JP3072812B2 - 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体に関し、媒体の高密度化を可能とする光磁気記録媒体
及び該媒体の情報再生方法に関するものである。
てレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒
体に関し、媒体の高密度化を可能とする光磁気記録媒体
及び該媒体の情報再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁
区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いて、
この情報を読み出す光磁気記録媒体が注目されている。
【０００３】近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
めて更に大容量の記録媒体とする要求が、高まってい
る。
【０００４】ところで、光磁気記録媒体等の光ディスク
の線記録密度は、主として再生層のＳ／Ｎによって決め
られており、これは信号のビット列の周期と再生光学系
のレーザー波長、対物レンズの開口数に大きく依存す
る。
の線記録密度は、主として再生層のＳ／Ｎによって決め
られており、これは信号のビット列の周期と再生光学系
のレーザー波長、対物レンズの開口数に大きく依存す
る。
【０００５】すなわち再生光学系のレーザー波長λと対
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期ｆがλ／２ＮＡに決まる。
物レンズの開口数ＮＡが決まると、検出限界となるビッ
トの周期ｆがλ／２ＮＡに決まる。
【０００６】一方、トラック密度は、主としてクロスト
ークによって制限されている。このクロストークは、主
として媒体面上でのレーザービームの分布（プロファイ
ル）で決まり、前記ビット周期と同様にλ／２ＮＡの関
数で表される。
ークによって制限されている。このクロストークは、主
として媒体面上でのレーザービームの分布（プロファイ
ル）で決まり、前記ビット周期と同様にλ／２ＮＡの関
数で表される。
【０００７】従って、従来の光ディスクで高密度化を実
現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くし、
対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
現するためには、再生光学系のレーザー波長を短くし、
対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００８】しかしながら、レーザー波長や対物レンズ
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
の開口数の改善にも限度がある。このため、記録媒体の
構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術
が開発されている。
【０００９】たとえば、特開平３−９３０５８において
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、情報の再生
前に再生層の磁化の向きを一方向に揃えた後に、記録層
に保持された情報を再生層に転写して再生時の符号間干
渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の情報を再生可
能とし、記録度化の向上を試みている。
は、再生層と記録層からなる媒体を用いて、情報の再生
前に再生層の磁化の向きを一方向に揃えた後に、記録層
に保持された情報を再生層に転写して再生時の符号間干
渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の情報を再生可
能とし、記録度化の向上を試みている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平３
−９３０５８記載の情報再生方法では、記録層のビット
の大きさを変えずに再生層に転写して再生するため、レ
ーザースポットの大きさと比較してかなり小さい大きさ
で記録されたビットは、再生出力が大幅に劣化し、十分
な再生出力が得られない欠点を有している。
−９３０５８記載の情報再生方法では、記録層のビット
の大きさを変えずに再生層に転写して再生するため、レ
ーザースポットの大きさと比較してかなり小さい大きさ
で記録されたビットは、再生出力が大幅に劣化し、十分
な再生出力が得られない欠点を有している。
【００１１】また、再生層の磁化をレーザー光が照射す
る前に一方向に揃えなけらばならない。そのため従来の
装置に再生層の初期化用磁石を追加することが必要とな
る。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑化
し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問題点を有
している。
る前に一方向に揃えなけらばならない。そのため従来の
装置に再生層の初期化用磁石を追加することが必要とな
る。このため前記再生方法は、光磁気記録装置が複雑化
し、コストが高くなる、小型化が難しい等の問題点を有
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題に鑑み
なされたもので、情報再生時に十分な再生出力が得ら
れ、又、装置の小型化が可能な光の回折限界以下の周期
の情報を再生可能な光磁気記録媒体及び該媒体の情報再
生方法の提供を目的とする。
なされたもので、情報再生時に十分な再生出力が得ら
れ、又、装置の小型化が可能な光の回折限界以下の周期
の情報を再生可能な光磁気記録媒体及び該媒体の情報再
生方法の提供を目的とする。
【００１３】そして、上記目的は、室温において面内磁
化膜で昇温すると垂直磁化膜となる磁性層であって、そ
の転移温度が光入射側から膜厚方向に連続的もしくは段
階的に高温となる第一磁性層と、垂直磁化膜からなる第
二磁性層とを有する光磁気記録媒体によって達成され
る。
化膜で昇温すると垂直磁化膜となる磁性層であって、そ
の転移温度が光入射側から膜厚方向に連続的もしくは段
階的に高温となる第一磁性層と、垂直磁化膜からなる第
二磁性層とを有する光磁気記録媒体によって達成され
る。
【００１４】又、室温において面内磁化膜で昇温すると
垂直磁化膜となる磁性層であって、その転移温度が光入
射側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温となる
第一磁性層と、垂直磁化膜からなる第二磁性層とを有す
る光磁気記録媒体の前記第二記録層に記録された情報を
前記第一磁性層に転写しながら、磁気光学効果により読
み取る光磁気記録媒体の情報再生方法によって達成され
る。
垂直磁化膜となる磁性層であって、その転移温度が光入
射側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温となる
第一磁性層と、垂直磁化膜からなる第二磁性層とを有す
る光磁気記録媒体の前記第二記録層に記録された情報を
前記第一磁性層に転写しながら、磁気光学効果により読
み取る光磁気記録媒体の情報再生方法によって達成され
る。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の光磁気記録媒体及び該媒体を
用いた情報再生方法について図面を用いて詳細に説明す
る。
用いた情報再生方法について図面を用いて詳細に説明す
る。
【００１６】本発明の光磁気記録媒体は、室温で面内磁
化膜で昇温すると垂直磁化膜となる磁性層であって、そ
の転移温度（面内磁化膜が垂直磁化膜となる温度）が光
入射側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温とな
る積層膜からなる第一磁性層と、室温時、昇温時におい
て垂直磁化膜からなる第二磁性層とを少なくとも有す
る。
化膜で昇温すると垂直磁化膜となる磁性層であって、そ
の転移温度（面内磁化膜が垂直磁化膜となる温度）が光
入射側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温とな
る積層膜からなる第一磁性層と、室温時、昇温時におい
て垂直磁化膜からなる第二磁性層とを少なくとも有す
る。
【００１７】＜媒体の構成及び組成＞第一磁性層として
は、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、GdCo,GdF
eCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo,NdGdFeCoなどが望ましい。好ま
しくは、磁気異方性が小さいもの、室温とキュリー温度
の間に補償温度があるものが望ましい。
は、例えば希土類−鉄族非晶質合金、例えば、GdCo,GdF
eCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo,NdGdFeCoなどが望ましい。好ま
しくは、磁気異方性が小さいもの、室温とキュリー温度
の間に補償温度があるものが望ましい。
【００１８】第二磁性層としては、垂直磁気異方性が大
きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−
鉄族非晶質合金、例えば、TbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoな
ど、もしくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期
構造膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co白金族−鉄族合金、例え
ばPtCo，PdCoなどが望ましい。
きく安定に磁化状態が保持できるもの、例えば希土類−
鉄族非晶質合金、例えば、TbFeCo,DyFeCo,TbDyFeCoな
ど、もしくはガーネット、あるいは、白金族ー鉄族周期
構造膜、例えば、Pt/Co,Pd/Co白金族−鉄族合金、例え
ばPtCo，PdCoなどが望ましい。
【００１９】又、これらの磁性層には、Cr,Al,Ti,Pt,Nb
などの耐食性改善のための元素添加を行なっても良い。
などの耐食性改善のための元素添加を行なっても良い。
【００２０】更に、上記磁性層に、干渉効果を高めるた
めにSiN,AlNx,AlOx,TaOx,SiOx 等からなる誘電体層を隣
接して設けてもよい。
めにSiN,AlNx,AlOx,TaOx,SiOx 等からなる誘電体層を隣
接して設けてもよい。
【００２１】又、熱伝導性改良のためにAl,AlTa,AlTi,A
lCr,Cuなどを設けても良い。
lCr,Cuなどを設けても良い。
【００２２】又、交換結合力または静磁結合力を調節す
るための中間層、記録補助、再生補助のための補助層を
設けても良い。更に保護膜として前記誘電体層や高分子
樹脂からなる保護コートを付与しても良い。
るための中間層、記録補助、再生補助のための補助層を
設けても良い。更に保護膜として前記誘電体層や高分子
樹脂からなる保護コートを付与しても良い。
【００２３】次に、本発明の光磁気記録媒体への情報の
記録方法及び再生方法について説明する。
記録方法及び再生方法について説明する。
【００２４】（尚、以下の説明では第一磁性層が異なる
転移温度を持つ３つの層から形成されており（光入射側
から再生層、中間層１、中間層２と呼ぶこととする）、
又、第二磁性層（記録層と呼ぶこととする）が第一磁性
層に直接積層されている場合について述べる。）
転移温度を持つ３つの層から形成されており（光入射側
から再生層、中間層１、中間層２と呼ぶこととする）、
又、第二磁性層（記録層と呼ぶこととする）が第一磁性
層に直接積層されている場合について述べる。）
【００２５】図７に示すように、まず本発明の光磁気記
録媒体の記録層に情報を記録する。記録は記録層がキュ
リー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照射し
ながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一度消去
した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザーパワ
ーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加しながら
レーザーパワーを変調して行なう。この時、光スポット
内の所定領域のみが記録層のキュリー温度近傍になる様
に記録媒体の線速度を考慮してレーザー光の強度を決定
すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形成でき、そ
の結果、光の回折限界以下の周期の情報を記録できる。
録媒体の記録層に情報を記録する。記録は記録層がキュ
リー温度以上になるようなパワーのレーザー光を照射し
ながら外部磁界を変調して行うか、もしくは、一度消去
した後に、記録方向に磁界を印加しながらレーザーパワ
ーを変調して行う。もしくは、外部磁界を印加しながら
レーザーパワーを変調して行なう。この時、光スポット
内の所定領域のみが記録層のキュリー温度近傍になる様
に記録媒体の線速度を考慮してレーザー光の強度を決定
すれば、光スポットの径以下の記録磁区が形成でき、そ
の結果、光の回折限界以下の周期の情報を記録できる。
【００２６】次に、情報再生時には、媒体に再生レーザ
ー光を照射するが、このとき照射部分の温度が上昇す
る。媒体は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分
布は図２に示す様に媒体の移動方向に延びた形状とな
り、光スポット内の一部が高温となった温度分布とな
る。
ー光を照射するが、このとき照射部分の温度が上昇す
る。媒体は一定の速さで移動するため、媒体上の温度分
布は図２に示す様に媒体の移動方向に延びた形状とな
り、光スポット内の一部が高温となった温度分布とな
る。
【００２７】ところで単層の磁性薄膜について、飽和磁
化をＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、 Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。Ｋ⊥が
正の場合には垂直磁化膜、負の場合には面内磁化膜とな
る。
化をＭS 、垂直磁気異方性定数をＫｕとした時、 Ｋ⊥＝Ｋｕ−２πＭS 2 で定義される実効的垂直磁気異方性定数Ｋ⊥により、磁
化の主な向きが決定されることが知られている。Ｋ⊥が
正の場合には垂直磁化膜、負の場合には面内磁化膜とな
る。
【００２８】ここで２πＭs 2は反磁界エネルギーであ
る。図４で示されるような温度と飽和磁化ＭS 、垂直磁
気異方性定数Ｋｕとの関係にしておけば、室温（ＲＴ）
では、 Ｋｕ＜２πＭS 2，Ｋ⊥＜０ のため面内磁化膜となり、又、再生時には温度上昇する
ため、第一磁性層の各磁性層のＭｓが小さくなり、その
結果２πＭｓ2 は急激に小さくなって垂直磁気異方性定
数Ｋｕとの大小関係が逆転し、 Ｋｕ＞２πＭS 2，Ｋ⊥＞０ となって垂直磁化膜とすることが可能となる。
る。図４で示されるような温度と飽和磁化ＭS 、垂直磁
気異方性定数Ｋｕとの関係にしておけば、室温（ＲＴ）
では、 Ｋｕ＜２πＭS 2，Ｋ⊥＜０ のため面内磁化膜となり、又、再生時には温度上昇する
ため、第一磁性層の各磁性層のＭｓが小さくなり、その
結果２πＭｓ2 は急激に小さくなって垂直磁気異方性定
数Ｋｕとの大小関係が逆転し、 Ｋｕ＞２πＭS 2，Ｋ⊥＞０ となって垂直磁化膜とすることが可能となる。
【００２９】即ち、図２で示される様に光スポット内の
温度分布に従って再生層、中間層１、中間層２の磁化が
夫々垂直磁化膜となる様に、再生時のレーザー光の強度
及び線速度を考慮して再生層、中間層１、中間層２の飽
和磁化ＭS 、垂直磁気異方性定数Ｋｕを設定しておけ
ば、夫々の層が光スポット内の所望の温度領域で垂直磁
化膜となり、他の部分は面内磁化膜という状態が実現で
きる。又、垂直磁化膜となると再生層、中間層１、中間
層２は夫々隣接する各層と交換結合によって磁気的に結
合されるので、再生層、中間層１、中間層２の磁化方向
は隣接する各層の情報に基づく磁化方向に対して安定な
方向に揃えられる。即ち、記録層に記録された情報が再
生層に転写されることとなる。そして、転写されている
情報は、再生層の磁気光学効果（詳しくは再生層から反
射されたレーザー光の磁気光学効果）によって光学信号
に変換されて検出される。この場合、光スポット内の再
生層が面内磁化膜の部分は磁気光学効果が生じない。
温度分布に従って再生層、中間層１、中間層２の磁化が
夫々垂直磁化膜となる様に、再生時のレーザー光の強度
及び線速度を考慮して再生層、中間層１、中間層２の飽
和磁化ＭS 、垂直磁気異方性定数Ｋｕを設定しておけ
ば、夫々の層が光スポット内の所望の温度領域で垂直磁
化膜となり、他の部分は面内磁化膜という状態が実現で
きる。又、垂直磁化膜となると再生層、中間層１、中間
層２は夫々隣接する各層と交換結合によって磁気的に結
合されるので、再生層、中間層１、中間層２の磁化方向
は隣接する各層の情報に基づく磁化方向に対して安定な
方向に揃えられる。即ち、記録層に記録された情報が再
生層に転写されることとなる。そして、転写されている
情報は、再生層の磁気光学効果（詳しくは再生層から反
射されたレーザー光の磁気光学効果）によって光学信号
に変換されて検出される。この場合、光スポット内の再
生層が面内磁化膜の部分は磁気光学効果が生じない。
【００３０】尚、第一磁性層に垂直磁化膜を直接もしく
は中間層等を介して積層する場合、垂直磁化膜からの交
換結合力、静磁結合力などが働き、見かけ上Ｋｕが増加
するため、垂直磁化となる温度領域は、積層しない場合
と比較して低温側にシフトする。しかし、単層膜での垂
直磁化温度領域をやや高めに設定しておけば、垂直磁化
膜と積層した場合にも、室温において面内磁化膜で、昇
温すると垂直磁化膜となる状況が成立可能である。
は中間層等を介して積層する場合、垂直磁化膜からの交
換結合力、静磁結合力などが働き、見かけ上Ｋｕが増加
するため、垂直磁化となる温度領域は、積層しない場合
と比較して低温側にシフトする。しかし、単層膜での垂
直磁化温度領域をやや高めに設定しておけば、垂直磁化
膜と積層した場合にも、室温において面内磁化膜で、昇
温すると垂直磁化膜となる状況が成立可能である。
【００３１】尚、第一磁性層における、再生層及び中間
層１、２は、面内磁化膜から垂直磁化膜へと転移する温
度（磁化方向転移温度）が、夫々異なり、再生層、中間
層１、中間層２の順に磁化方向転移温度が、高くなる様
（中間層２が最も高い。）に設定してある。
層１、２は、面内磁化膜から垂直磁化膜へと転移する温
度（磁化方向転移温度）が、夫々異なり、再生層、中間
層１、中間層２の順に磁化方向転移温度が、高くなる様
（中間層２が最も高い。）に設定してある。
【００３２】この様に設定すると、再生時（図２）にお
いて、再生層、中間層１、中間層２は光スポット内の一
部が垂直磁化膜となるが、その垂直磁化膜部分は、中間
層２、中間層１、再生層の順に大きくなる状況が成立す
る。
いて、再生層、中間層１、中間層２は光スポット内の一
部が垂直磁化膜となるが、その垂直磁化膜部分は、中間
層２、中間層１、再生層の順に大きくなる状況が成立す
る。
【００３３】即ち、再生時に記録層と隣接する中間層２
の磁化の一部（光スポット内の高温領域）が垂直磁化膜
となって、記録層と交換結合し、その部分の磁化が記録
層に記録された情報に基づく磁化の方向に対して安定な
方向に揃えられる。そして、その時同時に中間層１の磁
化の一部（光スポット内の前記高温領域と前記高温領域
より温度の低い領域。）も垂直磁化膜部分となってお
り、中間層１と交換結合し、その部分の磁化が中間層２
の垂直磁化膜部分の磁化の方向に対して安定な方向に揃
えられる。更に、同時に再生層の一部（光スポット内の
前記高温領域と前記温度の低い領域と前記温度の低い領
域より更に温度の低い領域。）も垂直磁化膜となってお
り、中間層２と交換結合し、その部分の磁化が中間層１
の垂直磁化膜部分の磁化の方向に対して安定な方向に揃
えられる。結果として、記録層のビットが拡大して再生
層に転写される。
の磁化の一部（光スポット内の高温領域）が垂直磁化膜
となって、記録層と交換結合し、その部分の磁化が記録
層に記録された情報に基づく磁化の方向に対して安定な
方向に揃えられる。そして、その時同時に中間層１の磁
化の一部（光スポット内の前記高温領域と前記高温領域
より温度の低い領域。）も垂直磁化膜部分となってお
り、中間層１と交換結合し、その部分の磁化が中間層２
の垂直磁化膜部分の磁化の方向に対して安定な方向に揃
えられる。更に、同時に再生層の一部（光スポット内の
前記高温領域と前記温度の低い領域と前記温度の低い領
域より更に温度の低い領域。）も垂直磁化膜となってお
り、中間層２と交換結合し、その部分の磁化が中間層１
の垂直磁化膜部分の磁化の方向に対して安定な方向に揃
えられる。結果として、記録層のビットが拡大して再生
層に転写される。
【００３４】この様にして、再生時のＣ／Ｎに最も寄与
する再生層には記録層の微小ビットが拡大した大きなビ
ットとなって現れる。このため、従来の磁気超解像と比
較して格段にＣ／Ｎ比が向上する。
する再生層には記録層の微小ビットが拡大した大きなビ
ットとなって現れる。このため、従来の磁気超解像と比
較して格段にＣ／Ｎ比が向上する。
【００３５】又、本発明の情報再生方法では、トラック
方向及び半径方向の隣接ビットの影響を受けずに再生で
きるため、線記録密度及びトラック密度の両方を向上す
ることができ、飛躍的な記録密度の向上が実現できる。
方向及び半径方向の隣接ビットの影響を受けずに再生で
きるため、線記録密度及びトラック密度の両方を向上す
ることができ、飛躍的な記録密度の向上が実現できる。
【００３６】上述では、第一磁性層が転移温度が異なる
３層（再生層と中間層２層）から構成されている場合を
述べたが、第一磁性層が、ある転移温度を持つ再生層と
転移温度が連続的に変調されている中間層の積層から構
成されているか（図３）、もしくは、組成を連続的に変
化させた組成変調膜の一層（図１）などとしても良い。
３層（再生層と中間層２層）から構成されている場合を
述べたが、第一磁性層が、ある転移温度を持つ再生層と
転移温度が連続的に変調されている中間層の積層から構
成されているか（図３）、もしくは、組成を連続的に変
化させた組成変調膜の一層（図１）などとしても良い。
【００３７】又、上述では各磁性層が交換相互作用によ
り磁気的に結合する場合を述べたが、静磁結合によって
磁気的に結合されるとしてもよい。
り磁気的に結合する場合を述べたが、静磁結合によって
磁気的に結合されるとしてもよい。
【００３８】
【００３９】以下に実験例をもって本発明を詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実験例
に限定されるものではない。
【００４０】（実施例１）直流マグネトロンスパッタリ
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各ターゲ
ットを取り付け、ポリカーボネイト基板を基板ホルダー
に固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまで
チャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
ング装置に、Ｓｉ、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏの各ターゲ
ットを取り付け、ポリカーボネイト基板を基板ホルダー
に固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまで
チャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
【００４１】真空排気をしながらＡｒガスを０．３Ｐａ
となるまでチャンバー内に導入した後、干渉層であるＳ
ｉＮ層を７００Å成膜し、ついで再生層であるＧｄＦｅ
Ｃｏ層を４００Å成膜し、次いで中間層１であるＧｄＦ
ｅＣｏ層を５０Å成膜し、中間層２であるＧｄＦｅＣｏ
層を５０Å成膜し、記録層であるＴｂＦｅＣｏ層を３０
０Å成膜し、次いで保護層としてＳｉＮ層を７００Å成
膜した積層膜構成の光磁気記録媒体（図６ａ参照）を作
成した。
となるまでチャンバー内に導入した後、干渉層であるＳ
ｉＮ層を７００Å成膜し、ついで再生層であるＧｄＦｅ
Ｃｏ層を４００Å成膜し、次いで中間層１であるＧｄＦ
ｅＣｏ層を５０Å成膜し、中間層２であるＧｄＦｅＣｏ
層を５０Å成膜し、記録層であるＴｂＦｅＣｏ層を３０
０Å成膜し、次いで保護層としてＳｉＮ層を７００Å成
膜した積層膜構成の光磁気記録媒体（図６ａ参照）を作
成した。
【００４２】ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
ガスを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。Ｇ
ｄＦｅＣｏ層、ＴｂＦｅＣｏ層は、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｔｂの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
【００４３】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、補償温度が
１５０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように設
定した。
１５０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように設
定した。
【００４４】ＧｄＦｅＣｏ中間層１の組成は、補償温度
が２２０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように
設定した。
が２２０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように
設定した。
【００４５】ＧｄＦｅＣｏ中間層２の組成は、補償温度
が２８０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように
設定した。
が２８０℃でキュリー温度は３５０℃以上となるように
設定した。
【００４６】ＴｂＦｅＣｏ第２記録層の組成は、室温で
ＴＭリッチで補償温度が室温以下でキュリー温度は２０
０℃となる様に設定した。
ＴＭリッチで補償温度が室温以下でキュリー温度は２０
０℃となる様に設定した。
【００４７】次に、この光磁気記録媒体を用いて、記録
再生特性を測定した。
再生特性を測定した。
【００４８】測定装置の対物レンズのＮ．Ａ．は０．５
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
〜１０ｍＷ、線速度９ｍ／ｓ（回転速度２４００ｒｐ
ｍ，半径３６ｍｍ）として、記録層に５．８〜１８ＭＨ
ｚのキャリア信号を磁界変調方式で書き込み、Ｃ／Ｎ比
の記録周波数依存性を調べた。印加磁界は、±１５０Ｏ
ｅとした。
５，レーザー波長は７８０ｎｍとした。記録パワーは８
〜１０ｍＷ、線速度９ｍ／ｓ（回転速度２４００ｒｐ
ｍ，半径３６ｍｍ）として、記録層に５．８〜１８ＭＨ
ｚのキャリア信号を磁界変調方式で書き込み、Ｃ／Ｎ比
の記録周波数依存性を調べた。印加磁界は、±１５０Ｏ
ｅとした。
【００４９】再生パワーは、Ｃ／Ｎ比がｍａｘとなる値
に設定した。
に設定した。
【００５０】結果を図５に示した。
【００５１】（実験例２）実験例１と同様の成膜機、成
膜方法で、同様にポリカーボネイト上に薄膜を成膜して
光磁気記録媒体を作成し、同様の条件で評価した。
膜方法で、同様にポリカーボネイト上に薄膜を成膜して
光磁気記録媒体を作成し、同様の条件で評価した。
【００５２】干渉層としてＳｉＮ層を８２０Å成膜し、
ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次
いで組成変調中間層としてＧｄＦｅＣｏ層を１００Å成
膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００Å、
保護層としてＳｉＮ層を７００Å成膜した積層膜構成の
光磁気記録媒体（図６ｂ参照）を作成した。
ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次
いで組成変調中間層としてＧｄＦｅＣｏ層を１００Å成
膜し、次いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００Å、
保護層としてＳｉＮ層を７００Å成膜した積層膜構成の
光磁気記録媒体（図６ｂ参照）を作成した。
【００５３】ＧｄＦｅＣｏ再生層の組成は、補償温度が
２８０℃でキュリー温度は３５０℃以上となる様に設定
した。
２８０℃でキュリー温度は３５０℃以上となる様に設定
した。
【００５４】ＧｄＦｅＣｏ組成変調中間層の組成は、再
生層の隣接した側が補償温度が１７０℃でキュリー温度
が３５０℃以上、記録層に隣接した側が２９０℃でキュ
リー温度が３５０℃以上とし、補償温度が膜厚方向に連
続的に変化する様に設定した。
生層の隣接した側が補償温度が１７０℃でキュリー温度
が３５０℃以上、記録層に隣接した側が２９０℃でキュ
リー温度が３５０℃以上とし、補償温度が膜厚方向に連
続的に変化する様に設定した。
【００５５】ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成は、室温でＴＭ
リッチで補償温度が室温以下でキュリー温度が２００℃
となる様に設定した。
リッチで補償温度が室温以下でキュリー温度が２００℃
となる様に設定した。
【００５６】結果を図５に示した。
【００５７】（比較実験例）実験例１と同様の成膜機、
成膜方法で、同様にポリカーボネイト上に薄膜を成膜し
て光磁気記録媒体を作成し、同様の条件で評価した。
成膜方法で、同様にポリカーボネイト上に薄膜を成膜し
て光磁気記録媒体を作成し、同様の条件で評価した。
【００５８】干渉層としてＳｉＮ層を８５０Å成膜し、
ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次
いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００Å成膜し、次
いで保護層としてＳｉＮ層を７００Å成膜した積層膜構
成の光磁気記録媒体を作成した。ＧｄＦｅＣｏ再生層の
組成は、補償温度が２８０℃でキュリー温度は３５０℃
以上となる様に設定した。ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成
は、室温でＴＭリッチで補償温度が室温以下でキュリー
温度が２００℃となる様に設定した。
ついで再生層としてＧｄＦｅＣｏ層４００Å成膜し、次
いで記録層としてＴｂＦｅＣｏ層を４００Å成膜し、次
いで保護層としてＳｉＮ層を７００Å成膜した積層膜構
成の光磁気記録媒体を作成した。ＧｄＦｅＣｏ再生層の
組成は、補償温度が２８０℃でキュリー温度は３５０℃
以上となる様に設定した。ＴｂＦｅＣｏ記録層の組成
は、室温でＴＭリッチで補償温度が室温以下でキュリー
温度が２００℃となる様に設定した。
【００５９】結果を図５に示した。
【００６０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及び該媒体の情
報再生方法を用いれば、初期化磁石が不要な簡素な装置
（従来の装置）を用いて、ビームスポット径より小さい
磁区を拡大して再生することが可能となり、線記録密度
及びトラック密度をさらに向上した高密度記録の達成が
可能となり、Ｃ／Ｎが向上した。
報再生方法を用いれば、初期化磁石が不要な簡素な装置
（従来の装置）を用いて、ビームスポット径より小さい
磁区を拡大して再生することが可能となり、線記録密度
及びトラック密度をさらに向上した高密度記録の達成が
可能となり、Ｃ／Ｎが向上した。
【図１】（ａ）（ｂ）本発明の光磁気記録媒体の再生原
理の概略を示す図。
理の概略を示す図。
【図２】図１（ａ）で示される光磁気記録媒体の情報再
生方法の詳細を示す図。
生方法の詳細を示す図。
【図３】図１（ｂ）で示される光磁気記録媒体の情報再
生方法の詳細を示す図。
生方法の詳細を示す図。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は第一磁性層が再生層、中
間層二層から構成されている場合の各層の飽和磁化、垂
直磁化異方性と温度との関係を示す図。
間層二層から構成されている場合の各層の飽和磁化、垂
直磁化異方性と温度との関係を示す図。
【図５】本発明の光磁気記録媒体のＣ／Ｎを示す図。
【図６】（ａ）（ｂ）は本発明の膜構成を示す模式図。
【図７】本発明の光磁気記録媒体に情報の記録を行った
状態を示す図。
状態を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】 室温において面内磁化膜で昇温すると垂
直磁化膜となる磁性層であって、その転移温度が光入射
側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温となる第
一磁性層と、垂直磁化膜からなる第二磁性層とを有する
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 室温において面内磁化膜で昇温すると垂
直磁化膜となる磁性層であって、その転移温度が光入射
側から膜厚方向に連続的もしくは段階的に高温となる第
一磁性層と、垂直磁化膜からなる第二磁性層とを有する
光磁気記録媒体の前記第二記録層に記録された情報を前
記第一磁性層に転写しながら、磁気光学効果により読み
取ることを特徴とする光磁気記録媒体の情報再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05081962A JP3072812B2 (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 |
| EP94302462A EP0619577B1 (en) | 1993-04-08 | 1994-04-07 | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information therein |
| DE69416702T DE69416702T2 (de) | 1993-04-08 | 1994-04-07 | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zur Informationswiedergabe |
| US08/904,888 US6187460B1 (en) | 1993-04-08 | 1997-08-04 | Magneto-optical recording medium and method for reproducing information therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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Family
ID=13761134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05081962A Expired - Fee Related JP3072812B2 (ja) | 1993-04-08 | 1993-04-08 | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6187460B1 (ja) |
| EP (1) | EP0619577B1 (ja) |
| JP (1) | JP3072812B2 (ja) |
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| JP3126612B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2001-01-22 | キヤノン株式会社 | 記録媒体搬送装置 |
| JPH08180482A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| JP3249713B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-01-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JPH0954993A (ja) * | 1995-08-15 | 1997-02-25 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法 |
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| WO1998002878A1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support d'enregistrement magneto-optique, procede de reproduction et dispositif de reproduction |
| WO1998015949A1 (fr) * | 1996-10-08 | 1998-04-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Support d'enregistrement et dispositif d'enregistrement/reproduction d'informations |
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| AU1785399A (en) | 1998-01-12 | 1999-07-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Method and apparatus for magnetooptic reproduction |
| JPH11283289A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-10-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体、その再生方法及び再生装置 |
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| KR100525369B1 (ko) * | 1998-08-18 | 2005-12-28 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록 매체 |
| KR100546568B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 광자기 기록 매체 |
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| JP3476698B2 (ja) | 1999-01-29 | 2003-12-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3492233B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US6519211B1 (en) * | 1999-04-01 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having magnetic domain shrinks and disappears |
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| CN107365971B (zh) * | 2017-08-23 | 2019-08-30 | 华侨大学 | 一种具有高垂直交换耦合场的稀土-过渡合金薄膜及其制备方法 |
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| JPS60243840A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録体 |
| US5014252A (en) * | 1986-10-08 | 1991-05-07 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method using two beams, and magnetooptical recording apparatus therefor |
| US5248565A (en) * | 1987-01-26 | 1993-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical-thermal magnetic storage medium |
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- 1993-04-08 JP JP05081962A patent/JP3072812B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-07 DE DE69416702T patent/DE69416702T2/de not_active Expired - Fee Related
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-
1997
- 1997-08-04 US US08/904,888 patent/US6187460B1/en not_active Expired - Lifetime
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