JP3987716B2 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ(コンパクトディスク)，ＣＤ‐Ｒ(ＣＤrecordable)，ＤＶＤ(ディジタル多用途ディスク)，ＤＶＤ‐Ｒ(ＤＶＤrecordable)等の光ディスクから信号を読み取る際の光源として使用される半導体レーザ装置、および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記半導体レーザ装置の組み立て構造として、フレームタイプレーザ装置とφ５.６キャンタイプレーザ装置とがある。以下、両者を簡単に説明する。
【０００３】
(１）フレームタイプレーザ装置
(Ｉ) 図５に示すように、リード端子となる金属のリードフレーム１の先端にレーザ素子２をマウントし、モールド樹脂３でモールドした構造を有している。そして、両側部に位置するリードフレーム１aの一部をモールド樹脂３の側面から側方に突出させて板状部４を構成し、この板状部４の一端面４aで基準面(アイレット)を構成している。
【０００４】
(II) 図６に示すように、(Ｉ)の場合と同様に、リード端子となる金属のリードフレーム５の先端にレーザ素子６をマウントし、モールド樹脂７でモールドした構造を有している。但し、この場合には、モールド樹脂７の一端面７aで基準面（アイレット)を構成している。
【０００５】
(２）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、底面からリード端子１１が突出している円形の金属ブロックでなるステム１２の上面１２aに、ヒートシンク(図示せず)を介してレーザ素子１３をマウントする。そして、レーザ素子１３をリード端子１１にワイヤボンディングした後に、レーザ素子１３およびワイヤ(図示せず)を保護用のキャップ１４で覆った構造を有している。この場合には、ステム１２の上面１２aで基準面を構成している。尚、１５は、位置決め用の切り欠きである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置の組み立て構造には、以下のような問題がある。
【０００７】
(ａ）フレームタイプレーザ装置
(ｉ）図５に示すようなフレームタイプレーザ装置の場合には、モールド樹脂３の側面から突出している板状部４の厚さは一定である。したがって、板状部４の一端面４aで構成される基準面の面積は板状部４の厚みで限定されることになり、基準面の強度が充分に取れず、放熱性も充分ではないという問題がある。
【０００８】
(ii）図６に示すようなフレームタイプレーザ装置の場合には、基準面はモールド樹脂７の一端面７aで構成されている。したがって、金属に比較して強度が低く、温度変化による膨張・収縮があるために、基準面としての精度が低いという問題がある。また、放熱性はリードフレーム５の厚みで限定されるために充分に取れないという問題もある。
【０００９】
(ｂ）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、基準面および放熱部は、ステム１２という金属ブロックの一面で構成されている。したがって、基準面の強度および放熱性は、上述したフレームタイプレーザ装置の場合に比して優れている。しかしながら、円形の金属ブロックでなるステム１２に対してレーザ素子１３およびワイヤを保護するためのキャップ１４を用いて組み立てを行う関係上、パッケージ自体および最終製品の何れの場合でも個々に製造する必要があるため生産効率が悪く、大量一括生産には不向きであるという問題がある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基準面の強度および放熱性を充分に取ることができ、生産性にも優れた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１の発明の半導体レーザ装置は、
１枚の金属板で構成されたベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在するリードフレームとを備えて、
上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとは、上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げられており、
上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、
上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載され、
上記リードフレームはリード端子となり、
上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および放熱台となる領域における厚みを、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くした
ことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、上記ベースフレームにおける上記基準面および放熱台となる領域の厚みが、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くなっている。したがって、上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００１３】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１,第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に,上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放熱台となる領域に、この領域と同じ形状を有する金属板を貼り付ける工程を含む
ことを特徴としている。
【００１４】
上記構成によれば、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと第１,第２リードフレームとで成る組が枠フレームおよびタイバーで複数組連結されたフレームが１枚の金属板から形成され、フォーミング,半導体レーザ素子の搭載,ワイヤボンディングおよび樹脂モールドの夫々が上記各組に対して同時に行われる。したがって、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造することが可能になり、生産効率の向上とコストダウンとが図られる。
【００１５】
さらに、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの少なくとも一部が、上記部品保護用隔壁用の樹脂によって固定されている。したがって、１枚の金属板を折り曲げて構成されたレーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの撓み等がなく、取り付け剛性が高められる。
【００１６】
さらに、上記基準面および放熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００１７】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記１枚の金属板からのフレームの形成は金型による打ち抜きで行われる。
【００１８】
この実施例によれば、上記フレームの形成がより簡単になり、更なる生産効率の向上が図られる。
【００１９】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設ける工程を含んでいる。
【００２０】
この実施例によれば、上記フォーミング時における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げが容易になり、更なる生産効率の向上が図られる。
【００２１】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げは金型を用いて行われる。
【００２２】
この実施例によれば、複数組の上記フレームにおける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げが金型を用いて一括して行われ、生産効率の向上が図られる。
【００２３】
また、第３の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１ , 第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に、上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームとの厚みを、プレスによって薄くする工程を含む
ことを特徴としている。
【００２４】
この実施例によれば、上記複数組のフレームに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くする処理が、プレスによる１動作で行われる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場合よりも生産効率の向上が図られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導体レーザ装置における外観図である。尚、図１(a)は平面図であり、図１(b)は正面図であり、図１(c)は底面図である。
【００２６】
本半導体レーザ装置は、現在主流である図７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置と互換性をもたせることが可能であり、フレームタイプレーザ装置では困難であった基準面の強度向上および放熱性向上を図ったものである。また、キャップを用いないオープンパッケージでありながら、マウントされたレーザ素子やワイヤ等を保護するための部品保護用隔壁を有しており、容易に触れ難い構造になっている。
【００２７】
２１は、互いに対向して配置されると共に一側が円弧になっている略半月状の基準面部２１a,２１bと、両基準面部２１a,２１bの直線状の他側部中央を連結する板状の連結部２１cとから成るベースフレームであり、１枚の金属板で形成されている。また、ベースフレーム２１の連結部２１cにおける一側部から連結部２１cの表面に対して垂直方向に延在して、板状のレーザ素子搭載フレーム２２が設けられている。一方、連結部２１cにおける他側部からは、連結部２１cの表面に対して垂直方向に延在して、３本のリードフレーム２３が設けられている。ここで、レーザ素子搭載フレーム２２および中央のリードフレーム２３aは、ベースフレーム２１と一体に形成されて、連結部２１cの側端で直角に互いに逆方向に折り曲げられて構成されている。つまり、レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３aとは１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されているのである。
【００２８】
また、上記ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bには、同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられている。
【００２９】
上記レーザ素子搭載フレーム２２にはレーザ素子２６および受光素子４０がマウントされたサブマウント２５が搭載され、ワイヤ２７,２７によってリードフレーム２３,２３のワイヤボンディング部２８,２８等にワイヤボンディングされている。そして、レーザ素子２６がマウントされたレーザ素子搭載フレーム２２におけるレーザ光の出射側を除いた周囲が、斜線で示すようにモールド樹脂２９でモールドされている。こうして、モールド樹脂２９で上記部品保護用隔壁を構成するのである。尚、３０は、ベースフレーム２１における外周端に形成された位置決め用凹部である。
【００３０】
上述したように、本実施の形態における半導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて形成されたベースフレーム２１とレーザ素子搭載フレーム２２とリードフレーム２３とを有しており、レーザ素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６が搭載されている。そして、平坦な１枚金属板で一部が円弧の略小判形に形成されたベースフレーム２１における基準面部２１a,２１bで基準面が構成されており、更にこの基準面部２１a,２１bには同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられている。したがって、本半導体レーザ装置は、フレームタイプレーザ素子でありながら、φ５.６キャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の高い基準面強度と放熱性とを得ることができる。また、その強度と放熱性とは、ベースフレーム２１の打ち抜き形状とレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３の折り曲げ位置とを変えることによって、自由に変更することができるのである。
【００３１】
また、本実施の形態における半導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜いたフレームに形成されたフレームタイプレーザ素子でありながら、完成品の全体的な形状は、図１に見られるようにφ５.６キャンタイプレーザ装置と同様の形状を成している。したがって、本半導体レーザ装置は、図７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置との互換性をもたせることが可能なのである。
【００３２】
さらに、本実施の形態における半導体レーザ装置は、レーザ素子搭載フレーム２２に搭載されたレーザ素子２６の周囲を、光出射側を除いてモールド樹脂２９で囲って部品保護用隔壁を形成している。したがって、全体的な形状はφ５.６キャンタイプレーザ装置と同様であるが、φ５.６キャンタイプレーザ装置においてレーザ素子およびワイヤを保護していたキャップが不要となり、樹脂でモールドすることによって一括生産を可能にしている。
【００３３】
ところで、本実施の形態における半導体レーザ装置は、上述したように、上記ベースフレーム２１と、このベースフレーム２１の連結部２１cから一側方に延在するレーザ素子搭載フレーム２２と、連結部２１cから他側方に延在するリードフレーム２３aとが、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されている。したがって、上記フレームタイプレーザ装置の場合と同様の製造工程によって、大量一括生産が可能なのである。以下、本半導体レーザ装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
先ず、フレームの板材(主材料はＣuやＦe)を、図２に示すような必要とする形状(位置決め用凹部３０や抜け防止用段部３３等を含む)に打ち抜く。図２において、図２(a)は打ち抜かれたフレームの側面図であり、図２(b)は打ち抜かれたフレームの平面図である。
【００３５】
図２において、２本の枠フレーム３１,３２が平行して配置されて、ベースフレーム２１から一側方に延在しているレーザ素子搭載フレーム２２の一端が、一方の枠フレーム３１に繋がっている。さらに、上記ベースフレーム２１から他側方に延在しているリードフレーム２３aの一端は、他方の枠フレーム３２に繋がっている。また、枠フレーム３２からは、リードフレーム２３aの両側に、リードフレーム２３aに平行して２本のリードフレーム２３,２３が延在している。そして、この２本のリードフレーム２３,２３の先端部におけるワイヤボンディング部２８,２８の図中下側には、後に周囲を埋め込んで形成されるモールド樹脂２９から抜けないようにするために、上記抜け防止手段としての抜け防止用段部３３が設けられている。
【００３６】
上記レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３,２３a,２３とは、複数セット併設されて、２本の枠フレーム３１,３２に連なって形成されている。そして、各セットのレーザ素子搭載フレーム２２同士は、タイバー３４で連結されて補強されている。同様に、各セット内のリードフレーム２３aとリードフレーム２３,２３、および、各セット毎のリードフレーム２３a,２３,２３同士は、タイバー３５で連結されて補強されている。
【００３７】
上述のような形状に打ち抜かれたフレームにおいて、上記レーザ素子搭載フレーム２２は、ベースフレーム２１との境界を通る破線３６の位置で、上述したように折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３aは、リードフレーム２３,２３の抜け防止用段部３３の近傍を通る破線３７の位置で、上述したように折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bは、折り曲げられずに平坦のままになっている。
【００３８】
そして、上述した打ち抜き時には、上記レーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３aの折り曲げ位置に、後のフレームフォーミングがスムーズに行われるように、破線３６,３７に沿って断面がＶ字形の浅いＶ溝３８とＶ溝３９とを互いに反対側の面に金型によって付けておくのである。また、上記打ち抜きが行われた後に、後のワイヤボンデイングが良好に行われるように、フレームの表面に金または銀のメッキを施しておく。尚、更なる放熱性向上や基準面の強度向上が必要であれば、上記メッキ後に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bに、基準面部２１a,２１bと同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が接着剤で貼り付けられる。
【００３９】
上述のようにして、上記フレームにメッキが施され、放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられると、上記フレームをフォーミング金型による折り曲げ等によって所定の形状にするフォーミングが行われる。その結果、図３に示すように、上記レーザ素子搭載フレーム２２が、ベースフレーム２１における連結部２１cの一側端との境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３８を谷側にして９０度に折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３aは、連結部２１cの他側端との境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３９を谷側にしてレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bは平坦になっている。
【００４０】
尚、上記フォーミングは、フォーミングが終了した後にレーザ素子２６を搭載した際に、レーザ素子２６からのレーザ光の光軸の延長線がベースフレーム２１の外形の略中心を通るように行う。つまり、レーザ出射点の平面図上における位置が略小判形を成しているベースフレーム２１の一部が円弧になっている外形の中心位置になるように行う(図１(a)参照)。こうすることによって、ベースフレーム２１を回転させて取り付け位置(レーザ光の出射方向)を調整する場合に上記光軸がぶれることが無く有利となる。
【００４１】
そうした後、上記レーザ素子搭載フレーム２２上にレーザ素子２６および受光素子４０を搭載し、外側に位置する２本のリードフレーム２３,２３の先端部において抜け防止用段部３３を形成しているワイヤボンディング部２８,２８およびレーザ素子搭載フレーム２２にワイヤボンディングする。そして、図４に示すように、レーザ素子２６(図４では省略)の周囲を、出射側を除いてモールド樹脂２９でモールドして、レーザ素子２６やワイヤ２７等を保護するための部品保護用隔壁を形成するのである。その際に、上記モールド樹脂２９を、図１に示すように、レーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３の一部を埋め込んで形成することによって、折り曲げられたレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３を固定するようにしている。さらに、リードフレーム２３の先端部に設けられた抜け防止用段部３３によって、モールド樹脂２９から抜けないようにリードフレーム２３が固定される。
【００４２】
上述したように、上記レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３とを、平行に配置された２本の枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置すると共に、１枚の金属板を打ち抜いて形成するようにしている。したがって、以後のフォーミングやレーザ素子２６のマウントやワイヤボンディングや樹脂モールドを、複数セット分同時に行うことができ、大量一括生産を行うことが可能になるのである。
【００４３】
尚、上記実施の形態においては、基準面の強度と放熱性とを確保するために、上記ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bに、同じ形状の金属板２４,２４を貼り付けるようにしている。しかしながら、元々厚みがベースフレーム２１の厚みと金属板２４,２４の厚みとの合計の厚みである金属板から打ち抜くようにしても差し支えない。その場合には、打ち抜き時にレーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３とをプレスで圧延する。あるいは、Ｖ溝２８,２９を打ち抜き後に形成し、そのＶ溝２８,２９形成時にレーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３とを圧延するようにしても差し支えない。
【００４４】
この発明は、上記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３を枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置し、１枚の金属板を打ち抜いて形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２２をベースフレーム２１に対して一方向に９０度に折り曲げる一方、リードフレーム２３はレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折り曲げて、ベースフレーム２１に平坦な基準面部２１a,２１bを形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６をマウントして樹脂でモールドするものである。
【００４５】
したがって、上記構成を有しておれば、上記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３の具体的形状や、リードフレームの本数や、枠フレームの配置,形状,本数や、モールド樹脂２９の形状や、フレーム全体の形状等は、上記実施の形態の場合に限定するものではない。
【００４６】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第１の発明の半導体レーザ装置は、１枚の金属板で構成されたレーザ素子搭載フレームとベースフレームとリードフレームとにおける上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げ、上記ベースフレームは基準面および放熱台として機能し、上記レーザ素子搭載フレームには半導体レーザ素子を搭載し、上記リードフレームはリード端子として機能するので、上記基準面および放熱面の面積を上記折り曲げ位置を変えることによって任意に設定することができる。したがって、フレームタイプレーザ装置でありながら上記基準面の高い強度と放熱性とを得ることができる。
【００４７】
さらに、上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および放熱台となる領域の厚みを、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くしたので、上記基準面の強度および放熱性を更に向上することができる。
【００４８】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと第１リードフレームと第２リードフレームとで成る組が枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成した後、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの互いに反対側への折り曲げ,半導体レーザ素子のマウント,ワイヤボンディングおよび樹脂モールドと上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームのモールド樹脂での固定との夫々を、上記各組に対して同時に行うので、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造することができ、生産効率の向上とコストダウンとを図ることができる。
【００４９】
さらに、上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放熱台となる領域に金属板を貼り付けるので、上記領域の厚みが厚くなって、上記基準面の強度および放熱性を更に向上できる。
【００５０】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記１枚の金属板からのフレームの形成を金型による打ち抜きで行うので、上記フレームの形成をより簡単にして、更なる生産効率の向上を図ることができる。
【００５１】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設けるので、上記折り曲げを容易にして、更なる生産効率の向上を図ることができる。
【００５２】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げを、金型を用いて行うので、複数組の上記フレームに対する上記折り曲げを一括して行うことができ、生産効率の向上を図ることができる。
【００５３】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームとの厚みをプレスによって薄くするので、上記複数組のフレームに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くする処理を、プレスによる１動作で行うことができる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場合よりも生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の半導体レーザ装置における外観図である。
【図２】 図１に示す半導体レーザ装置のフレーム形状を示す図である。
【図３】 フォーミング後におけるフレームの側面図である。
【図４】 樹脂モールドが行われた状態のフレームを示す図である。
【図５】 金属の基準面を有する従来のフレームタイプレーザ装置の外観図である。
【図６】 樹脂の基準面を有する従来のフレームタイプレーザ装置の外観図である。
【図７】 従来のφ５.６キャンタイプレーザ装置の外観図である。
【符号の説明】
２１…ベースフレーム、
２１a,２１b…基準面部、
２１c…連結部、
２２…レーザ素子搭載フレーム、
２３…リードフレーム、
２４…金属板、
２５…サブマウント、
２６…レーザ素子、
２７…ワイヤ、
２８…ワイヤボンディング部、
２９…モールド樹脂、
３１,３２…枠フレーム、
３３…抜け防止用段部、
３４,３５…タイバー、
３６,３７…折り曲げ位置、
３８,３９…Ｖ溝。
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ(コンパクトディスク)，ＣＤ‐Ｒ(ＣＤrecordable)，ＤＶＤ(ディジタル多用途ディスク)，ＤＶＤ‐Ｒ(ＤＶＤrecordable)等の光ディスクから信号を読み取る際の光源として使用される半導体レーザ装置、および、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記半導体レーザ装置の組み立て構造として、フレームタイプレーザ装置とφ５.６キャンタイプレーザ装置とがある。以下、両者を簡単に説明する。
【０００３】
(１）フレームタイプレーザ装置
(Ｉ) 図５に示すように、リード端子となる金属のリードフレーム１の先端にレーザ素子２をマウントし、モールド樹脂３でモールドした構造を有している。そして、両側部に位置するリードフレーム１aの一部をモールド樹脂３の側面から側方に突出させて板状部４を構成し、この板状部４の一端面４aで基準面(アイレット)を構成している。
【０００４】
(II) 図６に示すように、(Ｉ)の場合と同様に、リード端子となる金属のリードフレーム５の先端にレーザ素子６をマウントし、モールド樹脂７でモールドした構造を有している。但し、この場合には、モールド樹脂７の一端面７aで基準面（アイレット)を構成している。
【０００５】
(２）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、底面からリード端子１１が突出している円形の金属ブロックでなるステム１２の上面１２aに、ヒートシンク(図示せず)を介してレーザ素子１３をマウントする。そして、レーザ素子１３をリード端子１１にワイヤボンディングした後に、レーザ素子１３およびワイヤ(図示せず)を保護用のキャップ１４で覆った構造を有している。この場合には、ステム１２の上面１２aで基準面を構成している。尚、１５は、位置決め用の切り欠きである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置の組み立て構造には、以下のような問題がある。
【０００７】
(ａ）フレームタイプレーザ装置
(ｉ）図５に示すようなフレームタイプレーザ装置の場合には、モールド樹脂３の側面から突出している板状部４の厚さは一定である。したがって、板状部４の一端面４aで構成される基準面の面積は板状部４の厚みで限定されることになり、基準面の強度が充分に取れず、放熱性も充分ではないという問題がある。
【０００８】
(ii）図６に示すようなフレームタイプレーザ装置の場合には、基準面はモールド樹脂７の一端面７aで構成されている。したがって、金属に比較して強度が低く、温度変化による膨張・収縮があるために、基準面としての精度が低いという問題がある。また、放熱性はリードフレーム５の厚みで限定されるために充分に取れないという問題もある。
【０００９】
(ｂ）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、基準面および放熱部は、ステム１２という金属ブロックの一面で構成されている。したがって、基準面の強度および放熱性は、上述したフレームタイプレーザ装置の場合に比して優れている。しかしながら、円形の金属ブロックでなるステム１２に対してレーザ素子１３およびワイヤを保護するためのキャップ１４を用いて組み立てを行う関係上、パッケージ自体および最終製品の何れの場合でも個々に製造する必要があるため生産効率が悪く、大量一括生産には不向きであるという問題がある。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基準面の強度および放熱性を充分に取ることができ、生産性にも優れた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、第１の発明の半導体レーザ装置は、
１枚の金属板で構成されたベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在するリードフレームとを備えて、
上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとは、上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げられており、
上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、
上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載され、
上記リードフレームはリード端子となり、
上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および放熱台となる領域における厚みを、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くした
ことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、上記ベースフレームにおける上記基準面および放熱台となる領域の厚みが、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くなっている。したがって、上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００１３】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１,第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に,上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放熱台となる領域に、この領域と同じ形状を有する金属板を貼り付ける工程を含む
ことを特徴としている。
【００１４】
上記構成によれば、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと第１,第２リードフレームとで成る組が枠フレームおよびタイバーで複数組連結されたフレームが１枚の金属板から形成され、フォーミング,半導体レーザ素子の搭載,ワイヤボンディングおよび樹脂モールドの夫々が上記各組に対して同時に行われる。したがって、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造することが可能になり、生産効率の向上とコストダウンとが図られる。
【００１５】
さらに、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの少なくとも一部が、上記部品保護用隔壁用の樹脂によって固定されている。したがって、１枚の金属板を折り曲げて構成されたレーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの撓み等がなく、取り付け剛性が高められる。
【００１６】
さらに、上記基準面および放熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００１７】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記１枚の金属板からのフレームの形成は金型による打ち抜きで行われる。
【００１８】
この実施例によれば、上記フレームの形成がより簡単になり、更なる生産効率の向上が図られる。
【００１９】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設ける工程を含んでいる。
【００２０】
この実施例によれば、上記フォーミング時における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げが容易になり、更なる生産効率の向上が図られる。
【００２１】
また、１実施例では、
第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げは金型を用いて行われる。
【００２２】
この実施例によれば、複数組の上記フレームにおける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げが金型を用いて一括して行われ、生産効率の向上が図られる。
【００２３】
また、第３の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、
ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１ , 第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に、上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームとの厚みを、プレスによって薄くする工程を含む
ことを特徴としている。
【００２４】
この実施例によれば、上記複数組のフレームに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くする処理が、プレスによる１動作で行われる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場合よりも生産効率の向上が図られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導体レーザ装置における外観図である。尚、図１(a)は平面図であり、図１(b)は正面図であり、図１(c)は底面図である。
【００２６】
本半導体レーザ装置は、現在主流である図７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置と互換性をもたせることが可能であり、フレームタイプレーザ装置では困難であった基準面の強度向上および放熱性向上を図ったものである。また、キャップを用いないオープンパッケージでありながら、マウントされたレーザ素子やワイヤ等を保護するための部品保護用隔壁を有しており、容易に触れ難い構造になっている。
【００２７】
２１は、互いに対向して配置されると共に一側が円弧になっている略半月状の基準面部２１a,２１bと、両基準面部２１a,２１bの直線状の他側部中央を連結する板状の連結部２１cとから成るベースフレームであり、１枚の金属板で形成されている。また、ベースフレーム２１の連結部２１cにおける一側部から連結部２１cの表面に対して垂直方向に延在して、板状のレーザ素子搭載フレーム２２が設けられている。一方、連結部２１cにおける他側部からは、連結部２１cの表面に対して垂直方向に延在して、３本のリードフレーム２３が設けられている。ここで、レーザ素子搭載フレーム２２および中央のリードフレーム２３aは、ベースフレーム２１と一体に形成されて、連結部２１cの側端で直角に互いに逆方向に折り曲げられて構成されている。つまり、レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３aとは１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されているのである。
【００２８】
また、上記ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bには、同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられている。
【００２９】
上記レーザ素子搭載フレーム２２にはレーザ素子２６および受光素子４０がマウントされたサブマウント２５が搭載され、ワイヤ２７,２７によってリードフレーム２３,２３のワイヤボンディング部２８,２８等にワイヤボンディングされている。そして、レーザ素子２６がマウントされたレーザ素子搭載フレーム２２におけるレーザ光の出射側を除いた周囲が、斜線で示すようにモールド樹脂２９でモールドされている。こうして、モールド樹脂２９で上記部品保護用隔壁を構成するのである。尚、３０は、ベースフレーム２１における外周端に形成された位置決め用凹部である。
【００３０】
上述したように、本実施の形態における半導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて形成されたベースフレーム２１とレーザ素子搭載フレーム２２とリードフレーム２３とを有しており、レーザ素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６が搭載されている。そして、平坦な１枚金属板で一部が円弧の略小判形に形成されたベースフレーム２１における基準面部２１a,２１bで基準面が構成されており、更にこの基準面部２１a,２１bには同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられている。したがって、本半導体レーザ装置は、フレームタイプレーザ素子でありながら、φ５.６キャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の高い基準面強度と放熱性とを得ることができる。また、その強度と放熱性とは、ベースフレーム２１の打ち抜き形状とレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３の折り曲げ位置とを変えることによって、自由に変更することができるのである。
【００３１】
また、本実施の形態における半導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜いたフレームに形成されたフレームタイプレーザ素子でありながら、完成品の全体的な形状は、図１に見られるようにφ５.６キャンタイプレーザ装置と同様の形状を成している。したがって、本半導体レーザ装置は、図７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置との互換性をもたせることが可能なのである。
【００３２】
さらに、本実施の形態における半導体レーザ装置は、レーザ素子搭載フレーム２２に搭載されたレーザ素子２６の周囲を、光出射側を除いてモールド樹脂２９で囲って部品保護用隔壁を形成している。したがって、全体的な形状はφ５.６キャンタイプレーザ装置と同様であるが、φ５.６キャンタイプレーザ装置においてレーザ素子およびワイヤを保護していたキャップが不要となり、樹脂でモールドすることによって一括生産を可能にしている。
【００３３】
ところで、本実施の形態における半導体レーザ装置は、上述したように、上記ベースフレーム２１と、このベースフレーム２１の連結部２１cから一側方に延在するレーザ素子搭載フレーム２２と、連結部２１cから他側方に延在するリードフレーム２３aとが、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されている。したがって、上記フレームタイプレーザ装置の場合と同様の製造工程によって、大量一括生産が可能なのである。以下、本半導体レーザ装置の製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
先ず、フレームの板材(主材料はＣuやＦe)を、図２に示すような必要とする形状(位置決め用凹部３０や抜け防止用段部３３等を含む)に打ち抜く。図２において、図２(a)は打ち抜かれたフレームの側面図であり、図２(b)は打ち抜かれたフレームの平面図である。
【００３５】
図２において、２本の枠フレーム３１,３２が平行して配置されて、ベースフレーム２１から一側方に延在しているレーザ素子搭載フレーム２２の一端が、一方の枠フレーム３１に繋がっている。さらに、上記ベースフレーム２１から他側方に延在しているリードフレーム２３aの一端は、他方の枠フレーム３２に繋がっている。また、枠フレーム３２からは、リードフレーム２３aの両側に、リードフレーム２３aに平行して２本のリードフレーム２３,２３が延在している。そして、この２本のリードフレーム２３,２３の先端部におけるワイヤボンディング部２８,２８の図中下側には、後に周囲を埋め込んで形成されるモールド樹脂２９から抜けないようにするために、上記抜け防止手段としての抜け防止用段部３３が設けられている。
【００３６】
上記レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３,２３a,２３とは、複数セット併設されて、２本の枠フレーム３１,３２に連なって形成されている。そして、各セットのレーザ素子搭載フレーム２２同士は、タイバー３４で連結されて補強されている。同様に、各セット内のリードフレーム２３aとリードフレーム２３,２３、および、各セット毎のリードフレーム２３a,２３,２３同士は、タイバー３５で連結されて補強されている。
【００３７】
上述のような形状に打ち抜かれたフレームにおいて、上記レーザ素子搭載フレーム２２は、ベースフレーム２１との境界を通る破線３６の位置で、上述したように折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３aは、リードフレーム２３,２３の抜け防止用段部３３の近傍を通る破線３７の位置で、上述したように折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bは、折り曲げられずに平坦のままになっている。
【００３８】
そして、上述した打ち抜き時には、上記レーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３aの折り曲げ位置に、後のフレームフォーミングがスムーズに行われるように、破線３６,３７に沿って断面がＶ字形の浅いＶ溝３８とＶ溝３９とを互いに反対側の面に金型によって付けておくのである。また、上記打ち抜きが行われた後に、後のワイヤボンデイングが良好に行われるように、フレームの表面に金または銀のメッキを施しておく。尚、更なる放熱性向上や基準面の強度向上が必要であれば、上記メッキ後に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bに、基準面部２１a,２１bと同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,２４が接着剤で貼り付けられる。
【００３９】
上述のようにして、上記フレームにメッキが施され、放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられると、上記フレームをフォーミング金型による折り曲げ等によって所定の形状にするフォーミングが行われる。その結果、図３に示すように、上記レーザ素子搭載フレーム２２が、ベースフレーム２１における連結部２１cの一側端との境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３８を谷側にして９０度に折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３aは、連結部２１cの他側端との境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３９を谷側にしてレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bは平坦になっている。
【００４０】
尚、上記フォーミングは、フォーミングが終了した後にレーザ素子２６を搭載した際に、レーザ素子２６からのレーザ光の光軸の延長線がベースフレーム２１の外形の略中心を通るように行う。つまり、レーザ出射点の平面図上における位置が略小判形を成しているベースフレーム２１の一部が円弧になっている外形の中心位置になるように行う(図１(a)参照)。こうすることによって、ベースフレーム２１を回転させて取り付け位置(レーザ光の出射方向)を調整する場合に上記光軸がぶれることが無く有利となる。
【００４１】
そうした後、上記レーザ素子搭載フレーム２２上にレーザ素子２６および受光素子４０を搭載し、外側に位置する２本のリードフレーム２３,２３の先端部において抜け防止用段部３３を形成しているワイヤボンディング部２８,２８およびレーザ素子搭載フレーム２２にワイヤボンディングする。そして、図４に示すように、レーザ素子２６(図４では省略)の周囲を、出射側を除いてモールド樹脂２９でモールドして、レーザ素子２６やワイヤ２７等を保護するための部品保護用隔壁を形成するのである。その際に、上記モールド樹脂２９を、図１に示すように、レーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３の一部を埋め込んで形成することによって、折り曲げられたレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３を固定するようにしている。さらに、リードフレーム２３の先端部に設けられた抜け防止用段部３３によって、モールド樹脂２９から抜けないようにリードフレーム２３が固定される。
【００４２】
上述したように、上記レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３とを、平行に配置された２本の枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置すると共に、１枚の金属板を打ち抜いて形成するようにしている。したがって、以後のフォーミングやレーザ素子２６のマウントやワイヤボンディングや樹脂モールドを、複数セット分同時に行うことができ、大量一括生産を行うことが可能になるのである。
【００４３】
尚、上記実施の形態においては、基準面の強度と放熱性とを確保するために、上記ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bに、同じ形状の金属板２４,２４を貼り付けるようにしている。しかしながら、元々厚みがベースフレーム２１の厚みと金属板２４,２４の厚みとの合計の厚みである金属板から打ち抜くようにしても差し支えない。その場合には、打ち抜き時にレーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３とをプレスで圧延する。あるいは、Ｖ溝２８,２９を打ち抜き後に形成し、そのＶ溝２８,２９形成時にレーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３とを圧延するようにしても差し支えない。
【００４４】
この発明は、上記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３を枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置し、１枚の金属板を打ち抜いて形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２２をベースフレーム２１に対して一方向に９０度に折り曲げる一方、リードフレーム２３はレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折り曲げて、ベースフレーム２１に平坦な基準面部２１a,２１bを形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６をマウントして樹脂でモールドするものである。
【００４５】
したがって、上記構成を有しておれば、上記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３の具体的形状や、リードフレームの本数や、枠フレームの配置,形状,本数や、モールド樹脂２９の形状や、フレーム全体の形状等は、上記実施の形態の場合に限定するものではない。
【００４６】
【発明の効果】
以上より明らかなように、第１の発明の半導体レーザ装置は、１枚の金属板で構成されたレーザ素子搭載フレームとベースフレームとリードフレームとにおける上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げ、上記ベースフレームは基準面および放熱台として機能し、上記レーザ素子搭載フレームには半導体レーザ素子を搭載し、上記リードフレームはリード端子として機能するので、上記基準面および放熱面の面積を上記折り曲げ位置を変えることによって任意に設定することができる。したがって、フレームタイプレーザ装置でありながら上記基準面の高い強度と放熱性とを得ることができる。
【００４７】
さらに、上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および放熱台となる領域の厚みを、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くしたので、上記基準面の強度および放熱性を更に向上することができる。
【００４８】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと第１リードフレームと第２リードフレームとで成る組が枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成した後、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの互いに反対側への折り曲げ,半導体レーザ素子のマウント,ワイヤボンディングおよび樹脂モールドと上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームのモールド樹脂での固定との夫々を、上記各組に対して同時に行うので、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造することができ、生産効率の向上とコストダウンとを図ることができる。
【００４９】
さらに、上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放熱台となる領域に金属板を貼り付けるので、上記領域の厚みが厚くなって、上記基準面の強度および放熱性を更に向上できる。
【００５０】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記１枚の金属板からのフレームの形成を金型による打ち抜きで行うので、上記フレームの形成をより簡単にして、更なる生産効率の向上を図ることができる。
【００５１】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設けるので、上記折り曲げを容易にして、更なる生産効率の向上を図ることができる。
【００５２】
また、１実施例の半導体レーザ装置の製造方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとの折り曲げを、金型を用いて行うので、複数組の上記フレームに対する上記折り曲げを一括して行うことができ、生産効率の向上を図ることができる。
【００５３】
また、第２の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームとの厚みをプレスによって薄くするので、上記複数組のフレームに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くする処理を、プレスによる１動作で行うことができる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場合よりも生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の半導体レーザ装置における外観図である。
【図２】 図１に示す半導体レーザ装置のフレーム形状を示す図である。
【図３】 フォーミング後におけるフレームの側面図である。
【図４】 樹脂モールドが行われた状態のフレームを示す図である。
【図５】 金属の基準面を有する従来のフレームタイプレーザ装置の外観図である。
【図６】 樹脂の基準面を有する従来のフレームタイプレーザ装置の外観図である。
【図７】 従来のφ５.６キャンタイプレーザ装置の外観図である。
【符号の説明】
２１…ベースフレーム、
２１a,２１b…基準面部、
２１c…連結部、
２２…レーザ素子搭載フレーム、
２３…リードフレーム、
２４…金属板、
２５…サブマウント、
２６…レーザ素子、
２７…ワイヤ、
２８…ワイヤボンディング部、
２９…モールド樹脂、
３１,３２…枠フレーム、
３３…抜け防止用段部、
３４,３５…タイバー、
３６,３７…折り曲げ位置、
３８,３９…Ｖ溝。
Claims (6)
- １枚の金属板で構成されたベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在するリードフレームとを備えて、
上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとは、上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げられており、
上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、
上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載され、
上記リードフレームはリード端子となり、
上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および放熱台となる領域における厚みを、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフレームの厚みよりも厚くした
ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１ , 第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に、上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放熱台となる領域に、この領域と同じ形状を有する金属板を貼り付ける工程を含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記１枚の金属板からのフレームの形成は、金型による打ち抜きで行われる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設ける工程を含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 請求項２に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの折り曲げは、金型を用いて行われる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - ベースフレームとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リードフレームとは分離された第２リードフレームとで成る組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げる工程と、
上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記第１ , 第２リードフレームにワイヤボンディングする工程と、
上記各組における上記ベースフレーム上に、上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むと共に、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームの少なくとも一部を埋め込んで、上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレームとを上記樹脂によって固定するように樹脂で部品保護用隔壁を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法において、
上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームとの厚みを、プレスによって薄くする工程を含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
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