JP4064218B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4064218B2 JP4064218B2 JP2002345572A JP2002345572A JP4064218B2 JP 4064218 B2 JP4064218 B2 JP 4064218B2 JP 2002345572 A JP2002345572 A JP 2002345572A JP 2002345572 A JP2002345572 A JP 2002345572A JP 4064218 B2 JP4064218 B2 JP 4064218B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- main surface
- laser device
- laser element
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 73
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1039—Details on the cavity length
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ステムに半導体レーザ素子を配置した半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザは、種々の用途に利用されている。光記録用には、ステムと呼ばれる基台の上に突出したブロック部に半導体レーザ素子（ＬＤチップ）を搭載した微細な光ヘッドが用いられている。この光ヘッドでは、レーザ光が半導体レーザ素子の端部の発光点からステムの面に対して垂直上方に出射される。この場合、半導体レーザ素子はステムの面より上方に配置される。半導体レーザ素子の長さがおよそ１ｍｍ程度であるので、ステムの面から発光点までの高さは約１．２７ｍｍ程度となっていた。
【０００３】
なお、従来の半導体レーザでは、ステムの上方にレーザ素子が支持されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
近年、より高密度の光記録用のために半導体レーザの短波長化、高出力化が進んでおり、半導体レーザ素子の短波長化、高出力化の開発がなされている。一方、機器の小型化が求められ、光ヘッドの各構成部材の小型化も要求されている。具体的には、半導体レーザ素子を搭載しているステムの面からの発光点の高さを低く抑えることやステムの高さを抑制することである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２３２６８４号
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような半導体レーザ素子の高出力化に伴い、半導体レーザ素子内の共振器長さが長くなる傾向にある。従来の半導体レーザ装置では、上述のようにステム上に半導体レーザ素子を搭載するため、発光点高さを約１ｍｍと低く抑えようとすると約１ｍｍの長さまでの半導体レーザ素子しか搭載できなかった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、より長い半導体レーザ素子を搭載できると共に、長さによらず一定の発光点高さに調整できる半導体レーザ装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザ装置は、１つの主面を有し、前記主面には凹部を有すると共に、前記凹部に隣接して前記主面から突出するブロック部を有するステムと、
前記凹部に面する前記ブロック部の面に配置されたサブマウントと、
前記主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、前記主面との交点を０とし、前記主面の内側を負符号、外側を正符号とした場合に、前記サブマウントの上に両端部の前記主面からの距離が負符号及び正符号となるように配置された半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と接続されている端子と
を備えることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に至る経過について説明する。従来は半導体レーザ素子の長さに応じたヘッド長さ（高さ）を持ったステムをそれぞれ作製する必要があった。また、搭載する半導体レーザ素子が長くなると発光点高さが変化するため光ピックアップ側の設計変更を行う必要があった。そこで、本発明者は、ステムの面からの発光点高さを変えることなくより長い半導体レーザ素子を用いることができる半導体レーザ装置を提供したいと考え、種々検討の結果、本発明に到達したものである。以下に本発明に係る半導体レーザ装置について、添付図面を用いて説明する。なお、図面においては実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置について図１を用いて説明する。図１は、この半導体レーザ装置１０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置１０は、半導体レーザ素子（ＬＤ）を搭載するためのステム１を備える。ステム１は、肉厚の円板形状の鉄（Ｆｅ）からなり、主面に凹部５を有し、該凹部５に隣接して該主面から外部へ突出するブロック部７を有する。一方、ブロック部７の凹部５に面すると共に主面に垂直な面には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるサブマウント２を介して半導体レーザ素子３の両端部６ａ、６ｂが凹部５の内側から主面の外側にわたって配置されている。さらに詳しく説明すると、主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、主面との交点を０、主面の内側を負符号、主面の外側を正符号とすると、半導体レーザ素子３の両端部６ａ、６ｂの主面からの距離がそれぞれ正符号及び負符号となるように半導体レーザ素子３が配置されている。このように主面に凹部５を設け、該凹部に面したブロック部の面に半導体レーザ素子３を配置することによって、凹部５の深さの分だけ半導体レーザ素子３を配置する長さをより長くとることができる。そこで、両端部の間隔Ｌが長い半導体レーザ素子３を用いた場合でも主面からの発光点高さｈ２及びブロック高さｈ１を一定に、低く保つことができると共に、光ピックアップ側の設計変更が不要となり、熱拡散性を劣化させることがない。なお、ステム１の裏面には上記半導体レーザ素子３と接続されている３本の端子４を備える。
【００１１】
また、凹部５を構成する底面には、主面に対して傾斜した傾斜面８が設けられている。半導体レーザ素子３の他方の発光点６ｂから出射するレーザ光は傾斜面８で斜め方向に反射され、もはや発光点６ｂには戻らない。このように傾斜面８を設けることによって、戻り光による雑音（external feedback noise）を生じない。
【００１２】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置について図２を用いて説明する。図２は、この半導体レーザ装置１０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置１０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置と比較すると、長さＬが約１ｍｍの短い半導体レーザ素子３を用い、ブロック高さｈ１を１ｍｍ、ステム１の主面からの発光点６ａの高さｈ２を０．８ｍｍとそれぞれ低くしている点で相違する。この場合にも、主面に設けられた凹部５の内側から主面の外側に向って半導体レーザ素子３を配置しているので、半導体レーザ素子３の長さＬよりも発光点６ａの高さｈ２を低くすることができる。
【００１３】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装置について図３を用いて説明する。図３は、この半導体レーザ装置２０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置２０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置と比較すると、ステム１のブロック部をステム１とは別体とし、ステム１より熱伝導率の高い、例えば銅のブロックヘッド１７を用いている点で相違する。高い熱伝導率の金属ブロックヘッド１７を用いることで放熱性を向上させることができる。
【００１４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置について図４を用いて説明する。図４は、この半導体レーザ装置２０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置２０は、実施の形態３に係る半導体レーザ装置と比較すると、長さＬが約１ｍｍの短い半導体レーザ素子３を用い、ブロック高さｈ１を１ｍｍ、ステム１の主面からの発光点６ａの高さｈ２を０．８ｍｍとそれぞれ低くしている点で相違する。この場合にも高い熱伝導率の金属ブロックヘッド１７を用いることで放熱性を向上させることができる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明に係る半導体レーザ装置によれば、ステムの主面に凹部を設けられており、該主面には凹部に隣接して突出するブロック部をさらに有する。また、該凹部に面したブロック部の面にサブマウントを介して半導体レーザ素子の両端部が凹部の内側及び主面の外側となるように半導体レーザ素子が配置される。このように主面に凹部を設け、該凹部に面したブロック部の面に半導体レーザ素子を配置することによって、凹部の深さの分だけ半導体レーザ素子を配置する長さをより長くとることができる。そこで、両端部の間隔が長い半導体レーザ素子を用いた場合でも主面からの発光点高さ及びブロック高さを一定に、低く保つことができると共に、光ピックアップ側の設計変更が不要となり、熱拡散性を劣化させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図３】 本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図４】 本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
１ ステム、２ サブマウント、３ 半導体レーザ素子、４ 端子、５ 掘り込み部、６ａ、６ｂ 発光点、７ ブロック部、８ 傾斜面、１０、２０ 半導体レーザ装置、１７ 金属ブロック、Ｌ 半導体レーザ素子長さ、ｈ１ ブロック部高さ、ｈ２ 発光点高さ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ステムに半導体レーザ素子を配置した半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザは、種々の用途に利用されている。光記録用には、ステムと呼ばれる基台の上に突出したブロック部に半導体レーザ素子（ＬＤチップ）を搭載した微細な光ヘッドが用いられている。この光ヘッドでは、レーザ光が半導体レーザ素子の端部の発光点からステムの面に対して垂直上方に出射される。この場合、半導体レーザ素子はステムの面より上方に配置される。半導体レーザ素子の長さがおよそ１ｍｍ程度であるので、ステムの面から発光点までの高さは約１．２７ｍｍ程度となっていた。
【０００３】
なお、従来の半導体レーザでは、ステムの上方にレーザ素子が支持されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
近年、より高密度の光記録用のために半導体レーザの短波長化、高出力化が進んでおり、半導体レーザ素子の短波長化、高出力化の開発がなされている。一方、機器の小型化が求められ、光ヘッドの各構成部材の小型化も要求されている。具体的には、半導体レーザ素子を搭載しているステムの面からの発光点の高さを低く抑えることやステムの高さを抑制することである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−２３２６８４号
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような半導体レーザ素子の高出力化に伴い、半導体レーザ素子内の共振器長さが長くなる傾向にある。従来の半導体レーザ装置では、上述のようにステム上に半導体レーザ素子を搭載するため、発光点高さを約１ｍｍと低く抑えようとすると約１ｍｍの長さまでの半導体レーザ素子しか搭載できなかった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、より長い半導体レーザ素子を搭載できると共に、長さによらず一定の発光点高さに調整できる半導体レーザ装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体レーザ装置は、１つの主面を有し、前記主面には凹部を有すると共に、前記凹部に隣接して前記主面から突出するブロック部を有するステムと、
前記凹部に面する前記ブロック部の面に配置されたサブマウントと、
前記主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、前記主面との交点を０とし、前記主面の内側を負符号、外側を正符号とした場合に、前記サブマウントの上に両端部の前記主面からの距離が負符号及び正符号となるように配置された半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と接続されている端子と
を備えることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に至る経過について説明する。従来は半導体レーザ素子の長さに応じたヘッド長さ（高さ）を持ったステムをそれぞれ作製する必要があった。また、搭載する半導体レーザ素子が長くなると発光点高さが変化するため光ピックアップ側の設計変更を行う必要があった。そこで、本発明者は、ステムの面からの発光点高さを変えることなくより長い半導体レーザ素子を用いることができる半導体レーザ装置を提供したいと考え、種々検討の結果、本発明に到達したものである。以下に本発明に係る半導体レーザ装置について、添付図面を用いて説明する。なお、図面においては実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置について図１を用いて説明する。図１は、この半導体レーザ装置１０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置１０は、半導体レーザ素子（ＬＤ）を搭載するためのステム１を備える。ステム１は、肉厚の円板形状の鉄（Ｆｅ）からなり、主面に凹部５を有し、該凹部５に隣接して該主面から外部へ突出するブロック部７を有する。一方、ブロック部７の凹部５に面すると共に主面に垂直な面には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるサブマウント２を介して半導体レーザ素子３の両端部６ａ、６ｂが凹部５の内側から主面の外側にわたって配置されている。さらに詳しく説明すると、主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、主面との交点を０、主面の内側を負符号、主面の外側を正符号とすると、半導体レーザ素子３の両端部６ａ、６ｂの主面からの距離がそれぞれ正符号及び負符号となるように半導体レーザ素子３が配置されている。このように主面に凹部５を設け、該凹部に面したブロック部の面に半導体レーザ素子３を配置することによって、凹部５の深さの分だけ半導体レーザ素子３を配置する長さをより長くとることができる。そこで、両端部の間隔Ｌが長い半導体レーザ素子３を用いた場合でも主面からの発光点高さｈ２及びブロック高さｈ１を一定に、低く保つことができると共に、光ピックアップ側の設計変更が不要となり、熱拡散性を劣化させることがない。なお、ステム１の裏面には上記半導体レーザ素子３と接続されている３本の端子４を備える。
【００１１】
また、凹部５を構成する底面には、主面に対して傾斜した傾斜面８が設けられている。半導体レーザ素子３の他方の発光点６ｂから出射するレーザ光は傾斜面８で斜め方向に反射され、もはや発光点６ｂには戻らない。このように傾斜面８を設けることによって、戻り光による雑音（external feedback noise）を生じない。
【００１２】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置について図２を用いて説明する。図２は、この半導体レーザ装置１０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置１０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置と比較すると、長さＬが約１ｍｍの短い半導体レーザ素子３を用い、ブロック高さｈ１を１ｍｍ、ステム１の主面からの発光点６ａの高さｈ２を０．８ｍｍとそれぞれ低くしている点で相違する。この場合にも、主面に設けられた凹部５の内側から主面の外側に向って半導体レーザ素子３を配置しているので、半導体レーザ素子３の長さＬよりも発光点６ａの高さｈ２を低くすることができる。
【００１３】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装置について図３を用いて説明する。図３は、この半導体レーザ装置２０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置２０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置と比較すると、ステム１のブロック部をステム１とは別体とし、ステム１より熱伝導率の高い、例えば銅のブロックヘッド１７を用いている点で相違する。高い熱伝導率の金属ブロックヘッド１７を用いることで放熱性を向上させることができる。
【００１４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置について図４を用いて説明する。図４は、この半導体レーザ装置２０の構成を示す概略図である。この半導体レーザ装置２０は、実施の形態３に係る半導体レーザ装置と比較すると、長さＬが約１ｍｍの短い半導体レーザ素子３を用い、ブロック高さｈ１を１ｍｍ、ステム１の主面からの発光点６ａの高さｈ２を０．８ｍｍとそれぞれ低くしている点で相違する。この場合にも高い熱伝導率の金属ブロックヘッド１７を用いることで放熱性を向上させることができる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明に係る半導体レーザ装置によれば、ステムの主面に凹部を設けられており、該主面には凹部に隣接して突出するブロック部をさらに有する。また、該凹部に面したブロック部の面にサブマウントを介して半導体レーザ素子の両端部が凹部の内側及び主面の外側となるように半導体レーザ素子が配置される。このように主面に凹部を設け、該凹部に面したブロック部の面に半導体レーザ素子を配置することによって、凹部の深さの分だけ半導体レーザ素子を配置する長さをより長くとることができる。そこで、両端部の間隔が長い半導体レーザ素子を用いた場合でも主面からの発光点高さ及びブロック高さを一定に、低く保つことができると共に、光ピックアップ側の設計変更が不要となり、熱拡散性を劣化させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図３】 本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【図４】 本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
１ ステム、２ サブマウント、３ 半導体レーザ素子、４ 端子、５ 掘り込み部、６ａ、６ｂ 発光点、７ ブロック部、８ 傾斜面、１０、２０ 半導体レーザ装置、１７ 金属ブロック、Ｌ 半導体レーザ素子長さ、ｈ１ ブロック部高さ、ｈ２ 発光点高さ
Claims (3)
- １つの主面を有し、前記主面には凹部を有すると共に、前記凹部に隣接して前記主面から突出するブロック部を有するステムと、
前記凹部に面する前記ブロック部の面に配置されたサブマウントと、
前記主面に垂直な垂線方向の主面からの距離で、前記主面との交点を０とし、前記主面の内側を負符号、外側を正符号とした場合に、前記サブマウントの上に両端部の発光点の前記主面からの距離がそれぞれ負符号及び正符号となるように配置された半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子と接続されている端子と
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記凹部を構成する底面は、前記主面に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
- 前記ブロック部は、前記ステムと異なる部材からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002345572A JP4064218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体レーザ装置 |
| US10/452,517 US6901093B2 (en) | 2002-11-28 | 2003-06-03 | Semiconductor laser device |
| TW092124852A TWI223483B (en) | 2002-11-28 | 2003-09-09 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002345572A JP4064218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体レーザ装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004179494A JP2004179494A (ja) | 2004-06-24 |
| JP2004179494A5 JP2004179494A5 (ja) | 2005-07-21 |
| JP4064218B2 true JP4064218B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=32376014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002345572A Expired - Lifetime JP4064218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6901093B2 (ja) |
| JP (1) | JP4064218B2 (ja) |
| TW (1) | TWI223483B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508854B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-03-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| KR100856280B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| DE112005003806A5 (de) * | 2005-10-27 | 2008-09-25 | Anmelderangaben unklar / unvollständig | Halbleiterlaservorrichtung |
| JP4762729B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2011-08-31 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の実装構造 |
| KR101929465B1 (ko) * | 2016-10-18 | 2019-03-14 | 주식회사 옵텔라 | 광학모듈 |
| JP7398877B2 (ja) | 2019-04-18 | 2023-12-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156999A (en) * | 1990-06-08 | 1992-10-20 | Wai-Hon Lee | Packaging method for semiconductor laser/detector devices |
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPH0727177U (ja) * | 1993-10-13 | 1995-05-19 | 東洋発條工業株式会社 | ヒートシンク |
| JP3239056B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2001-12-17 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPH1166590A (ja) | 1997-08-15 | 1999-03-09 | Toshiba Corp | 光集積ユニット、光ピックアップ装置およびｄｖｄシステム |
| JP2000082865A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Sony Corp | 半導体装置およびパッケージならびにそれらの製造方法 |
| JP3934828B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| JP2001160648A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体レーザ装置 |
| US6907054B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6687272B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| JP3987716B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002345572A patent/JP4064218B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-03 US US10/452,517 patent/US6901093B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-09 TW TW092124852A patent/TWI223483B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004179494A (ja) | 2004-06-24 |
| TW200409424A (en) | 2004-06-01 |
| US6901093B2 (en) | 2005-05-31 |
| TWI223483B (en) | 2004-11-01 |
| US20040105472A1 (en) | 2004-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2018003156A1 (ja) | 光モジュール | |
| KR100938133B1 (ko) | 반도체 레이저 장치 | |
| US11710945B2 (en) | Projection of patterned and flood illumination | |
| WO2009116133A1 (ja) | レーザ光源モジュール | |
| WO2000065699A2 (en) | Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature | |
| JP4064218B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US20120195051A1 (en) | Silicon-Based Cooling Package for Light-Emitting Devices | |
| JP2006196505A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004152845A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2737625B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004096062A (ja) | 半導体発光装置 | |
| WO2022030127A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2003273438A (ja) | 光モジュールおよびその実装方法 | |
| JPH07140362A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2000012959A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2540298Y2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| US20210203127A1 (en) | Package, light-emitting device, and laser device | |
| US20060146899A1 (en) | Semiconductor laser diode device, and method for manufacturing the same | |
| JPS609189A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2006303299A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2798720B2 (ja) | 半導体レーザアレイ | |
| JPH0567844A (ja) | 半導体レーザモジユール | |
| JP2005026333A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2008091768A (ja) | 半導体レーザ装置および電子機器 | |
| JP2009231348A (ja) | 光半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041201 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070911 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071023 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071226 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4064218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |