[go: up one dir, main page]

JP3796332B2 - ミキシングによる純水温度の制御装置 - Google Patents

ミキシングによる純水温度の制御装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3796332B2
JP3796332B2 JP26358397A JP26358397A JP3796332B2 JP 3796332 B2 JP3796332 B2 JP 3796332B2 JP 26358397 A JP26358397 A JP 26358397A JP 26358397 A JP26358397 A JP 26358397A JP 3796332 B2 JP3796332 B2 JP 3796332B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pure water
temperature
valve
mixing
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP26358397A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11102226A (ja
Inventor
滋 大杉
宏 籠橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CKD Corp
Original Assignee
CKD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CKD Corp filed Critical CKD Corp
Priority to JP26358397A priority Critical patent/JP3796332B2/ja
Publication of JPH11102226A publication Critical patent/JPH11102226A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3796332B2 publication Critical patent/JP3796332B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Valve Housings (AREA)
  • Fluid-Driven Valves (AREA)
  • Multiple-Way Valves (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、半導体製造工程においてウェハを洗浄するために使用される純水の温度の制御装置に係り、特に詳しくは、ミキシングにより純水温度を制御するようにした制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程においては、ウェハ上に粉塵等の粒子(パーティクル)が付着していると、トランジスタ等の微細な素子を含む回路を加工する上で障害となる。このため、パーティクルを含まない洗浄水でウェハ等が洗浄されることになる。
【0003】
一方、半導体の回路加工の一環として、写真露光後に行われる湿式エッチングで使われる酸はフッ酸等の強酸であることから、ウェハ上への残留は好ましくない。このため、エッチング後には、ウェハの洗浄が必ず行われることになる。これら洗浄水には、パーティクルを含まないことばかりでなく、金属イオン等の一切の不純物を含まないことが要求される。このような不純物は、極微量といえどもウェハに付着すると、電気的特性に大きな影響を与え、半導体製品の歩留まりを悪化させることになる。
【0004】
そこで、このような場合には、洗浄水として、純水と言われる極度に高純度な水が使われる。半導体製造設備は専用の純水製造装置を備え、洗浄装置及び湿式エッチング装置へ純水を送るようにしている。この種の純水製造装置では、その配管途中で不純物が混入することも避けられるべきである。
【0005】
ところで、半導体製造設備で使用される純水には、温度管理の必要性があり、純水を所定温度に制御することが必要な場合がある。ここで、洗浄水の温度制御の方法としては、常温水と温水とをミキシングし、両者の割合を変えることにより、洗浄水の温度を所定温度に制御する方法がある。一般に、給湯器等においては、ボールバルブを内蔵した三方弁を使用して温水と常温水とのミキシングが行われている。この種の三方弁には、モータ駆動式のものが採用されることがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、半導体製造工程で使用される純水を、上記従来の装置を使用して温度制御を行おうとした場合、幾つかの問題がある。即ち、通常、三方弁の配管接合部は金属であることから、その金属イオンが溶出して純水を汚染させるおそれがある。或いは、三方弁がモータ駆動式のボールバルブである場合には、ボールの摺動部でパーティクルが発生し、同様に純水を汚染させるおそれがある。
【0007】
一方、モータ駆動式の三方弁では、ギア等の機構部に金属が使われることになる。特に、半導体製造工程では、この種の三方弁が酸による腐食性雰囲気中に配置されることがあり、金属機構部を含む三方弁を使用することができないという問題もある。
【0008】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、純水を汚染させることなく温度制御を行うと共に、腐食性雰囲気中での使用を図ることを可能としたミキシングによる純水温度の制御装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、温純水と常温純水とを三方弁によりミキシングすることにより純水の温度を制御するようにした純水温度の制御装置において、三方弁が、空気圧の作用を受けて作動することにより、温純水と常温純水とのミキシング割合を調整するようにしたエアオペレートバルブにより構成されることと、エアーオペレートバルブが、ケーシングと、そのケーシングに移動可能に設けられた弁体と、その弁体を空気圧により駆動するためのダイアフラムとを含むことと、ケーシング及び弁体が樹脂より構成され、ダイアフラムがゴムより構成されて純水と非接触に配置されることとを備えたことを趣旨とする。
【0010】
上記の構成によれば、三方弁において温純水と常温純水とがミキシングされることにより、純水の温度が制御される。ここで、三方弁が空気圧の作用を受けて作動するエアーオペレートバルブで構成され、ギア等の金属機構を含むモータ駆動式のものでないことから、酸による腐食性雰囲気中の使用が許容される。更に、エアオペレートバルブのケーシング及び弁体が樹脂より構成され、ダイアフラムがゴムより構成されて純水と非接触に配置されることから、エアーオペレートバルブを通る純水中に金属イオンやパーティクルが入ることがない。
【0011】
上記の目的を達成するために、請求項2に記載の発明は、請求項1の発明の構成において、エアオペレートバルブに作用する空気圧を比例的に調整するために電気的に駆動される電空レギュレータと、エアオペレートバルブでミキシングされた純水の温度を検出するための温度検出手段と、検出された純水温度が所定の設定温度となるようエアオペレートバルブの開度を決定すべく電空レギュレータを制御するための制御手段とを備えたことを趣旨とする。
【0012】
上記の構成によれば、請求項1の発明の作用に加え、エアオペレートバルブでミキシングされる純水の温度は温度検出手段により検出さ、その検出温度に基づいて制御手段が電空レギュレータを制御する。即ち、検出された純水温度が所定の設定温度になるようにエアオペレートバルブの開度を決定するために、制御手段が電空レギュレータをフィードバック制御し、これによって純水温度が設定温度に収束するように調整される。
【0013】
上記の目的を達成するために、請求項3に記載の発明は、請求項2の発明の構成において、温度検出手段は、樹脂でコートされた白金抵抗体よりなることを趣旨とする。
【0014】
上記の構成によれば、請求項2の発明の作用に加え、ミキシングされた純水の温度を検出するための手段が樹脂(例えば「フッ素樹脂」)でコートされた白金抵抗体で構成されることから、純水に金属イオンが流出することがない。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のミキシングによる純水温度の制御装置を具体化した一実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0016】
この実施の形態では、半導体製造工程でウェハを洗浄するために使用される洗浄装置において、本発明の純水温度の制御装置が適用される。
【0017】
図1は純水温度の制御装置1の概念構成を示す。この制御装置1は、温純水と常温純水とを、三方弁としてのエアオペレートバルブ(以下、[AV」と表す。)2によりミキシングすることにより純水の温度を制御するようにしたものである。この制御装置1は、AV2の他に、電空レギュレータ3、温度検出手段としての白金抵抗体4及び制御手段としての温度コントローラ5を備える。
【0018】
AV2は、空気圧の作用を受けて作動することにより、温純水と常温純水とのミキシング割合を調整するようにしたものである。AV2は温純水を導入するための第1の導入ポート6と、常温純水を導入するための第2の導入ポート7と、ミキシングされた純水を導出するための導出ポート8とを有する。AV2は、更に、空気圧により駆動される駆動部9を有する。第1の導入ポート6には、二方弁よりなるAV10により調節される温純水が導入される。この温純水の温度は、例えば「80〜90℃」程度である。第2の導入ポート7には、二方弁よりなる別のAV11により調節される常温純水が導入される。この常温純水の温度は、例えば「20〜25℃」程度である。
【0019】
電空レギュレータ3は、AV2の駆動部9に作用する空気圧、即ち操作圧を比例的に調整するために電気的に駆動されるものである。図2は電空レギュレータ3の空気回路構成と電気回路構成を示す。このレギュレータ3は、給気用の給気比例弁21、排気用の排気比例弁22、圧力センサ23及びPID回路24を有する。各比例弁21,22は、電磁弁よりなる。給気比例弁21の入力ポートは、AV2を操作するための操作圧の供給源(図示しない)に接続される。排気比例弁22の出力ポートは、排気管(図示しない)に接続される。給気比例弁21の出力ポート及び排気比例弁22の入力ポートはAV2の駆動部9及び圧力センサ23の入力ポートにそれぞれ接続される。PID回路24は温度コントローラ5に接続される。PID回路24には、AV2の駆動部9に対する操作圧を所定の目標値に調整するために、温度コントローラ5のコマンド信号が入力される。そして、PID回路24は、AV2の駆動部9に作用する操作圧を、目標値に調整するために、各比例弁21,22を制御する。このとき、PID回路24は、圧力センサ23の検出値を監視し、その検出値が目標値になるように両比例弁21,22を制御する。このPID回路24は、温度コントローラ5からのコマンド信号に基づいて上記制御を実行し、AV2の開度を調整するために各比例弁21,22を制御する。そのために、このPID回路24は、所定の制御プログラムをそのメモリに記憶している。
【0020】
白金抵抗体4はフッ素樹脂でコートされている。白金抵抗体4は、AV2においてミキシングされた純水の温度を検出するためのものであり、その一部がAV2の導出ポート8において純水中に配置される。温度コントローラ5は、白金抵抗体4で検出された純水温度が所定の設定温度となるようAV2の開度を決定すべく電空レギュレータ3を制御するためのものである。このコントローラ5には、任意の設定温度がユーザにより入力されるようになっている。このコントローラ5は、白金抵抗体4の検出値を監視し、その検出値が設定温度となるように電空レギュレータ3のフィードバック制御を実行する。そのために、このコントローラ5は、所定の制御プログラムをそのメモリに予め記憶している。
【0021】
図3はAV2の構造を示す断面図である。AV2はケーシング31と、そのケーシング31の内部に往復動可能に設けられた弁体32と、前述した駆動部9とを備える。駆動部9は、弁体32を空気圧により駆動するためのダイアフラム33を含む。ケーシング31は、前述した第1及び第2の導入ポート6,7、並びに導出ポート8を有する。ケーシング31は、更に、各ポート6〜8を互いに連通させる弁孔34を有する。導出ポート8には、前述した白金抵抗体4が配置される。
【0022】
弁孔34の上下両側には、弁室35,36がそれぞれ設けられる。この弁孔34に設けられる弁体32は、ロッド37と、その上下両端に設けられた上弁部38及び下弁部39とを有する。各弁部38,39は、それぞれ対応する弁室35,36に配置される。各弁部38,39は、対応する各弁室35,36を上下に区画する。
【0023】
図3において、上弁部38より上側が、前述した駆動部9を構成する。同図において、上弁部38の上端には、ダイアフラム受け40が設けられ、このダイアフラム受け40上に前述したダイアフラム33が固定される。このダイアフラム33により、駆動部9の内部が上側の加圧室41と、下側の大気室42とに区画される。加圧室41には、電空レギュレータ3により調整される操作圧が、加圧ポート43を通じて導入される。大気室42には、大気ポート44を通じて大気が導入される。
【0024】
図3において、下弁部39により区画された下側が、スプリング室45を構成する。同図において、下弁部39の下端には、スプリングガイド46が設けられ、このガイド46には、スプリング室45に配置されたスプリング47が係合する。このスプリング47は、弁体32を図面上方へ付勢する。スプリング室45には、大気ポート48を通じて大気が導入される。
【0025】
上側の弁室35において、弁孔34の開口部は、上弁部38に対応する上弁座49を構成する。下側の弁室36において、弁孔34の開口部は、下弁部39に対応する下弁座51を構成する。従って、図3に示すように、弁体32が上動することにより、下弁部39が下弁座51に当接し、上弁部38が上弁座51から離れる。その逆に、弁体32が下動することにより、上弁部38が上弁座49に当接し、下弁部39が下弁座51から離れる。このような動きにより、AV2の開度が変えられる。この実施の形態では、弁体32と弁孔34とは、基本的には、各弁座49,51と対応する各弁部38,39とが互いに当接するだけであり、ロッド37と弁孔34とが互いに摺動することもない。このように、AV2では、その内部における各部材間の接触部分が極力少ないものになっている。
【0026】
図3において、ケーシング31は樹脂としてのポリプロピレンにより構成され、両弁部38,39を含む弁体32はフッ素樹脂より構成される。ダイアフラム33はゴムより構成されて純水と非接触に配置される。
【0027】
次に、上記のように構成した純水温度の制御装置1の動作を説明する。上記の構成によれば、三方弁により温純水と常温純水とがミキシングされることにより、純水の温度が制御される。ここで、三方弁が空気圧の作用を受けて作動するAV2で構成され、ギア等の金属機構を含むモータ駆動式のものでないことから、そのAV2の酸による腐食性雰囲気中での使用が許容される。このため、腐食性雰囲気中においてもAV2につき、使用を図ることができるようになる。
【0028】
この実施の形態では、AV2のケーシング31及び弁体32が樹脂より構成される。特に、ケーシング31はポリプロピレンにより構成され、弁体32の両弁部38,39がフッ素樹脂で構成される。更に、弁体32を作動させるためのダイアフラム33がゴムより構成され、純水と非接触に配置される。従って、AV2を通る純水中に金属イオンやパーティクルが入ることがない。この結果、純水を汚染させることなくその温度を制御することができるようになる。
【0029】
加えて、この実施の形態では、AV2でミキシングされる純水の温度が白金抵抗体4により検出さ、その検出温度に基づいて温度コントローラ5により電空レギュレータ3が制御される。即ち、AV2でミキシングされた純水の温度は、白金抵抗体4により検出される。検出される純水温度は、温度コントローラ5が電空レギュレータ3を制御するために監視される。つまり、検出された純水温度が所定の設定温度となるようにAV2の開度を決定すべく、温度コントローラ5が電空レギュレータ3をフィードバック制御するのである。ここで、電空レギュレータ3はAV1の駆動部9の加圧室41に導入される操作圧の大きさを制御する。これにより、弁体32が上下に移動し、上弁座49と上弁部38との間の流路面積と、下弁座51と下弁部39との間の流路面積との比率が変わる。これにより、AV2に導入される温純水と常温純水とのミキシング割合が変えられる。これにより、ミキシングされた純水の温度が設定温度に収束するように調整されることになる。この結果、純水温度を精密に、かつ速やかに設定温度に制御することができるようになる。つまり、純水温度の制御につき、高い精度、高い応答性を実現することができるのである。
【0030】
併せて、この実施の形態では、純水温度をフィードバック制御するのに欠かせない温度検出のために、フッ素樹脂でコートされた白金抵抗体4が使用される。従って、AV2でミキシングされる純水中に白金抵抗体4の一部が配置されていても、白金抵抗体4が直に純水に接触することがなく、白金抵抗体4から純水中に金属イオンが流出することがない。この意味でも、純水を汚染させることなく純水温度をフィードバック制御することができるようになる。
【0031】
尚、この発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で構成を適宜に変更して実施することもできる。
【0032】
例えば、前記実施の形態では、ミキシングに使用される温純水及び常温純水の温度をそれぞれ「80〜90℃」、「20〜25℃」としたが、これ以外の温度とすることもできる。
【0033】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明の構成によれば、三方弁をエアオペレートバルブにより構成し、エアーオペレートバルブのケーシング及び弁体を樹脂より構成し、同じくダイアフラムをゴムより構成して純水と非接触に配置している。従って、エアーオペレートバルブがモータ駆動式のものでないことから、酸による腐食性雰囲気中の使用が許容され、エアーオペレートバルブを通る純水中に金属イオンやパーティクルが入ることがない。このため、純水を汚染させることなくその温度を制御することができると共に、腐食性雰囲気中においても使用することができるという効果を発揮する。
【0034】
請求項2に記載の発明の構成によれば、請求項1の発明の構成において、エアオペレートバルブに対する空気圧を調整する電空レギュレータと、ミキシングされた純水の温度を検出する温度検出手段と、検出純水温度が設定温度となるようエアオペレートバルブの開度を決定すべく電空レギュレータを制御する制御手段とを備えている。従って、請求項1の作用及び効果に加え、純水温度が設定温度に収束するように調整される。このため、純水温度の制御につき、高い精度、高い応答性を実現することができるという効果を発揮する。
【0035】
請求項3に記載の発明の構成によれば、請求項2の発明の構成において、温度検出手段を樹脂でコートされた白金抵抗体により構成している。従って、請求項2の発明の作用及び効果に加え、白金抵抗体から純水に金属イオンが流出することがなく、この意味でも、純水を汚染させることなくその温度を制御することができるという効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施の形態に係り、純水温度の制御装置を示す概念構成図である。
【図2】同じく、電空レギュレータの空気回路と電気回路を示す回路図である。
【図3】同じく、エアオペレートバルブ(AV)の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1 純水温度の制御装置
2 エアーオペレートバルブ(AV)
3 電空レギュレータ
4 白金抵抗体(温度検出手段を構成する。)
5 温度コントローラ(制御手段を構成する。)
31 ケーシング
32 弁体
33 ダイアフラム

Claims (3)

  1. 温純水と常温純水とを三方弁によりミキシングすることにより純水の温度を制御するようにした純水温度の制御装置において、
    前記三方弁が、空気圧の作用を受けて作動することにより、前記温純水と前記常温純水とのミキシング割合を調整するようにしたエアオペレートバルブにより構成されることと、
    前記エアーオペレートバルブが、ケーシングと、そのケーシングに移動可能に設けられた弁体と、その弁体を前記空気圧により駆動するためのダイアフラムとを含むことと、
    前記ケーシング及び前記弁体が樹脂より構成され、前記ダイアフラムがゴムより構成されて前記純水と非接触に配置されることと
    を備えたことを特徴とするミキシングによる純水温度の制御装置。
  2. 請求項1に記載の純水温度の制御装置において、
    前記エアオペレートバルブに作用する前記空気圧を比例的に調整するために電気的に駆動される電空レギュレータと、
    前記エアオペレートバルブでミキシングされた純水の温度を検出するための温度検出手段と、
    前記検出された純水温度が所定の設定温度となるよう前記エアオペレートバルブの開度を決定すべく前記電空レギュレータを制御するための制御手段と
    を備えたことを特徴とするミキシングによる純水温度の制御装置。
  3. 請求項2に記載の純水温度の制御装置において、
    前記温度検出手段は、樹脂でコートされた白金抵抗体よりなることを特徴とするミキシングによる純水温度の制御装置。
JP26358397A 1997-09-29 1997-09-29 ミキシングによる純水温度の制御装置 Expired - Lifetime JP3796332B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26358397A JP3796332B2 (ja) 1997-09-29 1997-09-29 ミキシングによる純水温度の制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26358397A JP3796332B2 (ja) 1997-09-29 1997-09-29 ミキシングによる純水温度の制御装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11102226A JPH11102226A (ja) 1999-04-13
JP3796332B2 true JP3796332B2 (ja) 2006-07-12

Family

ID=17391577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26358397A Expired - Lifetime JP3796332B2 (ja) 1997-09-29 1997-09-29 ミキシングによる純水温度の制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3796332B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4577253B2 (ja) * 2006-03-31 2010-11-10 ブラザー工業株式会社 インクジェットヘッド保護アセンブリ及びインクジェットヘッドの保護方法
JP4896675B2 (ja) * 2006-11-13 2012-03-14 シーケーディ株式会社 流体制御弁
KR100992681B1 (ko) 2007-12-04 2010-11-05 기아자동차주식회사 연료전지 차량용 냉각수 온도조절장치
JP5342426B2 (ja) * 2009-12-16 2013-11-13 Ckd株式会社 温度制御システム
CN102032379A (zh) * 2010-12-28 2011-04-27 北京华通兴远供热节能技术有限公司 一种控制阀
CN106090329B (zh) * 2016-08-29 2018-04-10 温州大阳科技有限公司 一种七孔阀

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11102226A (ja) 1999-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5001757B2 (ja) 流体混合システム及び流体混合装置
US8656953B2 (en) Combination manual/pneumatic shut-off valve
JP6138718B2 (ja) 混合水栓用制御ユニットおよび混合水栓用温度調節装置
JP3606754B2 (ja) 真空圧力制御弁
EP0867649B1 (en) Suck back valve
JP3796332B2 (ja) ミキシングによる純水温度の制御装置
JPH11110050A (ja) 圧力及び流量の制御方法並びにその装置
US6168085B1 (en) System and method for cascade control of temperature and humidity for semi-conductor manufacturing environments
JPH08312900A (ja) ガス供給集積ユニット
JP2000018407A (ja) プロセスガス供給ユニット
JP3590030B2 (ja) 真空圧力制御システム及びコントローラ
JP3606753B2 (ja) 真空圧力制御弁
JP2009199432A (ja) 流体の切換制御方法及び切換制御装置
JPH11161342A (ja) 純水流量の制御装置
JP2698741B2 (ja) 温度調整回路付き薬液弁
JP2005521848A (ja) 圧力保持体を有するピンチ弁
CN113721673A (zh) 气体质量流量控制方法及装置
US20240363369A1 (en) Modular electronics for flow control
JPH11188611A (ja) ウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP3899160B2 (ja) ワークの固定装置および固定方法
CN112864044A (zh) 化学品的循环管路流量控制系统及其控制方法
JPS62106103A (ja) 空気圧インタ−フエ−ス装置
JPS6025232A (ja) 半導体製造装置の圧力調整方法
Roeder et al. Unit process aspects for APC-software implementation
JPS63240913A (ja) 塵埃除去装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060303

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060411

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140421

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term