JP2003179292A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003179292A JP2003179292A JP2001376002A JP2001376002A JP2003179292A JP 2003179292 A JP2003179292 A JP 2003179292A JP 2001376002 A JP2001376002 A JP 2001376002A JP 2001376002 A JP2001376002 A JP 2001376002A JP 2003179292 A JP2003179292 A JP 2003179292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- semiconductor laser
- laser device
- laser element
- base frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基準面の強度,放熱性が充分であり高生産性
の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ベースフレーム２１,レーザ素子搭載フ
レーム２２およびリードフレーム２３は、１枚の金属板
を打ち抜き・折り曲げて形成される。基準面は、平坦な
ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bで構成さ
れ、更に放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられ
て、フレームタイプレーザ装置でありながら、高い強度
と放熱性とを得る。また、レーザ素子搭載フレーム２２
にレーザ素子２６を搭載し、光出射側を除いて周囲をモ
ールド樹脂２９でモールドしている。こうして、レーザ
素子２６やワイヤ２７を保護するキャップを不要にして
一括生産を可能にする。すなわち、１枚の金属板を打ち
抜いたフレームに形成することと、キャップを用いずに
樹脂でモールドすることとによって、大量一括生産を行
うことを可能にする。
の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ベースフレーム２１,レーザ素子搭載フ
レーム２２およびリードフレーム２３は、１枚の金属板
を打ち抜き・折り曲げて形成される。基準面は、平坦な
ベースフレーム２１の基準面部２１a,２１bで構成さ
れ、更に放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けられ
て、フレームタイプレーザ装置でありながら、高い強度
と放熱性とを得る。また、レーザ素子搭載フレーム２２
にレーザ素子２６を搭載し、光出射側を除いて周囲をモ
ールド樹脂２９でモールドしている。こうして、レーザ
素子２６やワイヤ２７を保護するキャップを不要にして
一括生産を可能にする。すなわち、１枚の金属板を打ち
抜いたフレームに形成することと、キャップを用いずに
樹脂でモールドすることとによって、大量一括生産を行
うことを可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＤ(コンパク
トディスク)，ＣＤ‐Ｒ(ＣＤrecordable)，ＤＶＤ(ディ
ジタル多用途ディスク)，ＤＶＤ‐Ｒ(ＤＶＤrecordabl
e)等の光ディスクから信号を読み取る際の光源として使
用される半導体レーザ装置、および、その製造方法に関
する。
トディスク)，ＣＤ‐Ｒ(ＣＤrecordable)，ＤＶＤ(ディ
ジタル多用途ディスク)，ＤＶＤ‐Ｒ(ＤＶＤrecordabl
e)等の光ディスクから信号を読み取る際の光源として使
用される半導体レーザ装置、および、その製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、上記半導体レーザ装置の組み
立て構造として、フレームタイプレーザ装置とφ５.６
キャンタイプレーザ装置とがある。以下、両者を簡単に
説明する。
立て構造として、フレームタイプレーザ装置とφ５.６
キャンタイプレーザ装置とがある。以下、両者を簡単に
説明する。
【０００３】(１）フレームタイプレーザ装置
図５に示すように、リード端子となる金属のリード
フレーム１の先端にレーザ素子２をマウントし、モール
ド樹脂３でモールドした構造を有している。そして、両
側部に位置するリードフレーム１aの一部をモールド樹
脂３の側面から側方に突出させて板状部４を構成し、こ
の板状部４の一端面４aで基準面(アイレット)を構成し
ている。
フレーム１の先端にレーザ素子２をマウントし、モール
ド樹脂３でモールドした構造を有している。そして、両
側部に位置するリードフレーム１aの一部をモールド樹
脂３の側面から側方に突出させて板状部４を構成し、こ
の板状部４の一端面４aで基準面(アイレット)を構成し
ている。
【０００４】 図６に示すように、の場合と同様
に、リード端子となる金属のリードフレーム５の先端に
レーザ素子６をマウントし、モールド樹脂７でモールド
した構造を有している。但し、この場合には、モールド
樹脂７の一端面７aで基準面（アイレット)を構成してい
る。
に、リード端子となる金属のリードフレーム５の先端に
レーザ素子６をマウントし、モールド樹脂７でモールド
した構造を有している。但し、この場合には、モールド
樹脂７の一端面７aで基準面（アイレット)を構成してい
る。
【０００５】(２）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、底面からリード端子１１が突出して
いる円形の金属ブロックでなるステム１２の上面１２a
に、ヒートシンク(図示せず)を介してレーザ素子１３を
マウントする。そして、レーザ素子１３をリード端子１
１にワイヤボンディングした後に、レーザ素子１３およ
びワイヤ(図示せず)を保護用のキャップ１４で覆った構
造を有している。この場合には、ステム１２の上面１２
aで基準面を構成している。尚、１５は、位置決め用の
切り欠きである。
いる円形の金属ブロックでなるステム１２の上面１２a
に、ヒートシンク(図示せず)を介してレーザ素子１３を
マウントする。そして、レーザ素子１３をリード端子１
１にワイヤボンディングした後に、レーザ素子１３およ
びワイヤ(図示せず)を保護用のキャップ１４で覆った構
造を有している。この場合には、ステム１２の上面１２
aで基準面を構成している。尚、１５は、位置決め用の
切り欠きである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ装置の組み立て構造には、以下のよう
な問題がある。
来の半導体レーザ装置の組み立て構造には、以下のよう
な問題がある。
【０００７】(ａ）フレームタイプレーザ装置
(ｉ）図５に示すようなフレームタイプレーザ装置の場
合には、モールド樹脂３の側面から突出している板状部
４の厚さは一定である。したがって、板状部４の一端面
４aで構成される基準面の面積は板状部４の厚みで限定
されることになり、基準面の強度が充分に取れず、放熱
性も充分ではないという問題がある。
合には、モールド樹脂３の側面から突出している板状部
４の厚さは一定である。したがって、板状部４の一端面
４aで構成される基準面の面積は板状部４の厚みで限定
されることになり、基準面の強度が充分に取れず、放熱
性も充分ではないという問題がある。
【０００８】(ii）図６に示すようなフレームタイプレ
ーザ装置の場合には、基準面はモールド樹脂７の一端面
７aで構成されている。したがって、金属に比較して強
度が低く、温度変化による膨張・収縮があるために、基
準面としての精度が低いという問題がある。また、放熱
性はリードフレーム５の厚みで限定されるために充分に
取れないという問題もある。
ーザ装置の場合には、基準面はモールド樹脂７の一端面
７aで構成されている。したがって、金属に比較して強
度が低く、温度変化による膨張・収縮があるために、基
準面としての精度が低いという問題がある。また、放熱
性はリードフレーム５の厚みで限定されるために充分に
取れないという問題もある。
【０００９】(ｂ）φ５.６キャンタイプレーザ装置
図７に示すように、基準面および放熱部は、ステム１２
という金属ブロックの一面で構成されている。したがっ
て、基準面の強度および放熱性は、上述したフレームタ
イプレーザ装置の場合に比して優れている。しかしなが
ら、円形の金属ブロックでなるステム１２に対してレー
ザ素子１３およびワイヤを保護するためのキャップ１４
を用いて組み立てを行う関係上、パッケージ自体および
最終製品の何れの場合でも個々に製造する必要があるた
め生産効率が悪く、大量一括生産には不向きであるとい
う問題がある。
という金属ブロックの一面で構成されている。したがっ
て、基準面の強度および放熱性は、上述したフレームタ
イプレーザ装置の場合に比して優れている。しかしなが
ら、円形の金属ブロックでなるステム１２に対してレー
ザ素子１３およびワイヤを保護するためのキャップ１４
を用いて組み立てを行う関係上、パッケージ自体および
最終製品の何れの場合でも個々に製造する必要があるた
め生産効率が悪く、大量一括生産には不向きであるとい
う問題がある。
【００１０】そこで、この発明の目的は、基準面の強度
および放熱性を充分に取ることができ、生産性にも優れ
た半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること
にある。
および放熱性を充分に取ることができ、生産性にも優れ
た半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明の半導体レーザ装置は、１枚の金属板で
構成されたベースフレームとこのベースフレームの一側
に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレー
ムの他側に延在するリードフレームとを備えて、上記レ
ーザ素子搭載フレームとリードフレームとは上記ベース
フレームの面に対して互いに反対側に折り曲げられてお
り、上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、
上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載
され、上記リードフレームはリード端子となることを特
徴としている。
め、第１の発明の半導体レーザ装置は、１枚の金属板で
構成されたベースフレームとこのベースフレームの一側
に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレー
ムの他側に延在するリードフレームとを備えて、上記レ
ーザ素子搭載フレームとリードフレームとは上記ベース
フレームの面に対して互いに反対側に折り曲げられてお
り、上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、
上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載
され、上記リードフレームはリード端子となることを特
徴としている。
【００１２】上記構成によれば、基準面および放熱台と
して機能するベースフレームは、このベースフレームと
１枚の金属板で構成されたレーザ素子搭載フレームとリ
ードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互い
に反対側に折り曲げることによって形成されている。し
たがって、上記基準面および放熱面の面積が上記折り曲
げ位置を変えることによって任意に設定可能である。し
たがって、フレームタイプレーザ装置でありながらφ
５.６キャンタイプレーザ装置に劣らない高放熱性が得
られる。
して機能するベースフレームは、このベースフレームと
１枚の金属板で構成されたレーザ素子搭載フレームとリ
ードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互い
に反対側に折り曲げることによって形成されている。し
たがって、上記基準面および放熱面の面積が上記折り曲
げ位置を変えることによって任意に設定可能である。し
たがって、フレームタイプレーザ装置でありながらφ
５.６キャンタイプレーザ装置に劣らない高放熱性が得
られる。
【００１３】さらに、フレームタイプレーザ装置である
ため、上記レーザ素子搭載フレームとベースフレームと
リードフレームとを複数セット多連形状に構成すること
によって、パッケージングを一括して大量に行うことが
可能になり、生産効率の向上が図られる。さらに、最終
製品の製造も多連で行うことが可能になり、生産効率の
更なる向上が図られて安価な製造が可能になる。
ため、上記レーザ素子搭載フレームとベースフレームと
リードフレームとを複数セット多連形状に構成すること
によって、パッケージングを一括して大量に行うことが
可能になり、生産効率の向上が図られる。さらに、最終
製品の製造も多連で行うことが可能になり、生産効率の
更なる向上が図られて安価な製造が可能になる。
【００１４】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記ベースフレームの外形は
略円形あるいは一部に円弧を有する略小判形である。
導体レーザ装置において、上記ベースフレームの外形は
略円形あるいは一部に円弧を有する略小判形である。
【００１５】この実施例によれば、上記ベースフレーム
の外形は略円形あるいは小判形であるため、φ５.６キ
ャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の強度と放
熱性が得られる。
の外形は略円形あるいは小判形であるため、φ５.６キ
ャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の強度と放
熱性が得られる。
【００１６】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記レーザ素子搭載フレーム
に搭載された半導体レーザ素子からのレーザ光の光軸の
延長線は、上記ベースフレームにおける外形の略中心を
通るようになっている。
導体レーザ装置において、上記レーザ素子搭載フレーム
に搭載された半導体レーザ素子からのレーザ光の光軸の
延長線は、上記ベースフレームにおける外形の略中心を
通るようになっている。
【００１７】この実施例によれば、上記ベースフレーム
の外形が略円形あるいは一部が円弧であることと併せ
て、上記ベースフレームを回転させて取り付け位置を調
整する場合に上記光軸がぶれないので、取り付け位置の
調整が非常に簡単になる。
の外形が略円形あるいは一部が円弧であることと併せ
て、上記ベースフレームを回転させて取り付け位置を調
整する場合に上記光軸がぶれないので、取り付け位置の
調整が非常に簡単になる。
【００１８】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記ベースフレームにおける
少なくとも上記基準面および放熱台となる領域における
厚みを厚くしている。
導体レーザ装置において、上記ベースフレームにおける
少なくとも上記基準面および放熱台となる領域における
厚みを厚くしている。
【００１９】この実施例によれば、上記基準面および放
熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、
上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、
上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００２０】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記ベースフレーム上には、
上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲む
ように、樹脂で成る部品保護用隔壁が形成されている。
導体レーザ装置において、上記ベースフレーム上には、
上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲む
ように、樹脂で成る部品保護用隔壁が形成されている。
【００２１】この実施例によれば、上記半導体レーザ素
子を取り囲んで部品保護用隔壁が形成されている。した
がって、オープンパッケージでありながら上記半導体レ
ーザ素子やワイヤ等が容易に触れられないように保護さ
れる。さらに、上記部品保護用隔壁はキャップではなく
樹脂で構成されているため、パッケージングを一括して
大量に行うことが可能になる。
子を取り囲んで部品保護用隔壁が形成されている。した
がって、オープンパッケージでありながら上記半導体レ
ーザ素子やワイヤ等が容易に触れられないように保護さ
れる。さらに、上記部品保護用隔壁はキャップではなく
樹脂で構成されているため、パッケージングを一括して
大量に行うことが可能になる。
【００２２】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記部品保護用隔壁を構成す
る樹脂は、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフ
レームの少なくとも一部を埋め込んで形成されており、
上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レ
ーザ素子搭載フレームとリードフレームとを上記樹脂に
よって固定している。
導体レーザ装置において、上記部品保護用隔壁を構成す
る樹脂は、上記レーザ素子搭載フレームおよびリードフ
レームの少なくとも一部を埋め込んで形成されており、
上記ベースフレームに対して折り曲げられている上記レ
ーザ素子搭載フレームとリードフレームとを上記樹脂に
よって固定している。
【００２３】この実施例によれば、上記レーザ素子搭載
フレームとリードフレームとの少なくとも一部が、上記
部品保護用隔壁用の樹脂によって固定されている。した
がって、１枚の金属板を折り曲げて構成されたレーザ素
子搭載フレームとリードフレームとの撓み等がなく、取
り付け剛性が高められる。
フレームとリードフレームとの少なくとも一部が、上記
部品保護用隔壁用の樹脂によって固定されている。した
がって、１枚の金属板を折り曲げて構成されたレーザ素
子搭載フレームとリードフレームとの撓み等がなく、取
り付け剛性が高められる。
【００２４】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記ベースフレームと一体に
形成されているリードフレームとは分離して形成された
リードフレームを有し、この分離されたリードフレーム
の先端部は上記部品保護用隔壁を構成する樹脂内に挿入
されており,上記先端部には上記樹脂から抜けることを
防止するための抜け防止手段が設けられている。
導体レーザ装置において、上記ベースフレームと一体に
形成されているリードフレームとは分離して形成された
リードフレームを有し、この分離されたリードフレーム
の先端部は上記部品保護用隔壁を構成する樹脂内に挿入
されており,上記先端部には上記樹脂から抜けることを
防止するための抜け防止手段が設けられている。
【００２５】この実施例によれば、上記ベースフレーム
と一体に形成されたリードフレームとは電気的に分離さ
れたリードフレームが、上記部品保護用隔壁の樹脂ブロ
ックに固定される。こうして、取り付け剛性が高められ
る。
と一体に形成されたリードフレームとは電気的に分離さ
れたリードフレームが、上記部品保護用隔壁の樹脂ブロ
ックに固定される。こうして、取り付け剛性が高められ
る。
【００２６】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記ベースフレームにおける
外周端には位置決め用の凹部が設けられている。
導体レーザ装置において、上記ベースフレームにおける
外周端には位置決め用の凹部が設けられている。
【００２７】この実施例によれば、上記ベースフレーム
を回転させて取り付け位置を調整する場合の位置決め
が、外周端に設けられた位置決め用の凹部によって容易
に行われる。
を回転させて取り付け位置を調整する場合の位置決め
が、外周端に設けられた位置決め用の凹部によって容易
に行われる。
【００２８】また、１実施例では、上記第１の発明の半
導体レーザ装置において、上記一体に形成されるベース
フレームとレーザ素子搭載フレームとリードフレームと
は、表面が金または銀でメッキされた銅板または鉄板で
形成されている。
導体レーザ装置において、上記一体に形成されるベース
フレームとレーザ素子搭載フレームとリードフレームと
は、表面が金または銀でメッキされた銅板または鉄板で
形成されている。
【００２９】この実施例によれば、上記一体となったベ
ースフレームとレーザ素子搭載フレームとリードフレー
ムとは、銅板または鉄板の導電性金属板で形成されてい
る。したがって、上記リードフレームは、そのままリー
ド端子として機能することができる。さらに、表面に金
または銀のメッキが施されることによって、上記半導体
レーザ素子のリードフレームへのワイヤボンデイングが
良好に行われる。
ースフレームとレーザ素子搭載フレームとリードフレー
ムとは、銅板または鉄板の導電性金属板で形成されてい
る。したがって、上記リードフレームは、そのままリー
ド端子として機能することができる。さらに、表面に金
または銀のメッキが施されることによって、上記半導体
レーザ素子のリードフレームへのワイヤボンデイングが
良好に行われる。
【００３０】また、第２の発明の半導体レーザ装置の製
造方法は、ベースフレームとこのベースフレームの一側
に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレー
ムの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リー
ドフレームとは分離された第２フレームとで成る組が,
枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレ
ームを,１枚の金属板から形成する工程と、上記各組に
おける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレー
ムとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に
折り曲げる工程と、上記各組における上記レーザ素子搭
載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後,上記半導
体レーザ素子を上記第１・第２リードフレームにワイヤ
ボンディングする工程と、上記各組における上記ベース
フレーム上に,上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を
除いて取り囲むように樹脂で部品保護用隔壁を形成する
工程を含むことを特徴としている。
造方法は、ベースフレームとこのベースフレームの一側
に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベースフレー
ムの他側に延在する第１リードフレームとこの第１リー
ドフレームとは分離された第２フレームとで成る組が,
枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレ
ームを,１枚の金属板から形成する工程と、上記各組に
おける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレー
ムとを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に
折り曲げる工程と、上記各組における上記レーザ素子搭
載フレームに半導体レーザ素子を搭載した後,上記半導
体レーザ素子を上記第１・第２リードフレームにワイヤ
ボンディングする工程と、上記各組における上記ベース
フレーム上に,上記半導体レーザ素子をレーザ出射側を
除いて取り囲むように樹脂で部品保護用隔壁を形成する
工程を含むことを特徴としている。
【００３１】上記構成によれば、レーザ素子搭載フレー
ムとベースフレームと第１,第２フレームとで成る組が
枠フレームおよびタイバーで複数組連結されたフレーム
が１枚の金属板から形成され、フォーミング,半導体レ
ーザ素子の搭載,ワイヤボンディングおよび樹脂モール
ドの夫々が上記各組に対して同時に行われる。したがっ
て、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体
レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造すること
が可能になり、生産効率の向上とコストダウンとが図ら
れる。
ムとベースフレームと第１,第２フレームとで成る組が
枠フレームおよびタイバーで複数組連結されたフレーム
が１枚の金属板から形成され、フォーミング,半導体レ
ーザ素子の搭載,ワイヤボンディングおよび樹脂モール
ドの夫々が上記各組に対して同時に行われる。したがっ
て、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数の半導体
レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造すること
が可能になり、生産効率の向上とコストダウンとが図ら
れる。
【００３２】また、１実施例では、第２の発明の半導体
レーザ装置の製造方法において、上記１枚の金属板から
のフレームの形成は金型による打ち抜きで行われる。
レーザ装置の製造方法において、上記１枚の金属板から
のフレームの形成は金型による打ち抜きで行われる。
【００３３】この実施例によれば、上記フレームの形成
がより簡単になり、更なる生産効率の向上が図られる。
がより簡単になり、更なる生産効率の向上が図られる。
【００３４】また、１実施例では、第２の発明の半導体
レーザ装置の製造方法において、上記レーザ素子搭載フ
レームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立っ
て、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設
ける工程を含んでいる。
レーザ装置の製造方法において、上記レーザ素子搭載フ
レームと第１リードフレームとを折り曲げるに先立っ
て、上記各フレームにおける折り曲げ部分に予め溝を設
ける工程を含んでいる。
【００３５】この実施例によれば、上記フォーミング時
における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとの折り曲げが容易になり、更なる生産効率の向上
が図られる。
における上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとの折り曲げが容易になり、更なる生産効率の向上
が図られる。
【００３６】また、１実施例では、第２の発明の半導体
レーザ装置の製造方法において、上記レーザ素子搭載フ
レームと第１リードフレームとの折り曲げは金型を用い
て行われる。
レーザ装置の製造方法において、上記レーザ素子搭載フ
レームと第１リードフレームとの折り曲げは金型を用い
て行われる。
【００３７】この実施例によれば、複数組の上記フレー
ムにおける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフ
レームとの折り曲げが金型を用いて一括して行われ、生
産効率の向上が図られる。
ムにおける上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフ
レームとの折り曲げが金型を用いて一括して行われ、生
産効率の向上が図られる。
【００３８】また、１実施例では、第２の発明の半導体
レーザ装置の製造方法において、上記ベースフレームに
おける少なくとも基準面および放熱台となる領域に、こ
の領域と同じ形状を有する金属板を貼り付ける工程を含
んでいる。
レーザ装置の製造方法において、上記ベースフレームに
おける少なくとも基準面および放熱台となる領域に、こ
の領域と同じ形状を有する金属板を貼り付ける工程を含
んでいる。
【００３９】この実施例によれば、上記基準面および放
熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、
上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
熱台となる領域の厚みが厚くなっている。したがって、
上記基準面の強度および放熱性が更に向上される。
【００４０】また、１実施例では、第２の発明の半導体
レーザ装置の製造方法において、上記ベースフレームに
おける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上
記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームと
の厚みを、プレスによって薄くする工程を含んでいる。
レーザ装置の製造方法において、上記ベースフレームに
おける基準面および放熱台となる領域を除く領域と、上
記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレームと
の厚みを、プレスによって薄くする工程を含んでいる。
【００４１】この実施例によれば、上記複数組のフレー
ムに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させる
ために厚みを厚くする処理が、プレスによる１動作で行
われる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼
り付ける場合よりも生産効率の向上が図られる。
ムに対する上記基準面の強度および放熱性を向上させる
ために厚みを厚くする処理が、プレスによる１動作で行
われる。したがって、上記実施の例のごとく金属板を貼
り付ける場合よりも生産効率の向上が図られる。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導
体レーザ装置における外観図である。尚、図１(a)は平
面図であり、図１(b)は正面図であり、図１(c)は底面図
である。
態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の半導
体レーザ装置における外観図である。尚、図１(a)は平
面図であり、図１(b)は正面図であり、図１(c)は底面図
である。
【００４３】本半導体レーザ装置は、現在主流である図
７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置と互換性をも
たせることが可能であり、フレームタイプレーザ装置で
は困難であった基準面の強度向上および放熱性向上を図
ったものである。また、キャップを用いないオープンパ
ッケージでありながら、マウントされたレーザ素子やワ
イヤ等を保護するための部品保護用隔壁を有しており、
容易に触れ難い構造になっている。
７に示すφ５.６キャンタイプレーザ装置と互換性をも
たせることが可能であり、フレームタイプレーザ装置で
は困難であった基準面の強度向上および放熱性向上を図
ったものである。また、キャップを用いないオープンパ
ッケージでありながら、マウントされたレーザ素子やワ
イヤ等を保護するための部品保護用隔壁を有しており、
容易に触れ難い構造になっている。
【００４４】２１は、互いに対向して配置されると共に
一側が円弧になっている略半月状の基準面部２１a,２１
bと、両基準面部２１a,２１bの直線状の他側部中央を連
結する板状の連結部２１cとから成るベースフレームで
あり、１枚の金属板で形成されている。また、ベースフ
レーム２１の連結部２１cにおける一側部から連結部２
１cの表面に対して垂直方向に延在して、板状のレーザ
素子搭載フレーム２２が設けられている。一方、連結部
２１cにおける他側部からは、連結部２１cの表面に対し
て垂直方向に延在して、３本のリードフレーム２３が設
けられている。ここで、レーザ素子搭載フレーム２２お
よび中央のリードフレーム２３aは、ベースフレーム２
１と一体に形成されて、連結部２１cの側端で直角に互
いに逆方向に折り曲げられて構成されている。つまり、
レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリ
ードフレーム２３aとは１枚の金属板を打ち抜き・折り曲
げて構成されているのである。
一側が円弧になっている略半月状の基準面部２１a,２１
bと、両基準面部２１a,２１bの直線状の他側部中央を連
結する板状の連結部２１cとから成るベースフレームで
あり、１枚の金属板で形成されている。また、ベースフ
レーム２１の連結部２１cにおける一側部から連結部２
１cの表面に対して垂直方向に延在して、板状のレーザ
素子搭載フレーム２２が設けられている。一方、連結部
２１cにおける他側部からは、連結部２１cの表面に対し
て垂直方向に延在して、３本のリードフレーム２３が設
けられている。ここで、レーザ素子搭載フレーム２２お
よび中央のリードフレーム２３aは、ベースフレーム２
１と一体に形成されて、連結部２１cの側端で直角に互
いに逆方向に折り曲げられて構成されている。つまり、
レーザ素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１とリ
ードフレーム２３aとは１枚の金属板を打ち抜き・折り曲
げて構成されているのである。
【００４５】また、上記ベースフレーム２１の基準面部
２１a,２１bには、同じ形状の放熱・補強用の金属板２
４,２４が貼り付けられている。
２１a,２１bには、同じ形状の放熱・補強用の金属板２
４,２４が貼り付けられている。
【００４６】上記レーザ素子搭載フレーム２２にはレー
ザ素子２６および受光素子４０がマウントされたサブマ
ウント２５が搭載され、ワイヤ２７,２７によってリー
ドフレーム２３,２３のワイヤボンディング部２８,２８
等にワイヤボンディングされている。そして、レーザ素
子２６がマウントされたレーザ素子搭載フレーム２２に
おけるレーザ光の出射側を除いた周囲が、斜線で示すよ
うにモールド樹脂２９でモールドされている。こうし
て、モールド樹脂２９で上記部品保護用隔壁を構成する
のである。尚、３０は、ベースフレーム２１における外
周端に形成された位置決め用凹部である。
ザ素子２６および受光素子４０がマウントされたサブマ
ウント２５が搭載され、ワイヤ２７,２７によってリー
ドフレーム２３,２３のワイヤボンディング部２８,２８
等にワイヤボンディングされている。そして、レーザ素
子２６がマウントされたレーザ素子搭載フレーム２２に
おけるレーザ光の出射側を除いた周囲が、斜線で示すよ
うにモールド樹脂２９でモールドされている。こうし
て、モールド樹脂２９で上記部品保護用隔壁を構成する
のである。尚、３０は、ベースフレーム２１における外
周端に形成された位置決め用凹部である。
【００４７】上述したように、本実施の形態における半
導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げ
て形成されたベースフレーム２１とレーザ素子搭載フレ
ーム２２とリードフレーム２３とを有しており、レーザ
素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６が搭載されてい
る。そして、平坦な１枚金属板で一部が円弧の略小判形
に形成されたベースフレーム２１における基準面部２１
a,２１bで基準面が構成されており、更にこの基準面部
２１a,２１bには同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,
２４が貼り付けられている。したがって、本半導体レー
ザ装置は、フレームタイプレーザ素子でありながら、φ
５.６キャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の
高い基準面強度と放熱性とを得ることができる。また、
その強度と放熱性とは、ベースフレーム２１の打ち抜き
形状とレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレー
ム２３の折り曲げ位置とを変えることによって、自由に
変更することができるのである。
導体レーザ装置は、１枚の金属板を打ち抜き・折り曲げ
て形成されたベースフレーム２１とレーザ素子搭載フレ
ーム２２とリードフレーム２３とを有しており、レーザ
素子搭載フレーム２２にレーザ素子２６が搭載されてい
る。そして、平坦な１枚金属板で一部が円弧の略小判形
に形成されたベースフレーム２１における基準面部２１
a,２１bで基準面が構成されており、更にこの基準面部
２１a,２１bには同じ形状の放熱・補強用の金属板２４,
２４が貼り付けられている。したがって、本半導体レー
ザ装置は、フレームタイプレーザ素子でありながら、φ
５.６キャンタイプレーザ装置におけるステムと同等の
高い基準面強度と放熱性とを得ることができる。また、
その強度と放熱性とは、ベースフレーム２１の打ち抜き
形状とレーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレー
ム２３の折り曲げ位置とを変えることによって、自由に
変更することができるのである。
【００４８】また、本実施の形態における半導体レーザ
装置は、１枚の金属板を打ち抜いたフレームに形成され
たフレームタイプレーザ素子でありながら、完成品の全
体的な形状は、図１に見られるようにφ５.６キャンタ
イプレーザ装置と同様の形状を成している。したがっ
て、本半導体レーザ装置は、図７に示すφ５.６キャン
タイプレーザ装置との互換性をもたせることが可能なの
である。
装置は、１枚の金属板を打ち抜いたフレームに形成され
たフレームタイプレーザ素子でありながら、完成品の全
体的な形状は、図１に見られるようにφ５.６キャンタ
イプレーザ装置と同様の形状を成している。したがっ
て、本半導体レーザ装置は、図７に示すφ５.６キャン
タイプレーザ装置との互換性をもたせることが可能なの
である。
【００４９】さらに、本実施の形態における半導体レー
ザ装置は、レーザ素子搭載フレーム２２に搭載されたレ
ーザ素子２６の周囲を、光出射側を除いてモールド樹脂
２９で囲って部品保護用隔壁を形成している。したがっ
て、全体的な形状はφ５.６キャンタイプレーザ装置と
同様であるが、φ５.６キャンタイプレーザ装置におい
てレーザ素子およびワイヤを保護していたキャップが不
要となり、樹脂でモールドすることによって一括生産を
可能にしている。
ザ装置は、レーザ素子搭載フレーム２２に搭載されたレ
ーザ素子２６の周囲を、光出射側を除いてモールド樹脂
２９で囲って部品保護用隔壁を形成している。したがっ
て、全体的な形状はφ５.６キャンタイプレーザ装置と
同様であるが、φ５.６キャンタイプレーザ装置におい
てレーザ素子およびワイヤを保護していたキャップが不
要となり、樹脂でモールドすることによって一括生産を
可能にしている。
【００５０】ところで、本実施の形態における半導体レ
ーザ装置は、上述したように、上記ベースフレーム２１
と、このベースフレーム２１の連結部２１cから一側方
に延在するレーザ素子搭載フレーム２２と、連結部２１
cから他側方に延在するリードフレーム２３aとが、１枚
の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されている。した
がって、上記フレームタイプレーザ装置の場合と同様の
製造工程によって、大量一括生産が可能なのである。以
下、本半導体レーザ装置の製造方法について詳細に説明
する。
ーザ装置は、上述したように、上記ベースフレーム２１
と、このベースフレーム２１の連結部２１cから一側方
に延在するレーザ素子搭載フレーム２２と、連結部２１
cから他側方に延在するリードフレーム２３aとが、１枚
の金属板を打ち抜き・折り曲げて構成されている。した
がって、上記フレームタイプレーザ装置の場合と同様の
製造工程によって、大量一括生産が可能なのである。以
下、本半導体レーザ装置の製造方法について詳細に説明
する。
【００５１】先ず、フレームの板材(主材料はＣuやＦe)
を、図２に示すような必要とする形状(位置決め用凹部
３０や抜け防止用段部３３等を含む)に打ち抜く。図２
において、図２(a)は打ち抜かれたフレームの側面図で
あり、図２(b)は打ち抜かれたフレームの平面図であ
る。
を、図２に示すような必要とする形状(位置決め用凹部
３０や抜け防止用段部３３等を含む)に打ち抜く。図２
において、図２(a)は打ち抜かれたフレームの側面図で
あり、図２(b)は打ち抜かれたフレームの平面図であ
る。
【００５２】図２において、２本の枠フレーム３１,３
２が平行して配置されて、ベースフレーム２１から一側
方に延在しているレーザ素子搭載フレーム２２の一端
が、一方の枠フレーム３１に繋がっている。さらに、上
記ベースフレーム２１から他側方に延在しているリード
フレーム２３aの一端は、他方の枠フレーム３２に繋が
っている。また、枠フレーム３２からは、リードフレー
ム２３aの両側に、リードフレーム２３aに平行して２本
のリードフレーム２３,２３が延在している。そして、
この２本のリードフレーム２３,２３の先端部における
ワイヤボンディング部２８,２８の図中下側には、後に
周囲を埋め込んで形成されるモールド樹脂２９から抜け
ないようにするために、上記抜け防止手段としての抜け
防止用段部３３が設けられている。
２が平行して配置されて、ベースフレーム２１から一側
方に延在しているレーザ素子搭載フレーム２２の一端
が、一方の枠フレーム３１に繋がっている。さらに、上
記ベースフレーム２１から他側方に延在しているリード
フレーム２３aの一端は、他方の枠フレーム３２に繋が
っている。また、枠フレーム３２からは、リードフレー
ム２３aの両側に、リードフレーム２３aに平行して２本
のリードフレーム２３,２３が延在している。そして、
この２本のリードフレーム２３,２３の先端部における
ワイヤボンディング部２８,２８の図中下側には、後に
周囲を埋め込んで形成されるモールド樹脂２９から抜け
ないようにするために、上記抜け防止手段としての抜け
防止用段部３３が設けられている。
【００５３】上記レーザ素子搭載フレーム２２とベース
フレーム２１とリードフレーム２３,２３a,２３とは、
複数セット併設されて、２本の枠フレーム３１,３２に
連なって形成されている。そして、各セットのレーザ素
子搭載フレーム２２同士は、タイバー３４で連結されて
補強されている。同様に、各セット内のリードフレーム
２３aとリードフレーム２３,２３、および、各セット毎
のリードフレーム２３a,２３,２３同士は、タイバー３
５で連結されて補強されている。
フレーム２１とリードフレーム２３,２３a,２３とは、
複数セット併設されて、２本の枠フレーム３１,３２に
連なって形成されている。そして、各セットのレーザ素
子搭載フレーム２２同士は、タイバー３４で連結されて
補強されている。同様に、各セット内のリードフレーム
２３aとリードフレーム２３,２３、および、各セット毎
のリードフレーム２３a,２３,２３同士は、タイバー３
５で連結されて補強されている。
【００５４】上述のような形状に打ち抜かれたフレーム
において、上記レーザ素子搭載フレーム２２は、ベース
フレーム２１との境界を通る破線３６の位置で、上述し
たように折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３
aは、リードフレーム２３,２３の抜け防止用段部３３の
近傍を通る破線３７の位置で、上述したように折り曲げ
られる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２
１a,２１bは、折り曲げられずに平坦のままになってい
る。
において、上記レーザ素子搭載フレーム２２は、ベース
フレーム２１との境界を通る破線３６の位置で、上述し
たように折り曲げられる。同様に、リードフレーム２３
aは、リードフレーム２３,２３の抜け防止用段部３３の
近傍を通る破線３７の位置で、上述したように折り曲げ
られる。その場合に、ベースフレーム２１の基準面部２
１a,２１bは、折り曲げられずに平坦のままになってい
る。
【００５５】そして、上述した打ち抜き時には、上記レ
ーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３a
の折り曲げ位置に、後のフレームフォーミングがスムー
ズに行われるように、破線３６,３７に沿って断面がＶ
字形の浅いＶ溝３８とＶ溝３９とを互いに反対側の面に
金型によって付けておくのである。また、上記打ち抜き
が行われた後に、後のワイヤボンデイングが良好に行わ
れるように、フレームの表面に金または銀のメッキを施
しておく。尚、更なる放熱性向上や基準面の強度向上が
必要であれば、上記メッキ後に、ベースフレーム２１の
基準面部２１a,２１bに、基準面部２１a,２１bと同じ形
状の放熱・補強用の金属板２４,２４が接着剤で貼り付け
られる。
ーザ素子搭載フレーム２２およびリードフレーム２３a
の折り曲げ位置に、後のフレームフォーミングがスムー
ズに行われるように、破線３６,３７に沿って断面がＶ
字形の浅いＶ溝３８とＶ溝３９とを互いに反対側の面に
金型によって付けておくのである。また、上記打ち抜き
が行われた後に、後のワイヤボンデイングが良好に行わ
れるように、フレームの表面に金または銀のメッキを施
しておく。尚、更なる放熱性向上や基準面の強度向上が
必要であれば、上記メッキ後に、ベースフレーム２１の
基準面部２１a,２１bに、基準面部２１a,２１bと同じ形
状の放熱・補強用の金属板２４,２４が接着剤で貼り付け
られる。
【００５６】上述のようにして、上記フレームにメッキ
が施され、放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けら
れると、上記フレームをフォーミング金型による折り曲
げ等によって所定の形状にするフォーミングが行われ
る。その結果、図３に示すように、上記レーザ素子搭載
フレーム２２が、ベースフレーム２１における連結部２
１cの一側端との境界に形成されたＶ溝３８から、その
Ｖ溝３８を谷側にして９０度に折り曲げられる。同様
に、リードフレーム２３aは、連結部２１cの他側端との
境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３９を谷側に
してレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に
折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基
準面部２１a,２１bは平坦になっている。
が施され、放熱・補強用の金属板２４,２４が貼り付けら
れると、上記フレームをフォーミング金型による折り曲
げ等によって所定の形状にするフォーミングが行われ
る。その結果、図３に示すように、上記レーザ素子搭載
フレーム２２が、ベースフレーム２１における連結部２
１cの一側端との境界に形成されたＶ溝３８から、その
Ｖ溝３８を谷側にして９０度に折り曲げられる。同様
に、リードフレーム２３aは、連結部２１cの他側端との
境界に形成されたＶ溝３８から、そのＶ溝３９を谷側に
してレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に
折り曲げられる。その場合に、ベースフレーム２１の基
準面部２１a,２１bは平坦になっている。
【００５７】尚、上記フォーミングは、フォーミングが
終了した後にレーザ素子２６を搭載した際に、レーザ素
子２６からのレーザ光の光軸の延長線がベースフレーム
２１の外形の略中心を通るように行う。つまり、レーザ
出射点の平面図上における位置が略小判形を成している
ベースフレーム２１の一部が円弧になっている外形の中
心位置になるように行う(図１(a)参照)。こうすること
によって、ベースフレーム２１を回転させて取り付け位
置(レーザ光の出射方向)を調整する場合に上記光軸がぶ
れることが無く有利となる。
終了した後にレーザ素子２６を搭載した際に、レーザ素
子２６からのレーザ光の光軸の延長線がベースフレーム
２１の外形の略中心を通るように行う。つまり、レーザ
出射点の平面図上における位置が略小判形を成している
ベースフレーム２１の一部が円弧になっている外形の中
心位置になるように行う(図１(a)参照)。こうすること
によって、ベースフレーム２１を回転させて取り付け位
置(レーザ光の出射方向)を調整する場合に上記光軸がぶ
れることが無く有利となる。
【００５８】そうした後、上記レーザ素子搭載フレーム
２２上にレーザ素子２６および受光素子４０を搭載し、
外側に位置する２本のリードフレーム２３,２３の先端
部において抜け防止用段部３３を形成しているワイヤボ
ンディング部２８,２８およびレーザ素子搭載フレーム
２２にワイヤボンディングする。そして、図４に示すよ
うに、レーザ素子２６(図４では省略)の周囲を、出射側
を除いてモールド樹脂２９でモールドして、レーザ素子
２６やワイヤ２７等を保護するための部品保護用隔壁を
形成するのである。その際に、上記モールド樹脂２９
を、図１に示すように、レーザ素子搭載フレーム２２お
よびリードフレーム２３の一部を埋め込んで形成するこ
とによって、折り曲げられたレーザ素子搭載フレーム２
２およびリードフレーム２３を固定するようにしてい
る。さらに、リードフレーム２３の先端部に設けられた
抜け防止用段部３３によって、モールド樹脂２９から抜
けないようにリードフレーム２３が固定される。
２２上にレーザ素子２６および受光素子４０を搭載し、
外側に位置する２本のリードフレーム２３,２３の先端
部において抜け防止用段部３３を形成しているワイヤボ
ンディング部２８,２８およびレーザ素子搭載フレーム
２２にワイヤボンディングする。そして、図４に示すよ
うに、レーザ素子２６(図４では省略)の周囲を、出射側
を除いてモールド樹脂２９でモールドして、レーザ素子
２６やワイヤ２７等を保護するための部品保護用隔壁を
形成するのである。その際に、上記モールド樹脂２９
を、図１に示すように、レーザ素子搭載フレーム２２お
よびリードフレーム２３の一部を埋め込んで形成するこ
とによって、折り曲げられたレーザ素子搭載フレーム２
２およびリードフレーム２３を固定するようにしてい
る。さらに、リードフレーム２３の先端部に設けられた
抜け防止用段部３３によって、モールド樹脂２９から抜
けないようにリードフレーム２３が固定される。
【００５９】上述したように、上記レーザ素子搭載フレ
ーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３と
を、平行に配置された２本の枠フレーム３１,３２と一
体に複数セット並列に配置すると共に、１枚の金属板を
打ち抜いて形成するようにしている。したがって、以後
のフォーミングやレーザ素子２６のマウントやワイヤボ
ンディングや樹脂モールドを、複数セット分同時に行う
ことができ、大量一括生産を行うことが可能になるので
ある。
ーム２２とベースフレーム２１とリードフレーム２３と
を、平行に配置された２本の枠フレーム３１,３２と一
体に複数セット並列に配置すると共に、１枚の金属板を
打ち抜いて形成するようにしている。したがって、以後
のフォーミングやレーザ素子２６のマウントやワイヤボ
ンディングや樹脂モールドを、複数セット分同時に行う
ことができ、大量一括生産を行うことが可能になるので
ある。
【００６０】尚、上記実施の形態においては、基準面の
強度と放熱性とを確保するために、上記ベースフレーム
２１の基準面部２１a,２１bに、同じ形状の金属板２４,
２４を貼り付けるようにしている。しかしながら、元々
厚みがベースフレーム２１の厚みと金属板２４,２４の
厚みとの合計の厚みである金属板から打ち抜くようにし
ても差し支えない。その場合には、打ち抜き時にレーザ
素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２
１cとリードフレーム２３とをプレスで圧延する。ある
いは、Ｖ溝２８,２９を打ち抜き後に形成し、そのＶ溝
２８,２９形成時にレーザ素子搭載フレーム２２とベー
スフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３と
を圧延するようにしても差し支えない。
強度と放熱性とを確保するために、上記ベースフレーム
２１の基準面部２１a,２１bに、同じ形状の金属板２４,
２４を貼り付けるようにしている。しかしながら、元々
厚みがベースフレーム２１の厚みと金属板２４,２４の
厚みとの合計の厚みである金属板から打ち抜くようにし
ても差し支えない。その場合には、打ち抜き時にレーザ
素子搭載フレーム２２とベースフレーム２１の連結部２
１cとリードフレーム２３とをプレスで圧延する。ある
いは、Ｖ溝２８,２９を打ち抜き後に形成し、そのＶ溝
２８,２９形成時にレーザ素子搭載フレーム２２とベー
スフレーム２１の連結部２１cとリードフレーム２３と
を圧延するようにしても差し支えない。
【００６１】この発明は、上記レーザ素子搭載フレーム
２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３を
枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置
し、１枚の金属板を打ち抜いて形成する。そして、レー
ザ素子搭載フレーム２２をベースフレーム２１に対して
一方向に９０度に折り曲げる一方、リードフレーム２３
はレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折
り曲げて、ベースフレーム２１に平坦な基準面部２１a,
２１bを形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２
２にレーザ素子２６をマウントして樹脂でモールドする
ものである。
２２,ベースフレーム２１およびリードフレーム２３を
枠フレーム３１,３２と一体に複数セット並列に配置
し、１枚の金属板を打ち抜いて形成する。そして、レー
ザ素子搭載フレーム２２をベースフレーム２１に対して
一方向に９０度に折り曲げる一方、リードフレーム２３
はレーザ素子搭載フレーム２２とは反対側に９０度に折
り曲げて、ベースフレーム２１に平坦な基準面部２１a,
２１bを形成する。そして、レーザ素子搭載フレーム２
２にレーザ素子２６をマウントして樹脂でモールドする
ものである。
【００６２】したがって、上記構成を有しておれば、上
記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１お
よびリードフレーム２３の具体的形状や、リードフレー
ムの本数や、枠フレームの配置,形状,本数や、モールド
樹脂２９の形状や、フレーム全体の形状等は、上記実施
の形態の場合に限定するものではない。
記レーザ素子搭載フレーム２２,ベースフレーム２１お
よびリードフレーム２３の具体的形状や、リードフレー
ムの本数や、枠フレームの配置,形状,本数や、モールド
樹脂２９の形状や、フレーム全体の形状等は、上記実施
の形態の場合に限定するものではない。
【００６３】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
半導体レーザ装置は、１枚の金属板で構成されたレーザ
素子搭載フレームとベースフレームとリードフレームと
における上記レーザ素子搭載フレームとリードフレーム
とを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折
り曲げ、上記ベースフレームは基準面および放熱台とし
て機能し、上記レーザ素子搭載フレームには半導体レー
ザ素子を搭載し、上記リードフレームはリード端子とし
て機能するので、上記基準面および放熱面の面積を上記
折り曲げ位置を変えることによって任意に設定すること
ができる。したがって、フレームタイプレーザ装置であ
りながら上記基準面の高い強度と放熱性とを得ることが
できる。
半導体レーザ装置は、１枚の金属板で構成されたレーザ
素子搭載フレームとベースフレームとリードフレームと
における上記レーザ素子搭載フレームとリードフレーム
とを上記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折
り曲げ、上記ベースフレームは基準面および放熱台とし
て機能し、上記レーザ素子搭載フレームには半導体レー
ザ素子を搭載し、上記リードフレームはリード端子とし
て機能するので、上記基準面および放熱面の面積を上記
折り曲げ位置を変えることによって任意に設定すること
ができる。したがって、フレームタイプレーザ装置であ
りながら上記基準面の高い強度と放熱性とを得ることが
できる。
【００６４】さらに、上記レーザ素子搭載フレームとベ
ースフレームとリードフレームとを複数セット多連形状
に構成することによって、パッケージングおよび最終製
品の製造を一括して大量に行うことができ、生産効率の
向上とコストダウンとを図ることができる。
ースフレームとリードフレームとを複数セット多連形状
に構成することによって、パッケージングおよび最終製
品の製造を一括して大量に行うことができ、生産効率の
向上とコストダウンとを図ることができる。
【００６５】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記ベースフレームの外形を略円形あるいは一部に円弧を
有する略小判形にしたので、上記φ５.６キャンタイプ
レーザ装置におけるステムと同等の強度と放熱性を得る
ことができる。
記ベースフレームの外形を略円形あるいは一部に円弧を
有する略小判形にしたので、上記φ５.６キャンタイプ
レーザ装置におけるステムと同等の強度と放熱性を得る
ことができる。
【００６６】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記レーザ素子搭載フレームに搭載された半導体レーザ素
子からのレーザ光の光軸の延長線を、上記ベースフレー
ムにおける外形の略中心を通るようにしたので、上記ベ
ースフレームの外形が略円形あるいは一部が円弧である
ことと併せて、上記ベースフレームを回転させて取り付
け位置やレーザ光の出射方向を調整する場合に、上記光
軸がぶれないので非常に簡単に行うことができる。
記レーザ素子搭載フレームに搭載された半導体レーザ素
子からのレーザ光の光軸の延長線を、上記ベースフレー
ムにおける外形の略中心を通るようにしたので、上記ベ
ースフレームの外形が略円形あるいは一部が円弧である
ことと併せて、上記ベースフレームを回転させて取り付
け位置やレーザ光の出射方向を調整する場合に、上記光
軸がぶれないので非常に簡単に行うことができる。
【００６７】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および
放熱台となる領域の厚みを厚くしたので、上記基準面の
強度および放熱性を更に向上することができる。
記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面および
放熱台となる領域の厚みを厚くしたので、上記基準面の
強度および放熱性を更に向上することができる。
【００６８】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記ベースフレーム上に、上記レーザ素子搭載フレームに
搭載された半導体レーザ素子を取り囲むように、樹脂で
成る部品保護用隔壁を形成したので、オープンパッケー
ジでありながら上記半導体レーザ素子やワイヤ等を保護
することができる。さらに、上記部品保護用隔壁を樹脂
で構成したので、パッケージングを一括して大量に行う
ことができる。
記ベースフレーム上に、上記レーザ素子搭載フレームに
搭載された半導体レーザ素子を取り囲むように、樹脂で
成る部品保護用隔壁を形成したので、オープンパッケー
ジでありながら上記半導体レーザ素子やワイヤ等を保護
することができる。さらに、上記部品保護用隔壁を樹脂
で構成したので、パッケージングを一括して大量に行う
ことができる。
【００６９】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記部品保護用隔壁の樹脂を、上記レーザ素子搭載フレー
ムおよびリードフレームの少なくとも一部を埋め込んで
形成したので、上記ベースフレームに対して折り曲げら
れている上記レーザ素子搭載フレームとリードフレーム
とを上記樹脂によって固定することができる。したがっ
て、上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとの
撓み等を少なくして、取り付け剛性を高めることができ
る。
記部品保護用隔壁の樹脂を、上記レーザ素子搭載フレー
ムおよびリードフレームの少なくとも一部を埋め込んで
形成したので、上記ベースフレームに対して折り曲げら
れている上記レーザ素子搭載フレームとリードフレーム
とを上記樹脂によって固定することができる。したがっ
て、上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとの
撓み等を少なくして、取り付け剛性を高めることができ
る。
【００７０】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記ベースフレームと一体に形成されているリードフレー
ムとは分離されたリードフレームの先端部には、上記部
品保護用隔壁を構成する樹脂ブロックからの抜けを防止
するための抜け防止手段を設けたので、上記分離された
リードフレームを上記樹脂ブロックに固定して、取り付
け剛性を高めることができる。
記ベースフレームと一体に形成されているリードフレー
ムとは分離されたリードフレームの先端部には、上記部
品保護用隔壁を構成する樹脂ブロックからの抜けを防止
するための抜け防止手段を設けたので、上記分離された
リードフレームを上記樹脂ブロックに固定して、取り付
け剛性を高めることができる。
【００７１】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記ベースフレームにおける外周端に位置決め用の凹部を
設けたので、上記ベースフレームを回転させて取り付け
位置を調整する場合の位置決めを容易に行うことができ
る。
記ベースフレームにおける外周端に位置決め用の凹部を
設けたので、上記ベースフレームを回転させて取り付け
位置を調整する場合の位置決めを容易に行うことができ
る。
【００７２】また、１実施例の半導体レーザ装置は、上
記一体に形成されるベースフレームとレーザ素子搭載フ
レームとリードフレームとを銅板あるいは鉄板で形成し
たので、上記リードフレームをそのままリード端子とし
て機能させることができる。さらに、上記銅板あるいは
鉄板の表面には金または銀でメッキが施されているの
で、上記半導体レーザ素子のリードフレームへのワイヤ
ボンデイングを良好に行うことができる。
記一体に形成されるベースフレームとレーザ素子搭載フ
レームとリードフレームとを銅板あるいは鉄板で形成し
たので、上記リードフレームをそのままリード端子とし
て機能させることができる。さらに、上記銅板あるいは
鉄板の表面には金または銀でメッキが施されているの
で、上記半導体レーザ素子のリードフレームへのワイヤ
ボンデイングを良好に行うことができる。
【００７３】また、第２の発明の半導体レーザ装置の製
造方法は、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと
第１リードフレームと第２フレームとで成る組が枠フレ
ームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレーム
を、１枚の金属板から形成した後、上記レーザ素子搭載
フレームと第１リードフレームとの互いに反対側への折
り曲げ,半導体レーザ素子のマウント,ワイヤボンディン
グおよび樹脂モールドの夫々を、上記各組に対して同時
に行うので、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数
の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造
することができ、生産効率の向上とコストダウンとを図
ることができる。
造方法は、レーザ素子搭載フレームとベースフレームと
第１リードフレームと第２フレームとで成る組が枠フレ
ームおよびタイバーで複数組連結されて成るフレーム
を、１枚の金属板から形成した後、上記レーザ素子搭載
フレームと第１リードフレームとの互いに反対側への折
り曲げ,半導体レーザ素子のマウント,ワイヤボンディン
グおよび樹脂モールドの夫々を、上記各組に対して同時
に行うので、基準面の高い強度と放熱性とを有する複数
の半導体レーザ装置を最終製品まで一括して大量に製造
することができ、生産効率の向上とコストダウンとを図
ることができる。
【００７４】また、１実施例の半導体レーザ装置の製造
方法は、上記１枚の金属板からのフレームの形成を金型
による打ち抜きで行うので、上記フレームの形成をより
簡単にして、更なる生産効率の向上を図ることができ
る。
方法は、上記１枚の金属板からのフレームの形成を金型
による打ち抜きで行うので、上記フレームの形成をより
簡単にして、更なる生産効率の向上を図ることができ
る。
【００７５】また、１実施例の半導体レーザ装置の製造
方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおけ
る折り曲げ部分に予め溝を設けるので、上記折り曲げを
容易にして、更なる生産効率の向上を図ることができ
る。
方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとを折り曲げるに先立って、上記各フレームにおけ
る折り曲げ部分に予め溝を設けるので、上記折り曲げを
容易にして、更なる生産効率の向上を図ることができ
る。
【００７６】また、１実施例の半導体レーザ装置の製造
方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとの折り曲げを、金型を用いて行うので、複数組の
上記フレームに対する上記折り曲げを一括して行うこと
ができ、生産効率の向上を図ることができる。
方法は、上記レーザ素子搭載フレームと第１リードフレ
ームとの折り曲げを、金型を用いて行うので、複数組の
上記フレームに対する上記折り曲げを一括して行うこと
ができ、生産効率の向上を図ることができる。
【００７７】また、１実施例の半導体レーザ装置の製造
方法は、上記ベースフレームにおける少なくとも基準面
および放熱台となる領域に金属板を貼り付けるので、上
記領域の厚みが厚くなって、上記基準面の強度および放
熱性を更に向上できる。
方法は、上記ベースフレームにおける少なくとも基準面
および放熱台となる領域に金属板を貼り付けるので、上
記領域の厚みが厚くなって、上記基準面の強度および放
熱性を更に向上できる。
【００７８】また、１実施例の半導体レーザ装置の製造
方法は、上記ベースフレームにおける基準面および放熱
台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレー
ムおよび第１リードフレームとの厚みをプレスによって
薄くするので、上記複数組のフレームに対する上記基準
面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くす
る処理を、プレスによる１動作で行うことができる。し
たがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場
合よりも生産効率の向上を図ることができる。
方法は、上記ベースフレームにおける基準面および放熱
台となる領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレー
ムおよび第１リードフレームとの厚みをプレスによって
薄くするので、上記複数組のフレームに対する上記基準
面の強度および放熱性を向上させるために厚みを厚くす
る処理を、プレスによる１動作で行うことができる。し
たがって、上記実施の例のごとく金属板を貼り付ける場
合よりも生産効率の向上を図ることができる。
【図１】 この発明の半導体レーザ装置における外観図
である。
である。
【図２】 図１に示す半導体レーザ装置のフレーム形状
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 フォーミング後におけるフレームの側面図で
ある。
ある。
【図４】 樹脂モールドが行われた状態のフレームを示
す図である。
す図である。
【図５】 金属の基準面を有する従来のフレームタイプ
レーザ装置の外観図である。
レーザ装置の外観図である。
【図６】 樹脂の基準面を有する従来のフレームタイプ
レーザ装置の外観図である。
レーザ装置の外観図である。
【図７】 従来のφ５.６キャンタイプレーザ装置の外
観図である。
観図である。
２１…ベースフレーム、
２１a,２１b…基準面部、
２１c…連結部、
２２…レーザ素子搭載フレーム、
２３…リードフレーム、
２４…金属板、
２５…サブマウント、
２６…レーザ素子、
２７…ワイヤ、
２８…ワイヤボンディング部、
２９…モールド樹脂、
３１,３２…枠フレーム、
３３…抜け防止用段部、
３４,３５…タイバー、
３６,３７…折り曲げ位置、
３８,３９…Ｖ溝。
Claims (15)
- 【請求項１】 １枚の金属板で構成されたベースフレー
ムとこのベースフレームの一側に延在するレーザ素子搭
載フレームと上記ベースフレームの他側に延在するリー
ドフレームとを備えて、 上記レーザ素子搭載フレームとリードフレームとは、上
記ベースフレームの面に対して互いに反対側に折り曲げ
られており、 上記ベースフレームは基準面および放熱台となり、 上記レーザ素子搭載フレームに半導体レーザ素子が搭載
され、 上記リードフレームはリード端子となることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ベースフレームの外形は、略円形あるいは一部に円
弧を有する略小判形であることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記レーザ素子搭載フレームに搭載された半導体レーザ
素子からのレーザ光の光軸の延長線は、上記ベースフレ
ームにおける外形の略中心を通るようになっていること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ベースフレームにおける少なくとも上記基準面およ
び放熱台となる領域における厚みを厚くしたことを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ベースフレーム上には、上記半導体レーザ素子をレ
ーザ出射側を除いて取り囲むように、樹脂で成る部品保
護用隔壁が形成されていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記部品保護用隔壁を構成する樹脂は、上記レーザ素子
搭載フレームおよびリードフレームの少なくとも一部を
埋め込んで形成されており、上記ベースフレームに対し
て折り曲げられている上記レーザ素子搭載フレームとリ
ードフレームとを上記樹脂によって固定していることを
特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項５に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ベースフレームと一体に形成されているリードフレ
ームとは分離して形成されたリードフレームを有し、 この分離されたリードフレームの先端部は上記部品保護
用隔壁を構成する樹脂内に挿入されており、上記先端部
には上記樹脂から抜けることを防止するための抜け防止
手段が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ベースフレームにおける外周端には、位置決め用の
凹部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記一体に形成されるベースフレームとレーザ素子搭載
フレームとリードフレームとは、表面が金または銀でメ
ッキされた銅板または鉄板で形成されていることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】 ベースフレームとこのベースフレーム
の一側に延在するレーザ素子搭載フレームと上記ベース
フレームの他側に延在する第１リードフレームとこの第
１リードフレームとは分離された第２フレームとで成る
組が、枠フレームおよびタイバーで複数組連結されて成
るフレームを、１枚の金属板から形成する工程と、 上記各組における上記レーザ素子搭載フレームと第１リ
ードフレームとを上記ベースフレームの面に対して互い
に反対側に折り曲げる工程と、 上記各組における上記レーザ素子搭載フレームに半導体
レーザ素子を搭載した後、上記半導体レーザ素子を上記
第１,第２リードフレームにワイヤボンディングする工
程と、 上記各組における上記ベースフレーム上に、上記半導体
レーザ素子をレーザ出射側を除いて取り囲むように樹脂
で部品保護用隔壁を形成する工程を含むことを特徴とす
る半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載された半導体レーザ
装置の製造方法において、 上記１枚の金属板からのフレームの形成は、金型による
打ち抜きで行われることを特徴とする半導体レーザ装置
の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載された半導体レーザ
装置の製造方法において、 上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレーム
を折り曲げるに先立って、上記各フレームにおける折り
曲げ部分に予め溝を設ける工程を含むことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１０に記載された半導体レーザ
装置の製造方法において、 上記レーザ素子搭載フレームおよび第１リードフレーム
の折り曲げは、金型を用いて行われることを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１０に記載された半導体レーザ
装置の製造方法において、 上記ベースフレームにおける少なくとも基準面および放
熱台となる領域に、この領域と同じ形状を有する金属板
を貼り付ける工程を含むことを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１０に記載された半導体レーザ
装置の製造方法において、 上記ベースフレームにおける基準面および放熱台となる
領域を除く領域と、上記レーザ素子搭載フレームおよび
第１リードフレームとの厚みを、プレスによって薄くす
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376002A JP3987716B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| CNB021606129A CN1249869C (zh) | 2001-12-10 | 2002-12-10 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| US10/315,195 US6816522B2 (en) | 2001-12-10 | 2002-12-10 | Semiconductor laser apparatus and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001376002A JP3987716B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179292A true JP2003179292A (ja) | 2003-06-27 |
| JP3987716B2 JP3987716B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=19184284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001376002A Expired - Fee Related JP3987716B2 (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6816522B2 (ja) |
| JP (1) | JP3987716B2 (ja) |
| CN (1) | CN1249869C (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268361A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP2006319256A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用気密端子 |
| KR100872747B1 (ko) | 2007-07-02 | 2008-12-08 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| JP2009302430A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 光半導体装置用パッケージと製造方法および光半導体装置 |
| JP2018529232A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
| WO2022024325A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 光学部品ユニット、光学ユニット、測距装置および光学ユニットの製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4064218B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP3802896B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2006-07-26 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
| CN100502177C (zh) * | 2003-10-15 | 2009-06-17 | 三洋电机株式会社 | 双光束半导体激光器 |
| JP4970924B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
| CN104300356A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-21 | 山东华光光电子有限公司 | 一种波长稳定的半导体激光器及其制作方法 |
| CN108390255A (zh) * | 2018-02-22 | 2018-08-10 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 光学次模块及光模块 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2737345C2 (de) * | 1976-08-20 | 1991-07-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Halbleiterlaser-Vorrichtung mit einem Peltier-Element |
| JPS5946434B2 (ja) * | 1978-01-10 | 1984-11-12 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63193874A (ja) | 1987-02-06 | 1988-08-11 | Nec Corp | プリンタの電源制御回路 |
| JPH0691296B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-11-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザの組立方法 |
| EP0366472B1 (en) * | 1988-10-28 | 1994-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| US5089861A (en) * | 1990-05-09 | 1992-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device with mounting block |
| US5140384A (en) * | 1990-06-14 | 1992-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device mounted on a stem |
| US5444726A (en) * | 1990-11-07 | 1995-08-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| DE69118482T2 (de) * | 1990-11-07 | 1996-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | Laserdiode mit einer Schutzschicht auf ihrer lichtemittierenden Endfläche |
| JPH04280487A (ja) | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US5327443A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-05 | Rohm Co., Ltd. | Package-type semiconductor laser device |
| US5307362A (en) * | 1991-11-06 | 1994-04-26 | Rohm Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device |
| US5367530A (en) * | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH07335980A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3787184B2 (ja) * | 1995-11-14 | 2006-06-21 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH09186390A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3082695B2 (ja) * | 1997-01-16 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
| JP3778761B2 (ja) | 2000-02-18 | 2006-05-24 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP3735033B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2006-01-11 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
2001
- 2001-12-10 JP JP2001376002A patent/JP3987716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-10 US US10/315,195 patent/US6816522B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-10 CN CNB021606129A patent/CN1249869C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268361A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP2006319256A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用気密端子 |
| KR100872747B1 (ko) | 2007-07-02 | 2008-12-08 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| JP2009302430A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Panasonic Corp | 光半導体装置用パッケージと製造方法および光半導体装置 |
| JP2018529232A (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス部品 |
| US10784411B2 (en) | 2015-09-18 | 2020-09-22 | Osram Oled Gmbh | Housing having a recess exterior for an optoelectronic component |
| WO2022024325A1 (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | 三菱電機株式会社 | 光学部品ユニット、光学ユニット、測距装置および光学ユニットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1249869C (zh) | 2006-04-05 |
| US6816522B2 (en) | 2004-11-09 |
| JP3987716B2 (ja) | 2007-10-10 |
| US20030108073A1 (en) | 2003-06-12 |
| CN1426141A (zh) | 2003-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6258630B1 (en) | Resin-sealed semiconductor device having island for mounting semiconductor element coupled to heat spreader | |
| TWI337387B (en) | Leadframe for leadless package, package structure and manufacturing method using the same | |
| US20010042904A1 (en) | Frame for semiconductor package | |
| JP2003179292A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP2004179253A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN100446201C (zh) | 半导体器件 | |
| JP4952126B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品の製造方法 | |
| JP4373122B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
| JP5136458B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| US20010045630A1 (en) | Frame for semiconductor package | |
| JP3185996U (ja) | リードフレームアセンブリ | |
| JP3571450B2 (ja) | リードフレームの製法および発光素子の製法 | |
| JPH09186273A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3877732B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法 | |
| JP2004104153A (ja) | 発光素子および半導体装置 | |
| JP2001077262A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017152496A (ja) | リードフレーム、及び半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2012227254A (ja) | Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板及びその製造方法 | |
| JP4111199B2 (ja) | 半導体パッケージ、及びこれを回路基板に実装する方法 | |
| US20060220196A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same, metal component and method of manufacturing the same | |
| JP2012221963A (ja) | Ｌｅｄパッケージ用基板 | |
| JP2859057B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH0582573A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用金型 | |
| KR100819794B1 (ko) | 리드프레임 및, 그것을 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
| JP2009135269A (ja) | 光半導体素子用パッケージおよび光半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070426 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070710 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070713 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3987716 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120720 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120720 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130720 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |