JP2001077262A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄い金属板から板金加工により半導体レーザ
装置のステムを得、しかも強度、放熱性を確保する。 【解決手段】 半導体レーザー装置におけるステムを薄
い金属板で形成するため、薄い金属板からプレス加工に
よりそのベース１に環状壁部２を形成し、この環状壁部
内に形成された空間中にアウトリード４を配置し、絶縁
性の熱硬化性樹脂を充填固化することにより固定する。
また、前記ベース１にシリコンサブマウントを取り付け
る取付部（ヒートシンク）３を前記ベース１と一体にプ
レス加工により形成する。また、ステムを薄い金属板で
形成したことによる強度不足及び放熱不足を前記連続壁
の形成により補償する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄い金属板をプレ
スで板金加工することにより形成したステムを有する半
導体レーザ装置、とくにその放熱性を向上させた半導体
レーザ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザー装置のステムは、
例えば図１０に示すように、ベース１、ベース１に取り
付けたアウトリード４及び半導体レーザ発光素子等を実
装するシリコンサブマウントの取り付部であるヒートシ
ンク３からなっており、一般にベース１は例えば、1.2m
m厚の直径5.6mmの鉄材からなる円盤をプレス金型にて鍛
造して形成し、その際、円盤の周縁部を押し潰すか、或
いは中央部を盛り上げるかのいずれかの方法でヒートシ
ンク部３を形成している。またアウトリード４は絶縁性
融着ガラス１２によってベース１に固定されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法でステムを製造する場合には、以下に示すような問
題があるため、その製造コストを下げるのは困難であっ
た。即ち、 （１）鍛造用金型は厚手の金属板を使用し材料コストが
かさむ上、厚手の金属板を鍛造するため、摩耗、破損し
やすい。 （２）ステムのベースの側面寸法等は高い精度が要求さ
れるため、鍛造による場合には、円盤周縁部の鍛造に加
えその側面等の加工も必要となる。 （３）ベースとアウトリードとの接合は融点が１０００
°Ｃ程度の低融点ガラスによって行われているが、この
温度は金の融点を越えているため、アウトリードの金メ
ッキはベースに対し接合した後に行わなければならな
い。従って、ベースは本来であれば例えばＮｉメッキで
足りるにも拘らず、アウトリードに合わせて金メッキを
施さざるを得ない。さらに、光ピックアップへの装着
時、放熱がそれほど問題にならない場合には、装着面縮
小のためベースを（図面参照）縮小加工することがある
が、従来の鍛造により形成したベースは切削等によらな
ければ装着面積縮小ができず、プレスで打ち抜く等の簡
易な方法が採れない等の問題がある。このような課題を
解決するため、例えば、ステムを備えた半導体レーザ装
置において、ステムのベースを例えば0.1mm〜0.5mm程度
の薄い金属板からプレス加工により形成することが考え
られるが、従来のステムのベースが1.2mm程度の比較的
厚い金属板から鍛造により打ち出し形成していたのと異
なり、薄い金属板によると、ピックアップに対する当て
付け時の強度が弱く、曲がり反り等の問題が新たに生じ
るほか、放熱特性に関しても十分とはいい難い場合があ
る。また、近年の短波長の発光素子或いは高出力発光素
子の出現等によって、より放熱性の高いステムが必要と
なっている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ベー
ス、該ベースに一体に形成したレーザ発光素子等の取付
部及び、アウトリードからなるステムを備えた半導体レ
ーザ装置において、前記ベースは、環状壁部を有するよ
う金属板を折り曲げて形成したものであることを特徴と
する半導体レーザ装置である。請求項２の発明は、請求
項１に記載された半導体レーザ装置において、前記環状
壁部は板金をその周縁から間隔を隔てて折り曲げて形成
したものであり、かつ、前記レーザ発光素子等の取付部
は板金上面を切り起こして前記環状壁部に形成したもの
であることを特徴とする半導体レーザ装置である。請求
項３の発明は、請求項１に記載された半導体レーザ装置
において、前記環状壁部は板金の周縁を折り曲げて形成
し、かつ、前記レーザ発光素子等の取付部は板金上面を
切り起こして形成したものであることを特徴とする半導
体レーザ装置である。請求項４の発明は、請求項１また
は２に記載された半導体レーザ装置において、前記アウ
トリードは前記環状壁部内に封止された熱硬化性樹脂に
よって前記ベースに接合されていることを特徴とする半
導体レーザ装置である。請求項５の発明は、請求項１ま
たは２に記載された半導体レーザ装置において、前記ア
ウトリードと前記ベースがそれぞれ異なる材料でメッキ
されたものであることを特徴とする半導体レーザ装置で
ある。請求項６の発明は、請求項１または２に記載され
た半導体レーザ装置において、前記環状壁部は放熱フィ
ンであることを特徴とする半導体レーザ装置である。請
求項７の発明は、ステムを備えた半導体レーザ装置にお
いて、前記ステムは、板金を折り曲げて形成した環状壁
部を周縁に備えたベースを有し、該環状壁部内にヒート
シンク部材を封止したことを特徴とする半導体レーザ装
置である。請求項８の発明は、請求項７に記載された半
導体レーザ装置において、前記ヒートシンク部材は絶縁
した銅材であることを特徴とする半導体レーザ装置であ
る。請求項９の発明は、ステムを備えた半導体レーザ装
置において、前記ステムは、熱伝導性の異なる２種の金
属をストライプ状に張り付けたクラッド材を折り曲げて
形成した環状壁部を周縁に備えたベースを有し、少なく
とも前記ベースに一体に形成されたレーザ発光素子等の
取付部が、前記異なる金属のうち熱伝導性の高い金属の
部分で形成されるよう成型されたものであることを特徴
とする半導体レーザ装置である。請求項１０の発明は、
ステムを備えた半導体レーザ装置において、前記ステム
は、熱伝導性の異なる２種の金属を表裏に張り付けたク
ラッド材を折り曲げて形成した環状壁部を周縁に備えた
ベースを有し、前記ベースに一体に形成されたレーザ発
光素子等の取付部のみが、前記異なる金属のうち熱伝導
性の高い金属の部分で形成されるよう成型されたことを
特徴とする半導体レーザ装置である。請求項１１の発明
は、請求項９または１０に記載された半導体レーザ装置
において、前記熱伝導性の異なる金属の一方は鉄であ
り、かつ他方は銅であることを特徴とする半導体レーザ
装置である。請求項１２の発明は、ベース、レーザ発光
素子等の取付部及び、アウトリードからなるステムを備
えた半導体レーザ装置において、前記ベースは、金属板
を折り曲げて形成した環状壁部を有し、前記レーザ発光
素子等の取付部は前記アウトリードに一体に形成されて
おり、かつ、前記アウトリードは前記環状壁部内に封止
された熱硬化性樹脂によって前記ベースに接合されてい
ることを特徴とする半導体レーザ装置である。請求項１
３の発明は、請求項１２記載の半導体レーザ装置におい
て、前記環状壁部内にさらにヒートシンク部材を封止し
たことを特徴とする半導体レーザ装置である。

【０００５】

【発明の実施の形態】図１は本発明によるステムの第１
の実施例を示すものであって、図１Ａはその斜視図、図
１Ｂはその断面図を示す。図示のようにこのステムのベ
ース１とレーザー発光素子等をシリコンサブマウントを
介して取り付ける取付部（ヒートシンク）３は、薄い金
属板、例えば0.1mm〜0.5mm程度の金属板から円盤状のブ
ランクを打ち抜き、これに板金加工を施して形成したも
のであって、鍔状の周縁部１Ａを残して中央部に曲げ加
工を施して環状連続壁１Ａ’を形成し、その環状壁部１
Ａ’の一部にそれと一体に形成された取付部（ヒートシ
ンク）３が形成されている。図中、６は金ワイヤーであ
って、アウトリード４と各端子を電気的に接続してい
る。７はシリコンサブマウントであって、取付部（ヒー
トシンク）３の折り返し面３Ａ（図２）に対して銀ペー
ストのような導電性ペーストで接合されている。８は発
光素子であるＬＤ（レーザーダイオード）、９は前記Ｌ
Ｄから発光されたレーザー光をモニターするための受光
素子を示す。図示のように、ＬＤ８及び受光素子９はい
ずれも金ワイヤー６によってアウトリード４に電気的に
接続されている。

【０００６】図２は本発明によるステムのベース１の成
形工程を説明するための図である。図２Ａは例えば鉄等
の金属板のブランクを示す。図２Ｂはこのブランクに絞
り加工を施して形成した灰皿またはハット状の、つまり
鍔状部１Ａとそれに続く環状壁部分１Ａ’、及び環状壁
部分１Ａ’の上に平面を有する中間加工物を示す。図２
Ｃはこのように形成した中間加工物の前記平面をヒート
シンクである取付部（ヒートシンク）３となる部分３Ａ
を残して打ち抜いた状態を示し、最後に、図２Ｄに示す
ように、前記取付部（ヒートシンク）３となる部分３Ａ
を起立させ、断面Ｌ型の取付部（ヒートシンク）３を形
成する。以上の工程で形成したベース１の環状壁部分１
Ａ’によって囲まれる空間に３本のアウトリード４を配
し、その状態で熱硬化性樹脂を充填して加熱し、前記ア
ウトリード４をベース１に固着する（図１）。ここで、
Ｇｎｄ端子４Ａはボンディング時に電気的導通を確保す
るため、図に示すように、前記取付部（ヒートシンク）
３を貫通している。

【０００７】この実施例によれば、ベース１と前記アウ
トリード４との接合は従来の低融点ガラスによらず、熱
硬化性樹脂によって行われておりかつ、前記樹脂の熱硬
化を行ってもその温度は約２００°Ｃ程度にすぎないか
ら、前記樹脂を用いることによってアウトリード４に金
メッキを施した後からベース１に接合することができ
る。つまり、本実施形態によれば、ベース１とアウトリ
ード４はそれぞれ別々にメッキを施すことができるた
め、ベース１はアウトリード４と同じ金メッキを施す必
要がなく、例えばＮｉメッキを施すことができるという
利点がある。また、ピックアップ装着面積の縮小が必要
な場合であっても、ベース１をプレスで単に打ち抜くこ
とにより簡単に切断することができる。なお、ＤＢ（ダ
イボンディング）材には銀ペースト等の導電性ペースト
を用い接着強度を確保する。以上で説明した本発明の第
１の実施形態のステムは、前記従来の問題を解決し得る
ものではあるが、ベース１の厚みが0.25〜0.3mm程度で
従来品のもの（1.2mm程度）より薄いため、ピックアッ
プに対する当て付け時の強度が弱く、曲がり反り等の問
題が生じることがある。また、放熱特性に関しても十分
とはいい難い。

【０００８】そこで、次にその点を改良した実施形態に
ついて説明する。図３は、本発明の第２の実施形態を示
すものである。図中図１におけると同様の部分には同じ
番号を付している。この実施形態の特徴は、本発明のス
テムのベース１の厚みが従来品よりも薄いことに対処す
るため、円盤状の金属ブランクの周縁部をほぼ直角に折
り曲げて環状壁部１Ａを形成し、その中央部を平面１Ｂ
とし、その平面から切り起こしたレーザー発光素子等の
取付部（ヒートシンク）３を備えている。この実施形態
は前記環状壁部１Ａ’を放熱フィンとしかつ、環状壁部
の幅を調整して必要な放熱性を確保できるようにしてい
る。

【０００９】図４はその製造工程を示すものであって、
図４Ａは金属ブランクを示す。図４Ｂは前記金属ブラン
クの周縁部を下方に折り曲げて折曲部を形成し中央部を
平面とした中間加工物を示している。図４Ｃは、この中
間加工物の中央平面部分にシリコンサブマウントを介し
て前記レーザ発光素子等を取り付ける取付部（ヒートシ
ンク）３になる部分３Ａを残して切り抜いた状態を示し
ている。さらに、図４Ｄは、前記取付部（ヒートシン
ク）３になる部分３Ａを起立させ断面Ｌ字型の前記取付
部（ヒートシンク）３を形成する。

【００１０】この実施形態においては、ベース１の周縁
を折曲して形成した環状側壁内部空間に熱硬化性樹脂を
封止するものであるから、ベース１を薄い金属板で形成
したにも拘らず強度を増大することができ、かつ、その
部分をピックアップの装着時の当てつけ基準面とするこ
とにより、曲げ、反り等が発生するおそれもない。ま
た、折曲部の幅Ｌを長くすることにより、放熱面積を増
大させることができるから、前記第１の実施形態におけ
るようなＬＤ動作時における放熱性の問題も解消するこ
とができる。

【００１１】図５は本発明によるステムの第３の実施例
を示し、図５Ａはその斜視図、図５Ｂは断面図を示す。
ステムのベース１は、図示のようにその周縁部が図５Ａ
において下方にほぼ直角に折り曲げた環状連続壁１Ａ’
を有し、その上面１Ｂの開口部の一側にはシリコンサブ
マウントを介してレーザ発光素子等を取り付ける取付部
（ヒートシンク）３が一体に形成されている。ここで使
用される金属板は、既に述べたように、例えば0.1mm〜
0.5mm程度の鉄板である。図中、６は金ワイヤーであっ
て、アウトリード４と各端子を電気的に接続している。
７はシリコンサブマウントであって、取付部（ヒートシ
ンク）３の折り返し面に銀ペーストのような導電性ペー
ストで接合されている。８は発光素子であるＬＤ（レー
ザーダイオード）、９は前記ＬＤから発光されたレーザ
ー光をモニターするための受光素子を示す。図示のよう
に、ＬＤ８及び受光素子９はいずれも金ワイヤー６によ
ってアウトリード４に電気的に接続されている。このよ
うに構成されたステムは、ベース１外周縁を折り曲げ環
状壁部１Ａ’が形成されているため、ベース１を強化す
るとともにその環状壁部を放熱フィンとすることがで
き、環状壁部の幅を調整することにより、ベース１自体
によっても必要な放熱性を確保することができる。しか
し、ステムの放熱性を一層高めるために、本実施形態で
は、図５Ｂに示すように、前記環状壁１Ａ’によって囲
まれた空間内に、銅材等の放熱用のヒートシンク用円盤
５Ａをアウトリード４と絶縁した状態で収容し、更にそ
の下側空間に絶縁性の熱硬化性樹脂５Ｂを充填封着し
て、アウトリード４と共に前記ヒートシンク用円盤５Ａ
を封止している。この構成により、ステムの放熱性は前
記連続壁の幅Ｌに加え、放熱ヒートシンク用銅盤の厚さ
Ｍを調節することによって調節することができ、使用す
る半導体レーザ装置に最適な放熱性を容易に得ることが
できる。

【００１２】この実施形態のステムのベース１の製造工
程は、図４に関連して説明した第２の実施例におけると
同様である。即ち、図４Ａは前記厚みを有する薄い鉄板
から切り抜かれたブランクを示す。図４Ｂは前記ブラン
クの周縁をほぼ直角に折り曲げて得られた環状連続壁を
有する椀状の中間加工物を示し、図４Ｃは、この中間加
工物の中央平面部分について前記取付部（ヒートシン
ク）３になる部分３Ａを残して切り抜いた状態を示して
いる。さらに、図４Ｄは、前記取付部（ヒートシンク）
３になる部分３Ａに曲げ加工を施して起立させ断面Ｌ字
型の取付部（ヒートシンク）３を形成する。

【００１３】次に、本発明における放熱性を高めたステ
ムの第４の実施形態について説明する。この実施形態は
図６Ａに示すように、ステムのシリコンサブマウントを
介してレーザ発光素子等を取り付ける取付部（ヒートシ
ンク）３には放熱性の優れた銅材Ｃを用いかつ、熱伝導
の少ないベース外周部はコスト削減を図るため及び、ス
テムの強度を確保するために鉄材Ｆを用いている。これ
を作製するには、図６Ｂに示すように、例えば、鉄ー銅
ー鉄ー銅ー・・・の順でストライプ状に金属を交互に張
り付けたクラッド材Ｍ１を用い、このクラッド材Ｍ１か
らなる円形のブランクＢを打ち抜き、このブランクＢの
銅の部分Ｃが前記取付部（ヒートシンク）３に来るよう
に板金加工を施す。その加工工程は図４について説明し
た第３の実施形態の場合と同様である。

【００１４】図７Ａは本発明の第５の実施形態のステム
をその真上から、つまり平面図で示している。前記第４
の実施態様では鉄Ｆと銅Ｃを交互に張り付けたクラッド
材Ｍ１を用いたが、この実施形態では、板の厚み方向、
つまりその表裏面に銅材Ｃと鉄材Ｆとを重ね合わせて張
り付けたクラッド材Ｍ２を用い(図７Ｂ）、このクラッ
ド材Ｍ２からステム加工用のブランクを打ち抜き、既に
図４について説明した方法によってステムを形成する。
この場合、ステムの板金加工において、ステムのベース
１の表側に鉄材Ｆが来るようにブランクの周縁部をほぼ
直角に折り曲げ、更にブランクの中央部をシリコンサブ
マウント取付部となる取付部（ヒートシンク）３を残し
て打ち抜き、最後に前記取付部（ヒートシンク）３を折
り曲げて起立させる。前記取付部（ヒートシンク）３を
起立させることにより、クラッド材裏面の銅材Ｃが初め
て表側に現れる。つまり、図７Ａに示すように、シリコ
ンサブマウントの取付面側は銅材Ｃとなり銅の優れた熱
伝導性を活用することができる。他方、それ以外の部分
は鉄材Ｆが表面に現れているから鉄材の持つ優れた強度
特性を生かすことができる。これにより、それぞれの材
料の特性をうまく利用して強度的にも或いは放熱性の面
からみても優れたステムを得ることができる。

【００１５】以上で説明した半導体レーザ装置のステム
は、何れもＬＤ取付部はベース１と一体に形成されてい
るが、図８に示す第６の実施形態のステムでは、ＬＤ取
付部は、アウトリード４（Ｇｎｄ端子）と一体に形成さ
れている（図８Ａ）。ここで、一体に形成されの意味
は、ＬＤ取付部とアウトリードが文字通り一体に形成さ
れるものだけでなく、溶接等の手段により接合されて一
体となるものをも含む。前記アウトリード４は、屈曲し
て形成したベース１の環状壁１Ａ’によって囲まれた空
間内に充填した絶縁性の熱硬化性樹脂によりベース１に
固定される（図８Ｂ）。このようにして形成されたステ
ムには、第２の実施形態と同様に、ベース外周縁を折り
曲げ環状壁部１Ａ’が形成されているため、ベース１自
体によって必要な放熱性を確保することができる。ま
た、第３の実施形態と同様に、環状壁１Ａ’によって囲
まれた空間内に、銅材等の放熱用の例えば銅でできたヒ
ートシンク用円盤８Ａをアウトリード４と絶縁した状態
で収容し、更にその下側空間に絶縁性の熱可硬化性樹脂
８Ｂを充填封着して、アウトリード４と共に前記ヒート
シンク用円盤を封止してもよい（図８Ｃ）。図９は本発
明によるステムのベース１の成形工程を説明するための
図である。図９Ａは例えば、鉄などの金属板のブランク
を示す。図９Ｂはこのブランクの周縁部を下方に折り曲
げて折曲部を形成しかつ中央を平面とした中間加工物を
示している。図９Ｃは、この中間加工物の前記平面部分
にリード挿入用の孔４Ｂを設けて形成したベース１を示
す。

【００１６】

【発明の効果】請求項１乃至１３の発明に対応する効
果； 薄い金属板に対し、打ち抜き、曲げ等比較的簡単
なプレス加工を施すのみであるから金型の摩耗、破損が
起こり難く、そのため安価にステムを形成することがで
き、ピックアップ装着面積の縮小が必要な場合であって
も、ベースをプレスで単に打ち抜くことにより簡単に切
断することができる。さらに、金属板を折り曲げて環状
壁部を形成したため、内部空間中においてアウトリード
を熱硬化性樹脂で封止することができると共に、金属板
が薄いにも拘らずその強度を確保することができる。請
求項５の発明に対応する効果； 端子を固定する熱硬化
性樹脂は低温で硬化可能であるから、金メッキ済みの端
子をステムに固定することができ、そのため端子とステ
ムのベースとを異なる材料でメッキすることができる。
請求項６の発明に対応する効果： 環状壁部を放熱フィ
ンとして利用可能であり、その長さを調整することによ
って適当な放熱面積を得ることができる。請求項７、８
の発明に対応する効果： ベース周縁に形成された環状
壁部及びヒートシンク部材によって放熱性を確保するこ
とができると共に、環状壁部の幅及びヒートシンク部材
の厚さを調節することによって、適用する半導体レーザ
装置に応じてその放熱特性を最適にすることができる。
請求項９の発明に対応する効果； 熱伝導特性の優れた
材料を不必要な部分に用いることを大幅に制限すること
ができるから、コストを下げつつ放熱性の優れた半導体
レーザ装置を得ることができる。請求項１０の発明に対
応する効果； 熱伝導性の優れた材料と強度の優れた材
料をそれぞれの特性を使い分けることができるから、コ
ストを下げつつ強度及び放熱性の優れた特性を有する半
導体レーザ装置を得ることができる。請求項１１の発明
に対応する効果：銅材と鉄材とからなるクラッド材を用
いることにより、強度、放熱性を併せ持った低コストの
ステムを得ることができ、ひいては性能の優れた半導体
レーザ装置を低コストで得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体レーザ装置のステムの第１の
実施形態のステムを示し、図１Ａはその斜視図、１Ｂは
断面図を示す。

【図２】 第１の実施形態のステムのベースの製造工程
を説明する図である。

【図３】 本発明の第２の実施形態のステムを示す斜視
図である。

【図４】 第２の実施形態のステムのベースの製造工程
を説明する斜視図である。

【図５】 本発明の半導体レーザ装置の第３の実施形態
のステムを示すものであって、図５Ａはその斜視図、５
Ｂは断面図を示す。

【図６】 本発明の半導体レーザ装置の第４の実施形態
のステムの斜視図及びステムのベース用素材の平面図を
示す。

【図７】 本発明の半導体レーザ装置の第５の実施形態
のステムの平面図及びステムのベース用素材の断面図を
示す。

【図８】 本発明の半導体レーザ装置の第６の実施形態
のステムを示し、図８Ａはその斜視図、図８Ｂ、図８Ｃ
は断面図を示す。

【図９】 第６の実施形態のステムのベースの製造工程
を説明する斜視図である。

【図１０】 従来の半導体レーザ装置のステムの断面図
を示す。

【符号の説明】

１・・・ベース、 ２・・・環状壁
部分、３・・・取付部（ヒートシンク）、 ４・・
・アウトリード、６・・・金ワイヤー、
７・・・コンサブマウント、８・・・ＬＤ（レーザー
ダイオード） ９・・・受光素子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｈ０１Ｓ 5/022 23/373 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｃ Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｍ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース、該ベースに一体に形成したレー
   ザ発光素子等の取付部及び、アウトリードからなるステ
   ムを備えた半導体レーザ装置において、 前記ベースは、環状壁部を有するよう金属板を折り曲げ
   て形成したものであることを特徴とする半導体レーザ装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された半導体レーザ装置
   において、前記環状壁部は板金をその周縁から間隔を隔
   てて折り曲げて形成したものであり、かつ、前記レーザ
   発光素子等の取付部は板金上面を切り起こして前記環状
   壁部に形成したものであることを特徴とする半導体レー
   ザ装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載された半導体レーザ装置
   において、前記環状壁部は板金の周縁を折り曲げて形成
   し、かつ、前記レーザ発光素子等の取付部は板金上面を
   切り起こして形成したものであることを特徴とする半導
   体レーザ装置。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載された半導体レ
   ーザ装置において、前記アウトリードは前記環状壁部内
   に封止された熱硬化性樹脂によって前記ベースに接合さ
   れていることを特徴とする半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 請求項１または２に記載された半導体レ
   ーザ装置において、前記アウトリードと前記ベースがそ
   れぞれ異なる材料でメッキされたものであることを特徴
   とする半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 請求項１または２に記載された半導体レ
   ーザ装置において、前記環状壁部は放熱フィンであるこ
   とを特徴とする半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 ステムを備えた半導体レーザ装置におい
   て、前記ステムは、板金を折り曲げて形成した環状壁部
   を周縁に備えたベースを有し、該環状壁部内にヒートシ
   ンク部材を封止したことを特徴とする半導体レーザ装
   置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載された半導体レーザ装置
   において、前記ヒートシンク部材は絶縁した銅材である
   ことを特徴とする半導体レーザ装置。
9. 【請求項９】 ステムを備えた半導体レーザ装置におい
   て、前記ステムは、熱伝導性の異なる２種の金属をスト
   ライプ状に張り付けたクラッド材を折り曲げて形成した
   環状壁部を周縁に備えたベースを有し、少なくとも前記
   ベースに一体に形成されたレーザ発光素子等の取付部
   が、前記異なる金属のうち熱伝導性の高い金属の部分で
   形成されるよう成型されたものであることを特徴とする
   半導体レーザ装置。
10. 【請求項１０】 ステムを備えた半導体レーザ装置にお
    いて、前記ステムは、熱伝導性の異なる２種の金属を表
    裏に張り付けたクラッド材を折り曲げて形成した環状壁
    部を周縁に備えたベースを有し、前記ベースに一体に形
    成されたレーザ発光素子等の取付部のみが、前記異なる
    金属のうち熱伝導性の高い金属の部分で形成されるよう
    成型されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
11. 【請求項１１】 請求項９または１０に記載された半導
    体レーザ装置において、前記熱伝導性の異なる金属の一
    方は鉄であり、かつ他方は銅であることを特徴とする半
    導体レーザ装置。
12. 【請求項１２】 ベース、レーザ発光素子等の取付部及
    び、アウトリードからなるステムを備えた半導体レーザ
    装置において、 前記ベースは、金属板を折り曲げて形成した環状壁部を
    有し、 前記レーザ発光素子等の取付部は前記アウトリードに一
    体に形成されており、かつ、 前記アウトリードは前記環状壁部内に封止された熱硬化
    性樹脂によって前記ベースに接合されていることを特徴
    とする半導体レーザ装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体レーザ装置に
    おいて、前記環状壁部内にさらにヒートシンク部材を封
    止したことを特徴とする半導体レーザ装置。