形成しパターニングして配線層９４を形成する。
【００４０】
そして熱処理によりトランジスタ特性を回復させた後、平坦化用有機膜９５をコーティングし、画素電極コンタクトホール９６とＰＡＤを開口する。最後に画素電極用ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングにより７０ｎｍ成膜し、本願の所定の条件を満たすようにパターニングして画素電極９７を形成する。これにより本発明で使用するＴＦＴ基板が完成する。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の距離が画素電極の電極間隔よりも広がっているか、又は隣接するリバースチルトドメインの間における液晶セル厚が、画素部における液晶セル厚より狭くなっているので、隣接するリバースチルトドメイン同士の相互作用を抑制することができる。従って、本発明の液晶表示装置は、表示不良を伴うことなく大きな駆動電圧の印加が可能となるので、高開口率で高コントラストの液晶表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の液晶セルの概略断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の平面模式図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の平面模式図である。
【図４】実施例の液晶表示装置の液晶セルの平面図である。
【図５】液晶表示装置の液晶セルの画素電極間隔と実効電圧との関係図である。
【図６】従来の液晶セルにおいて発生したリバースチルトドメインの説明図である。
【図７】従来の液晶セルにおける光透過強度と駆動電圧との間にヒステリシスが生じた場合の説明図である。
【図８】本発明で使用するＴＦＴ基板の製造工程図である。
【符号の説明】
１…上基板、２…下基板、３，５…配向膜、４…共通電極、６…画素電極、７…捩れネマティック液晶、８…リバースチルトドメイン、９…ディスクリネーションライン、１１…下基板の配向処理方向、１２…上基板の配向処理方向、１３…遮光領域、１４…画素電極、１５…開口部
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリックス状に形成された複数の画素電極を有し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を使用する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＦＴ等のスイッチング素子を使用したマトリックス型液晶表示装置は２枚の偏光子に挟持された液晶セルを備えており、そのような液晶セル自体は、対向して配置された一対の透明ガラス基板と、一方の透明ガラス基板の対向面に設けられ且つ配向膜で覆われた透明な共通電極と、他方の透明ガラス基板の対向面にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の透明な画素電極と、各画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴと、対向する配向膜間に封入されたＴＮ液晶とから少なくとも構成されている。このような液晶セルは一般にＴＮ−ＬＣＤと称されている。
【０００３】
ところで、マトリックス状に配置された画素電極に電圧を印加する場合、表示品質の向上のために各行毎に印加電圧を反転させるライン反転駆動方式や、各列毎に印加電圧を反転させるカラム反転駆動方式が広く採用されている。これらの駆動方式においては、隣接する画素電極間で印加電圧を反転させるので、図６に示すように、元来液晶に与えられたプレチルトの方向と逆のチルト方向を持つリバースチルトドメイン６１が各画素電極６２に対応した画素部内に生ずるという問題がある（特許第２９３４８７５号、段落０００５〜０００６参照）。特にノーマリーホワイトモードの液晶表示では、正常な領域との境界のディスクリネーションライン６３が白抜けをおこしコントラストを低下させる。このため、リバースチルトドメイン６１を小さくするためにチルト角を大きくすることが行われているが、製造時の歩留まりが低下するという問題がある。また、リバースチルトドメイン６１の発生位置に応じて、遮光材を設けることにより光漏れを低減させるようにしているが、開口率が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、ＴＮ−ＬＣＤにおいてコントラスト比を上げる手法のひとつとして、対向する共通電極と画素電極との間に印加される実効電圧を高くする（即ち、ダイナミックレンジを広くする）という手法が有力視されている。このように、対向する共通電極と画素電極との間に印加される実効電圧を高くした場合には、液晶分子の配向がより垂直となるだけでなく、ディスクリネーションライン６３の発生位置が画素部内の周縁方向（外側）へ移動するので、コントラスト比を向上させることが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかる実効電圧を高くすると、一部の画素でリバースチルトドメインが消失し、この消失状態が準安定状態となるので、Ｖ（電圧）−Ｔ（光透過強度）特性にヒステリシスを生じ（図７）、黒表示から中間調表示にした際に、減点状の画質不良や、特にリバースチルトドメインの表示不良が隣接するリバースチルトドメインに伝播して滅線状の重大な画質不良が生ずる。このため、対向する共通電極と画素電極との間にある値以上の電圧（実効電圧）を印加することができず、所期のコントラスト比を実現できないという問題がある。この問題は、高精細で高開口率の液晶表示素子を実現するために、隣接する画素電極間距離を短縮した場合に著しく生ずる。従って、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型液晶表示装置においては、高開口率と高コントラスト比とを両立させることが困難である。
【０００６】
本発明は、以上の従来の技術の問題を解決しようとするものであり、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型の液晶表示装置において、Ｖ−Ｔ特性にヒステリシスを生じさせずに実効電圧を増大させること、即ち、表示不良が発生し始める印加電圧の値を高めることにより、高開口率と高コントラスト比とを両立させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型の液晶表示装置において高開口率と高コントラスト比とを両立させるためには、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の相互作用を低減することが有効であり、具体的には互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を最短電極間隔よりも広げることにより隣接するリバースチルトドメイン同士を物理的に引き離せばよいこと、あるいは互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた領域の液晶セル厚（即ち、対向する配向膜間距離）を、画素部の液晶セル厚よりも狭くすることにより隣接するリバースチルトドメインの厚み方向の断面積の重なりの程度を小さくすればよいことを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、対向して配置された一対の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、画素電極のリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有し、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなっていることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【０００９】
互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるためには、好ましくはリバースチルトドメインの長手方向に対応した画素電極幅を、リバースチルトドメインが形成されていない部分の画素電極幅よりも狭くすればよい。これにより、隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に引き離すことができる。また、画素電極を千鳥格子状に配列してもよい。これにより、隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に対し直交する方向に引き離すことができる。
【００１０】
また、隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くするためには、隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部を形成すればよい。例えば、画素電極を作成する前に一般に形成される平坦化膜にコンタクトホールを作成する際に、そのような障壁部を形成することができるが、これに限定されるものではない。
【００１１】
また、本発明は、本発明の液晶表示装置のスイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：（ａ） 基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ） 第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ） 反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成する工程；
（ｄ） コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；
及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上に、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなるようにリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有することを特徴とする製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の態様】
以下、本発明の液晶表示素子について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
本発明の液晶表示素子は、２枚の偏光子に挟持された液晶セルを備えており、そのような液晶セル自体は、図１に示すように、対向して配置された一対の透明ガラス基板（上基板１、下基板２）と、上基板１の下面（対向面）に設けられ且つ配向膜３で覆われた透明な共通電極４と、下基板２の上面（対向面）にマトリックス状に配置され且つ配向膜５で覆われた複数の透明な画素電極６と、各画素電極６毎にそれぞれ接続されたスイッチング素子としてのＴＦＴ（図示せず）と、配向膜３及び５の間に封入され且つそれら間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶７とから少なくとも構成されている。
【００１４】
このような液晶セルにおいては、下基板２の上面（対向面）にマトリックス状に走査線及び信号線（図示せず）が形成されており、画素電極６は、対応するＴＦＴを介して走査線及び信号線とそれぞれ接続されている。このような液晶セルにおいては、配向処理方向と電圧駆動方式（ライン反転駆動方式又はカラム反転駆動方式）により一意的に、ディスクリネーションライン９を境にリバースチルトドメイン８が形成される。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の相互作用を低減させることにより高開口率と高コントラスト比とを両立させるために、互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるか、あるいは互いに隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚（即ち、対向する配向膜間距離）を画素部の液晶セル厚よりも狭くしている。
【００１６】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔ｌａを画素電極の最短電極間隔ｌｂよりも広げる具体的な手法としては、互いに隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向に引き離すために、遮光領域１３に囲まれた画素電極１４のリバースチルトドメイン８の長手方向に対応した画素電極幅(リバースチルトドメイン領域の幅)Ｌａを、リバースチルトドメイン８が形成されていない部分の画素電極幅（ノーマルチルトドメイン領域の幅）Ｌｂよりも狭くする手法が挙げられる。また、長手方向に直交する方向に引き離すために、図２（ｃ）に示すように、画素電極１４を千鳥格子状に配置する手法が挙げられる。図２（ｃ）の態様の場合には、隣接するリバースチルトドメイン８の対向する端部断面積の重なりも小さくなり、隣接するリバースチルトドメイン間の相互作用を低下させる効果が期待できる。
【００１７】
更に、本発明らの知見によれば、対向する共通電極と画素電極との間に印可可能な実効電圧と、リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向における画素電極間隔との間にも密接な関係があり、その間隔を広げると実効電圧を増大させ得ることがわかった。但し、間隔を単に広げると遮光領域の面積が広くなり、高開口率を実現できない。従って、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示した態様を、それぞれ図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向において、隣接する画素電極間の間隔の一部を広くすることが好ましい。このとき、間隔を広げる部分としては、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、リバースチルトドメイン８の断面積の小さいその端部方向の画素電極部分を広げることが、高開口率の維持及びリバースチルトドメインの非対称的な発生の点から好ましいが、リバースチルトドメインの中程を切断するように広げてもよい。また、広げる大きさ（深さ）や幅については、開口率等を考慮して適宜決定することができる。
【００１８】
また、互いに隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くする具体的な手法としては、互いに隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部を形成すればよい（図示せず）。障壁部としては、ＴＦＴ素子などのスイッチング素子を形成する際に、基板に凸部を作り込んでもよく、あるいは配向膜を形成した後に印刷法やディスペンス法などにより、障壁部となるような構造物を形成してもよい。
【００１９】
液晶としては、液晶分子長軸が対向する配向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶を使用することが好ましい。また、液晶セルには、各画素部の周縁の少なくとも一部を遮光するためのブラックマトリックスを設けることが好ましい。画素部における液晶セル厚は、４μｍ以下が好ましい。また、画素電極の大きさは５μｍ〜５０μｍ四方が好ましい。
【００２０】
【実施例】
以下、本発明の実施例（画素電極のリバースチルトドメイン領域の幅をノーマルチルトドメイン領域の幅よりも狭くした例）を図面を参照しながら具体的に説明する。
【００２１】
図４（ａ）は、本発明の液晶表示装置のＴＮ−ＬＣＤ部分を上から見た平面図の一例であるが、但し、ＴＦＴと信号線及び走査線については図示していない。なお、図４（ａ）のＡＢ断面図は、図１と同一の構造となる。
【００２２】
図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、下基板及び上基板の配向処理方向（即ち、ラビング方向）は、それぞれ矢印１１及び矢印１２の方向とした。遮光領域１３には、信号線、走査線、補助容量電極、ＴＦＴを設置し、また、下基板の画素電極１４に対応して開口部１５を形成した。画素電極１４は、遮光領域１３内の信号線及び走査線にＴＦＴを介して接続した。画素電極１４への電圧印加方式としては、各行毎に反転駆動をするライン反転駆動方式を採用した。
【００２３】
また、画素電極１４に対応する画素部における液晶セル厚（即ち、画素部における対向する配向膜間の距離）を３．５μｍに設定し、下基板及び上基板の間に左旋性のネマティック液晶を封入した。使用した液晶の屈折率異方性Δｎは約０．１３であり、誘電率異方性Δεは約１０であった。
【００２４】
また、配向膜としては、プレチルト角がそれぞれ約５°のポリイミド膜を使用した。
【００２５】
図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、画素のピッチ▲１▼を２０μｍ、縦方向の画素電極間隔▲３▼を１．５μｍ、横方向の画素電極の最短電極間隔▲４▼を１．５μｍに設定した。そして、リバースチルトドメイン８の領域における縦方向に拡大した電極間隔▲５▼及び横方向に拡大した電極間隔▲６▼のそれぞれと、表示不良の発生する駆動電圧との関係を調べた。ここで、電極間隔▲６▼を０．５μｍとしたときの電極間隔▲５▼と表示不良の発生する駆動電圧との関係図を図５（ａ）に示し、電極間隔▲５▼を３．５μｍとしたときの電極間隔▲６▼と表示不良の発生する駆動電圧の関係図を図５（ｂ）に示した。
【００２６】
図５（ｂ）から、電極間隔▲６▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。また、図５（ａ）から、電極間隔▲５▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。この場合、電極間隔▲５▼は、必要以上に拡げる必要はなく、３．５μｍまで拡げれば十分である。この液晶セルのディスクリネーションライン９の位置を観測したところ、リバースチルトドメイン幅▲２▼が３．０μｍであった。従って、電極間隔▲５▼がリバースチルトドメイン幅▲２▼より広がった場合には、表示不良が起こらない駆動電圧が飽和することがわかる。
【００２７】
以上のように、高開口率を実現するために、隣接する画素電極間の距離を短く設計したＴＮ−ＬＣＤにおいても、本発明で提案したような画素電極形状を採用することによって、大きな駆動電圧をかけることができる。具体的には、この実施例では、電極間隔▲５▼を３．５μｍとし、電極間隔▲６▼を０．５μｍとしたとき、表示不良が起こらない駆動電圧は４．５Ｖから６．６Ｖへ改善され、高コントラストを実現することが可能となる。
【００２８】
また、電極間隔▲４▼を１．５μｍとし、電極間隔▲５▼及び▲６▼を０μｍとしたとき（画素電極が正方形の場合）に、電極間隔▲３▼と表示不良の発生する駆動電圧の関係図を図５（ｃ）に示した。図５（ｃ）から、電極間隔▲３▼を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くできることがわかる。具体的には、図４（ｂ）に示すように、電極間隔▲３▼を１．５μｍとし、電極間隔▲４▼を０．５μｍとしたときに、電極間隔▲３▼の一部を幅２．５μｍで０．５μｍ拡げると、表示不良が起こらない駆動電圧は５．０Ｖから５．５Ｖへ改善され、高コントラストを実現することが可能となる。このことからも、リバースチルトドメイン部分の画素電極の形状を、横方向だけでなく縦方向にも切り込みを入れたような形状に加工することが好ましいことがわかる。
【００２９】
なお、本発明の液晶表示装置は、スイッチング素子としてＴＦＴに代えてＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）等の非線形素子を用いることができる。また、配向処理としてのラビング処理方向や液晶の捩れ角は特に限定されない。また、カラー表示または白黒表示の透過型、反射型ＴＮ−ＬＣＤにも適用することができる。更に、配向膜のプレチルト角も５°に限定されるものではない。
【００３０】
以下に、本発明の液晶表示装置で使用するＴＦＴ基板の製造例を図８（概略工程図）を参照しながら説明する。
【００３１】
工程（ａ）（図８（ａ））
まず、ガラス基板等の絶縁性透明基板８０の表面に、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学的気相成長法）にてｐｏｌｙ−Ｓｉを５０ｎｍ成膜しその上にＷＳｉを２００ｎｍ成膜しパターニングし遮光膜８１を形成する。
【００３２】
その上に、層間絶縁膜８２としてＳｉＯ2をＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学的気相成長法）により６００ｎｍ成膜する。その後トランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層をＬＰ−ＣＶＤにより７５ｎｍ成膜し、熱処理等により結晶粒を成長させ、パターニングしてＳｉ層８３を形成する。その後、Ｓｉ層８３の表面を酸化して酸化被膜８４を形成し、全面にｐ型不純物（Ｂ）を低濃度イオン注入する。
【００３３】
次に、トランジスタ部を隠すようにマスクしＣｓ（蓄積容量）部のみにｎ型不純物（Ａｓ）を高濃度イオン注入し電極を形成し、更にその上にＬＰ−ＣＶＤによってゲート電極またはＣｓ電極となる第２のＳｉ層を成膜し、ＰＯＣｌ3等のガス中で熱処理をする事によりリン原子を拡散させ低比抵抗化した後にパターニングしてゲート電極８５とＣｓ電極８６とを形成する。
【００３４】
次に、ｎ−ＭＯＳ形成の為、ｐ−ＭＯＳ形成部を隠すようにマスクしｎ型不純物（Ａｓ）を高濃度イオン注入し、引き続きｎ−ＭＯＳ形成の為、画素トランジスタ及び回路内のｎ−ＭＯＳ部を隠すようにマスクしｐ型不純物（Ｂ）を高濃度イオン注入する。そして、ＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間絶縁層８７を６００ｎｍ成膜し、熱処理によりイオン注入部の結晶性を回復させる。
【００３５】
工程（ｂ）（図８（ｂ））
次に、層間絶縁層８７の全面にスパッタリング法により反射防止の為のＴｉＯＮ層８８を３５ｎｍ成膜する。
【００３６】
工程（ｃ）（図８（ｃ））
次に、コンタクトホール以外の部分をフォトリソグラフィーによりマスキングし、コンタクトホール部分のＴｉＯＮ層８８及び層間絶縁層８７をエッチングしてコンタクトホールＣｈを形成する。
【００３７】
工程（ｄ）（図８（ｄ））
次に、５００ｎｍ厚のＡｌ−１％Ｓｉ層８９と、その上に６０ｎｍ厚のＴｉＯＮ層９０を連続的にスパッタリング成膜し、配線部分をフォトリソグラフィーでマスキング後ＴｉＯＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮの３層構造配線をドライエッチングによりパターニングし配線層９１を形成する。
【００３８】
３５ｎｍ厚の下側のＴｉＯＮ層８８は波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光を効果的に吸収し、６０ｎｍ厚の上側のＴｉＯＮ層９０は、後のコンタクトホールエッチングのストッパーとしても機能する。
【００３９】
工程（ｅ）（図８（ｅ））
続いてＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間絶縁層９２を４００ｎｍ、更にパッシベーションとしてプラズマＣＶＤにより２００ｎｍ厚のＳｉＮ膜９３を成膜する。ＳｉＮ膜９３をコンタクトホール部、画素開口部及びＰＡＤ部についてエッチングした後、４００ｎｍ厚の層間絶縁層をコンタクトホール部、ＰＡＤ部について開口する。その後、工程（ｄ）と同様の方法でＴｉＯＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮ構造の金属膜を形成しパターニングして配線層９４を形成する。
【００４０】
そして熱処理によりトランジスタ特性を回復させた後、平坦化用有機膜９５をコーティングし、画素電極コンタクトホール９６とＰＡＤを開口する。最後に画素電極用ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリングにより７０ｎｍ成膜し、本願の所定の条件を満たすようにパターニングして画素電極９７を形成する。これにより本発明で使用するＴＦＴ基板が完成する。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の距離が画素電極の電極間隔よりも広がっているか、又は隣接するリバースチルトドメインの間における液晶セル厚が、画素部における液晶セル厚より狭くなっているので、隣接するリバースチルトドメイン同士の相互作用を抑制することができる。従って、本発明の液晶表示装置は、表示不良を伴うことなく大きな駆動電圧の印加が可能となるので、高開口率で高コントラストの液晶表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の液晶セルの概略断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の平面模式図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の平面模式図である。
【図４】実施例の液晶表示装置の液晶セルの平面図である。
【図５】液晶表示装置の液晶セルの画素電極間隔と実効電圧との関係図である。
【図６】従来の液晶セルにおいて発生したリバースチルトドメインの説明図である。
【図７】従来の液晶セルにおける光透過強度と駆動電圧との間にヒステリシスが生じた場合の説明図である。
【図８】本発明で使用するＴＦＴ基板の製造工程図である。
【符号の説明】
１…上基板、２…下基板、３，５…配向膜、４…共通電極、６…画素電極、７…捩れネマティック液晶、８…リバースチルトドメイン、９…ディスクリネーションライン、１１…下基板の配向処理方向、１２…上基板の配向処理方向、１３…遮光領域、１４…画素電極、１５…開口部
Claims (8)
- 対向して配置された一対の基板と、
該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆われた共通電極と、
他方の基板にマトリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、
各画素電極に接続されたスイッチング素子と、
一対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置において、
画素電極のリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有し、
互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極よりも広くなっている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - リバースチルトドメインの長手方向に直交する方向において、隣接する画素電極間の間隔の一部が広くなっている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 画素電極を千鳥格子状に配列した
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 液晶は、液晶分子長軸が対向する配向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 各画素部の周縁の少なくとも一部に、遮光するためのブラックマトリックスが形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 画素部における液晶セル厚が４μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 画素電極の大きさが５μｍ〜５０μｍ四方である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 請求項１記載の液晶表示装置の製造方法において、スイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜（ｅ）：
（ａ）基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にトランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工程；
（ｂ）第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する工程；
（ｃ）反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層に達するコンタクトホールを形成 する工程；
（ｄ）コンタクトホールに第１配線層を形成する工程；
及び（ｅ）全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコンタクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部についてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上に、互いに隣接する画素電極のリバースチルトドメインが発生する側の電極間隔が、前記隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなるようにリバースチルトドメインが発生する側である画素電極端辺の両端部に切り込みを有する画素電極を形成する工程、を含んでなる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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