JP3787438B2 - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生時に磁壁の移動を利用した超高密度な光磁気記録媒体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録媒体として、光磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気ディスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要求が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザー波長λおよび対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ/λ程度が検出可能な限界である。
したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限界がある。
このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する技術がいくつか提案されている。
【０００３】
例えば、本出願人は、特開平６-２９０４９６号において、再生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を高速で再生可能とした光磁気記録媒体およびその再生方式およびその再生装置を提案している。
すなわち、光磁気記録媒体の再生層に光ビーム等の加熱手段によって温度分布を形成すると、磁壁エネルギー密度に分布が生じるために、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させることができる。
この結果、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔(すなわち記録ビット長)によらず、常に一定且つ最大の振幅となる。すなわち、線記録密度向上に伴う再生出力の必然的な低下が大幅に改善され、さらなる高密度化が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記の特開平６-２９０４９６号に開示される媒体構成により、再生層の磁壁をより移動し易くする手法として、本発明者らは特願平９-２８９７７１９号により磁性層(すなわち基板表面)の表面粗さを小さく制御することを提案した。
該提案によると、基板表面の表面粗さが直接、移動層の表面粗さとなり、その表面粗さが小さいほど磁壁が移動し易くなる。このことは、磁壁が移動するとき、その「表面の粗さ」が移動の障害となって働くことに起因している。
【０００５】
ところが、前記提案では、移動層の磁壁の移動度を上げる効果があるが、メモリ層の表面粗さも同時に小さくなることから、メモリ層の保磁力が低下し、メモリ層の本来の役割である「磁区の保存安定性」を低下させてしまうという問題が生じた。特に微小磁区を記録する際、この磁区の保存安定性の低下は大きな問題となる。
【０００６】
本発明者らは、前記課題について鋭意検討した結果、移動層の表面粗さを小さくした上で、同時にメモリ層の表面粗さを大きくするという媒体構成および媒体製法により前記課題を克服し、本発明に至った。
すなわち本発明は、メモリ層の磁区保存安定性が向上した磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題・目的は以下に示す本発明によって解決・達成される。すなわち本発明は、少なくとも第３、第２及び第１の磁性層が基板上にこの順に積層形成され、前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層および第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の表面粗さＲａ（ｄ）が、第３の磁性層の表面粗さＲａ（ｍ）より小さい（Ｒａ（ｄ）＜Ｒａ（ｍ））ことを特徴とする光磁気記録媒体を開示するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施態様の詳細を実施例により図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図である。
透明基板１１上に、第１の誘電体層１２、磁性層１３、第２の誘電体層１４が順に積層形成されている。
透明基板１１としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。
【００２０】
磁性層１３は、単層であっても積層であってもよく、特に限定されないが、発明者らが特開平６-２９０４９６号に開示した３層構成以上であることが好ましい。すなわち、第１の磁性層１３１は周囲温度近傍において第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層(移動層且つ再生層)であり、第２の磁性層１３２は第１の磁性層１３１および第３の磁性層１３３よりもキュリー温度の低い磁性層(スイッチング層)からなり、第３の磁性層１３３は、磁区の保存安定性に優れた通常の磁気記録層(メモリ層)である。
【００２１】
各磁性層は、スパッタリングや真空蒸着等の物理蒸着法で連続成膜することにより、互いに交換結合あるいは静磁結合をしている。
磁性層１３１としては、例えば、ＧdＣo系、ＧdＦe系、ＧdＦeＣo系、ＴbＣo系等の磁気異方性の比較的小さな希土類-鉄族非晶質合金やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。
【００２２】
磁性層１３２としては、例えば、Ｃo系あるいはＦe系合金磁性層で、キュリー温度が磁性層１３１および磁性層１３３より小さく、飽和磁化の値が磁性層１３３より小さいものが好ましい。また、Ｃo,Ｃr,Ｔi等の添加量によりキュリー温度を調整することが可能である。
【００２３】
磁性層１３３としては、例えば、ＴbＦeＣo,ＤyＦeＣo,ＴbＤyＦeＣo等の希土類-鉄族非晶質合金や、Ｐt/Ｃo,Ｐd/Ｃo等の白金族-鉄族周期構造膜等、飽和磁化と磁気異方性の値が大きく、磁化状態(磁区)が安定に保持できるものが好ましい。
【００２４】
誘電体層１２,１４は特に限定されないが、ＳiＮ,ＳiＯ2,ＺnＳ等が好ましく用いられる。前記磁性層は、再生層の磁壁の移動を実現する目的で、基板形状の工夫や磁性層を部分的にアニールする等の手法を用いて、トラック間が磁気的に分断されている。
【００２５】
メモリ層や移動層を形成する前の逆スパッタやイオンビームミーリングは、通常の成膜で行なわれているものと同様の手法であり、特別な工程を加えるものではない。
【００２６】
また、基板１１あるいは磁性層１３の表面粗さは、走査型プローブ顕微鏡(ＳＰＭ)NanoscopeIII(米国デジタルインスツルメンツ社製)のタッピングモードＡＦＭを用いて測定した。
探針は、通常のブレードチップを用い、表面粗さは、Ra(平均中心粗さ)の値で比較した。
【００２７】
【実施例】
以下に具体的な実施例をもって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２８】
[実施例１]
図１は本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。
図１において、ポリカーボネート基板１１は、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板である。
該基板１１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、１.２５０nmであった。
【００２９】
直流マグネトロンスパッタ装置に、ＢドープしたＳiおよびＧd,Ｔb,Ｆe,Ｃo,Ｃrの各ターゲットを取り付け、基板１１を基板ホルダーに固定した後、背圧を１×１０-5Pa以下とした後、Ａrガスを０.３Pa導入した。
先ず、基板１１の表面を、投入電力１００Ｗで５分間逆スパッタを行なった。
【００３０】
逆スパッタを行なった後の基板１１の表面粗さを測定したところ、Raは０.８３５nmとなった。すなわち、成膜前の基板の逆スパッタを行なうことによって、基板１１の表面を平滑にすることができた。
【００３１】
続いて、基板１１上に、第１の誘電体層(干渉層)としてＳiＮ層１２を８０nm形成し、続いて第１の磁性層(磁壁移動層)としてＧdＦeＣr層１３１を３０nm、第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr層１３２を１０nm形成した後、磁性層１３２の表面粗さを測定したところ、Raが０.８３５nmであった。
すなわち、逆スパッタした基板１１の表面粗さがそのまま反映されていた。
【００３２】
次いで、第２の磁性層１３２の表面を、投入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なったところ、その表面粗さRaは１.３３０nmに変化した。その上に、第３の磁性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層１３３を８０nmスパッタリング形成して、その表面粗さを測定したところ、Raは１.２２５nmであった。
すなわち、メモリ層のが移動層のよりも大きい表面粗さの媒体が形成された。続いて、第２の誘電体層(保護層)としてＳiＮ層１４を６０nm形成した。
【００３３】
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式で、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００３４】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、先ず、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した後、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm以上)で形成することにより、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００３５】
[比較例１]
実施例１において、メモリ層形成前に逆スパッタを行なわなかった以外は実施例１と同様とした。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００３６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３２.０dB以下であり、実用レベルに達していなかった。
【００３７】
また、記録した微小磁区を偏光顕微鏡で観察したところ、ところどころ磁区が繋がり、所望のマークが安定に記録されていないことが判明した。
このことは、メモリ層が形成される際、その表面粗さが小さいために(平滑過ぎて)磁性層の保磁力が小さくなり、磁区の保存安定性が低下していることが原因と考えられる。
【００３８】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した後、メモリ層も同様に平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小なマークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００３９】
[実施例２]
ポリカーボネート基板２１は、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍで、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板であり、基板の表面粗さが予め平滑なものを用意した。該基板２１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、０.５２５nmであった。
【００４０】
該ポリカーボネート基板２１は、成膜前の基板の逆スパッタは実施しないで、その他は実施例１と同様の磁性層ならびに誘電体層を同条件で形成した。
すなわち、メモリ層を形成する前のみに逆スパッタで表面を粗くした。
逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.３０５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４１】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.５dBが再現性よく得られた。
【００４２】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm以上)で形成することによって、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００４３】
[比較例２]
実施例２において、メモリ層形成前に逆スパッタを施さなかった以外は、実施例２と同様とした。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４４】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３３.０dBであり、実用レベルに達していなかった。
また、記録した微小磁区を偏光顕微鏡で観察したところ、ところどころ磁区が繋がり、所望のマークが安定に記録されていないことが判明した。このことは、メモリ層が形成される際、その表面粗さが小さいために(平滑過ぎて)磁性層の保磁力が小さくなり、磁区の保存安定性が低下していることが原因と考えられる。
以上のことより、メモリ層を移動層と同様に平滑(１.２nm以下)な表面粗さで形成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小なマークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００４５】
[実施例３]
実施例２と同様の基板を用いて、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層のみＡr圧を０.８Paとして成膜を行なった。逆スパッタは用いていない。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.５dBが再現性く得られた。
【００４７】
以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧のみを他の磁性層形成時より大きくするという簡便な方法を用いることによって、メモリ層の保磁力を向上させ、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００４８】
[実施例４]
実施例２と同様の基板を用いて、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層形成時の初期(膜厚ｌ/３相当まで)のＡr圧を２Pa、その後(膜厚２/３相当まで)のＡr圧を０.５Paとして成膜を行なった。
このように成膜初期に高ガス圧にすることによって、島状の堆積物が形成され、表面を粗らす効果が得られる。
また、実施例２と同様、逆スバッタは用いていない。
【００４９】
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５０】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.８dBが再現性よく得られた。
【００５１】
以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧のみを他の磁性層形成時より大きくすることに加えて、メモリ層形成初期のＡr圧を特に大きくさせることによって、島状突起が形成され、表面を粗らす効果が容易に得られた。
【００５２】
[実施例５]
実施例２において、逆スパッタ時の導入ガスをＡrの代わりにＫrとした以外は実施例２と同様とした。
逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.５１５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５３】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用い再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００５４】
以上のことより、逆スパッタ時の導入ガスをＫrとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００５５】
[実施例６]
実施例２において、逆スパッタ時の導入ガスをＡrの代わりにＸeとした以外は実施例５と同様とした。
逆スバッタ後の表面粗さは、Raで１.５２０nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００５７】
以上のことより、逆スパッタ時の導入ガスをＸeとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００５８】
[実施例７]
実施例２において、逆スパッタ代わりにイオンビームミーリングによってメモリ層形成前の表面を粗くした。他の条件は実施例１と同様とした。
イオンビームミーリング時のビームの電流密度は０.５ｍＡ/ｃｍ2、投入電圧は５００Ｖとした。イオンビームミーリング後の表面粗さは、Raで１.４５５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５９】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.５dBが再現性よく得られた。
【００６０】
以上のことより、メモリ層形成前にイオンビームミーリングで基板表面を粗らすことによって、メモリ層の保磁力が向上し、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させる効果が得られた。
【００６１】
[実施例８]
実施例１の基板を用いて、磁性層(３層)を形成する順番を逆にした。
図２にその媒体構成の模式断面図を示す。
図２において、ポリカーボネート基板２１は、実施例１と同様、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板である。該基板２１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、１.２５０nmであった。
【００６２】
該基板２１上に、第１の誘電体層(干渉層)として、ＳiＮ層２２を８０nm形成し、続いて第３の磁性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層２３３を８０nm、第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr層２３２を１０nmスパッタリング形成した後、第２の磁性層の表面を、投入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なったところ、その表面粗さRaは０.８５５nmに変化した。
【００６３】
続いて第１の磁性層(磁壁移動層)としてＧdＦeＣr層２３１を３０nm、第２の誘電体層(保獲層)としてＳiＮ層２４を６０nmスパッタリング形成した。
このようにして、メモリ層の表面粗さが移動層の表面粗さより大きい媒体が形成された。
本媒体は実施例１と比較すると、磁性層(３層)の順番が基板に対して逆構成である。また通常、光ヘッドは光磁気ディスクに対してを基板側にあり、磁性層側に磁気ヘッドが配置されているが、本実施例の場合にはその逆の方が好ましい。
【００６４】
すなわち、光ヘッドを磁性層側に配置した方が、再生信号が再生層のみから検出される(通常の配置では、再生時にメモリ層の信号も同時に読み出してしまう)ので、再生信号の品質を考慮すると好都合である。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００６５】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００６６】
以上のことより、表面が粗れている基板(１.２nm以上)の上に先ずメモリ層を形成し、さらに、移動層を形成する前に逆スパッタで表面を平滑(１.２nm以下)にすることによって、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
【００６７】
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００６８】
【発明の効果】
上記のように、本発明により、特開平６-２９０４９６に開示される光磁気記録媒体(磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方式により、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上させる)の作成において、移動層をRa(d)≦１.２nmの平滑な表面に形成した上で、メモリ層をRa(m)≧１.２nmの粗れた表面に形成することによって、メモリ層の保磁力を向上させ、すなわち、メモリ層の記録性能を向上させ、より高密度な記録磁区とその保存安定性を向上させた優れた磁壁移動型光磁気記録媒体が提供される。
また、メモリ層表面粗さを制御する方法としては、逆スパッタやイオンビームミーリング等が有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明(実施例１〜７)の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図。
【図２】 本発明(実施例８)の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図。
【符号の説明】
１１,２１ ポリカーボネート基板
１２,１４,２２,２４ 誘電体層
１３,２３ 磁性層
１３１,２３１ 第１の磁性層(再生層且つ移動層)
１３２,２３２ 第２の磁性層(スイッチング層)
１３３,２３３ 第３の磁性層(メモリ層)
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生時に磁壁の移動を利用した超高密度な光磁気記録媒体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録媒体として、光磁気ディスクが近年注目されているが、さらに光磁気ディスクの記録密度を高めて大容量の記録媒体とする要求が高まっている。光ディスクの線記録密度は、再生光学系のレーザー波長λおよび対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ/λ程度が検出可能な限界である。
したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザー波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限界がある。
このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する技術がいくつか提案されている。
【０００３】
例えば、本出願人は、特開平６-２９０４９６号において、再生信号振幅を低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を高速で再生可能とした光磁気記録媒体およびその再生方式およびその再生装置を提案している。
すなわち、光磁気記録媒体の再生層に光ビーム等の加熱手段によって温度分布を形成すると、磁壁エネルギー密度に分布が生じるために、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させることができる。
この結果、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔(すなわち記録ビット長)によらず、常に一定且つ最大の振幅となる。すなわち、線記録密度向上に伴う再生出力の必然的な低下が大幅に改善され、さらなる高密度化が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記の特開平６-２９０４９６号に開示される媒体構成により、再生層の磁壁をより移動し易くする手法として、本発明者らは特願平９-２８９７７１９号により磁性層(すなわち基板表面)の表面粗さを小さく制御することを提案した。
該提案によると、基板表面の表面粗さが直接、移動層の表面粗さとなり、その表面粗さが小さいほど磁壁が移動し易くなる。このことは、磁壁が移動するとき、その「表面の粗さ」が移動の障害となって働くことに起因している。
【０００５】
ところが、前記提案では、移動層の磁壁の移動度を上げる効果があるが、メモリ層の表面粗さも同時に小さくなることから、メモリ層の保磁力が低下し、メモリ層の本来の役割である「磁区の保存安定性」を低下させてしまうという問題が生じた。特に微小磁区を記録する際、この磁区の保存安定性の低下は大きな問題となる。
【０００６】
本発明者らは、前記課題について鋭意検討した結果、移動層の表面粗さを小さくした上で、同時にメモリ層の表面粗さを大きくするという媒体構成および媒体製法により前記課題を克服し、本発明に至った。
すなわち本発明は、メモリ層の磁区保存安定性が向上した磁壁移動型の光磁気記録媒体を提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題・目的は以下に示す本発明によって解決・達成される。すなわち本発明は、少なくとも第３、第２及び第１の磁性層が基板上にこの順に積層形成され、前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層および第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体において、前記第１の磁性層の表面粗さＲａ（ｄ）が、第３の磁性層の表面粗さＲａ（ｍ）より小さい（Ｒａ（ｄ）＜Ｒａ（ｍ））ことを特徴とする光磁気記録媒体を開示するものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施態様の詳細を実施例により図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は、本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図である。
透明基板１１上に、第１の誘電体層１２、磁性層１３、第２の誘電体層１４が順に積層形成されている。
透明基板１１としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。
【００２０】
磁性層１３は、単層であっても積層であってもよく、特に限定されないが、発明者らが特開平６-２９０４９６号に開示した３層構成以上であることが好ましい。すなわち、第１の磁性層１３１は周囲温度近傍において第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層(移動層且つ再生層)であり、第２の磁性層１３２は第１の磁性層１３１および第３の磁性層１３３よりもキュリー温度の低い磁性層(スイッチング層)からなり、第３の磁性層１３３は、磁区の保存安定性に優れた通常の磁気記録層(メモリ層)である。
【００２１】
各磁性層は、スパッタリングや真空蒸着等の物理蒸着法で連続成膜することにより、互いに交換結合あるいは静磁結合をしている。
磁性層１３１としては、例えば、ＧdＣo系、ＧdＦe系、ＧdＦeＣo系、ＴbＣo系等の磁気異方性の比較的小さな希土類-鉄族非晶質合金やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。
【００２２】
磁性層１３２としては、例えば、Ｃo系あるいはＦe系合金磁性層で、キュリー温度が磁性層１３１および磁性層１３３より小さく、飽和磁化の値が磁性層１３３より小さいものが好ましい。また、Ｃo,Ｃr,Ｔi等の添加量によりキュリー温度を調整することが可能である。
【００２３】
磁性層１３３としては、例えば、ＴbＦeＣo,ＤyＦeＣo,ＴbＤyＦeＣo等の希土類-鉄族非晶質合金や、Ｐt/Ｃo,Ｐd/Ｃo等の白金族-鉄族周期構造膜等、飽和磁化と磁気異方性の値が大きく、磁化状態(磁区)が安定に保持できるものが好ましい。
【００２４】
誘電体層１２,１４は特に限定されないが、ＳiＮ,ＳiＯ2,ＺnＳ等が好ましく用いられる。前記磁性層は、再生層の磁壁の移動を実現する目的で、基板形状の工夫や磁性層を部分的にアニールする等の手法を用いて、トラック間が磁気的に分断されている。
【００２５】
メモリ層や移動層を形成する前の逆スパッタやイオンビームミーリングは、通常の成膜で行なわれているものと同様の手法であり、特別な工程を加えるものではない。
【００２６】
また、基板１１あるいは磁性層１３の表面粗さは、走査型プローブ顕微鏡(ＳＰＭ)NanoscopeIII(米国デジタルインスツルメンツ社製)のタッピングモードＡＦＭを用いて測定した。
探針は、通常のブレードチップを用い、表面粗さは、Ra(平均中心粗さ)の値で比較した。
【００２７】
【実施例】
以下に具体的な実施例をもって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２８】
[実施例１]
図１は本発明の光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。
図１において、ポリカーボネート基板１１は、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板である。
該基板１１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、１.２５０nmであった。
【００２９】
直流マグネトロンスパッタ装置に、ＢドープしたＳiおよびＧd,Ｔb,Ｆe,Ｃo,Ｃrの各ターゲットを取り付け、基板１１を基板ホルダーに固定した後、背圧を１×１０-5Pa以下とした後、Ａrガスを０.３Pa導入した。
先ず、基板１１の表面を、投入電力１００Ｗで５分間逆スパッタを行なった。
【００３０】
逆スパッタを行なった後の基板１１の表面粗さを測定したところ、Raは０.８３５nmとなった。すなわち、成膜前の基板の逆スパッタを行なうことによって、基板１１の表面を平滑にすることができた。
【００３１】
続いて、基板１１上に、第１の誘電体層(干渉層)としてＳiＮ層１２を８０nm形成し、続いて第１の磁性層(磁壁移動層)としてＧdＦeＣr層１３１を３０nm、第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr層１３２を１０nm形成した後、磁性層１３２の表面粗さを測定したところ、Raが０.８３５nmであった。
すなわち、逆スパッタした基板１１の表面粗さがそのまま反映されていた。
【００３２】
次いで、第２の磁性層１３２の表面を、投入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なったところ、その表面粗さRaは１.３３０nmに変化した。その上に、第３の磁性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層１３３を８０nmスパッタリング形成して、その表面粗さを測定したところ、Raは１.２２５nmであった。
すなわち、メモリ層のが移動層のよりも大きい表面粗さの媒体が形成された。続いて、第２の誘電体層(保護層)としてＳiＮ層１４を６０nm形成した。
【００３３】
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式で、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００３４】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、先ず、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した後、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm以上)で形成することにより、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００３５】
[比較例１]
実施例１において、メモリ層形成前に逆スパッタを行なわなかった以外は実施例１と同様とした。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００３６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３２.０dB以下であり、実用レベルに達していなかった。
【００３７】
また、記録した微小磁区を偏光顕微鏡で観察したところ、ところどころ磁区が繋がり、所望のマークが安定に記録されていないことが判明した。
このことは、メモリ層が形成される際、その表面粗さが小さいために(平滑過ぎて)磁性層の保磁力が小さくなり、磁区の保存安定性が低下していることが原因と考えられる。
【００３８】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、移動層を平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した後、メモリ層も同様に平滑な(１.２nm以下)表面粗さで形成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小なマークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００３９】
[実施例２]
ポリカーボネート基板２１は、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍで、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板であり、基板の表面粗さが予め平滑なものを用意した。該基板２１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、０.５２５nmであった。
【００４０】
該ポリカーボネート基板２１は、成膜前の基板の逆スパッタは実施しないで、その他は実施例１と同様の磁性層ならびに誘電体層を同条件で形成した。
すなわち、メモリ層を形成する前のみに逆スパッタで表面を粗くした。
逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.３０５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４１】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.５dBが再現性よく得られた。
【００４２】
以上のことより、逆スパッタ工程を用いて、メモリ層を表面粗さを粗くした状態(１.２nm以上)で形成することによって、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００４３】
[比較例２]
実施例２において、メモリ層形成前に逆スパッタを施さなかった以外は、実施例２と同様とした。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層を、トラック間で磁気的に分断する目的で、実施例１と同様にグルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４４】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎは３３.０dBであり、実用レベルに達していなかった。
また、記録した微小磁区を偏光顕微鏡で観察したところ、ところどころ磁区が繋がり、所望のマークが安定に記録されていないことが判明した。このことは、メモリ層が形成される際、その表面粗さが小さいために(平滑過ぎて)磁性層の保磁力が小さくなり、磁区の保存安定性が低下していることが原因と考えられる。
以上のことより、メモリ層を移動層と同様に平滑(１.２nm以下)な表面粗さで形成した場合には、マーク長０.０５μｍのような微小なマークの記録状態が不完全であることが判明した。
【００４５】
[実施例３]
実施例２と同様の基板を用いて、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層のみＡr圧を０.８Paとして成膜を行なった。逆スパッタは用いていない。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００４６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.５dBが再現性く得られた。
【００４７】
以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧のみを他の磁性層形成時より大きくするという簡便な方法を用いることによって、メモリ層の保磁力を向上させ、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００４８】
[実施例４]
実施例２と同様の基板を用いて、メモリ層以外はＡr圧を０.３Pa、メモリ層形成時の初期(膜厚ｌ/３相当まで)のＡr圧を２Pa、その後(膜厚２/３相当まで)のＡr圧を０.５Paとして成膜を行なった。
このように成膜初期に高ガス圧にすることによって、島状の堆積物が形成され、表面を粗らす効果が得られる。
また、実施例２と同様、逆スバッタは用いていない。
【００４９】
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５０】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３８.８dBが再現性よく得られた。
【００５１】
以上のことより、メモリ層形成時のＡr圧のみを他の磁性層形成時より大きくすることに加えて、メモリ層形成初期のＡr圧を特に大きくさせることによって、島状突起が形成され、表面を粗らす効果が容易に得られた。
【００５２】
[実施例５]
実施例２において、逆スパッタ時の導入ガスをＡrの代わりにＫrとした以外は実施例２と同様とした。
逆スパッタ後の表面粗さは、Raで１.５１５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５３】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用い再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００５４】
以上のことより、逆スパッタ時の導入ガスをＫrとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００５５】
[実施例６]
実施例２において、逆スパッタ時の導入ガスをＡrの代わりにＸeとした以外は実施例５と同様とした。
逆スバッタ後の表面粗さは、Raで１.５２０nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５６】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)において、Ｃ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００５７】
以上のことより、逆スパッタ時の導入ガスをＸeとすることによって、Ａrよりも基板を粗らす効果が大きく、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させることができた。
【００５８】
[実施例７]
実施例２において、逆スパッタ代わりにイオンビームミーリングによってメモリ層形成前の表面を粗くした。他の条件は実施例１と同様とした。
イオンビームミーリング時のビームの電流密度は０.５ｍＡ/ｃｍ2、投入電圧は５００Ｖとした。イオンビームミーリング後の表面粗さは、Raで１.４５５nmであった。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００５９】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.５dBが再現性よく得られた。
【００６０】
以上のことより、メモリ層形成前にイオンビームミーリングで基板表面を粗らすことによって、メモリ層の保磁力が向上し、メモリ層の記録磁区保存安定性を向上させる効果が得られた。
【００６１】
[実施例８]
実施例１の基板を用いて、磁性層(３層)を形成する順番を逆にした。
図２にその媒体構成の模式断面図を示す。
図２において、ポリカーボネート基板２１は、実施例１と同様、ランド幅が０.６μｍ、グルーブ幅が０.６μｍ、溝深さが８５nmのランド＆グルーブ基板である。該基板２１のランド部の表面粗さRaを測定したところ、１.２５０nmであった。
【００６２】
該基板２１上に、第１の誘電体層(干渉層)として、ＳiＮ層２２を８０nm形成し、続いて第３の磁性層(メモリ層)としてＴbＦeＣoＣr層２３３を８０nm、第２の磁性層(スイッチング層)としてＴbＦeＣr層２３２を１０nmスパッタリング形成した後、第２の磁性層の表面を、投入電力１００Ｗで２分間逆スパッタを行なったところ、その表面粗さRaは０.８５５nmに変化した。
【００６３】
続いて第１の磁性層(磁壁移動層)としてＧdＦeＣr層２３１を３０nm、第２の誘電体層(保獲層)としてＳiＮ層２４を６０nmスパッタリング形成した。
このようにして、メモリ層の表面粗さが移動層の表面粗さより大きい媒体が形成された。
本媒体は実施例１と比較すると、磁性層(３層)の順番が基板に対して逆構成である。また通常、光ヘッドは光磁気ディスクに対してを基板側にあり、磁性層側に磁気ヘッドが配置されているが、本実施例の場合にはその逆の方が好ましい。
【００６４】
すなわち、光ヘッドを磁性層側に配置した方が、再生信号が再生層のみから検出される(通常の配置では、再生時にメモリ層の信号も同時に読み出してしまう)ので、再生信号の品質を考慮すると好都合である。
このようにして得られた光磁気ディスクの磁性層をトラック間で磁気的に分断する目的で、グルーブ面にレーザーアニールを施した。
【００６５】
このようにして得られた光磁気ディスクのランド面に、通常の磁界変調方式により、マーク長０.０５μｍ、ピット間隔０.１０μｍで連続に記録した後、発明者らが既に提案している「磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法(特開平６-２９０４９６参照)」を用いて再生したところ、波長６８０nm、ＮＡ０.６の光学系(相対速度２m/s)においてＣ/Ｎ３９.０dBが再現性よく得られた。
【００６６】
以上のことより、表面が粗れている基板(１.２nm以上)の上に先ずメモリ層を形成し、さらに、移動層を形成する前に逆スパッタで表面を平滑(１.２nm以下)にすることによって、マーク長０.０５μｍのような微小なマークにおいても、その記録および再生が容易にしかも安定に実現された。
【００６７】
すなわち、移動層はその表面粗さを小さく(１.２nm以下)することにより、磁壁が移動し易くなり、且つ、メモリ層はその表面粗さを大きく(１.２nm以上)することにより、磁性層の保磁力が向上し、記録磁区の保存安定性が向上する効果が得られた。
【００６８】
【発明の効果】
上記のように、本発明により、特開平６-２９０４９６に開示される光磁気記録媒体(磁性層の温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方式により、記録密度ならびに転送速度を大幅に向上させる)の作成において、移動層をRa(d)≦１.２nmの平滑な表面に形成した上で、メモリ層をRa(m)≧１.２nmの粗れた表面に形成することによって、メモリ層の保磁力を向上させ、すなわち、メモリ層の記録性能を向上させ、より高密度な記録磁区とその保存安定性を向上させた優れた磁壁移動型光磁気記録媒体が提供される。
また、メモリ層表面粗さを制御する方法としては、逆スパッタやイオンビームミーリング等が有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明(実施例１〜７)の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図。
【図２】 本発明(実施例８)の光磁気記録媒体の層構成を示す模式断面図。
【符号の説明】
１１,２１ ポリカーボネート基板
１２,１４,２２,２４ 誘電体層
１３,２３ 磁性層
１３１,２３１ 第１の磁性層(再生層且つ移動層)
１３２,２３２ 第２の磁性層(スイッチング層)
１３３,２３３ 第３の磁性層(メモリ層)
Claims (1)
- 少なくとも第３、第２及び第１の磁性層が基板上にこの順に積層形成され、
前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、
第２の磁性層は、第１の磁性層および第３の磁性層よりキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体において、
前記第１の磁性層の表面粗さＲａ（ｄ）が、第３の磁性層の表面粗さＲａ（ｍ）より小さい（Ｒａ（ｄ）＜Ｒａ（ｍ））ことを特徴とする光磁気記録媒体。
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